JPH04298039A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04298039A JPH04298039A JP10633091A JP10633091A JPH04298039A JP H04298039 A JPH04298039 A JP H04298039A JP 10633091 A JP10633091 A JP 10633091A JP 10633091 A JP10633091 A JP 10633091A JP H04298039 A JPH04298039 A JP H04298039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- layer
- metal wiring
- thin film
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の断面とその製
造方法を示すものであり、図２において、１はシリコン
基板、２は絶縁酸化膜、３ａ，６はＡｌＳｉ，ＡｌＳｉ
Ｃｕ等を含むＡｌ金属配線、４はレジスト、５は金属配
線３ａ，６間を電気的に絶縁する層間酸化膜である。
造方法を示すものであり、図２において、１はシリコン
基板、２は絶縁酸化膜、３ａ，６はＡｌＳｉ，ＡｌＳｉ
Ｃｕ等を含むＡｌ金属配線、４はレジスト、５は金属配
線３ａ，６間を電気的に絶縁する層間酸化膜である。
【０００３】従来の半導体装置は図２（ｇ） のように
構成されており、次にその製造工程を図２の断面図を用
いて説明する。
構成されており、次にその製造工程を図２の断面図を用
いて説明する。
【０００４】第１工程（図２（ａ） 参照）シリコン基
板１上に例えば約１７０００オングストローム厚の絶縁
酸化膜２を形成し、その上に金属薄膜３ａを形成するた
めに、例えば約５０００オングストローム厚のＡｌＳｉ
，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌをウエハ全面にスパッタリ
ングする。
板１上に例えば約１７０００オングストローム厚の絶縁
酸化膜２を形成し、その上に金属薄膜３ａを形成するた
めに、例えば約５０００オングストローム厚のＡｌＳｉ
，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌをウエハ全面にスパッタリ
ングする。
【０００５】第２工程（図２（ｂ） 参照）金属薄膜３
ａ上にレジスト４を塗布し、露光，現像することで所望
の回路パターンを形成する。
ａ上にレジスト４を塗布し、露光，現像することで所望
の回路パターンを形成する。
【０００６】第３工程（図２（ｃ） 参照）第２工程で
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜３ａをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト４をアッシングして除去する。
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜３ａをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト４をアッシングして除去する。
【０００７】第４工程（図２（ｄ） 参照）第３工程で
形成された金属配線３ａ上に例えば約５０００ないし６
０００オングストローム厚の層間酸化膜５をＣＶＤ等で
形成する。
形成された金属配線３ａ上に例えば約５０００ないし６
０００オングストローム厚の層間酸化膜５をＣＶＤ等で
形成する。
【０００８】第５工程（図２（ｅ） 参照）第４工程で
形成された層間酸化膜５上に２層目の金属配線となるべ
きＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌの金属薄膜を約
１００００オングストローム厚にスパッタリングする。
形成された層間酸化膜５上に２層目の金属配線となるべ
きＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌの金属薄膜を約
１００００オングストローム厚にスパッタリングする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、２層目の金属配線のス
テップカバレッジが悪く、断線を引き起こす可能性があ
った。
上のように構成されているので、２層目の金属配線のス
テップカバレッジが悪く、断線を引き起こす可能性があ
った。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、２層目の金属配線のステップカ
バレッジをよくすることができる半導体装置及びその製
造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、２層目の金属配線のステップカ
バレッジをよくすることができる半導体装置及びその製
造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置及びその製造方法は、１層目の金属配線の断面形状を
四角形ではなく、側面部を円弧状にしたものである。
置及びその製造方法は、１層目の金属配線の断面形状を
四角形ではなく、側面部を円弧状にしたものである。
【００１２】
【作用】この発明における半導体装置及びその製造方法
は、１層目の金属配線を、その側面部が円弧状の断面形
状となるようにしたので、層間酸化膜デポ後の２層目の
金属配線のステップカバレッジが良くなる。
は、１層目の金属配線を、その側面部が円弧状の断面形
状となるようにしたので、層間酸化膜デポ後の２層目の
金属配線のステップカバレッジが良くなる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例による半導体装置をその
製造工程順に示す断面図である。図において、１はシリ
コン基板、２は絶縁酸化膜、３ａ，３ｂ，６はＡｌＳｉ
，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌ金属配線、４はレジスト、
５は金属配線３ａ，３ｂと６の間を電気的に絶縁する層
間酸化膜である。
る。図１はこの発明の一実施例による半導体装置をその
製造工程順に示す断面図である。図において、１はシリ
コン基板、２は絶縁酸化膜、３ａ，３ｂ，６はＡｌＳｉ
，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌ金属配線、４はレジスト、
５は金属配線３ａ，３ｂと６の間を電気的に絶縁する層
間酸化膜である。
【００１４】次に、この発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を図１の断面図を用いて工程順に説明する
。
置の製造方法を図１の断面図を用いて工程順に説明する
。
【００１５】第１工程（図１（ａ） 参照）シリコン基
板１上に絶縁酸化膜２を例えば約１７０００オングスト
ローム厚に形成し、その上に金属薄膜３ａを形成するた
めにＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌを例えば約５
０００オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリン
グする。
板１上に絶縁酸化膜２を例えば約１７０００オングスト
ローム厚に形成し、その上に金属薄膜３ａを形成するた
めにＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等を含むＡｌを例えば約５
０００オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリン
グする。
【００１６】第２工程（図１（ｂ） 参照）金属薄膜３
ａ上にレジスト４を塗布し、露光，現像することで所望
の回路パターンと同様だが配線幅がその１／３になるよ
うにパターニングする。
ａ上にレジスト４を塗布し、露光，現像することで所望
の回路パターンと同様だが配線幅がその１／３になるよ
うにパターニングする。
【００１７】第３工程（図１（ｃ） 参照）第２工程で
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜３ａをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト４をアッシングして除去する。
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜３ａをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト４をアッシングして除去する。
【００１８】第４工程（図１（ｄ） 参照）第３工程で
形成された金属配線３ａ上に金属配線３ａと同種かまた
は例えばＷＳｉ等の異種の金属薄膜３ｂを例えば約５０
００オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリング
する。
形成された金属配線３ａ上に金属配線３ａと同種かまた
は例えばＷＳｉ等の異種の金属薄膜３ｂを例えば約５０
００オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリング
する。
【００１９】第５工程（図１（ｅ） 参照）ウエハ全面
をドライエッチングにすることにより、金属配線３ａの
両側面に円弧状の側壁３ｂを形成し、本来の回路パター
ン幅を持つ金属配線を形成する。
をドライエッチングにすることにより、金属配線３ａの
両側面に円弧状の側壁３ｂを形成し、本来の回路パター
ン幅を持つ金属配線を形成する。
【００２０】第６工程（図１（ｆ） 参照）第５工程で
形成された金属配線３ａ，３ｂ上に層間酸化膜５をＣＶ
Ｄ等で約５０００ないし６０００オングストローム厚に
形成する。
形成された金属配線３ａ，３ｂ上に層間酸化膜５をＣＶ
Ｄ等で約５０００ないし６０００オングストローム厚に
形成する。
【００２１】第７工程（図１（ｇ） 参照）第６工程で
形成された層間酸化膜５上に２層目の金属配線となるべ
きＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等の金属薄膜を例えば約１０
０００オングストローム厚にスパッタリングする。
形成された層間酸化膜５上に２層目の金属配線となるべ
きＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ等の金属薄膜を例えば約１０
０００オングストローム厚にスパッタリングする。
【００２２】このように、上記実施例によれば、１層目
の金属配線を、その側面が円弧状の断面形状となるよう
にしたので、層間酸化膜をデポした後の平坦性が改善さ
れ、２層目の金属配線のステップカバレッジが良くなる
効果がある。
の金属配線を、その側面が円弧状の断面形状となるよう
にしたので、層間酸化膜をデポした後の平坦性が改善さ
れ、２層目の金属配線のステップカバレッジが良くなる
効果がある。
【００２３】なお、上記実施例では２層配線に適用した
例を示したが、３層以上であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
例を示したが、３層以上であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置およびその製造方法によれば、１層目の金属配線の断
面形状を円弧状となるようにしたので、層間酸化膜をデ
ポした後の２層目の金属配線のステップカバレッジがよ
くなるものが得られる効果がある。
置およびその製造方法によれば、１層目の金属配線の断
面形状を円弧状となるようにしたので、層間酸化膜をデ
ポした後の２層目の金属配線のステップカバレッジがよ
くなるものが得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置をその製
造工程順に示す断面図である。
造工程順に示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置をその製造工程順に示す断面
図である。
図である。
３ａ １層目の金属配線
３ｂ １層目の金属配線の側面部に形成された円弧状
の金属薄膜 ５ 層間酸化膜 ６ ２層目の金属配線
の金属薄膜 ５ 層間酸化膜 ６ ２層目の金属配線
Claims (2)
- 【請求項１】 ２層の金属配線を有する半導体装置に
おいて、１層目の配線の側面形状を円弧状としたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体装置の製造方法において、半導
体基板上に１層目の金属薄膜をデポし、所望の回路パタ
ーンにエッチングして金属配線を形成する工程と、ウエ
ハ全面に１層目の金属薄膜と同種又は異種の金属薄膜を
デポする工程と、ウエハ全面にドライエッチングするこ
とで、金属配線の側面部に円弧状の金属薄膜を形成する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633091A JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633091A JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298039A true JPH04298039A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=14430889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10633091A Pending JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298039A (ja) |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP10633091A patent/JPH04298039A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07307385A (ja) | 半導体素子の多層金属配線の形成方法 | |
| JPH0669351A (ja) | 多層金属配線構造のコンタクトの製造方法 | |
| JPH04298039A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01192137A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0536846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0766178A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2991388B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100226755B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 구조 및 제조방법 | |
| JP2783898B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5895839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0153980B1 (ko) | 평탄화방법 | |
| KR0167251B1 (ko) | 반도체 소자의 배선구조 및 그 제조방법 | |
| JPS63111644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0677332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS639660B2 (ja) | ||
| JPH04299831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05326504A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05160126A (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPH04280432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259160A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000031271A (ja) | 多層配線の半導体装置の製造方法 | |
| JPH0488634A (ja) | 薄膜配線の形成方法 | |
| JPS61288445A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0513599A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH02105529A (ja) | 半導体装置の製造方法 |