KR840004826A - 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정 - Google Patents

반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 패턴화 방법에 사용된 게르마늄-셀레늄막의 단면도.
제2A-2C도는 본 발명의 패턴화 방법의 한 실시예로서, 금속층을 내장하는 기판을 패턴화하는데 있어서 구비되는 단계를 도시한 도면.
제3도는 제2A-2C도에서 도시한 과정의 변화를 이용하는 기판의 금속화를 도시한 도면.

Claims (20)

  1. 표면을 내장하는 장치를 제조하기 위한 석판 처리 방법은, 절연도료의 선택된 부분을, 상기한 표면위에서, 에너지에 노출시키는 단계와; 절연도료의 노출되지 않은 부분을 제거하기 위해 현상액으로 절연도료를 처리하는 단계를 구비하며, 상기 절연도료가 다수의 영역을 내장하며, 각각의 영역을 제1 또는 제2화학 성분을 가지며, 제1화학 성분을 가지는 영역은 제2화학 성분 사이에 있으며, 제2화학 성분을 가지는 영역의 측면길이는 절연도료의 두께보다 더 작다는 것과, 상기 현상액이 제1과 제2화학성분을 내장하며, 제1화학성분은 제1화학성분을 가지는 영역을 선택적으로 에칭하며, 제1화학 성분의 에칭율은 제2화학 성분화 에칭율보다 더 크다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  2. 제1항에 의한 방법에 있어서, 절연도료가 칼코제나이드 유리를 내장한다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  3. 제2항에 의한 방법에 있어서, 칼코제나이드 유리는 0.1<X<0.2인 명목상 성분 GexSe1-x를 가지는 게르마늄-셀레늄 유리라는 것과, 제1화학 성분을 가지는 영역은 Ge Se2를 내장하며, 제2화학성분을 가지는 영역은 Se를 내장한다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  4. 제3항에 의한 방법에 있어서, 0.13≤X≤0.17이라는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  5. 제3항 또는 제4항에 의한 방법에 있어서, 제1화학성분이 수산화물 성분을 내장한다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  6. 제5항에 의한 방법에 있어서, 수산화물 성분이 테트라 메틸 암모늄 수산화물 또는 수산화 나트륨이라는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  7. 제3내지 6항중 어느 한 항에 의한 방법에 있어서, 제2화학성분이 황위물 성분이나 수산화붕소 성분을 내장하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  8. 제7항에 의한 방법에 있어서, 황화물 성분이 황화나트륨이며 붕수소화물 성분은 붕수소나트륨이라는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  9. 제3항 내지 8항중 어느 한 항에 의한 방법에 있어서, 에너지가 약 200내지 400nm(약 2000내지 4500Å)파장영역인 자외선을 내장한다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  10. 제3내지 8항중 어느 한 항에 의한 방법에 있어서, 에너지는 약 1Kev내지 약 3Kev까지 범위의 에너지를 가지는 전자 또는 약 10Kev내지 약 30Kev범위의 에너지를 가지는 이온을 내장한다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정.
  11. 제1내지 10항중 어느 한 항에 의한 방법에 있어서, 절연도료와 표면 사이에 중합체층이 있으며, 중합체층은 절연도료를 패턴화하는 동안에 노출된 중합체층의 부분의 상기 중합체 부분을 선택적으로 예칭액에 노출시켜 복사 패턴을 제조하기 위해 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  12. 제11항에 의한 방법에 의하면, 중합체층에 있어서의 복사패턴이 O2반응이온 에칭에 의해 제조된다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  13. 제11항에 의한 방법에 의한 방법에 있어서, 제품 표면위의 중합체층하에 금속층이 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  14. 제13항에 의한 방법에 있어서, 상기 중합체층을 패턴화 하는 동안에 노출된 금속층의 부분을 금속체 부분을 선택적으로 에칭액에 노출시켜 금속층을 패턴화하는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  15. 제14항에 의한 방법에 있어서, 금속층은 염소 플라즈마 에칭이나 불소 플라즈마 에칭에 의해 패턴화된다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판 처리 공정.
  16. 제1내지 10항중 어느 항에 의한 방법에 있어서, 절연도료와 기판 사이에 중합체층을 내장하며, 처리공정하는 층을 패턴화하는 동안에 노출된 중합체층 부분을 등방성으로 에칭하는 에칭액에 노출시켜 인터커트(intercut)복사 패턴을 만들기 위한 상기 중합체층을 처리 공정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  17. 내용 없음
  18. 전의항중의 어느 한항에 의한 방법에 있어서, 은 성분을 함유하는 물질을 유지하는 칼코제나이드 유리를 내장하는 절연도료를 표면위에 침전하고; 은성분을 함유하는 물질로부터의 응이동을 칼코제나이드 유리의 선택된 부분의 노출을 유도하고, 현상액내에 감소된 용해도의 은을 입힌 칼코제나이드 패턴을 정하고; 칼코제나이드 유리 표면으로부터의 에너지에 의해 영향을 받지 않은 은성분을 함유하는 물질을 스트리핑하고; 팬턴 절연도료를 만들도록 칼코제나이드 유리의 노출되지 않은 부분을 선택적으로 제거시키기 의한 현상액으로 칼코제나이드 유리의 처리를 유도하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  19. 전의 1 내지 18항중 어느 한 항에 의한 방법에 있어서, 표면에 절연도료를 침전하며, 절연도료는 희생층을 지지하는 칼코제나이드 유리를 내장하는다는 것과; 희생층의 선택된 부분을 제거시키므로서 희생층에 패턴을 정하고; 패턴화된 희생층에 의해 커버되지 않는 칼코제나이드 유리부분을 선택적으로 제거하는 현상액으로 칼코제나이드 유리를 처리하므로서 칼코 제나이드 유리에 있어서의 패턴을 복사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
  20. 전의 항중 어느 한 항에 의한 처리 공정으로 형성된 표면을 내장하는 결과는, 절연도료의 선택된 부분을, 상기한 표면위에서, 에너지에 노출시키는 단계와; 절연도료의 노출되지 않는 부분을 제거하기 위해 현상액으로 절연도료를 처리하는 단계를 구비하며, 상기 절연도료가 다수의 영역을 내장하며, 각각의 영역을 제1 또는 제2화학성분을 가지며, 제1화학성분을 가지는 영역은 제2화학 성분 사이에 있으며, 제2화학성분을 가지는 영역의 측면길이는 절연 도료의 두께보다 더 작다는 것과, 상기 현상액이 제1과 제2화학 성분을 내장하며, 제1화학 성분은 제1화학성분을 가지는 영역을 선틱적으로 에칭하며, 제1화학 성분의 에칭율은 제2화학성분의 에칭율보다 더 크다는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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