JPH04299831A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04299831A JPH04299831A JP6439091A JP6439091A JPH04299831A JP H04299831 A JPH04299831 A JP H04299831A JP 6439091 A JP6439091 A JP 6439091A JP 6439091 A JP6439091 A JP 6439091A JP H04299831 A JPH04299831 A JP H04299831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alloy film
- aluminum alloy
- aluminum
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置における配線
パターン形成を容易にする半導体装置の製造方法に関す
る。
パターン形成を容易にする半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化はめざましい
ものがあり、これにともない配線の形成が難しくなって
きている。
ものがあり、これにともない配線の形成が難しくなって
きている。
【０００３】図２は従来の配線パターン形成方法の例を
示す断面図である。図２（ａ）は半導体基板上の電気素
子を接続するための接続口を形成した後を示す図である
。１１は半導体基板、１２はＮ＋拡散層、１３はポリシ
リコン膜、１４は層間絶縁膜である。この後、図２（ｂ
）に示すようにアルミニウム合金膜１５を蒸着し、ホト
レジスト１６を塗布する。そしてさらにホトマスクを用
いて露光し、図２（ｃ）に示すような配線パターンを形
成し、続いてエッチングによって図２（ｄ）に示すよう
なアルミニウム合金膜１５の配線パターンを形成する。
示す断面図である。図２（ａ）は半導体基板上の電気素
子を接続するための接続口を形成した後を示す図である
。１１は半導体基板、１２はＮ＋拡散層、１３はポリシ
リコン膜、１４は層間絶縁膜である。この後、図２（ｂ
）に示すようにアルミニウム合金膜１５を蒸着し、ホト
レジスト１６を塗布する。そしてさらにホトマスクを用
いて露光し、図２（ｃ）に示すような配線パターンを形
成し、続いてエッチングによって図２（ｄ）に示すよう
なアルミニウム合金膜１５の配線パターンを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の技術では、微細化が進むにつれて露光時のアルミニ
ウム合金膜表面からの反射が無視できなくなり、たとえ
ば図３に示すようにポリシリコン膜１３による段差部の
アルミニウム合金膜１５の表面からの反射により、必要
な配線パターンが反射光１７に露光されて細くなってし
まうという課題を有していた。
来の技術では、微細化が進むにつれて露光時のアルミニ
ウム合金膜表面からの反射が無視できなくなり、たとえ
ば図３に示すようにポリシリコン膜１３による段差部の
アルミニウム合金膜１５の表面からの反射により、必要
な配線パターンが反射光１７に露光されて細くなってし
まうという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、露光時の反射光による影響を大幅に減少させ、安定し
た配線パターン形成を実現する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
、露光時の反射光による影響を大幅に減少させ、安定し
た配線パターン形成を実現する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形
成した電気素子に接続口を形成した後、アルミニウム膜
またはアルミニウム合金膜を蒸着する工程と、その蒸着
されたアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を大気
中にさらすことなく２００℃から４００℃の間で加熱し
てからさらにアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜
を蒸着する工程と、それら２回の工程で蒸着されたアル
ミニウム膜またはアルミニウム合金膜を写真食刻法によ
り配線パターン形成する工程とを有する構成よりなる。
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形
成した電気素子に接続口を形成した後、アルミニウム膜
またはアルミニウム合金膜を蒸着する工程と、その蒸着
されたアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を大気
中にさらすことなく２００℃から４００℃の間で加熱し
てからさらにアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜
を蒸着する工程と、それら２回の工程で蒸着されたアル
ミニウム膜またはアルミニウム合金膜を写真食刻法によ
り配線パターン形成する工程とを有する構成よりなる。
【０００７】
【作用】この構成によって、温度上昇後の、２回目のア
ルミニウム膜等の表面の光の反射率が小さくなる。した
がって露光時の反射光による影響を大幅に減少させるこ
とができ、安定した配線パターン形成を実現することが
できる。
ルミニウム膜等の表面の光の反射率が小さくなる。した
がって露光時の反射光による影響を大幅に減少させるこ
とができ、安定した配線パターン形成を実現することが
できる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例について、図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例における半導体装
置の製造方法を示すものである。図１（ａ）は半導体基
板上の電気素子を接続するための接続口を形成した後を
示す図である。１は半導体基板、２はＮ＋拡散層、３は
ポリシリコンパターン、４は層間絶縁膜である。この後
、図１（ｂ）に示すようにアルミニウム合金膜５を０．
７ミクロン蒸着し、続いて大気中にさらさないよう同一
蒸着装置内で２００℃から４００℃に加熱し、さらに同
一蒸着装置内でアルミニウム合金膜７を０．１ミクロン
蒸着する。このとき、アルミニウム合金膜７の反射率は
、直前の加熱により加熱をしない場合の約９５％に比べ
て約６５％と大幅に減少する。続いてホトレジスト６を
塗布し、図１（ｃ）に示すようにホトマスクを用いて配
線パターンを露光する。表面の０．１ミクロンのアルミ
ニウム合金膜７の反射率が低いため、ポリシリコンパタ
ーンの段差部からの反射が小さくなり、配線パターンは
影響を受けない。この後エッチングにより、図１（ｄ）
に示すように所望の配線パターンを得る。
置の製造方法を示すものである。図１（ａ）は半導体基
板上の電気素子を接続するための接続口を形成した後を
示す図である。１は半導体基板、２はＮ＋拡散層、３は
ポリシリコンパターン、４は層間絶縁膜である。この後
、図１（ｂ）に示すようにアルミニウム合金膜５を０．
７ミクロン蒸着し、続いて大気中にさらさないよう同一
蒸着装置内で２００℃から４００℃に加熱し、さらに同
一蒸着装置内でアルミニウム合金膜７を０．１ミクロン
蒸着する。このとき、アルミニウム合金膜７の反射率は
、直前の加熱により加熱をしない場合の約９５％に比べ
て約６５％と大幅に減少する。続いてホトレジスト６を
塗布し、図１（ｃ）に示すようにホトマスクを用いて配
線パターンを露光する。表面の０．１ミクロンのアルミ
ニウム合金膜７の反射率が低いため、ポリシリコンパタ
ーンの段差部からの反射が小さくなり、配線パターンは
影響を受けない。この後エッチングにより、図１（ｄ）
に示すように所望の配線パターンを得る。
【００１０】以上のように本実施例によれば、配線材料
の表面に反射率の低いアルミニウム合金膜７を形成する
ことにより配線パターンを安定して形成することができ
る。
の表面に反射率の低いアルミニウム合金膜７を形成する
ことにより配線パターンを安定して形成することができ
る。
【００１１】なお、本実施例ではポリシリコンパターン
上のアルミニウム合金膜による配線、すなわち第１層目
のメタル配線について説明したが、第２層目あるいは第
３層目以上の多層メタル配線にも同様の手段が適用でき
、この場合はさらに効果的である。またアルミニウム合
金膜の代りにアルミニウム膜を使っても同様の結果が得
られる。
上のアルミニウム合金膜による配線、すなわち第１層目
のメタル配線について説明したが、第２層目あるいは第
３層目以上の多層メタル配線にも同様の手段が適用でき
、この場合はさらに効果的である。またアルミニウム合
金膜の代りにアルミニウム膜を使っても同様の結果が得
られる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、１回目の蒸着に
よるアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜を加熱
して、その上にさらに蒸着するので、表面が反射率の低
いアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜を形成す
ることができ、露光時の反射光による影響を大幅に減少
させることができ、安定した精度ある配線パターンを有
する半導体装置を提供できる。
よるアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜を加熱
して、その上にさらに蒸着するので、表面が反射率の低
いアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜を形成す
ることができ、露光時の反射光による影響を大幅に減少
させることができ、安定した精度ある配線パターンを有
する半導体装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の製造方法の工
程断面図
程断面図
【図２】従来の半導体装置の製造方法の工程断面図
【図
３】図２の従来例での課題を示す半導体装置の製造方法
の断面図
３】図２の従来例での課題を示す半導体装置の製造方法
の断面図
１ 半導体基板
２ Ｎ＋拡散層
３ ポリシリコンパターン
４ 層間絶縁膜
５，７ アルミニウム合金膜またはアルミニウム膜６
ホトレジスト
ホトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成した電気素子に接続口
を形成した後、アルミニウム膜またはアルミニウム合金
膜を蒸着する工程と、その蒸着されたアルミニウム膜ま
たはアルミニウム合金膜を大気中にさらすことなく２０
０℃から４００℃の間で加熱してからさらにアルミニウ
ム膜またはアルミニウム合金膜を蒸着する工程と、それ
ら２回の工程で蒸着されたアルミニウム膜またはアルミ
ニウム合金膜を写真食刻法により配線パターン形成する
工程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6439091A JPH04299831A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6439091A JPH04299831A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299831A true JPH04299831A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13256948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6439091A Pending JPH04299831A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299831A (ja) |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP6439091A patent/JPH04299831A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0645327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722160B2 (ja) | 集積回路上の絶縁性構成体及びその製造方法 | |
| JPH07120650B2 (ja) | スピンオンしたゲルマニウムガラス | |
| JPH0629239A (ja) | リフト−オフプロセスを利用した半導体素子におけるセルフアライン拡散バリアの製造方法及び拡散バリアを有する半導体素子 | |
| KR100220933B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH04299831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05144812A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60124846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0144232B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPH01266746A (ja) | 半導体装置 | |
| KR0167251B1 (ko) | 반도체 소자의 배선구조 및 그 제조방법 | |
| JPS61206242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61137345A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0137813B1 (ko) | 모스 트랜지스터(mosfet)의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR100252757B1 (ko) | 금속패턴 형성방법 | |
| JPH04298039A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0153980B1 (ko) | 평탄화방법 | |
| JPS5843540A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH0114709B2 (ja) | ||
| JPH0677332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02151052A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590263A (ja) | 半導体素子における多層配線の形成方法 | |
| JPS5893330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0212827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58143529A (ja) | パタ−ン形成方法 |