JPS6113247A - フオトマスクの透明欠陥を修正する方法 - Google Patents

フオトマスクの透明欠陥を修正する方法

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JPS6113247A
JPS6113247A JP60133143A JP13314385A JPS6113247A JP S6113247 A JPS6113247 A JP S6113247A JP 60133143 A JP60133143 A JP 60133143A JP 13314385 A JP13314385 A JP 13314385A JP S6113247 A JPS6113247 A JP S6113247A
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photomask
polymer
laser
photoresist
transparent defects
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ペーター・エル・ヤング
モデスト・エム・オプリスコ
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はフォトマスクを修正する方法、特に、レーザー
照射に十りフォトマスクを被覆するポリマーのレーザー
誘導分解(Laser−induced degrad
ation)により、フォトマスクを損傷することなく
そのポリマーの色を変えてフォトマスクを修正する方法
に関するものである。
[従来の技術] 公知のフォトマスクを修正する方法は米国特許第4,3
40,654号に示されている。この方法は、透明な基
体を有するフォトマスクをでん粉ポリマーのような物質
で厚さ5ミクロンから35ミクロンにで被覆し、フォト
マスクの基体を通してレーザービームを被覆層にあてて
被覆層と基体を融合させて融合させた部分に不透明な混
合物を形成し、そして他の融合していない被覆層物質を
フォトマスク表面から除去している。
[発明が解決しようとする問題点] この従来の方法は幾つかの不利な点を有している。即ち
被覆層と基体とを融合する際に、レーザーは基体にくぼ
みを焼きつけ、基体を損傷させることがある。もし被覆
層が基体の望ましくない部分に融合されると、被覆層の
その部分を除去することはできない。この方法は基体に
損傷を与えるばかりでなく、フォトマスクに以前には存
在しなかった部分に除去できない欠陥を付加することに
なる。したがってこの技術を使用する場合には5ミクロ
ン以下の分解能を実現することはできない。
本発明の目的は、フォトマスクの透明欠陥を修正する従
来の方法の欠点を解消することにある。
[発明の概要] 本発明の方法は、フォトマスクを損傷することなく、フ
ォトマスクを被覆するポリマーのレーザー誘導分解によ
りフォトマスクの透明欠陥を修正するものである。
[発明の構成] 本発明はフォトマスクをポリマーで被覆してポリマー被
覆を形成し、光透過性を有する基体B ranspar
ent 5ubstrate)を変形させないで前記フ
ォトマスクの欠陥上にレーザーを集束させて前記欠陥を
被覆する前記ポリマーを黒色化(cilar or d
arken)させ、次いで前記ポリマー被覆の前記レー
ザーをあてていない部分を除去するフォトマスクの透明
欠陥を修正する方法である。
本発明の一実施例において、フォトマスクの透明欠陥を
修正する方法は2 、000人〜20,000人の厚さ
のノボラック系ポリマーでフォトマスクを被覆する工程
と、フォトマスクの欠陥のある部分を被覆したポリマー
をレーザーにあててこのポリマーを黒色化する500℃
以上の温度までの部分を局部的に加熱する工程と、ポリ
マーのレーザーをあてていない部分をフォトマスクから
除去する工程とを包含している。
第2の実施例において、フォトマスクの透明欠陥を修正
する方法はノボラック系ポリマーでフォトマスクを被覆
する工程と、このポリマーを褐色化する200℃〜50
0℃の温度までポリマーを加熱する工程と、フォトマス
クの欠陥のある領域を被覆したポリマーをレーザーにあ
ててこのポリマーを黒色化又は黒ずませる500℃より
高い温度まで上記領域を局部的に加熱する工程と、ポリ
マーのレーザーをあてていない部・分をフォトマスクか
ら除去する工程とを包含している。
[発明の作用コ 本発明の方法によればフォトマスク基体を変形又は損傷
することなくフォトマスクの欠陥領域を被覆したポリマ
ーをレーザーで黒色化又は焦魚げにすることである。ま
た、所望しない領域でポリマーが黒色化されても、その
黒色化したポリマーを、フォトマスク基体及び基体上に
マスクを形成している金属パターンを損傷することなく
除去することができる。更に、この方法の分解能は1μ
mよりよく、修正領域の光学的濃度は2.5以上となり
、また、修正領域はフォトマスクが受ける増常の清浄工
程にも耐えることができる。
[実施例] 本発明の方法は、表面16に金属パターン又はマスク1
4が形成された透明基体12を有するフォトマスク10
の透明欠陥を修正するものである、本発明の一実施例に
よれば、可視光又は赤外光レーザーを線用する。一つの
態様においては、レーザー光源18から出力されたアル
ゴンイオンレーザ−は以下に詳細に述べられるように顕
微鏡対物レンズ20によりフォトマスクの欠陥領域22
上に焦点が合わされる。
本発明の方法の一実施例では、ポリマーをフォトマスク
上でスピン(sp i nn i ng )させて厚さ
2,000人〜20.000人のポリマー被覆層24を
形成することにより、フォトマスク10の表面16をノ
ボラック系ポリ? −(novolak−based 
polyaier)で被覆する工程を含んでいる。この
ノボラック系ポリマーは好ましくはポジ型の7オトレジ
スト(pQsitiVe photoresist)で
ある。更に、ポリマー被覆層24の望ましい厚みは、レ
ーザーがフォトレジストに穴を焼付けないことを保証す
る4、 000Å以上である。また、フォトレジストの
被覆層24の好ましい厚さは、フォトレジストがレーザ
ー放射にあてられた時に、フォトレジストの層がフォト
マスクのマスク14に接するところまで黒色化するよう
に9.000Å以下である。ポリマ一層24でフォトマ
スクを被覆した後、フォトマスクの欠陥領域22を被覆
する部分のポリマーに可視光レーザー又は赤外線のレー
ザー光[18からレーザービームがあてられ、レーザー
にあてられた部分のポリマーは黒色化(darken)
又は黒焦げ(char)になる500℃以上の温度まで
局部的に加熱される。その後、レーザーにあてられてい
ない部分のポリマーはアセトン(acetone)のよ
うな溶剤にフォトマスクを浸すことにより除去される。
本発明の方法の一実施例を適確に実施するためには、レ
ーザー光源18から出力されるレーザーは、1マイクロ
秒〜500ミリ秒のパルス長さを有すべきで、レーザー
の好ましいパルス長さは100マイクロ秒〜10ミリ秒
である。更に、レーザーの表面パワーは0.01mw〜
501wの間で且つ直径約1μmのフォトマスク上の領
域にレーザーが照射できるようにすべきである。
上述した方法は基体12を変形又は損傷するこトナクフ
ォトマスクの欠陥領域を被覆したポリマーを黒色化又は
黒焦げにする。基体12は修正する時には損傷を受けな
いので、ポリマー被覆層24の所望しない一部分が黒色
化されても、その黒色化された部分のポリマーは周知の
方法でレーザーによりその部分を走査して除去すること
が可能である。更に、この一実施例の分解能は2μmよ
りよく、修正された部分の光学的濃度は2.5より大き
い。また、この一実施例によって行われた修正は非常に
耐久性があり、フォトマスクを清浄する通常の処理にも
耐えることができる。
フォトマスクの透明欠陥を修正するための本発明の方法
の第2の実施例においては、更に工程が付加される。フ
ォトマスク10をノボラック系ポリマーで被覆した後、
このポリマーはポリマーを褐色化する200℃〜500
℃の温度まで加熱される。
ポリマーはその表面を横切ってレーザーを走査照射する
ことによって加熱することができ、レーザー光源18の
パワーはポリマーを黒焦げにすることなく褐色化する温
度までレーザーがポリマーを加熱できるように調整され
ている。ポリマー被覆層24が褐色化された後、フォト
マスクの欠陥領域を被覆したポリマーはレーザー光源1
8からのレーザーにあてられる。この場合レーザー光源
18のパワーはポリマーを黒色化又は黒焦げにする50
0℃より高い温度までポリマーを局部的に加熱できるよ
うに調整されている。その後、ポリマー被覆24のレー
ザーにあてられていない部分は、アセトンのような溶剤
にフォトマスク10を浸すことにより除去される。
本発明の方法の第2の実施例の態様は、第1実施例の態
様と同様に基体を変形又は損傷することなくポリマー被
覆層24にレーザーをあてて黒色化又は黒焦げにするこ
と、ができる。この方法の分解能も2μmよりよく、修
正された部分の光学的濃度は2,5より大きい。また、
修正部はフォトマスクが受ける通常の清浄処理にも耐え
ることができる。
第1の実施例の態様の方法はフォトマスク上のスポット
状の透明欠陥を修正するのには適しているが、この方法
では線状のものは描くのは困難である。しかしながら、
第2の方法の実施の態様に示したように、フォトマスク
の欠陥領域を被覆したポリマーを黒色化する前にポリマ
ー被覆層24を褐色化する工程によれば、レーザー光源
18により線を描くことができ、この時のレーザーパワ
ーはレーザービームを照射してポリマーを500℃以上
の温度まで加熱できるように調整される。第2の実施の
態様において、ポリマー被覆層24の厚さは第1の方法
の実施の態様のポリマー被N層24の厚さと同じでよい
。しかしながら、ポリマーを黒色化するために、第2の
実施の態様のレーザー光源18から出力されるパルスの
望ましいパルス長さは1μ秒から20μ秒の間である。
更に、ポリマーを黒色化するためのレーザー光源18か
らのレーザーの望ましい表面パワーは0.1mwから5
mwの間である。
好ましい実施の態様において、ノボラック系ポリマーを
用いるのは、該ポリマーが次のような特性を有するから
である。これらの特性は、(1)非常に優れた均一膜形
成特性、(2)黒色化後の基体との特異な付着性、そし
て、(3)加熱すると近紫外線に対して不透明になる特
性である。
ノボラック系ポリマーの均一膜形成特性は、2゜000
人から20,000人のオーダーの非常に均一な膜を形
成できる程度まで、すでに当業者によって開発されてい
る。尚均一膜形成特性番有していれば、他の材料を用い
ることができる。均一膜形成特性は処理の再現性を高め
るので望ましい。これに対し不均一な膜は、フォトマス
クの非常に小さな透明欠陥を修正する際に、処理に予測
しがたい事態を生じさせることがある。
加熱前後には、用いられる材料に適当な付着力が要求さ
れる。好ましい実施例においては、材料は加熱後に付着
特性を増加する。この様な特性tよ、黒色化された又は
加熱された部分の特性に影響することなく、加熱されて
いない部分を選択的に除去できる機能を高めている。
好ましい実施例において、用いられる材料の他の望まし
い特徴は、材料が熱硬化性状の特性を示すことである。
ノボラック系ポリマーを用いる好ましい実施例において
は、ノボラック系ポリマーが加熱する前に、最初は熱可
塑性状の特性を示すことが注目される。黒色化する前に
、。最初にノボラック系ポリマーをより熱硬化性状を示
す物質に変えることが重要である。この転換方法は先ず
ノボラック系ポリマーを褐色化する温度までゆっくりと
制御された方法で材料を加熱することによって実施され
る。好ましい実施例において、経験的にこの温度はおよ
そ200℃〜500℃であることが知られている。この
褐色化工程は、ノボラック系ポリマーを熱可塑性樹脂か
ら熱硬化性樹脂に転換させるものであると考えられてい
る。ノボラック系ポリマーは、上述の通り満足できる特
性を示すので、上記の好ましい実施例においてはノボラ
ック系ポリマーを一般に用いているが、今後の実施の態
様においては、さらに優れた熱硬化性特性を有する樹脂
を使うことが好ましい。
先に挙げた第3の特性(3)は、好ましい実施例で用い
られる材料が、加熱された時に不透明になることである
。好ましい実施例においては、紫外線下で使用される材
料の光学的濃度は少なくとも2.5であるべきである。
殆んどの写真食刻法では近紫外線が用いられている。も
し他の種類の光が用いられるのであれば、本発明で用い
られる材料が同様の不透明特性を示す必要がある。
ノボラック系ポリマーは、酸性触媒下でフォルムアルデ
ヒドとフェノールとが、フェノールに対するフォルムア
ルデヒドCモル比が1以下で綜合反応してできるポリマ
ーである。ノボラックはポジ型フォトレジストにおける
基本ポリマーである。
もし他の材料が上述した通りの満足すべき特性を示し得
るならば、本発明においてノボラック系ポリマー以外の
他の材料を使用できるのは勿論である。本出願において
、「熱硬化性状」とは加熱された時にその材料が殆んど
流れないことを意味している。
[発明の効果] 本発明の方法によればフォトマスクの基体を変形又は損
傷することなくフォトマスクの欠陥領域を被覆したポリ
マーをレーザーで黒色化又は焦魚げにすることである。
また、所望しない領域でポリマーが黒色化しても、その
黒色化したポリマーを、フォトマスク基体及び基体上に
マスクを形成している金属パターンを損傷することなく
除去することができる。更に、この方法の分解能は1μ
mより良く、修正領域の光学的濃度は2.5以上となり
、また修正領域はフォトマスクが受ける通常の清浄工程
も耐えることができる。
【図面の簡単な説明】
図面はフォトマスクを修正するための本発明の詳細な説
明するためのブロック図である。 10・・・フォトマスク、12・・・基体、14・・・
マスク、16・・・表面、18・・・レーザー光源、2
0・・・レンズ、22・・・欠陥領域、24・・・ポリ
マー被覆層。 フォトマスク

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ノボラック系ポリマーでフォトマスクを被覆して
    ポリマー被覆を形成し、光透過性を有する基体を変形さ
    せないで前記フォトマスクの欠陥上にレーザーを集束さ
    せて前記欠陥を覆う前記ポリマー被覆を黒色化させ、次
    いで前記ポリマー被覆のレーザーにさらされていない部
    分を除去するフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  2. (2)前記ポリマー被覆の厚さは2,000Åから20
    ,000Åの間である特許請求の範囲第1項に記載のフ
    ォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  3. (3)フォトマスク上に集束される前記レーザーはパル
    ス長さが1マイクロ秒から500ミリ秒である特許請求
    の範囲第1項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す
    る方法。
  4. (4)前記レーザーの表面パワーは0.01mwと50
    mwの間である特許請求の範囲第1項に記載のフォトマ
    スクの透明欠陥を修正する方法。
  5. (5)前記レーザーは前記フォトマスク上の直径約1μ
    mの領域に照射される特許請求の範囲第4項に記載のフ
    ォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  6. (6)ポジ型フォトレジストでフォトマスクを被覆し、
    前記フォトレジストの一部分をレーザーにあてて、前記
    フォトレジストを黒色化する500℃より高い温度まで
    前記部分を局部的に加熱し、次いで露光していない前記
    フォトレジストを前記フォトマスクから除去するフォト
    マスクの透明欠陥を修正する方法。
  7. (7)前記レーザーは可視光レーザーである特許請求の
    範囲第6項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する
    方法。
  8. (8)前記レーザーは赤外光レーザーである特許請求の
    範囲第6項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正方法
  9. (9)前記フォトレジストを除去する工程は前記フォト
    マスクをアセトンに浸す工程を含む特許請求の範囲第6
    項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  10. (10)前記黒色化したフォトレジストは少なくとも光
    学的濃度2.5を有する特許請求の範囲第6項に記載の
    フォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  11. (11)前記フォトレジストの厚みは2,000Åから
    20,000Åの間である特許請求の範囲第6項に記載
    のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  12. (12)前記フォトレジストの厚みは4,000Åから
    9,000Åの間である特許請求の範囲第11項に記載
    のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  13. (13)前記レーザーはパルス長さが1マイクロ秒から
    500ミリ秒である特許請求の範囲第6項に記載のフォ
    トマスクの透明欠陥を修正する方法。
  14. (14)前記レーザーはパルス長さが100マイクロ秒
    から10ミリ秒である特許請求の範囲第13項に記載の
    フォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  15. (15)前記レーザーの表面パワーは0.01mwと5
    0mwの間である特許請求の範囲第6項に記載のフォト
    マスクの透明欠陥を修正する方法。
  16. (16)前記レーザーは前記フォトマスク上の直径約1
    μmの領域に照射される特許請求の範囲第15項に記載
    のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  17. (17)前記フォトマスクは光透過性を有する基体を有
    し、前記レーザーは前記フォトマスクの基体を変形させ
    ることなしに前記フォトレジストを黒色化させる特許請
    求の範囲第6項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正
    する方法。
  18. (18)フォトマスクをポリマーで被覆し、前記フォト
    マスクの欠陥領域を被覆する前記ポリマーをレーザービ
    ームにあてて局部的に加熱することにより前記ポリマー
    を褐色化し、前記フォトマスクの前記欠陥領域を被覆す
    る前記ポリマーを前記レーザービームに再度あてて照射
    部のポリマーを黒色化するためにポリマーの褐色化温度
    より高い温度まで局部的に加熱し、次いで前記ポリマー
    のレーザーにさらされていない領域を除去するフォトマ
    スクの透明欠陥を修正する方法。
  19. (19)前記レーザーは、ポリマーを褐色化する200
    ℃〜500℃の温度までと、ポリマーを黒色化する50
    0℃より高い温度に前記ポリマーを加熱する特許請求の
    範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す
    る方法。
  20. (20)前記ポリマーはノボラックを含んでいる特許請
    求の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修
    正する方法。
  21. (21)前記ポリマーはポジ型のフォトレジストである
    特許請求の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠
    陥を修正する方法。
  22. (22)前記レーザーは可視光レーザーである特許請求
    の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正
    する方法。
  23. (23)黒色化した前記ポリマーは2.5より大きい光
    学的濃度を有する特許請求の範囲第18項に記載のフォ
    トマスクの透明欠陥を修正する方法。
  24. (24)前記ポリマーの被覆は2,000Åから20,
    000Åの厚みを有する特許請求の範囲第18項に記載
    のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  25. (25)前記レーザーはポリマーを黒色化するため1マ
    イクロ秒から500ミリ秒のパルス長さを有する特許請
    求の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修
    正する方法。
  26. (26)前記レーザーはポリマーを黒色化するため1マ
    イクロ秒から20ミリ秒のパルス長さを有する特許請求
    の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正
    する方法。
  27. (27)前記レーザーの表面パワーはポリマーを黒色化
    するため0.01mwから50mwの間である特許請求
    の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正
    する方法。
  28. (28)前記レーザーの、表面パワーはポリマーを黒色
    化するため0.1mwから5mwの間である特許請求の
    範囲第27項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す
    る方法。
  29. (29)前記レーザーは前記フォトマスク上の直径約1
    μmの領域に照射される特許請求の範囲第27項に記載
    のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  30. (30)前記フォトマスクは光透過性を有する基体を有
    し、前記レーザーは前記フォトマスクの前記基体を変形
    させないで前記フォトレジストを黒色化する特許請求の
    範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す
    る方法。
  31. (31)前記レーザーによって黒色化されたポリマーの
    前記部分は2μm以下の直径を有する特許請求の範囲第
    18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法
  32. (32)前記レーザーは赤外光レーザーである特許請求
    の範囲第18項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正
    する方法。
  33. (33)ノボラック系ポリマーでフォトマスクを被覆し
    、該ポリマーを褐色化させ200℃〜500℃の温度ま
    で前記ポリマーを加熱し、前記ポリマーの前記フォトマ
    スク上の欠陥領域を被覆する部分にレーザーにあてて前
    記ポリマーを黒色化する500℃より高い温度まで局部
    的に加熱し、次いで前記ポリマーの前記レーザーにあた
    っていない領域を除去するフォトマスクの透明欠陥を修
    正する方法。
  34. (34)前記ポリマーを加熱する工程は、レーザーでポ
    リマーを走査照射することを含む特許請求の範囲第33
    項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  35. (35)フォトマスクをポジ型フォトレジストで被覆し
    、前記フォトマスク上の欠陥領域を被覆した前記フォト
    レジストをレーザービームにあてて該フォトレジストが
    褐色化する200℃〜500℃の温度まで前記フォトレ
    ジストを局部的に加熱し、前記欠陥領域を被覆する前記
    フォトレジストをレーザービームに再度あてて該フォト
    レジストが黒色化する500℃より高い湿度まで前記フ
    ォトレジストを局部的に加熱し、次いで前記フォトレジ
    ストの前記レーザービームにあたっていない部分を除去
    するフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  36. (36)前記フォトレジストの被覆は2,000Åから
    20,000Åの厚みを有し、前記レーザーは前記フォ
    トレジストを黒色化させるために1マイクロ秒から50
    0ミリ秒のパルス長さを有し、前記レーザーの表面パワ
    ーは前記フォトレジストを黒色化させるために0.01
    mwから50mwの間とする特許請求の範囲第35項に
    記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  37. (37)フォトマスクをポリマーで被覆してポリマー被
    覆を形成し、光透過性を有する基体を変形させないで前
    記フォトマスクの欠陥上にレーザーを集束させて前記欠
    陥を被覆する前記ポリマーを黒色化させ、次いで前記ポ
    リマー被覆の前記レーザーをあてていない部分を除去す
    るフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  38. (38)前記ポリマー被覆は2,000Åから20,0
    00Åの間の厚みで前記フォトマスクに均一な膜を形成
    している特許請求の範囲第37項に記載のフォトマスク
    の透明欠陥を修正する方法。
  39. (39)前記ポリマーは黒色化させる前よりも黒色化さ
    れた後に比較的大きい付着特性を有する特許請求の範囲
    第37項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方
    法。
  40. (40)前記ポリマーは溶剤で除去され、前記ポリマー
    は黒色化した後は前記溶剤に関して前記フォトマスクに
    対して大きな付着性を有する特許請求の範囲第37項に
    記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
  41. (41)前記ポリマーは黒色化すると熱硬化性状の特性
    を有する特許請求の範囲第37項に記載のフォトマスク
    の透明欠陥を修正する方法。
  42. (42)前記ポリマーは前記欠陥に前記レーザーを集束
    させる前は熱可塑性状の樹脂であり、前記レーザーが前
    記欠陥上に集束されると、前記ポリマーは熱可塑性状の
    ポリマーから熱硬化性状のポリマーに転換するように加
    熱制御される特許請求の範囲第37項に記載のフォトマ
    スクの透明欠陥を修正する方法。
  43. (43)前記ポリマーは熱硬化性状のポリマーに転換し
    た後、紫外線下でポリマーの光学的濃度が少なくとも2
    .5になるまで更に黒色化される特許請求の範囲第42
    項に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正する方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281087A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd レ−ザレ−ダの走査方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4960613A (en) * 1988-10-04 1990-10-02 General Electric Company Laser interconnect process
US4940651A (en) * 1988-12-30 1990-07-10 International Business Machines Corporation Method for patterning cationic curable photoresist
KR100190423B1 (ko) * 1989-06-06 1999-06-01 기타지마 요시도시 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치
US5268245A (en) * 1992-07-09 1993-12-07 Polaroid Corporation Process for forming a filter on a solid state imager
US5405659A (en) * 1993-03-05 1995-04-11 University Of Puerto Rico Method and apparatus for removing material from a target by use of a ring-shaped elliptical laser beam and depositing the material onto a substrate
US6074571A (en) 1997-09-30 2000-06-13 International Business Machines Corporation Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing
US5981110A (en) * 1998-02-17 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for repairing photomasks
KR100732740B1 (ko) * 2001-06-13 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크 리페어 장치 및 리페어 방법
RU2471263C1 (ru) * 2011-07-12 2012-12-27 Мойше Самуилович Китай Способ создания маски на поверхности подложки

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1222071A (en) * 1967-03-13 1971-02-10 Agfa Gevaert Nv Light-sensitive photographic material
US3574657A (en) * 1967-12-14 1971-04-13 Fmc Corp Polymeric images formed by heat
US3549733A (en) * 1968-12-04 1970-12-22 Du Pont Method of producing polymeric printing plates
CA967365A (en) * 1970-10-12 1975-05-13 Fuji Photo Film Co. Laser recording method and material therefor
US3723121A (en) * 1970-11-03 1973-03-27 Du Pont Process for recording images with laser beams
BE793605A (fr) * 1972-01-03 1973-05-02 Rca Corp Appareil et procede pour corriger un masque photographique defectueux
US3847644A (en) * 1972-11-24 1974-11-12 Xerox Corp Imaging by phase aggregation from block copolymers
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
US4200668A (en) * 1978-09-05 1980-04-29 Western Electric Company, Inc. Method of repairing a defective photomask
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
US4340617A (en) * 1980-05-19 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing a material on a surface
US4340654A (en) * 1980-06-19 1982-07-20 Campi James G Defect-free photomask
JPS57105741A (en) * 1980-12-24 1982-07-01 Nec Corp Image formation
US4444801A (en) * 1981-01-14 1984-04-24 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for correcting transparent defects on a photomask
JPS586127A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法とその装置
JPS58203443A (ja) * 1982-05-24 1983-11-26 Hitachi Ltd ホトマスクの白点欠陥修正用組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281087A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd レ−ザレ−ダの走査方法

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ATE61488T1 (de) 1991-03-15

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