JP3161416B2 - パターン描画方法 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線直描の際
に、レジストを用いる荷電粒子ビーム直描によるパター
ン描画方法に属する。
に、レジストを用いる荷電粒子ビーム直描によるパター
ン描画方法に属する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造方法において
は、装置の高密度化が進んでいる。特に、微細パターン
を半導体ウェハ上に形成するリソグラフィーにおいて
は、設計ルールの微細化が進んでいる。このため、紫外
光を用いる光リソグラフィーに変わるリソグラフィー技
術として、Ｘ線を用いるＸ線リソグラフィーや、荷電粒
子ビームを用いる荷電粒子ビームリソグラフィーが次世
代のリソグラフィー方法として開発されている。
は、装置の高密度化が進んでいる。特に、微細パターン
を半導体ウェハ上に形成するリソグラフィーにおいて
は、設計ルールの微細化が進んでいる。このため、紫外
光を用いる光リソグラフィーに変わるリソグラフィー技
術として、Ｘ線を用いるＸ線リソグラフィーや、荷電粒
子ビームを用いる荷電粒子ビームリソグラフィーが次世
代のリソグラフィー方法として開発されている。
【０００３】荷電粒子ビームリソグラフィーにおいて
は、図５に示すように、下地基板２上に下地層１を形成
する。そして、図６に示すように、下地層１はパターン
化されて下地パターン３とする。ここで、下地層１をパ
ターン化する前工程を完了する。
は、図５に示すように、下地基板２上に下地層１を形成
する。そして、図６に示すように、下地層１はパターン
化されて下地パターン３とする。ここで、下地層１をパ
ターン化する前工程を完了する。
【０００４】次に、図７に示すように、下地パターン３
が形成されている下地基板２上には、レジストを塗布し
てレジスト膜５を形成する。このレジスト膜５には、電
子線（ＥＢ）４を照射し、現像することにより描画パタ
ーンを形成する。
が形成されている下地基板２上には、レジストを塗布し
てレジスト膜５を形成する。このレジスト膜５には、電
子線（ＥＢ）４を照射し、現像することにより描画パタ
ーンを形成する。
【０００５】レジスト膜５は、ベース樹脂、光酸発生
剤、架橋剤、溶解抑止剤などから構成されており、荷電
粒子ビームの照射により酸が発生する。発生した酸は、
ベース樹脂の保護基の脱離反応、あるいは樹脂の架橋反
応を引き起こし、現像液への溶解特性を変化させる。こ
れにより、荷電粒子の照射部と非照射部で現像液に対す
る溶解度が異なりパターンニングが可能となっている。
剤、架橋剤、溶解抑止剤などから構成されており、荷電
粒子ビームの照射により酸が発生する。発生した酸は、
ベース樹脂の保護基の脱離反応、あるいは樹脂の架橋反
応を引き起こし、現像液への溶解特性を変化させる。こ
れにより、荷電粒子の照射部と非照射部で現像液に対す
る溶解度が異なりパターンニングが可能となっている。
【０００６】また、図８に示すように、ビーム照射時に
は、描画を行う層の下地パターン８における近接効果の
影響を補正する為に、描画パターンの疎密に応じて露光
量を増減する、或いは、デフォーカスビームによる補助
露光を実施することによりパターンの描画によるレジス
ト膜５中の蓄積エネルギーを一定にする。これにより、
描画する層のパターンに依存する近接効果の影響を補正
する。
は、描画を行う層の下地パターン８における近接効果の
影響を補正する為に、描画パターンの疎密に応じて露光
量を増減する、或いは、デフォーカスビームによる補助
露光を実施することによりパターンの描画によるレジス
ト膜５中の蓄積エネルギーを一定にする。これにより、
描画する層のパターンに依存する近接効果の影響を補正
する。
【０００７】なお、図８中の破線によって示した部分の
符号９は、設計データパターンであり、実線によって示
した部分の符号１０は、実露光パターンを示している。
符号９は、設計データパターンであり、実線によって示
した部分の符号１０は、実露光パターンを示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のパターンの描画
方法では、描画パターンによる近接効果の影響を補正す
ることは出来る。しかし、装置は素子分離、導電性コン
タクト、配線などの複数の層を重ねて作成される為、描
画を行う層からの近接効果の影響に加え、前工程までに
形成された下地パターン３上のパターンによる影響を受
ける。これは、電子線を照射した際に、下地パターン３
の有無により電子線の散乱の程度が異なる為に、そこか
ら受ける描画強度が異なる為である。
方法では、描画パターンによる近接効果の影響を補正す
ることは出来る。しかし、装置は素子分離、導電性コン
タクト、配線などの複数の層を重ねて作成される為、描
画を行う層からの近接効果の影響に加え、前工程までに
形成された下地パターン３上のパターンによる影響を受
ける。これは、電子線を照射した際に、下地パターン３
の有無により電子線の散乱の程度が異なる為に、そこか
ら受ける描画強度が異なる為である。
【０００９】このため、これらの下地パターン３の影響
により、描画パターンの描画精度が低下してしまうとい
う問題がある。例えば、ある描画パターンの下地として
重金属の配線パターンが存在するような場合、重金属の
下地のある領域では電子線の後方散乱（図７に示した下
地パターン３が有る領域からの跳ね返り反射電子６）が
下地パターン３の無い領域の反射電子７に比べ大きくな
る。これは事実上高い露光量で描画することに等しいの
で、下地パターン３の有る領域でのパターン寸法は設計
段階で得られた設計データパターン９よりも大きくなっ
てしまうという問題がある。
により、描画パターンの描画精度が低下してしまうとい
う問題がある。例えば、ある描画パターンの下地として
重金属の配線パターンが存在するような場合、重金属の
下地のある領域では電子線の後方散乱（図７に示した下
地パターン３が有る領域からの跳ね返り反射電子６）が
下地パターン３の無い領域の反射電子７に比べ大きくな
る。これは事実上高い露光量で描画することに等しいの
で、下地パターン３の有る領域でのパターン寸法は設計
段階で得られた設計データパターン９よりも大きくなっ
てしまうという問題がある。
【００１０】それ故に、本発明の課題は、下地パターン
の有無による近接効果の影響を補正でき、描画パターン
の寸法精度を向上することが出来るパターン描画方法を
提供することにある。
の有無による近接効果の影響を補正でき、描画パターン
の寸法精度を向上することが出来るパターン描画方法を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、荷電粒
子電子線によるパターン描画方法において、下地基板上
に金属粉を含むレジストが塗布され、前記レジストの深
さ寸法が深くなるに連れ前記金属粉の濃度が大きく、か
つ下地パターンの無い領域は下地パターンのある領域よ
り前記金属粉の総量が多くなるレジスト膜に対し、所望
のパターンの描画を行うことを特徴とするパターン描画
方法が得られる。
子電子線によるパターン描画方法において、下地基板上
に金属粉を含むレジストが塗布され、前記レジストの深
さ寸法が深くなるに連れ前記金属粉の濃度が大きく、か
つ下地パターンの無い領域は下地パターンのある領域よ
り前記金属粉の総量が多くなるレジスト膜に対し、所望
のパターンの描画を行うことを特徴とするパターン描画
方法が得られる。
【００１２】
【作用】本発明のパターン描画方法では、電子線直描の
際に、金属粒子等を含むレジストを用いる。このレジス
トを塗布し、レジストの深さによってこれらの微粒子の
濃度が異なる（濃度勾配のある）レジスト膜を得る。こ
のレジスト膜では、レジストの深さ寸法が深くなるに連
れ、添加物の濃度が大きくなる為、近接効果も大きくな
る。
際に、金属粒子等を含むレジストを用いる。このレジス
トを塗布し、レジストの深さによってこれらの微粒子の
濃度が異なる（濃度勾配のある）レジスト膜を得る。こ
のレジスト膜では、レジストの深さ寸法が深くなるに連
れ、添加物の濃度が大きくなる為、近接効果も大きくな
る。
【００１３】下地パターンによる段差にしたがって、レ
ジスト膜厚は変化するが、下地パターンの無い部分は膜
厚が厚く、下地パターンの存在する領域では膜厚が薄く
なる。レジスト膜厚が大きくなるに伴い、この部分に含
有される添加物の総量は多くなるので、入射した電子線
はより散乱されやすくなる。つまり後方散乱が大きくな
る。これにより下地パターンの有無による影響を低減
し、近接効果の大きさを下地パターンの有無に関わらず
一定に均すことが出来る。
ジスト膜厚は変化するが、下地パターンの無い部分は膜
厚が厚く、下地パターンの存在する領域では膜厚が薄く
なる。レジスト膜厚が大きくなるに伴い、この部分に含
有される添加物の総量は多くなるので、入射した電子線
はより散乱されやすくなる。つまり後方散乱が大きくな
る。これにより下地パターンの有無による影響を低減
し、近接効果の大きさを下地パターンの有無に関わらず
一定に均すことが出来る。
【００１４】したがって、下地パターンの有無に関わら
ず、描画パターンを寸法精度良く描画することが出来
る。
ず、描画パターンを寸法精度良く描画することが出来
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のパターン描画方
法の一実施の形態例を図面を参照して説明する。図１乃
至図４は、本発明のパターン描画方法の一実施の形態例
を示している。
法の一実施の形態例を図面を参照して説明する。図１乃
至図４は、本発明のパターン描画方法の一実施の形態例
を示している。
【００１６】なお、このパターン描画方法の一実施の形
態例は、荷電粒子電子線直描によるパターン描画方法を
示している。
態例は、荷電粒子電子線直描によるパターン描画方法を
示している。
【００１７】図１を参照して、一実施の形態例における
パターン描画方法では、まず、下地基板２上にタングス
テン（Ｗ）のような金属を採用して下地層を形成する。
そして、下地層を前工程で形成された下地パターン３と
する。ここで、下地層をパターン化して下地パターン３
を作る前工程を完了する。この前工程は、図５および図
６において説明した、従来例と同じ方法を採用してい
る。
パターン描画方法では、まず、下地基板２上にタングス
テン（Ｗ）のような金属を採用して下地層を形成する。
そして、下地層を前工程で形成された下地パターン３と
する。ここで、下地層をパターン化して下地パターン３
を作る前工程を完了する。この前工程は、図５および図
６において説明した、従来例と同じ方法を採用してい
る。
【００１８】予め、前工程で作られたタングステンの下
地パターン３は、例えば、シリコン基板上に形成された
下地基板２に対して、図８に示した設計データパターン
９のような電子線直描を用いて描画する。なお、前工程
で形成された下地パターン３は、下地の段差を模式的に
表したものであり、図１によって明らかなように、下地
基板２上の下地パターン３の高さ寸法が異なっている。
地パターン３は、例えば、シリコン基板上に形成された
下地基板２に対して、図８に示した設計データパターン
９のような電子線直描を用いて描画する。なお、前工程
で形成された下地パターン３は、下地の段差を模式的に
表したものであり、図１によって明らかなように、下地
基板２上の下地パターン３の高さ寸法が異なっている。
【００１９】本発明のパターン描画方法では、下地基板
２上に塗布された金属粉を含むレジストに対して、所望
のパターンの描画を行うものである。下地板基板２に
は、図２に示すように、粒径１μｍ以下の添加剤として
金属粉である金粒子１２を十数％含有したレジストをス
ピンコート等により下地基板２及び下地パターン３上に
塗布してレジスト膜１１を形成する。レジストは、スピ
ンコート等により塗布してレジストた後、数分間放置
し、その後、プリベイクすることによりレジスト膜１１
を得る。この際、下地基板２上の段差の小さい（高さ寸
法が小さい）領域のレジスト膜１１の厚さ寸法は薄く、
下地基板２上の段差の無い領域のレジスト膜１１の厚さ
寸法は厚くなる。
２上に塗布された金属粉を含むレジストに対して、所望
のパターンの描画を行うものである。下地板基板２に
は、図２に示すように、粒径１μｍ以下の添加剤として
金属粉である金粒子１２を十数％含有したレジストをス
ピンコート等により下地基板２及び下地パターン３上に
塗布してレジスト膜１１を形成する。レジストは、スピ
ンコート等により塗布してレジストた後、数分間放置
し、その後、プリベイクすることによりレジスト膜１１
を得る。この際、下地基板２上の段差の小さい（高さ寸
法が小さい）領域のレジスト膜１１の厚さ寸法は薄く、
下地基板２上の段差の無い領域のレジスト膜１１の厚さ
寸法は厚くなる。
【００２０】前述したように、レジスト膜１１中には、
添加剤としての金粒子１２が含有されている。ここで、
レジスト膜１１中に含有される金粒子１２は、レジスト
に比べ重い為、レジスト膜１１の上層よりも下層に多く
沈積している。
添加剤としての金粒子１２が含有されている。ここで、
レジスト膜１１中に含有される金粒子１２は、レジスト
に比べ重い為、レジスト膜１１の上層よりも下層に多く
沈積している。
【００２１】さらに、図３に示すように、下地基板２上
に塗布された金粒子１２を含むレジスト膜１１に対し
て、電子線（ＥＢ）４によって所望のパターン描画を行
う。電子線４によるパターン描画時には、下地パターン
３からの散乱があり、反射電子１４による下地パターン
３からの近接効果により、下地パターン３が存在する領
域の描画強度が大きくなる。また、金粒子１２による反
射電子１３は、下地パターン３が存在しない領域の描画
強度が小さくなる。
に塗布された金粒子１２を含むレジスト膜１１に対し
て、電子線（ＥＢ）４によって所望のパターン描画を行
う。電子線４によるパターン描画時には、下地パターン
３からの散乱があり、反射電子１４による下地パターン
３からの近接効果により、下地パターン３が存在する領
域の描画強度が大きくなる。また、金粒子１２による反
射電子１３は、下地パターン３が存在しない領域の描画
強度が小さくなる。
【００２２】電子線直描の際には、金粒子１２を含むレ
ジストを用いて、このレジストを塗布し、レジストの深
さによってこれらの微粒子である金粒子１２の濃度が異
なる（濃度勾配のある）レジスト膜１１を得る。このレ
ジスト膜１１では、レジストの深さ寸法が深くなるに連
れ、添加物の濃度が大きくなる為、近接効果も大きくな
る。
ジストを用いて、このレジストを塗布し、レジストの深
さによってこれらの微粒子である金粒子１２の濃度が異
なる（濃度勾配のある）レジスト膜１１を得る。このレ
ジスト膜１１では、レジストの深さ寸法が深くなるに連
れ、添加物の濃度が大きくなる為、近接効果も大きくな
る。
【００２３】なお、下地パターン３による段差にしたが
ってレジスト膜１１の厚さは変化するが、このレジスト
膜１１に入射した電子線４は、レジスト膜１１中に存在
する金粒子１２による反射電子１３として散乱される
為、通常の高分子のみのレジストに比べて、後方散乱の
大きさが大きい。ここで、下地の有無によりレジスト膜
１１の厚さ寸法が異なるが、レジスト膜１１の厚い部分
に含まれる金粒子１２の総量は、薄い部分よりも多く、
その分、電子線４の散乱効果も高い。
ってレジスト膜１１の厚さは変化するが、このレジスト
膜１１に入射した電子線４は、レジスト膜１１中に存在
する金粒子１２による反射電子１３として散乱される
為、通常の高分子のみのレジストに比べて、後方散乱の
大きさが大きい。ここで、下地の有無によりレジスト膜
１１の厚さ寸法が異なるが、レジスト膜１１の厚い部分
に含まれる金粒子１２の総量は、薄い部分よりも多く、
その分、電子線４の散乱効果も高い。
【００２４】つまり、図４に示すように、レジスト膜１
１の厚さ寸法の厚い部分（下地パターン８の無い領域）
の露光強度は、他の部分に比べると高くなる。これによ
り、元々下地パターン８から受ける近接効果の影響を補
正して、下地パターン８の有無に関わらず一定の描画強
度を得ることが出来る。なお、図４中の符号１５は、下
地パターン８による影響を補正した後の実描画パターン
を示している。
１の厚さ寸法の厚い部分（下地パターン８の無い領域）
の露光強度は、他の部分に比べると高くなる。これによ
り、元々下地パターン８から受ける近接効果の影響を補
正して、下地パターン８の有無に関わらず一定の描画強
度を得ることが出来る。なお、図４中の符号１５は、下
地パターン８による影響を補正した後の実描画パターン
を示している。
【００２５】また、本発明のパターン描画方法の実施の
形態例では、下地基板２上に塗布された金粒子１２のよ
うな金属粉を含むレジストに対し、所望のパターンの描
画を行う方法を説明した。しかし、この実施の形態例で
は、金属粉が金粒子１２に限定されるものではなく、金
属粉は、粒子径が１ｍｍ以下のＴｉ、Ｗ、Ａｕ等の原子
量４５以上の遷移金属微粒子を採用することによって、
本発明の描画パターンが形成できる。
形態例では、下地基板２上に塗布された金粒子１２のよ
うな金属粉を含むレジストに対し、所望のパターンの描
画を行う方法を説明した。しかし、この実施の形態例で
は、金属粉が金粒子１２に限定されるものではなく、金
属粉は、粒子径が１ｍｍ以下のＴｉ、Ｗ、Ａｕ等の原子
量４５以上の遷移金属微粒子を採用することによって、
本発明の描画パターンが形成できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、下地のパターンによる
段差にしたがって、レジスト膜厚は変化するが、下地パ
ターンの無い部分は膜厚が厚く、下地パターンの存在す
る領域では膜厚が薄くなる。レジスト膜厚が大きくなる
に伴い、この部分に含有される添加物の総量は多くなる
ので、入射した電子線はより散乱されやすくなる。これ
により下地の有無による影響を低減し、近接効果の大き
さを下地の有無に関わらず一定に均一にすることが出来
る。
段差にしたがって、レジスト膜厚は変化するが、下地パ
ターンの無い部分は膜厚が厚く、下地パターンの存在す
る領域では膜厚が薄くなる。レジスト膜厚が大きくなる
に伴い、この部分に含有される添加物の総量は多くなる
ので、入射した電子線はより散乱されやすくなる。これ
により下地の有無による影響を低減し、近接効果の大き
さを下地の有無に関わらず一定に均一にすることが出来
る。
【００２７】したがって、下地パターンの有無に関わら
ず、レジスト自身に近接効果の補正機能を持たせ、下地
パターンの有無による近接効果の影響を補正できるた
め、描画パターンの寸法精度を向上することが出来る。
ず、レジスト自身に近接効果の補正機能を持たせ、下地
パターンの有無による近接効果の影響を補正できるた
め、描画パターンの寸法精度を向上することが出来る。
【図１】本発明のパターン描画方法の一実施の形態例を
示し、前工程に下地層の形成工程を説明するための説明
図である。
示し、前工程に下地層の形成工程を説明するための説明
図である。
【図２】図１の前工程から下地パターンを形成する工程
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
【図３】図２に示した状態から、電子線による直描を行
ったときの状態をしめす説明図である。
ったときの状態をしめす説明図である。
【図４】本発明のパターン描画方法の一実施の形態例に
よって描画された描画パターンを示す平面図である。
よって描画された描画パターンを示す平面図である。
【図５】従来のパターン描画方法における前工程で下地
層の形成工程を説明するための説明図である。
層の形成工程を説明するための説明図である。
【図６】図５に示した前工程で下地層の形成工程が完了
した状態を説明するための説明図である。
した状態を説明するための説明図である。
【図７】図６に示した下地層の形成工程が完了した状態
からレジスト膜を形成して電子線描画を行う工程を説明
するための説明図である。
からレジスト膜を形成して電子線描画を行う工程を説明
するための説明図である。
【図８】従来のパターン描画方法によって描画された描
画パターンを示す平面図である。
画パターンを示す平面図である。
１ 下地層 ２ 下地基板 ３，８ 下地パターン ４ 電子線 ５，１１ レジスト膜 ６ 下地パターンが有る領域の反射電子 ７ 下地パターンが無い領域の反射電子 ９ 設計データパターン １０ 実露光パターン １２ 金粒子 １３，１４ 反射電子 １５ 実描画パターン
Claims (6)
- 【請求項１】荷電粒子電子線によるパターン描画方法に
おいて、下地基板上に金属粉を含むレジストが塗布さ
れ、前記レジストの深さ寸法が深くなるに連れ前記金属
粉の濃度が大きく、かつ下地パターンの無い領域は下地
パターンのある領域より前記金属粉の総量が多くなるレ
ジスト膜に対し、所望のパターンの描画を行うことを特
徴とするパターン描画方法。 - 【請求項２】請求項１記載のパターン描画方法におい
て、下地基板上に下地層を形成し、該下地層をパターン
化して下地パターンとし、前記下地基板に前記金属粉を
含有した前記レジストを塗布してレジスト膜を得ること
を特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項３】請求項２記載のパターン描画方法におい
て、前記レジスト膜の厚さ寸法の厚い部分の露光強度
を、他の部分に比べて高くし、前記下地パターンから受
ける近接効果の影響を補正して、一定の描画強度を得る
ことを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項４】請求項１記載のパターン描画方法におい
て、前記金属粉は、金粒子であることを特徴とするパタ
ーン描画方法。 - 【請求項５】請求項１記載のパターン描画方法におい
て、前記金属粉は、粒径 １ｍｍ以下の原子量 ４５以
上の遷移金属微粒子であることを特徴とするパターン描
画方法。 - 【請求項６】請求項５記載のパターン描画方法におい
て、前記遷移金属微粒子は、Ｔｉ 、Ｗ、Ａｕのうちの
一つであることを特徴とするパターン描画方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP16970498A JP3161416B2 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | パターン描画方法 |
| KR1019990022685A KR100299004B1 (ko) | 1998-06-17 | 1999-06-17 | 하전 입자빔으로 직접 기록하는 패턴 묘화 방법 |
| US09/335,343 US6114093A (en) | 1998-06-17 | 1999-06-17 | Method of drawing a pattern by direct writing with charged particle beam utilizing resist containing metal powder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16970498A JP3161416B2 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | パターン描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012415A JP2000012415A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3161416B2 true JP3161416B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=15891337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16970498A Expired - Fee Related JP3161416B2 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | パターン描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114093A (ja) |
| JP (1) | JP3161416B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299004B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6041223A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
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| US4612275A (en) * | 1985-04-26 | 1986-09-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer resists with improved sensitivity and reduced proximity effect |
| JP2516207B2 (ja) * | 1987-03-05 | 1996-07-24 | 株式会社日立製作所 | 放射線感応性材料 |
| JP2926718B2 (ja) * | 1988-09-26 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 電子線直接描画方法 |
| JPH02310358A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Nkk Corp | 金属ストリップの溶融金属めっき方法 |
| JPH03179724A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子線リソグラフィ用下層材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2586692B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH0778737A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| JPH08328255A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| KR100234143B1 (ko) * | 1996-06-07 | 1999-12-15 | 미야즈 쥰이치로 | 레지스트 물질 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP16970498A patent/JP3161416B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-17 KR KR1019990022685A patent/KR100299004B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-17 US US09/335,343 patent/US6114093A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000006243A (ko) | 2000-01-25 |
| US6114093A (en) | 2000-09-05 |
| KR100299004B1 (ko) | 2001-11-01 |
| JP2000012415A (ja) | 2000-01-14 |
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