KR890013736A - 마스크 및 무마스크 처리 스트립을 사용한 새로운 레지스트의 엑사이머 레이저 패턴화 방법 - Google Patents

마스크 및 무마스크 처리 스트립을 사용한 새로운 레지스트의 엑사이머 레이저 패턴화 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

마스크 및 무마스크 처리 스트립을 사용한 새로운 레지스트의 엑사이머 레이저 패턴화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 도체가 피복된 기판위에 적절히 배치된 본 발명의 레지스트 시스템의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 실행을 설명하는 도면,
제3도는 레이저광을 마스크를 거쳐 본 발명의 레지스트 시스템위에 충돌시킨 상태를 도시한 도면.

Claims (53)

  1. 윗쪽에 도전층을 가진 기판위에 어블레이터블 흡광 중합체로된 박막층을 배치하여 이 중합체 물질이 상기 도전층에 접촉되도록 하는 단계와, 상기 중합체층을 어블레이트하기 위해 레이저 에너지 비임을 마스크를 통해 상기 어블레이터블 중합체 위로 향하게 하여 상기 도전층을 부분적으로 노출하는 단계와, 상기 부분적으로 어블레이트된 중합체층과 상기 노출된 도전층 위에 투광 물질로된 두꺼운 충을 배치하여 흡광도와 상기 투광도를 동일한 주파수 범위에 대해 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 광패턴화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두꺼운 층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크렬레이트 및 폴리카보네이트로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 엑사이머 레이저에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 자외선 주파수 영역에 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 박막층의 두께는 약 1.0미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 두꺼운 충의 두께는 대략 1 내지 대략 100미크론의 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마지막의 노출된 도전층을 부식하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 두꺼운 층과 박막층의 어떤 남아 있는 물질을 제거하기 위한 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 노출된 도전층의 일부분 위에 또다른 도전층 물질을 침전 시키는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서. 상기 두꺼운충과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제 2레이저 비임 노출은 상기 제 1레이저 비임 노출 보다 강력한 레이저를 사용해서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제 2레이저 노출은 마스크 없이 실행되는 것을 특징으로 하는 방법. .
  14. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 구리를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 상기 기판에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않은 표면을 가지는 것을 특징으로 히는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 기판은 관통 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제1항에 있어서, 어블레이트된 물질이 생성되었을때 진공 수단으로 이 물질을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1항에 있어서, 어블레이션 위치에서 어블레이트된 물질을 바람에 의해 날려 보냄으로써 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 어블레이터블 흡광성 중합체로 된 박막 하부층과, 이 중합체위에 존재하는 투광성 물질로된 두꺼운 상부층을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  21. 제20항에 있어서, 상기 하부층은 자외선 범위내에서 흡광성인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  22. 제20항에 있어서, 상기 하부층이 두께는 약 0.1 미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  23. 제20항에 있어서, 상기 상부층의 두께는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  24. 제20항에 있어서, 상기 하부층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  25. 제20항에 있어서, 상기 상부층은 폴리메틸메타크렬레이트, 폴리에틸메타크릴레이트 및 폴리카보네이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  26. 제20항에 있어서, 상기 상부층은 자외선 전달층인 것을 특칭으로 하는 2레밸 레지스트 구조체.
  27. 제20항에 있어서, 상기 상부층과 상기 하부층은 서로 다른 용해도를 갖는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  28. 제20항에 있어서, 상기 하부층은 금속 코팅된 기판에 접촉하여 배치되는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  29. 제28항에 있어서, 상기 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  30. 제28항에 있어서, 상기 기판은 중합체를 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
  31. 윗쪽에 도전층을 가진 기판위에 어블레이터블 흡광 중합체로된 박막층을 배치하여 이 중합체 물질이 상기 도전층에 접촉되도록 하는 단계와, 상기 중합체층 위에 두꺼운 투광물질층을 배치하여 상기 흡광도와 상기 투광도를 동일한 주파수 범위에 대해 결정하는 단계와, 상기 증합체층을 어붙레이트하는 동시에 상기 어블레이트된 중합체층 위의 상기 두꺼운 층을 제거하기 위해. 상기 레이저 에너지 비임을 마스크를 통과하게 함으로써 상기 선택된 도전층의 일부가 상기 두꺼운층과 박막층을 통해 노출되게 하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 광패턴화 방법.
  32. 제31항에 있어서. 상기 박막층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 두꺼운층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트 및 폴리카보네이트로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제31항에 있어서. 상기 레이저 에너지는 엑사이머 레이저에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제31항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 자외선 주파수 범위내에 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제31항에 있어서, 상기 박막층의 두께는 약 0.1미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제31항에 있어서. 상기 두꺼운층의 두께는 대략 1미크론 내지 대략 100미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제31항에 있어서, 상기 노출된 도전층을 부식하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 두꺼운층과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제31항에 있어서, 상기 노출된 도전층의 일부분 위에 또다른 도전층을 침전시키는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 두꺼운층과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 충분히 두꺼운 도전층을 제거하여 남아 있는 패턴이 상기 비임에 의해 상기 두꺼운층과 박막층에 생성된 패턴과 동일해지도록한 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제31항에 있어서, 상기 도전층은 구리를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제31항에 있어서, 상기 비임을 마스크를 통과하는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제44항에 있어서, 상기·마스크는 상기 기판에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제31항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않는 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제31항에 있어서, 상기 기판은 관통 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제31항에 있어서, 어블레이트된 물질이 생성되었을때 진공 수단으로 이 물질을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제31항에 있어서, 어블레이션 위치에서 상기 어블레이트된 물질을 바람에 의해 날려 보냄으로써 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제31항에 있어서, 상기 비임은 집속되는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 제31항에 있어서, 상기 레이저 비임에 의해 노출된 도전층 위에 또다른 도전층을 침전시키는 단계와, 노출되지 않은 중합체와 상기 투광성 상부층의 물질을 제거하는, 단계와, 도체물질을 많이 제거해서 도체 물질이 레이저 비임이 향하는 곳에만 존재하도록 하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 수정 기판과, 이 기판위에 배치된 패턴화된 티타늄층과, 상기 타타늄층 위에 배치되고, 알루니늄과 은으로 구성된 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 패턴화된 반사 금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 고에너지 밀도 레이저 패턴화용 마스크.
  53. 고에너지 밀도 패턴화용 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 상기 수정 기판은 황산과 산화제와의 혼합물에서 세척하는 단계와, 상승된 온도에서 상기 세척된 기판을 헹구고 진공 상태로 건조시키는 단계와, 상기 기판위에 티타늄을 침전시키는 단계와, 상기 티타늄층 전반에 걸쳐 반사금속층을 침전시키는 단계와, 상기 티타늄층과 반사금속층을 패턴화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890001386A 1988-02-05 1989-02-04 마스크 및 무마스크 처리 스트립을 사용한 새로운 레지스트의 엑사이머 레이저 패턴화 방법 KR890013736A (ko)

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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5682187A (en) * 1988-10-31 1997-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an ink jet head having a treated surface, ink jet head made thereby, and ink jet apparatus having such head
US5208604A (en) * 1988-10-31 1993-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet head and manufacturing method thereof, and ink jet apparatus with ink jet head
US4940508A (en) * 1989-06-26 1990-07-10 Digital Equipment Corporation Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure
US4940881A (en) * 1989-09-28 1990-07-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Method and apparatus for effecting selective ablation of a coating from a substrate, and controlling the wall angle of coating edge portions
US5305015A (en) * 1990-08-16 1994-04-19 Hewlett-Packard Company Laser ablated nozzle member for inkjet printhead
US5291226A (en) * 1990-08-16 1994-03-01 Hewlett-Packard Company Nozzle member including ink flow channels
US5442384A (en) * 1990-08-16 1995-08-15 Hewlett-Packard Company Integrated nozzle member and tab circuit for inkjet printhead
US5469199A (en) * 1990-08-16 1995-11-21 Hewlett-Packard Company Wide inkjet printhead
US5039186A (en) * 1990-08-20 1991-08-13 Hoechst Celanese Corp. Production of nonlinear optically responsive polymeric waveguides
US5142120A (en) * 1990-12-21 1992-08-25 Hewlett-Packard Company Contact cooling of a projection mask
US5178726A (en) * 1991-03-07 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a patterned metal surface
US5314709A (en) * 1991-03-20 1994-05-24 International Business Machines Corporation Unzippable polymer mask for screening operations
US5257178A (en) * 1991-12-19 1993-10-26 General Electric Company Method of optimally operating a computer numerical control milling machine to mill optimal high density interconnect substrates
US5420627A (en) * 1992-04-02 1995-05-30 Hewlett-Packard Company Inkjet printhead
US5297331A (en) * 1992-04-03 1994-03-29 Hewlett-Packard Company Method for aligning a substrate with respect to orifices in an inkjet printhead
US5450113A (en) * 1992-04-02 1995-09-12 Hewlett-Packard Company Inkjet printhead with improved seal arrangement
US5278584A (en) * 1992-04-02 1994-01-11 Hewlett-Packard Company Ink delivery system for an inkjet printhead
US5300959A (en) * 1992-04-02 1994-04-05 Hewlett-Packard Company Efficient conductor routing for inkjet printhead
US5322986A (en) * 1992-04-06 1994-06-21 Eastman Kodak Company Methods for preparing polymer stripe waveguides and polymer stripe waveguides prepared thereby
IL105925A (en) * 1992-06-22 1997-01-10 Martin Marietta Corp Ablative process for printed circuit board technology
US5344729A (en) * 1992-06-26 1994-09-06 Martin Marietta Corporation Conformal photomask for three-dimensional printed circuit board technology
US5255431A (en) * 1992-06-26 1993-10-26 General Electric Company Method of using frozen epoxy for placing pin-mounted components in a circuit module
US5387484A (en) * 1992-07-07 1995-02-07 International Business Machines Corporation Two-sided mask for patterning of materials with electromagnetic radiation
US5264108A (en) * 1992-09-08 1993-11-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser patterning of laminated structures for electroplating
US5336928A (en) * 1992-09-18 1994-08-09 General Electric Company Hermetically sealed packaged electronic system
US5324687A (en) * 1992-10-16 1994-06-28 General Electric Company Method for thinning of integrated circuit chips for lightweight packaged electronic systems
US6274391B1 (en) 1992-10-26 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated HDI land grid array packaged device having electrical and optical interconnects
US5374792A (en) * 1993-01-04 1994-12-20 General Electric Company Micromechanical moving structures including multiple contact switching system
US5384691A (en) * 1993-01-08 1995-01-24 General Electric Company High density interconnect multi-chip modules including embedded distributed power supply elements
US5364493A (en) * 1993-05-06 1994-11-15 Litel Instruments Apparatus and process for the production of fine line metal traces
US5460921A (en) * 1993-09-08 1995-10-24 International Business Machines Corporation High density pattern template: materials and processes for the application of conductive pastes
DE4417245A1 (de) * 1994-04-23 1995-10-26 Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten
US5472539A (en) * 1994-06-06 1995-12-05 General Electric Company Methods for forming and positioning moldable permanent magnets on electromagnetically actuated microfabricated components
US5736998A (en) * 1995-03-06 1998-04-07 Hewlett-Packard Company Inkjet cartridge design for facilitating the adhesive sealing of a printhead to an ink reservoir
US5852460A (en) * 1995-03-06 1998-12-22 Hewlett-Packard Company Inkjet print cartridge design to decrease deformation of the printhead when adhesively sealing the printhead to the print cartridge
US5843363A (en) * 1995-03-31 1998-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Ablation patterning of multi-layered structures
US5745989A (en) * 1995-08-04 1998-05-05 Exotic Materials, Inc. Method of preparation of an optically transparent article with an embedded mesh
US5756236A (en) * 1997-01-29 1998-05-26 International Business Machines Corporation Fabrication of high resolution aluminum ablation masks
US5895581A (en) * 1997-04-03 1999-04-20 J.G. Systems Inc. Laser imaging of printed circuit patterns without using phototools
GB2325439A (en) 1997-05-23 1998-11-25 Gersan Ets Marking diamond gemstone by plasma or ion beam etching through a laser ablated resist
US6239980B1 (en) 1998-08-31 2001-05-29 General Electric Company Multimodule interconnect structure and process
US6188301B1 (en) 1998-11-13 2001-02-13 General Electric Company Switching structure and method of fabrication
IL129307A0 (en) * 1999-04-04 2000-02-17 Scitex Corp Ltd Process for direct digital printing of circuit boards
US6272271B1 (en) 1999-04-29 2001-08-07 General Electric Company Alignment of optical interfaces for data communication
JP2003100625A (ja) * 2000-08-30 2003-04-04 Ishikawa Seisakusho Ltd 半導体デバイス製造におけるパターン転写方法
SG115381A1 (en) * 2001-06-20 2005-10-28 Univ Singapore Removal of organic layers from organic electronic devices
US6774051B2 (en) * 2002-06-12 2004-08-10 Macronix International Co., Ltd. Method for reducing pitch
KR100978250B1 (ko) * 2002-11-22 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성방법 및 이를 이용한 전기소자 제조방법
US7655152B2 (en) * 2004-04-26 2010-02-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Etching
FR2882490B1 (fr) * 2005-02-23 2009-04-24 Eads Space Transp Sas Soc Par Procede pour la realisation de motifs electriquement conducteurs sur une surface non developpable d'un substrat isolant, et dispositif obtenu
KR101174777B1 (ko) 2005-12-27 2012-08-20 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7749907B2 (en) * 2006-08-25 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5110830B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7867907B2 (en) * 2006-10-17 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8420978B2 (en) * 2007-01-18 2013-04-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates
US8003300B2 (en) * 2007-04-12 2011-08-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods for fabricating complex micro and nanoscale structures and electronic devices and components made by the same
US8652763B2 (en) * 2007-07-16 2014-02-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method for fabricating dual damascene profiles using sub pixel-voting lithography and devices made by same
JP4541394B2 (ja) * 2007-10-31 2010-09-08 パナソニック株式会社 金属ローラの製造方法
US8546067B2 (en) * 2008-03-21 2013-10-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Material assisted laser ablation
US8187795B2 (en) * 2008-12-09 2012-05-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Patterning methods for stretchable structures
US8816249B2 (en) * 2009-04-28 2014-08-26 Industrial Technology Research Institute Apparatuses for fabricating patterns using laser diode
TWI417017B (zh) * 2009-07-30 2013-11-21 Unimicron Technology Corp 線路板的基材及其鑽孔方法
JP5994838B2 (ja) * 2014-12-11 2016-09-21 Ｊｆｅスチール株式会社 冷延鋼帯の線状溝形成方法および方向性電磁鋼板の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3547629A (en) * 1962-09-27 1970-12-15 American Screen Process Equip Photoflash method of transferring information and fabricating printed circuits
US4108659A (en) * 1972-08-25 1978-08-22 European Rotogravure Association Method of engraving printing plates of forms by means of energy beams, especially laser beams
JPS6035736B2 (ja) * 1977-12-15 1985-08-16 富士写真フイルム株式会社 レ−ザ記録装置
GB2048785B (en) * 1979-03-07 1982-12-15 Crosfield Electronics Ltd Engraving printing cylinders
JPS5655045A (en) * 1979-10-11 1981-05-15 Fujitsu Ltd Formation of pattern
US4414059A (en) * 1982-12-09 1983-11-08 International Business Machines Corporation Far UV patterning of resist materials
US4617085A (en) * 1985-09-03 1986-10-14 General Electric Company Process for removing organic material in a patterned manner from an organic film
JPS63246822A (ja) * 1987-04-02 1988-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
US4780177A (en) * 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist

Also Published As

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JPH024264A (ja) 1990-01-09
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US4842677A (en) 1989-06-27

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