KR970077121A - 고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템 - Google Patents

고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템 Download PDF

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KR970077121A
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photoresist
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KR1019970020302A
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셰인 알. 팔머
Original Assignee
윌리엄 비. 켐플러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 한 실시예는 반도체 장치 제조를 위한 고 분해능 리스그래피용 포토레지스트 시스템이다. 이 시스템은 제1반응을 이끌어 내기 위하여 특성의 제1값으로 활성화되는 제1포토액티브 화합물; 특성의 제1값과는 다른 특성의 제2값으로 활성화되는 제2포토액티브 화합물을 포함하며, 제2포토액티브 화합물의 활성은 제1반응을 무력화시킨다. 본 발명의 다른 실시예에서, 특성은 에너지 레벨이다. 특성의 제1값은 상기 특성의 제2값보다 작을 수 있고, 또는 특성의 제1값을 특성의 제2값보다 클 수 있다. 이 실시예에 대한 한 변형 예에서, 적어도 제1값 만큼은 크지만 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속린스 단계에서 더 가용성이 되고, 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스단계에서 덜 가용성이 된다. 이 실시예에 대한 다른 변형 예에서, 적어도 제1값 만큼은 크지만 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 포레톨지스트 시스템의 영역들은 후속 린스단계에서 덜 가용성이 된다. 본 발명의 다른 실시예에서, 특성은 주파수이고 또는 케미컬 메이크업(chemical makeup)을 포함할 수 있다.

Description

고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 및 제3b도는 본 발명의 한 실시예에 따른 포토레지스트 시스템의 단면도이고 제3b도는 노출된 후의 포토레지스트 층을 보여주는 도면.

Claims (14)

  1. 반도체 장치를 제조하기 위한 고 분해능 리소크래피용 포토레지스트 시스템에 있어서, 제1반응을 이끌어 내기 위한 특성의 제1값으로 활성화되는 제1포토액티브 화합물; 상기 특성의 상기 제1값과는 다른 상기 특성의 제2값으로 활성화되는 제2포토액티브 화합물을 포함하고, 상기 제2포토액티브 화합물의 상기 활성은 상기 제1반응을 무효화시키는 포토레지스트 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 특성은 에너지 레벨인 포토레지스트 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 특성의 상기 제1값은 상기 특성의 상기 제2값보다 작은 포토레지스트 시스템.
  4. 제2항에 있어서, 상기 특성의 상기 값은 상기 특성의 상기 제2값보다 큰 포토레지스트 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 특성은 주파수인 포토레지스트 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 특성은 케미컬 메이크업(chemical makeup)인 포토레지스트 시스템.
  7. 제3항에 있어서, 적어도 상기 제1값 만큼은 크지만 상기 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스 단계에서 보다 더가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 포토레지스트 시스템.
  8. 제3항에 있어서, 적어도 상기 제1값 만큼은 크지만 상기 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 포토레지스트 시스템.
  9. 고 분해능 리소그래피를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 상에 재료층들을 형성하는 단계; 제1반응을 이끌어 내기 위해 제1에너지 레벨에서 활성화되는 제1포토액티브 화합물과 상기 제1에너지 레벨보다 큰 제2에너지 레벨로 활성화되는 제2포토액티브 화합물로 구성된 포토레지스트 층을 상기 층들 상에 형성하여 상기 층들을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 제2포토액티브 화합물의 상기 활성은 상기 고 분해능 리소그래피를 제공하기 위하여 상기 제1반응을 무효화시키는 반도체 장치 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 적어도 상기 제1에너지 레벨 만큼은 크지만 상기 제2에너지 레벨 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 후속 린스 단계에서 보다 더 가용성이 되고, 상기 제2에너지 레벨보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 반도체 장치 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 적어도 상기 제1에너지 레벨 만큼은 크지만 상기 제2에너지 레벨 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 반도체 장치 제조방법.
  12. 레지스트 층을 패터닝하는 방법에 있어서, 기판 재료위에 레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 층이 더 가용성이 되도록 하기 위해 상기 레지스트 층의 제2부분과 서로 작용하는 제2에너지 레벨을 갖고 있는 방사선을 상기 레지스트 층의 상기 제2부분을 향해 조사하는 단계를 포함하는 레지스트 층을 패터닝하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1에너지 레벨은 상기 제2에너지 레벨보다 큰 레지스트 층을 패터닝하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2에너지 레벨은 상기 제1에너지 레벨보다 큰 레지스트 층을 패터닝하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970020302A 1996-05-24 1997-05-23 고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템 KR970077121A (ko)

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US60/018,328 1996-05-24

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JPH1055068A (ja) 1998-02-24
EP0810477A3 (en) 1998-12-30
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