JP2889574B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JP2889574B2 JP2889574B2 JP20676387A JP20676387A JP2889574B2 JP 2889574 B2 JP2889574 B2 JP 2889574B2 JP 20676387 A JP20676387 A JP 20676387A JP 20676387 A JP20676387 A JP 20676387A JP 2889574 B2 JP2889574 B2 JP 2889574B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- resist
- absorbed
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明はリフトオフ用のレジストパターンの形成方法
に関するものである。 ロ）従来の技術 リフトオフにより金属膜等のパターンを形成する場合
に、有効なレジスト膜の断面形状は逆台形が望ましい。
なぜなら、第２図Ａに示すように、レジスト膜（22）の
断面形状が長方形であると、上方から金属膜（23）を蒸
着した場合、レジスト膜（22）の側面で金属膜（23）が
ひげ状に形成されたり、金属膜（23）の側面とレジスト
膜（22）の側面との密着により溶剤によるレジスト膜
（22）の剥離がされないという不都合が生じるためであ
る。 そこで従来、例えば特開昭61−256729号公報の如く、
レジスト膜を２層とし、まず上層のレジスト膜（25）を
所定パターンにエッチングして上層のレジスト膜（25）
で金属膜蒸着時の基板に対する開口幅を規制するように
し、下層のレジスト膜（24）を上層のレジスト膜（25）
よりも広く開口して（下層のレジスト膜（24）を上層の
レジスト膜（25）よりも小さく形成する）、実質的な逆
台形形状を形成している（第２図Ｂ）。 ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述の如く、リフトオフを効率よく行
うための、断面形状が逆台形であるレジストパターンを
形成するにはレジスト膜を二層構造にしたり、各層別々
にエッチングを行わなければならない等、多くの手間を
必要としていた。 本発明は斯様な点に鑑みて為されたもので、断面形状
が逆台形であるレジストパターンを、工程数を増やすこ
となく、容易に形成できるパターン形成方法を提供する
ものである。 ニ）問題点を解決するための手段 本発明はポジ型の電子線用レジスト膜表面に対して、
そのレジスト膜で吸収される露光量よりも大きい露光量
の遠紫外線で所定パターンに露光することにより前記遠
紫外線の一部を前記レジスト膜に吸収させると共に、前
記レジスト膜を透過した遠紫外線をレジスト膜下の前記
基板表面で反射させて基板表面付近のレジスト膜に吸収
させ、次いで、遠紫外線を吸収した前記レジスト膜の露
光部を通常の現像により除去して、断面形状が逆台形で
あるレジスト膜のレジストパターンを形成するものであ
る。 ホ）作用 電子線用のレジストは電子線よりも波長の長い光に対
しては、波長が長くなるにつれて、光が透過しやすくな
り吸収されにくくなる。即ち、長い波長の光に対しては
露光されにくくなる。ポジ型の電子線用レジストに対し
て、そのレジスト膜で吸収される露光量よりも大きい露
光量の遠紫外線で露光することにより、レジスト膜下の
基板表面で吸収されなかつた光の反射が起こり、露光幅
よりも広く、特に基板面に近いほど広く散乱し、そして
吸収される。つまり、レジスト膜表面よりも基板に近い
付近で広く露光がされ、現像によつて断面形状が逆台形
のレジスト膜のパターンが得られる。 ヘ）実施例 本発明に係る一実施例の工程説明図を第１図Ａ乃至Ｂ
に示す。 まずSi等の基板（１）上にポジ型の電子線用レジスト
膜（２）を１μｍ程度の厚さに塗布する（第１図Ａ）．
ポジ型の電子線用レジストとしてはPMMAがあり、例えば
OEBR（東京応化（株）製）やSEBR（三洋電機（株）製）
がある。 レジスト膜（２）のプリベーク後、マスク（４）を用
いて、レジスト膜（２）で吸収される露光量よりも大き
い露光量の遠紫外線で所定のパターンに露光する（同図
Ｂ）。条件としては、例えば波長250nm、光量40m W/cm2
の光で約200秒露光する。光はレジスト膜（２）に対し
てレジスト膜（２）表面の開口すべき幅（マスク（４）
の開口幅）を保つて入射する。基板（１）面に到達する
までにある程度吸収され、レジスト膜（２）を露光す
る。遠紫外線は電子線に比べてやや吸収されにくく、レ
ジスト膜（２）で吸収される露光量よりも大きい露光量
の遠紫外線で露光しているので、入射した遠紫外線はそ
の全ては吸収されずに１部が透過して基板（１）表面に
到達する。そして基板（１）表面で遠紫外線はマスク
（４）の開口幅よりも広い方向に反射して、基板（１）
表面付近のレジスト膜（２）に吸収される。その結果レ
ジスト膜（２）の露光部は、レジスト膜（２）の表面に
較べ基板（１）に近づくほど広く露光されることにな
る。 尚、露光量は、使用するレジスト材に指定された露光
量よりも数倍大きいほうが望ましい。これは入射する光
のうち基板面で反射する光の量を十分に得るためであ
る。 次に通常の所定の現像液で現像を行い、レジスト膜
（２）の露光部を除去する（同図Ｃ）。断面形状が台形
に露光されているので、レジスト膜（２）は断面形状が
逆台形となる。 斯様にして所定のレジストパターンを形成した後、リ
フトオフで金属膜のパターンを形成するために、その上
方から、例えばAlを真空蒸着して基板（１）あるいはレ
ジスト膜（２）表面上にAl膜（３）を厚さ0.7μｍ形成
する（同図Ｄ）。そして最後に有機溶剤にて、レジスト
膜（２）を該レジスト膜（２）上のAl膜（３）とともに
溶解除去して、Al膜（３）の所定パターンを得る（同図
Ｅ）。このとき、レジスト膜（２）の断面形状が逆台形
であるため、溶剤によるレジスト膜（２）の溶解は良好
に行われる。 尚、本発明において露光光を遠紫外線としているが、
もし露光光を紫外線（波長はおよそ300nm〜500nmぐら
い）にした場合、電子線用レジストには吸収されず殆ど
透過してしまい、即り露光がされない。 ト）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、ポジ型の電子
線用レジスト膜に対してそのレジスト膜で吸収される露
光量よりも大きい露光量の遠紫外線で露光することによ
り前記遠紫外線の一部を前記レジスト膜に吸収させると
共に、前記レジスト膜を透過した遠紫外線をレジスト膜
下の前記基板表面で反射させて基板表面付近のレジスト
膜に吸収させ、次いで、遠紫外線を吸収した前記レジス
ト膜の露光部を通常の現像により除去している。このた
め、現像後のレジスト膜の断面形状が逆台形であるレジ
ストパターンが形成される。つまりリフトオフに用いて
良好なレジストパターンが得られる。 また、露光光に遠紫外線を用いているので、電子線で
露光したときのように、基板に対して衝撃を与えること
がなく、基板（基板上に作製された素子）に損傷を与え
ることが避けられる。
に関するものである。 ロ）従来の技術 リフトオフにより金属膜等のパターンを形成する場合
に、有効なレジスト膜の断面形状は逆台形が望ましい。
なぜなら、第２図Ａに示すように、レジスト膜（22）の
断面形状が長方形であると、上方から金属膜（23）を蒸
着した場合、レジスト膜（22）の側面で金属膜（23）が
ひげ状に形成されたり、金属膜（23）の側面とレジスト
膜（22）の側面との密着により溶剤によるレジスト膜
（22）の剥離がされないという不都合が生じるためであ
る。 そこで従来、例えば特開昭61−256729号公報の如く、
レジスト膜を２層とし、まず上層のレジスト膜（25）を
所定パターンにエッチングして上層のレジスト膜（25）
で金属膜蒸着時の基板に対する開口幅を規制するように
し、下層のレジスト膜（24）を上層のレジスト膜（25）
よりも広く開口して（下層のレジスト膜（24）を上層の
レジスト膜（25）よりも小さく形成する）、実質的な逆
台形形状を形成している（第２図Ｂ）。 ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述の如く、リフトオフを効率よく行
うための、断面形状が逆台形であるレジストパターンを
形成するにはレジスト膜を二層構造にしたり、各層別々
にエッチングを行わなければならない等、多くの手間を
必要としていた。 本発明は斯様な点に鑑みて為されたもので、断面形状
が逆台形であるレジストパターンを、工程数を増やすこ
となく、容易に形成できるパターン形成方法を提供する
ものである。 ニ）問題点を解決するための手段 本発明はポジ型の電子線用レジスト膜表面に対して、
そのレジスト膜で吸収される露光量よりも大きい露光量
の遠紫外線で所定パターンに露光することにより前記遠
紫外線の一部を前記レジスト膜に吸収させると共に、前
記レジスト膜を透過した遠紫外線をレジスト膜下の前記
基板表面で反射させて基板表面付近のレジスト膜に吸収
させ、次いで、遠紫外線を吸収した前記レジスト膜の露
光部を通常の現像により除去して、断面形状が逆台形で
あるレジスト膜のレジストパターンを形成するものであ
る。 ホ）作用 電子線用のレジストは電子線よりも波長の長い光に対
しては、波長が長くなるにつれて、光が透過しやすくな
り吸収されにくくなる。即ち、長い波長の光に対しては
露光されにくくなる。ポジ型の電子線用レジストに対し
て、そのレジスト膜で吸収される露光量よりも大きい露
光量の遠紫外線で露光することにより、レジスト膜下の
基板表面で吸収されなかつた光の反射が起こり、露光幅
よりも広く、特に基板面に近いほど広く散乱し、そして
吸収される。つまり、レジスト膜表面よりも基板に近い
付近で広く露光がされ、現像によつて断面形状が逆台形
のレジスト膜のパターンが得られる。 ヘ）実施例 本発明に係る一実施例の工程説明図を第１図Ａ乃至Ｂ
に示す。 まずSi等の基板（１）上にポジ型の電子線用レジスト
膜（２）を１μｍ程度の厚さに塗布する（第１図Ａ）．
ポジ型の電子線用レジストとしてはPMMAがあり、例えば
OEBR（東京応化（株）製）やSEBR（三洋電機（株）製）
がある。 レジスト膜（２）のプリベーク後、マスク（４）を用
いて、レジスト膜（２）で吸収される露光量よりも大き
い露光量の遠紫外線で所定のパターンに露光する（同図
Ｂ）。条件としては、例えば波長250nm、光量40m W/cm2
の光で約200秒露光する。光はレジスト膜（２）に対し
てレジスト膜（２）表面の開口すべき幅（マスク（４）
の開口幅）を保つて入射する。基板（１）面に到達する
までにある程度吸収され、レジスト膜（２）を露光す
る。遠紫外線は電子線に比べてやや吸収されにくく、レ
ジスト膜（２）で吸収される露光量よりも大きい露光量
の遠紫外線で露光しているので、入射した遠紫外線はそ
の全ては吸収されずに１部が透過して基板（１）表面に
到達する。そして基板（１）表面で遠紫外線はマスク
（４）の開口幅よりも広い方向に反射して、基板（１）
表面付近のレジスト膜（２）に吸収される。その結果レ
ジスト膜（２）の露光部は、レジスト膜（２）の表面に
較べ基板（１）に近づくほど広く露光されることにな
る。 尚、露光量は、使用するレジスト材に指定された露光
量よりも数倍大きいほうが望ましい。これは入射する光
のうち基板面で反射する光の量を十分に得るためであ
る。 次に通常の所定の現像液で現像を行い、レジスト膜
（２）の露光部を除去する（同図Ｃ）。断面形状が台形
に露光されているので、レジスト膜（２）は断面形状が
逆台形となる。 斯様にして所定のレジストパターンを形成した後、リ
フトオフで金属膜のパターンを形成するために、その上
方から、例えばAlを真空蒸着して基板（１）あるいはレ
ジスト膜（２）表面上にAl膜（３）を厚さ0.7μｍ形成
する（同図Ｄ）。そして最後に有機溶剤にて、レジスト
膜（２）を該レジスト膜（２）上のAl膜（３）とともに
溶解除去して、Al膜（３）の所定パターンを得る（同図
Ｅ）。このとき、レジスト膜（２）の断面形状が逆台形
であるため、溶剤によるレジスト膜（２）の溶解は良好
に行われる。 尚、本発明において露光光を遠紫外線としているが、
もし露光光を紫外線（波長はおよそ300nm〜500nmぐら
い）にした場合、電子線用レジストには吸収されず殆ど
透過してしまい、即り露光がされない。 ト）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、ポジ型の電子
線用レジスト膜に対してそのレジスト膜で吸収される露
光量よりも大きい露光量の遠紫外線で露光することによ
り前記遠紫外線の一部を前記レジスト膜に吸収させると
共に、前記レジスト膜を透過した遠紫外線をレジスト膜
下の前記基板表面で反射させて基板表面付近のレジスト
膜に吸収させ、次いで、遠紫外線を吸収した前記レジス
ト膜の露光部を通常の現像により除去している。このた
め、現像後のレジスト膜の断面形状が逆台形であるレジ
ストパターンが形成される。つまりリフトオフに用いて
良好なレジストパターンが得られる。 また、露光光に遠紫外線を用いているので、電子線で
露光したときのように、基板に対して衝撃を与えること
がなく、基板（基板上に作製された素子）に損傷を与え
ることが避けられる。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ乃至Ｅは本発明に係る一実施例の工程説明図、
第２図Ａ、Ｂは従来技術の説明図である。 （１）……基板、（２）……レジスト膜、（３）……Al
膜、（４）……マスク。
第２図Ａ、Ｂは従来技術の説明図である。 （１）……基板、（２）……レジスト膜、（３）……Al
膜、（４）……マスク。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板上にポジ型電子線用レジスト膜を形成し、該レ
ジスト膜を、そのレジスト膜で吸収される露光量よりも
大きい露光量の遠紫外線で所定パターンに露光すること
により前記遠紫外線の一部を前記レジスト膜に吸収させ
ると共に、前記レジスト膜を透過した遠紫外線をレジス
ト膜下の前記基板表面で反射させて基板表面付近のレジ
スト膜に吸収させ、遠紫外線を吸収した前記レジスト膜
の露光部を現像液にてエッチング除去して、断面形状が
逆台形であるレジスト膜のレジスタパターンを形成する
ことを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20676387A JP2889574B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20676387A JP2889574B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6450423A JPS6450423A (en) | 1989-02-27 |
| JP2889574B2 true JP2889574B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=16528683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20676387A Expired - Fee Related JP2889574B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889574B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0847550A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Masasato Ikegami | 遊 具 |
| SG60011A1 (en) * | 1995-07-26 | 1999-02-22 | Tdk Corp | Resist pattern of t-shaped cross section its preparation and magnetoresistance thin film element |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP20676387A patent/JP2889574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6450423A (en) | 1989-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| US4165395A (en) | Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation | |
| US4256816A (en) | Mask structure for depositing patterned thin films | |
| US6150070A (en) | Method of creating optimal profile in single layer photoresist | |
| KR100432794B1 (ko) | 배선 패턴을 형성하는 공정 | |
| JP2889574B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH06267843A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0219970B2 (ja) | ||
| JP3326709B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH07273021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3120000B2 (ja) | 基板の突状部の電極の形成方法 | |
| JP3071481B2 (ja) | ＧａＡｓデバイス及びＴ字型ゲート電極の作成方法 | |
| JP2942818B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2824314B2 (ja) | 反射型光曲げ導波路の製造方法 | |
| JPH10233641A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP2000162783A (ja) | 逆テーパ形レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6346983B2 (ja) | ||
| JPH06151351A (ja) | 電極形成方法 | |
| JPS584928A (ja) | 薄膜パタ−ン形成方法 | |
| WO2021140647A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5576122A (en) | Phase shift mask and manufacturing method thereof | |
| JPH0697024A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR0139578B1 (ko) | 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 | |
| JPH03237458A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS5918643A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |