JPS5892226A - 集積回路素子の製造方法 - Google Patents
集積回路素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5892226A JPS5892226A JP19115581A JP19115581A JPS5892226A JP S5892226 A JPS5892226 A JP S5892226A JP 19115581 A JP19115581 A JP 19115581A JP 19115581 A JP19115581 A JP 19115581A JP S5892226 A JPS5892226 A JP S5892226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic material
- light
- metal wiring
- metallic wiring
- photodegradable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路素子の平坦化を図る製造方法に関
するものである。
するものである。
従来、集積回路系子の金属配線部を絶縁膜で榎った後の
断面形状は第１図のようであった０図において、（１）
はシリコン等の半導体基板、（２）は金属配線、（３）
は金属配線・と他の導電体とを電気的に分離するための
絶縁膜である。通常、この絶縁膜としてはスパッタ蒸看
やＯＶＤ法によって形成される５ｉｎｓ ＠ ヤ８１Ｎ
ａｌｌが使われている。
断面形状は第１図のようであった０図において、（１）
はシリコン等の半導体基板、（２）は金属配線、（３）
は金属配線・と他の導電体とを電気的に分離するための
絶縁膜である。通常、この絶縁膜としてはスパッタ蒸看
やＯＶＤ法によって形成される５ｉｎｓ ＠ ヤ８１Ｎ
ａｌｌが使われている。
第１図に示したように従来の方法によった場合、絶縁膜
の表面は、その下の表面の凹凸をそのまま反映して凹凸
が激しい。このことは、２層以上に金属配線層を形成す
る場合は、■その段差部で、配線の断線を生じたり、■
段差部で配繊護厚が局部的に薄くなって配線抵抗が増大
したり、０表面の凹凸によってパターン転写の微細化が
困峻になったりする等の欠点を有していた。
の表面は、その下の表面の凹凸をそのまま反映して凹凸
が激しい。このことは、２層以上に金属配線層を形成す
る場合は、■その段差部で、配線の断線を生じたり、■
段差部で配繊護厚が局部的に薄くなって配線抵抗が増大
したり、０表面の凹凸によってパターン転写の微細化が
困峻になったりする等の欠点を有していた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、絶縁膜として光分解型の材料を使
い、それに光を全面照射した時、反射率の高い金属配線
の上の光分解型材料が他の部分より残装置が低（なり、
その結果として表面段差をゆるくすることを目的として
いる。
めになされたもので、絶縁膜として光分解型の材料を使
い、それに光を全面照射した時、反射率の高い金属配線
の上の光分解型材料が他の部分より残装置が低（なり、
その結果として表面段差をゆるくすることを目的として
いる。
□以下、この発明の一実施例を第２図から第４図につい
て説明する。第２図において、（４）はシリコン等の半
導体基板、（５０まその上に形成された金属配線である
。この発明では、この後、スピンコーティング等の方法
により、（６〕の光分解型センチタイザーを含んだ有機
材料を塗布する。次に適当な温度でベーキングして、有
機材料中の溶接を除き、（７）の光を全面に均一に照射
する。すると、光分解型有機材料のうち金ｌｌＩ４配線
の真上の有機材料は、下地から反射光の影響を強（うけ
て、他の部分より実効的な光被照射量が多（なる。これ
を現葎処理すると、＃！３図に示すように光分解型有機
材料のうち（８Ｊで示すように金属配線の上の有機材料
が他の部分の有機材料より多く除去され、結果として第
４図に示すように平坦化が実現される。この後、加熱処
理等を施せば、この耐熱性光分解型有機材料は安定化し
、絶＃膜として使える。
て説明する。第２図において、（４）はシリコン等の半
導体基板、（５０まその上に形成された金属配線である
。この発明では、この後、スピンコーティング等の方法
により、（６〕の光分解型センチタイザーを含んだ有機
材料を塗布する。次に適当な温度でベーキングして、有
機材料中の溶接を除き、（７）の光を全面に均一に照射
する。すると、光分解型有機材料のうち金ｌｌＩ４配線
の真上の有機材料は、下地から反射光の影響を強（うけ
て、他の部分より実効的な光被照射量が多（なる。これ
を現葎処理すると、＃！３図に示すように光分解型有機
材料のうち（８Ｊで示すように金属配線の上の有機材料
が他の部分の有機材料より多く除去され、結果として第
４図に示すように平坦化が実現される。この後、加熱処
理等を施せば、この耐熱性光分解型有機材料は安定化し
、絶＃膜として使える。
なお、８３図、第４図で（９）は現像後、残った有機材
料である。
料である。
なお、上記実施例では、絶縁模として光分解型有機材料
を用いたが、代９に光分解型無機材料を用いてもよい。
を用いたが、代９に光分解型無機材料を用いてもよい。
以上のようにこの発明によれば、絶ｉ／＆膜として光分
解型有機材料を用いて釜−配線の反射率の高いことを利
用したので、段差の扁低部をセルファラインできるとと
もに、工程が簡単になる等の効果がある。
解型有機材料を用いて釜−配線の反射率の高いことを利
用したので、段差の扁低部をセルファラインできるとと
もに、工程が簡単になる等の効果がある。
第１図は従来の索子を不す断面図、第２図〜第４図はこ
の発明の一実施例を示す断面図である。 （４）・・・半導体基板、（５」・・・金属配線、（６
）・・・光分解型有機材料、＋７１・・・光、（９）・
・・現像後残った有機材料。 代理人 葛 野 ＋ｄ −
の発明の一実施例を示す断面図である。 （４）・・・半導体基板、（５」・・・金属配線、（６
）・・・光分解型有機材料、＋７１・・・光、（９）・
・・現像後残った有機材料。 代理人 葛 野 ＋ｄ −
Claims (1)
- 集積Ｌｌ！ｌ路本子の製造工程で、金属配線パターン形
成をした集積Ｌｇｌ１６系子を、光分解型センチタイザ
ーを含んだ有機材料または光分解型無機材料からなる光
分Ｉｓ型材料で覆い、その全面に光照射して、金属配線
と配線下地との光反射率の差に基づき、金属配線の上と
金属配線のない部分の上とで上記光分解型材料の光被照
射瀘の差が生じることを利用して金属配線上における上
記光分解型材料の残１ｉ量を他の部分より少なくしたこ
とを特徴とする集積回路系子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19115581A JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19115581A JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892226A true JPS5892226A (ja) | 1983-06-01 |
| JPS6347263B2 JPS6347263B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=16269811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19115581A Granted JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892226A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPH055865U (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-26 | 村田機械株式会社 | 紡績用ノズル |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19115581A patent/JPS5892226A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPH055865U (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-26 | 村田機械株式会社 | 紡績用ノズル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347263B2 (ja) | 1988-09-21 |
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