KR950009898A - 근접효과를 보상하는 하전입자 빔의 노광방법 - Google Patents

근접효과를 보상하는 하전입자 빔의 노광방법 Download PDF

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Abstract

주패턴과 하부층 패턴을 동일한 분할 메쉬를 사용하여 일정 칫수의 소영역으로 분할하고, 후방산란으로 인한 하전입자빔의 확산을 고려하여 소영역이 예를 들어 수 ㎛평방으로 설정되며, 각 소영역상의 조사에너지가 하부층으로 부터의 후방산란을 고려하여 결정하며, 패턴이 패턴면적 밀도에 의해 대표되기 때문에 계산이 간략화되며, 하부층 패턴을 갖는 영역과 갖지 않는 영역을 하전입자빔에 의해 정밀하게 노광할 수 있다.

Description

근접효과를 보상하는 하전입자 빔의 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 하전입자 빔의 노광방법을 설명하는 플로우챠트.

Claims (6)

  1. 기판의 표면층상에 노광할 패턴의 데이타를 소정칫수의 소영역으로 분할하는 단계와, 분할된 각소영역내에서의 패턴의 면적 밀도를 산출하는 단계와, 하부층 패턴이 표면층밑에 이미 형성됐을 때 하부층 패턴의 데이터를 소정칫수의 소정역으로 분할하는 단계와, 각 분할된 소영역내에서의 하부층 패턴의 면적밀도를 산출하는 단계와, 표면층상의 패턴의 면적 밀도와 하부층상의 패턴의 면적밀도에 의존하는 전체 산란랑도에 근거하는 각각의 소영역 마다 표면층상에 패턴을 조사하기 위한 주노광강도를 산출하는 단계와, 상기 산출된 주노광강도에 근거한 표면층의 각 소영역을 노광하는 단계를 포함하는 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 하전입자빔의 전방산란이 exp(-r2/A2)(식중 r은 입사지점으로 부터의 거리이고, A는 계수임)에 의해 접근될때, 상기 소패턴의 폭이 적오 5Å이상인 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 표면층과 하부층은 공통분할 메쉬로 소영역으로 분할되는 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전체 후방산란 강도는 주노광패턴이 있는 동일한 소영역내에 존재하는 하부층 상의 패턴들을 샘플링하여 산출되는 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광방법.
  5. 기판의 표면층상에 노광할 패턴의 데이타를 소정칭수의 소영역으로 분할하는 제1분할수단과 분할된 각 소영역내에서의 패턴의 면적 밀도를 산출하는 제1산출수단과, 하부층패턴층이 표면층밑에 이미 형성됐을 때 하부층 패턴의 데이타를 소정칫수의 소영역으로 분할하는 제2분할수단과 각 분할된 소영역내에서의 하부층 패턴의 면적 밀도를 산출하는 제2산출수단과 표면층상의 패턴의 면적 밀도와 하부층상의 패턴의 면적밀도에 의존하는 전체 산란강도에 근거하여 각각의 소영역 마다 표면층상에 패턴을 조사하기 위한 주노광강도를 산출하는 제3산출수단과, 상기 산출된 주노광강도에 근거한 표면층의 각 소영역내의 패턴 데이타를 노광하는 조사수단을 포함하는 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 하전입자빔의 전방산란이 exp(-r2/A2)(식중 r은 입사지점으로 부터의 거리이고, A는 계수임)에 의해 접근될때, 상기 소패턴의 폭이 적어도 5Å이상인 하전입자빔을 사용하여 패턴을 노광하는 하전입자빔 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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