JPS59121837A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS59121837A JPS59121837A JP57228164A JP22816482A JPS59121837A JP S59121837 A JPS59121837 A JP S59121837A JP 57228164 A JP57228164 A JP 57228164A JP 22816482 A JP22816482 A JP 22816482A JP S59121837 A JPS59121837 A JP S59121837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- point
- patterns
- exposure
- Prior art date
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特に近接効果の補
正方法に関する。
正方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
ＬＳＩ、超ＬＳＩのように高密度に配設された微細バク
ーンを電子ビーム露光により描画するには、所謂近接効
果の補正が不可欠であり、既に種々の方法が提唱されて
いる。
ーンを電子ビーム露光により描画するには、所謂近接効
果の補正が不可欠であり、既に種々の方法が提唱されて
いる。
近接効果は被露光体に塗布形成されたレジスト層中での
電子ビーム散乱（前方散乱と呼ばれる）及び被露光体で
ある基板からの電子ビーム散乱（後方散乱と呼ばれる）
によって、描画後のレジストパターンが電子ビーム照射
により大きく拡がるという現象である。特にパターン間
隔が２〔μｍ〕以下になると悪影響が顕著となり、結果
的にパターン形状に著しい歪が発生し、パターン積度が
低下する。
電子ビーム散乱（前方散乱と呼ばれる）及び被露光体で
ある基板からの電子ビーム散乱（後方散乱と呼ばれる）
によって、描画後のレジストパターンが電子ビーム照射
により大きく拡がるという現象である。特にパターン間
隔が２〔μｍ〕以下になると悪影響が顕著となり、結果
的にパターン形状に著しい歪が発生し、パターン積度が
低下する。
上記散乱によるレジスト層中での電子ビーム露光強度分
布は外部から照射するビーム中心からの距ＭｔｔＲの関
数として次式で表される。
布は外部から照射するビーム中心からの距ＭｔｔＲの関
数として次式で表される。
ｆ （Ｒ） −ｅｘｐ（−Ｒ／Ａ） ２＋ Ｂ ｅ
ｘｐ （−Ｒ／ Ｃ） ２−■上式において第１項目は
前方散乱、第２項目は後方散乱を表し、係数Ａ、Ｂ、Ｃ
はそれぞれレジストの厚みや基板材料等の条件によって
定まる定数である。
ｘｐ （−Ｒ／ Ｃ） ２−■上式において第１項目は
前方散乱、第２項目は後方散乱を表し、係数Ａ、Ｂ、Ｃ
はそれぞれレジストの厚みや基板材料等の条件によって
定まる定数である。
従来近接効果を補正するための最も一般的な方法は、各
パターン毎に、電子ビーム露光散乱強度分布〔■式〕と
パターン形状及び隣接パターンからの距離を考慮して、
最適な照射量を予め各パターン毎に設定し、この設定さ
れた照射量に基づいて露光するか、或いは露光パターン
寸法を設計パターン寸法より縮小して露光する方法であ
った。
パターン毎に、電子ビーム露光散乱強度分布〔■式〕と
パターン形状及び隣接パターンからの距離を考慮して、
最適な照射量を予め各パターン毎に設定し、この設定さ
れた照射量に基づいて露光するか、或いは露光パターン
寸法を設計パターン寸法より縮小して露光する方法であ
った。
これらはいずれもパターンデータ作成の時点で補正量を
決定しなければならない。
決定しなければならない。
電子ヒーム露光法により被処理基板に直接描画する場合
、描画パターンのレジスト残膜厚として所定値を確保す
る必要がある。
、描画パターンのレジスト残膜厚として所定値を確保す
る必要がある。
使用するレジストがネガレジストの場合には、照射量を
少なくすると残膜厚が薄くなるので、照射量補正による
近接効果を補正法では、所定のパターン寸法及びパター
ン間隔を満足しようとすると、パターン形状１量隔に応
して残１ｆＡ厚に差が生じる。
少なくすると残膜厚が薄くなるので、照射量補正による
近接効果を補正法では、所定のパターン寸法及びパター
ン間隔を満足しようとすると、パターン形状１量隔に応
して残１ｆＡ厚に差が生じる。
一方ボジレジストの場合には、加工精度を高めるためサ
イドエツチングを少なくすることを目的として、レジス
ト膜の側壁を垂直にしようとすると、被露光部のパター
ン寸法は設計パターン寸法より大きくなる。そしてこの
広がりはパターン寸法が大きい程、また膜厚が厚い程顕
著になる。このため照射量補正により所定のパターン寸
法及び間隔を満足しようとすると、得られたレジストパ
ターンの側壁断面が垂直になりにくいという問題がある
。
イドエツチングを少なくすることを目的として、レジス
ト膜の側壁を垂直にしようとすると、被露光部のパター
ン寸法は設計パターン寸法より大きくなる。そしてこの
広がりはパターン寸法が大きい程、また膜厚が厚い程顕
著になる。このため照射量補正により所定のパターン寸
法及び間隔を満足しようとすると、得られたレジストパ
ターンの側壁断面が垂直になりにくいという問題がある
。
従って直接露光の場合、照射量またはパターン寸法のい
ずれか一方のみを補正する方法では満足し得る結果は（
！Ｉられず、ネガレジストの残膜厚を厚く保ち且つパタ
ーン寸法を満足させるためにも、またポジレジストで側
壁断面が垂直で且つパターン寸法を満足させるためには
、寸法補正と照射量補正を併用することが必要である。
ずれか一方のみを補正する方法では満足し得る結果は（
！Ｉられず、ネガレジストの残膜厚を厚く保ち且つパタ
ーン寸法を満足させるためにも、またポジレジストで側
壁断面が垂直で且つパターン寸法を満足させるためには
、寸法補正と照射量補正を併用することが必要である。
そのためには各補正量を定量的に決定しなければならな
い。そこで第１図に示すように、各パターン毎にパター
ンの各辺の中点ａ、ｂ、ｃ、ｄをサンプル点とし、この
サンプル点に対する他のパターンからの影響を前記の式
によって求め、各サンプル点におけるエネルギ強度が所
定の現像強度になるように寸法補正量及び照射量を求め
る。
い。そこで第１図に示すように、各パターン毎にパター
ンの各辺の中点ａ、ｂ、ｃ、ｄをサンプル点とし、この
サンプル点に対する他のパターンからの影響を前記の式
によって求め、各サンプル点におけるエネルギ強度が所
定の現像強度になるように寸法補正量及び照射量を求め
る。
まず中央のパターンのａ点においては、０１Ｆ ＋ （
Ｒ１）＋ ０２ Ｆ ２（Ｒｚ）ｌ−Ｑ３Ｆ ａ（ＲＢ
）−Ｅ ■なる関係が成り立つ。ここでＱｉ （ｉ
−１〜３）は各パターンの照射量であり、Ｆｉ（Ｒｉ）
（ｉ＝１〜３）は各パターンの露光強度である。
Ｒ１）＋ ０２ Ｆ ２（Ｒｚ）ｌ−Ｑ３Ｆ ａ（ＲＢ
）−Ｅ ■なる関係が成り立つ。ここでＱｉ （ｉ
−１〜３）は各パターンの照射量であり、Ｆｉ（Ｒｉ）
（ｉ＝１〜３）は各パターンの露光強度である。
上記中Ｆ２（Ｒ劫は次式で与えられる。
ここでＷ及びＨはパターン２のパターン幅とパターン長
、ｘ１〜ｘ４は補正幅、Ｅは現像エネルギ強度である。
、ｘ１〜ｘ４は補正幅、Ｅは現像エネルギ強度である。
ｂ点、０点、ｄ点においても■式と同様な関係が成り立
つので、これらの関係から補正量を決定し、露光を行う
。
つので、これらの関係から補正量を決定し、露光を行う
。
しかしながら、パターンの各辺の中点をサンプル点とし
て補正量を求める従来法では、第２図及び第３図に示す
ように周囲のパターンの大きさ。
て補正量を求める従来法では、第２図及び第３図に示す
ように周囲のパターンの大きさ。
位置により補正量が著しく異なることとなる。即ち第２
図及び第３図の例において、パターンＰＡの右辺上のサ
ンプル点ａとパターンＰＢとの距離をそれぞれＲ１及び
Ｒ２とすると、見掛上Ｒ，＞Ｒ２となるため、それぞれ
の補正量Δ１．Δ２はΔ１くΔ２となってしまう。その
ため露光後のパターンのパターン精度が周囲のパターン
の大きさ及び位置により左右されるという問題がある。
図及び第３図の例において、パターンＰＡの右辺上のサ
ンプル点ａとパターンＰＢとの距離をそれぞれＲ１及び
Ｒ２とすると、見掛上Ｒ，＞Ｒ２となるため、それぞれ
の補正量Δ１．Δ２はΔ１くΔ２となってしまう。その
ため露光後のパターンのパターン精度が周囲のパターン
の大きさ及び位置により左右されるという問題がある。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は、補正量を決定するためのサンプル点を
周囲のパターンの影響を考慮して設定することにより、
良好なｉ！！ｌ１Ｊｊ楕度を得られる電子ビ−ム露光を
提供することにある。
周囲のパターンの影響を考慮して設定することにより、
良好なｉ！！ｌ１Ｊｊ楕度を得られる電子ビ−ム露光を
提供することにある。
（ｄｌ 発明の構成
本発明の特徴は、電子ビーム露光方法により被処理基板
上に複数個のパターンを描画するに先立ち、前記複数個
のパターンの各々のパターンに近接せるパターンに電子
ビームを照射したときの前記個々のパターンにおける散
乱電子ビーム強度を、前記個々のパターンの各辺上に設
定されたサンプル点において評価し、該評価された散乱
電子ビーム強度に基づいて前記個々のパターンに対する
電子ビーム照射量及び照射領域を補正するに際し、前記
サンプル点を、前記個々のパターンの各辺に対向せる近
接パターンの辺の中点に対応する前記個々のパターンの
対向する辺上の点を仮のサンプル点として選択し、一つ
の辺上に前記板のサンプル点が複数個存在するときは、
前記各サンプル点における散乱電子ビーム強度を評価し
、該評価された散乱電子ビーム強度に基づいて前記各サ
ンプル点のうちの一つまたは前記各サンプル点の中間点
を当該辺上のサンプル点として選択することにある。
上に複数個のパターンを描画するに先立ち、前記複数個
のパターンの各々のパターンに近接せるパターンに電子
ビームを照射したときの前記個々のパターンにおける散
乱電子ビーム強度を、前記個々のパターンの各辺上に設
定されたサンプル点において評価し、該評価された散乱
電子ビーム強度に基づいて前記個々のパターンに対する
電子ビーム照射量及び照射領域を補正するに際し、前記
サンプル点を、前記個々のパターンの各辺に対向せる近
接パターンの辺の中点に対応する前記個々のパターンの
対向する辺上の点を仮のサンプル点として選択し、一つ
の辺上に前記板のサンプル点が複数個存在するときは、
前記各サンプル点における散乱電子ビーム強度を評価し
、該評価された散乱電子ビーム強度に基づいて前記各サ
ンプル点のうちの一つまたは前記各サンプル点の中間点
を当該辺上のサンプル点として選択することにある。
（ａｌ 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
本発明の電子ビーム露光においては、前述の照射量及び
露光寸法を設定するに際して、被露光パターンの大きさ
９位置を考慮して特定パターン上のサンプル点の位置を
選択する。第４図は上記本発明の一実施例の補正量決定
方法を説明するための平面図である。
露光寸法を設定するに際して、被露光パターンの大きさ
９位置を考慮して特定パターン上のサンプル点の位置を
選択する。第４図は上記本発明の一実施例の補正量決定
方法を説明するための平面図である。
ここではパターンＰＡの補正量を求める場合を説明する
。
。
（１１パターンＰ、の周囲にパターンＰ、に影響を及ぼ
す範囲を示す枠（一点鎖線）を設定し、この枠内のパタ
ーンを影響を及ぼすパターンとして抽出する。
す範囲を示す枠（一点鎖線）を設定し、この枠内のパタ
ーンを影響を及ぼすパターンとして抽出する。
（２）パターンＰＡの各辺を延長する（破線）。
（３）前記抽出されたパターンのうち、パターンＰ、の
右辺に影響を及ぼすパターンとして、パターンＰＡの右
側にあり且つ上記破線内に存在するパターンｐＢ、ｐｃ
、ｐＤを抽出する。パターンＰ、の右辺のサンプル点の
設定に際し、パターンＰＡに接触するパターンＰＢを除
くパターンＰＣ及びパターンＰ。を選び出し、この両パ
ターンのパターンＰＡに対向する辺り。及びＬＬ］の中
点に対応するパターンＰＡの右辺上の点Ｃ及びｄを選定
する。この２つの点Ｃ及びｄに及ぼす影響、即ち露光強
度ＦＣ及びＦＤを比較して大きい方を選択する。本実施
例の場合は０点をパターンＰＡのサンプル点として選択
する。なお上記ＦＣとＦＤは前述の０式をパターンＰＣ
及びＰＤについて積分することによって求まる。
右辺に影響を及ぼすパターンとして、パターンＰＡの右
側にあり且つ上記破線内に存在するパターンｐＢ、ｐｃ
、ｐＤを抽出する。パターンＰ、の右辺のサンプル点の
設定に際し、パターンＰＡに接触するパターンＰＢを除
くパターンＰＣ及びパターンＰ。を選び出し、この両パ
ターンのパターンＰＡに対向する辺り。及びＬＬ］の中
点に対応するパターンＰＡの右辺上の点Ｃ及びｄを選定
する。この２つの点Ｃ及びｄに及ぼす影響、即ち露光強
度ＦＣ及びＦＤを比較して大きい方を選択する。本実施
例の場合は０点をパターンＰＡのサンプル点として選択
する。なお上記ＦＣとＦＤは前述の０式をパターンＰＣ
及びＰＤについて積分することによって求まる。
（４）前記各辺の延長枠内にないパターン、即ちパター
ンＰＥの影響は、パターンＰＡの上辺の中点ｅと、左辺
の中点ｒでの露光強度ＦＥ、Ｆ、とを比較して、大きい
方（本実施例ではｅ点）を選択する。
ンＰＥの影響は、パターンＰＡの上辺の中点ｅと、左辺
の中点ｒでの露光強度ＦＥ、Ｆ、とを比較して、大きい
方（本実施例ではｅ点）を選択する。
以上のようにパターンＰＡにおけるサンプル点は周囲の
パターンの影響を考慮して０点及びｅ点とする。０点で
のエネルギ強度は、（第４図参照）ＱＡＦ（ＲＡ）＋
Ｑａ Ｆ（ＲＢ）＋ Ｑｃ Ｆ（Ｒｃ’）＋ Ｑｏ
Ｆ（Ｒｐ） ＋ ＱＥ Ｆ（ＲＥ） ＝ Ｅ
・・・■で表される。ここで、ＱＡ〜Ｅは各パターン
の照射量、Ｆ（ＲＡ〜Ｅ）は各パターンの点Ｃに及ぼす
影響強度である。
パターンの影響を考慮して０点及びｅ点とする。０点で
のエネルギ強度は、（第４図参照）ＱＡＦ（ＲＡ）＋
Ｑａ Ｆ（ＲＢ）＋ Ｑｃ Ｆ（Ｒｃ’）＋ Ｑｏ
Ｆ（Ｒｐ） ＋ ＱＥ Ｆ（ＲＥ） ＝ Ｅ
・・・■で表される。ここで、ＱＡ〜Ｅは各パターン
の照射量、Ｆ（ＲＡ〜Ｅ）は各パターンの点Ｃに及ぼす
影響強度である。
もし強度ＦＣとＦＤとの差が非常に大きい場合には、パ
ターンＰＣとパターンＰＡの間隔は良好な精度で描画さ
れるが、パターンＰＤとパターンＰＡとの間隔の精度は
悪くなる。このような場合には、第４図に見られる如く
点Ｃとｄとの中点ｇをサンプル点とすることにより、精
度を向上させることが出来る。
ターンＰＣとパターンＰＡの間隔は良好な精度で描画さ
れるが、パターンＰＤとパターンＰＡとの間隔の精度は
悪くなる。このような場合には、第４図に見られる如く
点Ｃとｄとの中点ｇをサンプル点とすることにより、精
度を向上させることが出来る。
更にパターンＰＡの左辺及び上辺、下辺について各サン
プル点における影響強度を同様に求め、そのエネルギ強
度が所望の現像強度に等しくなるように、照射量及び露
光寸法の補正量を決定する。
プル点における影響強度を同様に求め、そのエネルギ強
度が所望の現像強度に等しくなるように、照射量及び露
光寸法の補正量を決定する。
上記照射量及び寸法の補正量は、露光パターンデータ作
成時に決定し、このデータを後述する電子ビーム露光装
置の制御系内の記憶装置に予め格納しておく。そして実
際の露光に際しては、露光するパターンに対応して上記
補正データを読み出し、これに基づいて露光を行う。
成時に決定し、このデータを後述する電子ビーム露光装
置の制御系内の記憶装置に予め格納しておく。そして実
際の露光に際しては、露光するパターンに対応して上記
補正データを読み出し、これに基づいて露光を行う。
第５図は上記一実施例に使用した電子ビーム露光装置を
示すブロック図で、通常使用されるものと特に変える必
要はない。即ち１は電子ビーム露光装置本体、２は電子
銃、３は電子レンズ系、４はｘ−ｙ偏向器、５は被処理
基板、６は電子ビーム、７は制御系、８は中央処理装置
（ＣＰ Ｕ）、９ば記憶装置（メモリ）、１０はディジ
タル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ） 、１１はアン
プを示す。
示すブロック図で、通常使用されるものと特に変える必
要はない。即ち１は電子ビーム露光装置本体、２は電子
銃、３は電子レンズ系、４はｘ−ｙ偏向器、５は被処理
基板、６は電子ビーム、７は制御系、８は中央処理装置
（ＣＰ Ｕ）、９ば記憶装置（メモリ）、１０はディジ
タル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ） 、１１はアン
プを示す。
前述のように決定された補正データは、露光制御データ
、パターンデータ等とともにメモリ９内に予め格納して
おく。実際の露光に当たっては、ＣＰＵ８はメモリ９よ
り露光ずべきパターン毎に上記各種データを読み出し、
これに基づいて露光位置或いは露光量を指示する信号を
送出する。露光位置を指示する走査信号はＤ Ａ Ｃ１
０によりアナログ量に変換され、アンプ１１を介して偏
向器４に送られ、偏向器４を作動させる。電子ビームは
上記偏向器４により偏向され、被処理基板上の所定領域
を走査する。
、パターンデータ等とともにメモリ９内に予め格納して
おく。実際の露光に当たっては、ＣＰＵ８はメモリ９よ
り露光ずべきパターン毎に上記各種データを読み出し、
これに基づいて露光位置或いは露光量を指示する信号を
送出する。露光位置を指示する走査信号はＤ Ａ Ｃ１
０によりアナログ量に変換され、アンプ１１を介して偏
向器４に送られ、偏向器４を作動させる。電子ビームは
上記偏向器４により偏向され、被処理基板上の所定領域
を走査する。
以上の如く本実施例では露光量及び露光領域の寸法の双
方に補正を加えて電子ビーム露光を行うので、描画され
たレジストパターンは、寸法、形状及び残膜厚のいずれ
に対しても良好な積度が得られる。
方に補正を加えて電子ビーム露光を行うので、描画され
たレジストパターンは、寸法、形状及び残膜厚のいずれ
に対しても良好な積度が得られる。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、露光補正量決定のため
のサンプル点の位置を、周囲のパターンの影響を考慮し
て選択することにより、補正精度が向上し高積度の描画
が可能となる。
のサンプル点の位置を、周囲のパターンの影響を考慮し
て選択することにより、補正精度が向上し高積度の描画
が可能となる。
第１図〜第３図は従来の電子ビーム露光方法の説明に供
するための平面図、第４図は本発明の一実施例を示す平
面図、第５図は上記一実施例に使用した電子ビーム露光
装置を示すブロック図である。 図において、ＰＡ−ＰＥは描画すべきパターン、ａ−ｇ
はサンプル点、ＲＡ−Ｒ１：はサンプル点ａと各パター
ンとの距離、１は電子ビーム露光装置、４は偏向器、５
は被処理基板、６は電子ビーム、７は制御系、８は中央
処理装置（ＣＰＵ） 、９は記憶装置（メモリ）、１０
はディジタル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ） 、１
１は偏向用のアンプを示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第 ５ 図
するための平面図、第４図は本発明の一実施例を示す平
面図、第５図は上記一実施例に使用した電子ビーム露光
装置を示すブロック図である。 図において、ＰＡ−ＰＥは描画すべきパターン、ａ−ｇ
はサンプル点、ＲＡ−Ｒ１：はサンプル点ａと各パター
ンとの距離、１は電子ビーム露光装置、４は偏向器、５
は被処理基板、６は電子ビーム、７は制御系、８は中央
処理装置（ＣＰＵ） 、９は記憶装置（メモリ）、１０
はディジタル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ） 、１
１は偏向用のアンプを示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第 ５ 図
Claims (1)
- 電子ビーム露光方法により被処理基板上に複数備１のパ
ターンを描画するに先立ち、前記複数個のパターンの各
にのパターンに近接せるパターンに電子ビームを照射し
たときの前記間々のパターンにおける散乱電子ビーム強
度を、前記間々のパターンの各辺上に設定されたサンプ
ル点において評価し、該評価された散乱電子ビーム強度
に基づいて前記間々のパターンに対する電子ビーム照射
量及び照射領域を補正するに際し、前記サンプル点を、
前記間々のパターンの各辺に対向せる近接パターンの辺
の中点に対応する前記間々のパターンの対向する辺上の
点を仮のサンプル点として選択し、一つの辺上に前記仮
のサンプル点が複数個存在するときは、前記各サンプル
点における散乱電子ビーム強度を評価し、該評価された
散乱電子ビーム強度に基づいて前記各サンプル点のうち
の一つまたは前記各サンプル点の中間点を当該辺上のサ
ンプル点として選択することを特徴とする、電子ビーム
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228164A JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228164A JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121837A true JPS59121837A (ja) | 1984-07-14 |
| JPS6314866B2 JPS6314866B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16872229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228164A Granted JPS59121837A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121837A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0208308A2 (en) * | 1985-07-09 | 1987-01-14 | Fujitsu Limited | A method for forming patterns by using a high-current-density electron beam |
| US5086398A (en) * | 1989-11-27 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4290070B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 面状ケーブル部材の接続部の補強方法及び画像表示装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57228164A patent/JPS59121837A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0208308A2 (en) * | 1985-07-09 | 1987-01-14 | Fujitsu Limited | A method for forming patterns by using a high-current-density electron beam |
| US5086398A (en) * | 1989-11-27 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314866B2 (ja) | 1988-04-01 |
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