JPH04298039A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04298039A JPH04298039A JP10633091A JP10633091A JPH04298039A JP H04298039 A JPH04298039 A JP H04298039A JP 10633091 A JP10633091 A JP 10633091A JP 10633091 A JP10633091 A JP 10633091A JP H04298039 A JPH04298039 A JP H04298039A
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- semiconductor device
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- metal wiring
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
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- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 7
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の半導体装置の断面とその製
造方法を示すものであり、図2において、1はシリコン
基板、2は絶縁酸化膜、3a,6はAlSi,AlSi
Cu等を含むAl金属配線、4はレジスト、5は金属配
線3a,6間を電気的に絶縁する層間酸化膜である。
造方法を示すものであり、図2において、1はシリコン
基板、2は絶縁酸化膜、3a,6はAlSi,AlSi
Cu等を含むAl金属配線、4はレジスト、5は金属配
線3a,6間を電気的に絶縁する層間酸化膜である。
【0003】従来の半導体装置は図2(g) のように
構成されており、次にその製造工程を図2の断面図を用
いて説明する。
構成されており、次にその製造工程を図2の断面図を用
いて説明する。
【0004】第1工程(図2(a) 参照)シリコン基
板1上に例えば約17000オングストローム厚の絶縁
酸化膜2を形成し、その上に金属薄膜3aを形成するた
めに、例えば約5000オングストローム厚のAlSi
,AlSiCu等を含むAlをウエハ全面にスパッタリ
ングする。
板1上に例えば約17000オングストローム厚の絶縁
酸化膜2を形成し、その上に金属薄膜3aを形成するた
めに、例えば約5000オングストローム厚のAlSi
,AlSiCu等を含むAlをウエハ全面にスパッタリ
ングする。
【0005】第2工程(図2(b) 参照)金属薄膜3
a上にレジスト4を塗布し、露光,現像することで所望
の回路パターンを形成する。
a上にレジスト4を塗布し、露光,現像することで所望
の回路パターンを形成する。
【0006】第3工程(図2(c) 参照)第2工程で
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜3aをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト4をアッシングして除去する。
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜3aをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト4をアッシングして除去する。
【0007】第4工程(図2(d) 参照)第3工程で
形成された金属配線3a上に例えば約5000ないし6
000オングストローム厚の層間酸化膜5をCVD等で
形成する。
形成された金属配線3a上に例えば約5000ないし6
000オングストローム厚の層間酸化膜5をCVD等で
形成する。
【0008】第5工程(図2(e) 参照)第4工程で
形成された層間酸化膜5上に2層目の金属配線となるべ
きAlSi,AlSiCu等を含むAlの金属薄膜を約
10000オングストローム厚にスパッタリングする。
形成された層間酸化膜5上に2層目の金属配線となるべ
きAlSi,AlSiCu等を含むAlの金属薄膜を約
10000オングストローム厚にスパッタリングする。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、2層目の金属配線のス
テップカバレッジが悪く、断線を引き起こす可能性があ
った。
上のように構成されているので、2層目の金属配線のス
テップカバレッジが悪く、断線を引き起こす可能性があ
った。
【0010】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、2層目の金属配線のステップカ
バレッジをよくすることができる半導体装置及びその製
造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、2層目の金属配線のステップカ
バレッジをよくすることができる半導体装置及びその製
造方法を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置及びその製造方法は、1層目の金属配線の断面形状を
四角形ではなく、側面部を円弧状にしたものである。
置及びその製造方法は、1層目の金属配線の断面形状を
四角形ではなく、側面部を円弧状にしたものである。
【0012】
【作用】この発明における半導体装置及びその製造方法
は、1層目の金属配線を、その側面部が円弧状の断面形
状となるようにしたので、層間酸化膜デポ後の2層目の
金属配線のステップカバレッジが良くなる。
は、1層目の金属配線を、その側面部が円弧状の断面形
状となるようにしたので、層間酸化膜デポ後の2層目の
金属配線のステップカバレッジが良くなる。
【0013】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1はこの発明の一実施例による半導体装置をその
製造工程順に示す断面図である。図において、1はシリ
コン基板、2は絶縁酸化膜、3a,3b,6はAlSi
,AlSiCu等を含むAl金属配線、4はレジスト、
5は金属配線3a,3bと6の間を電気的に絶縁する層
間酸化膜である。
る。図1はこの発明の一実施例による半導体装置をその
製造工程順に示す断面図である。図において、1はシリ
コン基板、2は絶縁酸化膜、3a,3b,6はAlSi
,AlSiCu等を含むAl金属配線、4はレジスト、
5は金属配線3a,3bと6の間を電気的に絶縁する層
間酸化膜である。
【0014】次に、この発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を図1の断面図を用いて工程順に説明する
。
置の製造方法を図1の断面図を用いて工程順に説明する
。
【0015】第1工程(図1(a) 参照)シリコン基
板1上に絶縁酸化膜2を例えば約17000オングスト
ローム厚に形成し、その上に金属薄膜3aを形成するた
めにAlSi,AlSiCu等を含むAlを例えば約5
000オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリン
グする。
板1上に絶縁酸化膜2を例えば約17000オングスト
ローム厚に形成し、その上に金属薄膜3aを形成するた
めにAlSi,AlSiCu等を含むAlを例えば約5
000オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリン
グする。
【0016】第2工程(図1(b) 参照)金属薄膜3
a上にレジスト4を塗布し、露光,現像することで所望
の回路パターンと同様だが配線幅がその1/3になるよ
うにパターニングする。
a上にレジスト4を塗布し、露光,現像することで所望
の回路パターンと同様だが配線幅がその1/3になるよ
うにパターニングする。
【0017】第3工程(図1(c) 参照)第2工程で
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜3aをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト4をアッシングして除去する。
形成されたパターンに基づいてドライエッチングを行い
、金属薄膜3aをエッチングし、金属配線を形成する。 その後、レジスト4をアッシングして除去する。
【0018】第4工程(図1(d) 参照)第3工程で
形成された金属配線3a上に金属配線3aと同種かまた
は例えばWSi等の異種の金属薄膜3bを例えば約50
00オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリング
する。
形成された金属配線3a上に金属配線3aと同種かまた
は例えばWSi等の異種の金属薄膜3bを例えば約50
00オングストローム厚でウエハ全面にスパッタリング
する。
【0019】第5工程(図1(e) 参照)ウエハ全面
をドライエッチングにすることにより、金属配線3aの
両側面に円弧状の側壁3bを形成し、本来の回路パター
ン幅を持つ金属配線を形成する。
をドライエッチングにすることにより、金属配線3aの
両側面に円弧状の側壁3bを形成し、本来の回路パター
ン幅を持つ金属配線を形成する。
【0020】第6工程(図1(f) 参照)第5工程で
形成された金属配線3a,3b上に層間酸化膜5をCV
D等で約5000ないし6000オングストローム厚に
形成する。
形成された金属配線3a,3b上に層間酸化膜5をCV
D等で約5000ないし6000オングストローム厚に
形成する。
【0021】第7工程(図1(g) 参照)第6工程で
形成された層間酸化膜5上に2層目の金属配線となるべ
きAlSi,AlSiCu等の金属薄膜を例えば約10
000オングストローム厚にスパッタリングする。
形成された層間酸化膜5上に2層目の金属配線となるべ
きAlSi,AlSiCu等の金属薄膜を例えば約10
000オングストローム厚にスパッタリングする。
【0022】このように、上記実施例によれば、1層目
の金属配線を、その側面が円弧状の断面形状となるよう
にしたので、層間酸化膜をデポした後の平坦性が改善さ
れ、2層目の金属配線のステップカバレッジが良くなる
効果がある。
の金属配線を、その側面が円弧状の断面形状となるよう
にしたので、層間酸化膜をデポした後の平坦性が改善さ
れ、2層目の金属配線のステップカバレッジが良くなる
効果がある。
【0023】なお、上記実施例では2層配線に適用した
例を示したが、3層以上であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
例を示したが、3層以上であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
【0024】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置およびその製造方法によれば、1層目の金属配線の断
面形状を円弧状となるようにしたので、層間酸化膜をデ
ポした後の2層目の金属配線のステップカバレッジがよ
くなるものが得られる効果がある。
置およびその製造方法によれば、1層目の金属配線の断
面形状を円弧状となるようにしたので、層間酸化膜をデ
ポした後の2層目の金属配線のステップカバレッジがよ
くなるものが得られる効果がある。
【図1】この発明の一実施例による半導体装置をその製
造工程順に示す断面図である。
造工程順に示す断面図である。
【図2】従来の半導体装置をその製造工程順に示す断面
図である。
図である。
3a 1層目の金属配線
3b 1層目の金属配線の側面部に形成された円弧状
の金属薄膜 5 層間酸化膜 6 2層目の金属配線
の金属薄膜 5 層間酸化膜 6 2層目の金属配線
Claims (2)
- 【請求項1】 2層の金属配線を有する半導体装置に
おいて、1層目の配線の側面形状を円弧状としたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 半導体装置の製造方法において、半導
体基板上に1層目の金属薄膜をデポし、所望の回路パタ
ーンにエッチングして金属配線を形成する工程と、ウエ
ハ全面に1層目の金属薄膜と同種又は異種の金属薄膜を
デポする工程と、ウエハ全面にドライエッチングするこ
とで、金属配線の側面部に円弧状の金属薄膜を形成する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10633091A JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10633091A JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04298039A true JPH04298039A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=14430889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10633091A Pending JPH04298039A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04298039A (ja) |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP10633091A patent/JPH04298039A/ja active Pending
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