KR970077121A - 고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템 - Google Patents
고 분해능 리소그래피용 포토레지스트 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 한 실시예는 반도체 장치 제조를 위한 고 분해능 리스그래피용 포토레지스트 시스템이다. 이 시스템은 제1반응을 이끌어 내기 위하여 특성의 제1값으로 활성화되는 제1포토액티브 화합물; 특성의 제1값과는 다른 특성의 제2값으로 활성화되는 제2포토액티브 화합물을 포함하며, 제2포토액티브 화합물의 활성은 제1반응을 무력화시킨다. 본 발명의 다른 실시예에서, 특성은 에너지 레벨이다. 특성의 제1값은 상기 특성의 제2값보다 작을 수 있고, 또는 특성의 제1값을 특성의 제2값보다 클 수 있다. 이 실시예에 대한 한 변형 예에서, 적어도 제1값 만큼은 크지만 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속린스 단계에서 더 가용성이 되고, 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스단계에서 덜 가용성이 된다. 이 실시예에 대한 다른 변형 예에서, 적어도 제1값 만큼은 크지만 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 포레톨지스트 시스템의 영역들은 후속 린스단계에서 덜 가용성이 된다. 본 발명의 다른 실시예에서, 특성은 주파수이고 또는 케미컬 메이크업(chemical makeup)을 포함할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 및 제3b도는 본 발명의 한 실시예에 따른 포토레지스트 시스템의 단면도이고 제3b도는 노출된 후의 포토레지스트 층을 보여주는 도면.
Claims (14)
- 반도체 장치를 제조하기 위한 고 분해능 리소크래피용 포토레지스트 시스템에 있어서, 제1반응을 이끌어 내기 위한 특성의 제1값으로 활성화되는 제1포토액티브 화합물; 상기 특성의 상기 제1값과는 다른 상기 특성의 제2값으로 활성화되는 제2포토액티브 화합물을 포함하고, 상기 제2포토액티브 화합물의 상기 활성은 상기 제1반응을 무효화시키는 포토레지스트 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 특성은 에너지 레벨인 포토레지스트 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 특성의 상기 제1값은 상기 특성의 상기 제2값보다 작은 포토레지스트 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 특성의 상기 값은 상기 특성의 상기 제2값보다 큰 포토레지스트 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 특성은 주파수인 포토레지스트 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 특성은 케미컬 메이크업(chemical makeup)인 포토레지스트 시스템.
- 제3항에 있어서, 적어도 상기 제1값 만큼은 크지만 상기 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 시스템의 영역들은 후속 린스 단계에서 보다 더가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 포토레지스트 시스템.
- 제3항에 있어서, 적어도 상기 제1값 만큼은 크지만 상기 제2값 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 포토레지스트 시스템.
- 고 분해능 리소그래피를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 상에 재료층들을 형성하는 단계; 제1반응을 이끌어 내기 위해 제1에너지 레벨에서 활성화되는 제1포토액티브 화합물과 상기 제1에너지 레벨보다 큰 제2에너지 레벨로 활성화되는 제2포토액티브 화합물로 구성된 포토레지스트 층을 상기 층들 상에 형성하여 상기 층들을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 제2포토액티브 화합물의 상기 활성은 상기 고 분해능 리소그래피를 제공하기 위하여 상기 제1반응을 무효화시키는 반도체 장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 적어도 상기 제1에너지 레벨 만큼은 크지만 상기 제2에너지 레벨 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 후속 린스 단계에서 보다 더 가용성이 되고, 상기 제2에너지 레벨보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 반도체 장치 제조방법.
- 제9항에 있어서, 적어도 상기 제1에너지 레벨 만큼은 크지만 상기 제2에너지 레벨 만큼은 크지 않은 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되고, 상기 제2값보다 큰 에너지에 노출되는 상기 포토레지스트 층의 영역들은 상기 후속 린스 단계에서 덜 가용성이 되는 반도체 장치 제조방법.
- 레지스트 층을 패터닝하는 방법에 있어서, 기판 재료위에 레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 층이 더 가용성이 되도록 하기 위해 상기 레지스트 층의 제2부분과 서로 작용하는 제2에너지 레벨을 갖고 있는 방사선을 상기 레지스트 층의 상기 제2부분을 향해 조사하는 단계를 포함하는 레지스트 층을 패터닝하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 제1에너지 레벨은 상기 제2에너지 레벨보다 큰 레지스트 층을 패터닝하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 제2에너지 레벨은 상기 제1에너지 레벨보다 큰 레지스트 층을 패터닝하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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