JPS63148685A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法Info
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- JPS63148685A JPS63148685A JP61296435A JP29643586A JPS63148685A JP S63148685 A JPS63148685 A JP S63148685A JP 61296435 A JP61296435 A JP 61296435A JP 29643586 A JP29643586 A JP 29643586A JP S63148685 A JPS63148685 A JP S63148685A
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- Japan
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- sheet resistance
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- solar cell
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、炉体内にフィルタ又は遮へい板を有するラン
プ加熱装置を用いた太陽電池素子の製造方法に関する。
プ加熱装置を用いた太陽電池素子の製造方法に関する。
（従来の技術）
太陽電池素子を製造するための従来の拡散処理は、シリ
コン基板に部分的なシート抵抗の面内変化を有する接合
構造を形成するために、酸化膜形成及びフォトプロセス
技術等を用い、さらに複数回の拡散処理を行わなければ
ならなかった。
コン基板に部分的なシート抵抗の面内変化を有する接合
構造を形成するために、酸化膜形成及びフォトプロセス
技術等を用い、さらに複数回の拡散処理を行わなければ
ならなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
このため、太陽電池素子の製造が非常に複雑で、所要時
間も長時間を要するといった問題があった。
間も長時間を要するといった問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る太陽電池素子の製造方法は、炉体内にフィ
ルタ又は遮へい板を有するランプ加熱装置を用い、この
ランプ加熱装置の前記炉体内にシリコン基板を配置して
該シリコン基板の拡散処理を行い、部分的にシート抵抗
の面内変化を持たせることにより、電極を形成する部分
を低シート抵抗、受光面部分を高シート抵抗とする接合
構造を形成するものである。
ルタ又は遮へい板を有するランプ加熱装置を用い、この
ランプ加熱装置の前記炉体内にシリコン基板を配置して
該シリコン基板の拡散処理を行い、部分的にシート抵抗
の面内変化を持たせることにより、電極を形成する部分
を低シート抵抗、受光面部分を高シート抵抗とする接合
構造を形成するものである。
（作用）
ランプ加熱装置の炉体内にシリコン基板を配置して拡散
処理を行い、部分的にシート抵抗の面内変化を持たせる
ことにより、電極直下に相当する部分を低シート抵抗、
受光面部分を高シート抵抗とする接合構造の形成が拡散
プロセスのみで行える。
処理を行い、部分的にシート抵抗の面内変化を持たせる
ことにより、電極直下に相当する部分を低シート抵抗、
受光面部分を高シート抵抗とする接合構造の形成が拡散
プロセスのみで行える。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の製造方法に用いられるランプ加熱装
置の概略構成を示している。
置の概略構成を示している。
同図において、１は炉本体、２は炉本体１内に配置され
た石英チューブである。この石英チューブ２の外側には
、その上部位置と下部位置とにそれぞれ複数個のランプ
３，３・・・が配置されている。
た石英チューブである。この石英チューブ２の外側には
、その上部位置と下部位置とにそれぞれ複数個のランプ
３，３・・・が配置されている。
一方、石英チューブ２の内部の略中央位置に石英トレー
４が水平に配置され、この石英トレー４の上に点接触の
状態で、上面にリンガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）塗布膜１０
（第２図参照）を有するシリコン基板５が載置されてい
る。そして、このシリコン基板５に近接する上部位置、
及び石英トレー４に近接する下部位置であって前記シリ
コン基板５と対向する位置に、それぞれフィルタ５ａ、
５ｂが交換可能な構造として配置されている。さらに、
シリコン基板５の下部であって、炉本体１の底壁から該
炉本体と石英チューブ２との隙間内に貫入する形でパイ
ロメータ７が設置されている。このパイロメータ７は、
シリコン基板５の温度測定を非接触で行うためのもので
ある。
４が水平に配置され、この石英トレー４の上に点接触の
状態で、上面にリンガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）塗布膜１０
（第２図参照）を有するシリコン基板５が載置されてい
る。そして、このシリコン基板５に近接する上部位置、
及び石英トレー４に近接する下部位置であって前記シリ
コン基板５と対向する位置に、それぞれフィルタ５ａ、
５ｂが交換可能な構造として配置されている。さらに、
シリコン基板５の下部であって、炉本体１の底壁から該
炉本体と石英チューブ２との隙間内に貫入する形でパイ
ロメータ７が設置されている。このパイロメータ７は、
シリコン基板５の温度測定を非接触で行うためのもので
ある。
また、前記フィルタ５ａ、５ｂは、第２図に示すように
、例えばＡ部が９０％以上の光を透過するように形成さ
れるとともに、Ｂ部には吸収膜が設けられてＡ部より光
透過量を減じるように形成されている。
、例えばＡ部が９０％以上の光を透過するように形成さ
れるとともに、Ｂ部には吸収膜が設けられてＡ部より光
透過量を減じるように形成されている。
このようなランプ加熱装置を用い、前記シリコン基板５
に対して、加熱温度：９００−１１００℃、加熱時間：
数十秒〜数秒、の処理条件でランプ加熱を行う。これに
より、第３図に示すように、シリコン基板５の上面に低
シート抵抗部１２及び高シート抵抗部１３を形成するこ
とができる。このようにして形成された低シート抵抗部
１２は１０〜４０Ω／口程度のシート抵抗値で、第４図
に示すように、表電極１４の直下の位置に相当し、曲線
因子を高める効果を有する。一方、高シート抵抗部１３
は５０〜１５０Ω／口程度のシート抵抗値で、反射防止
膜１５を有する受光面部分に相当し、浅い接合形成によ
る短絡電流の増加が期待できる。なお、第４図に示す太
陽電池素子において、１６はＰ゛層、１７は裏電極であ
る。
に対して、加熱温度：９００−１１００℃、加熱時間：
数十秒〜数秒、の処理条件でランプ加熱を行う。これに
より、第３図に示すように、シリコン基板５の上面に低
シート抵抗部１２及び高シート抵抗部１３を形成するこ
とができる。このようにして形成された低シート抵抗部
１２は１０〜４０Ω／口程度のシート抵抗値で、第４図
に示すように、表電極１４の直下の位置に相当し、曲線
因子を高める効果を有する。一方、高シート抵抗部１３
は５０〜１５０Ω／口程度のシート抵抗値で、反射防止
膜１５を有する受光面部分に相当し、浅い接合形成によ
る短絡電流の増加が期待できる。なお、第４図に示す太
陽電池素子において、１６はＰ゛層、１７は裏電極であ
る。
このように、本発明の製造方法により作製した太陽電池
素子は、従来技術である抵抗加熱を用いたＰ ＯＣｌ
ｓによる気相拡散もしくはドープドオキサイド膜による
固相拡散により作製された太陽電池素子（４０〜５０Ω
／口程度の低い均一なシート抵抗値を持つ）の特性に比
べて、前記したように曲線因子及び短絡電流の増加が期
待でき、その結果として素子効率の向上を図ることがで
きる。
素子は、従来技術である抵抗加熱を用いたＰ ＯＣｌ
ｓによる気相拡散もしくはドープドオキサイド膜による
固相拡散により作製された太陽電池素子（４０〜５０Ω
／口程度の低い均一なシート抵抗値を持つ）の特性に比
べて、前記したように曲線因子及び短絡電流の増加が期
待でき、その結果として素子効率の向上を図ることがで
きる。
なお、本実施例では、吸収膜を有するフィルタ５ａ、５
ｂを用いてシリコン基板５の拡散処理を行ったが、耐熱
性を考慮した場合には、透明石英を部分的に研磨したり
、あるいは不透明石英の製作時に部分的に透明にしたり
してフィルタ効果を持たせた遮へい板を用いて拡散処理
を行ってもよい。また、本発明の製造方法によって作製
された太陽電池素子の特性をさらに向上させるためには
、第５図に示すような数段階の吸収膜パターンを有する
フィルタ２０を用いればよい。同図において、０部が光
透過量９０％の部分、Ｄ部が８５％の部分、Ｅ部が８０
％の部分、Ｆ部が７５％の部分、Ｇ部が７０％の部分で
ある。
ｂを用いてシリコン基板５の拡散処理を行ったが、耐熱
性を考慮した場合には、透明石英を部分的に研磨したり
、あるいは不透明石英の製作時に部分的に透明にしたり
してフィルタ効果を持たせた遮へい板を用いて拡散処理
を行ってもよい。また、本発明の製造方法によって作製
された太陽電池素子の特性をさらに向上させるためには
、第５図に示すような数段階の吸収膜パターンを有する
フィルタ２０を用いればよい。同図において、０部が光
透過量９０％の部分、Ｄ部が８５％の部分、Ｅ部が８０
％の部分、Ｆ部が７５％の部分、Ｇ部が７０％の部分で
ある。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の太陽電池素子の製造方法
によれば、炉体内にフィルタ又は遮へい板を有するラン
プ加熱装置を用いてシリコン基板の拡散処理を行うこと
により、拡散プロセスのみで部分的にシート抵抗の面内
変化を持たせることができ、これにより従来の製造方法
に比べて処理工程を簡略化することができる。また、電
極を形成する部分を低シート抵抗、受光面部分を高シー
ト抵抗とすることにより、曲線因子及び短絡電流の増加
が期待でき、これにより素子効率を向上することができ
る。
によれば、炉体内にフィルタ又は遮へい板を有するラン
プ加熱装置を用いてシリコン基板の拡散処理を行うこと
により、拡散プロセスのみで部分的にシート抵抗の面内
変化を持たせることができ、これにより従来の製造方法
に比べて処理工程を簡略化することができる。また、電
極を形成する部分を低シート抵抗、受光面部分を高シー
ト抵抗とすることにより、曲線因子及び短絡電流の増加
が期待でき、これにより素子効率を向上することができ
る。
第１図は本発明の製造方法に用いられるランプ加熱装置
の縦断面図、第２図はシリコン基板及びフィルタの斜視
図、第３図はシリコン基板の面内変化の拡散状態を示す
斜視図、第４図は太陽電池素子の縦断面図、第５図はフ
ィルタの他の実施例を示す平面図である。 １・・・炉本体 ２・・・石英チューブ３・・
・ランプ ４・・・石英トレー５・・・シリコ
ン基板 ５ａ、５ｂ・・・フィルタ７・・・パイロメ
ータ １２・・・低シート抵抗部１３・・・高シート抵
抗部 ｔＭＺ図 第２図 第３図 第４ｒｇ
の縦断面図、第２図はシリコン基板及びフィルタの斜視
図、第３図はシリコン基板の面内変化の拡散状態を示す
斜視図、第４図は太陽電池素子の縦断面図、第５図はフ
ィルタの他の実施例を示す平面図である。 １・・・炉本体 ２・・・石英チューブ３・・
・ランプ ４・・・石英トレー５・・・シリコ
ン基板 ５ａ、５ｂ・・・フィルタ７・・・パイロメ
ータ １２・・・低シート抵抗部１３・・・高シート抵
抗部 ｔＭＺ図 第２図 第３図 第４ｒｇ
Claims (1)
- １）炉体内にフィルタ又は遮へい板を有するランプ加熱
装置を用い、このランプ加熱装置の前記炉体内にシリコ
ン基板を配置して該シリコン基板の拡散処理を行い、部
分的にシート抵抗の面内変化を持たせることにより、電
極を形成する部分を低シート抵抗、受光面部分を高シー
ト抵抗とする接合構造を形成することを特徴とする太陽
電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61296435A JPS63148685A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61296435A JPS63148685A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148685A true JPS63148685A (ja) | 1988-06-21 |
| JPH0565066B2 JPH0565066B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=17833499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61296435A Granted JPS63148685A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5165505A (en) * | 1990-10-01 | 1992-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Elevator landing door apparatus |
| JP2011512041A (ja) * | 2008-04-17 | 2011-04-14 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池、太陽電池のエミッタ層形成方法及び太陽電池の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826662A (ja) * | 1971-08-10 | 1973-04-07 | ||
| JPS55158680A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solar cell and manufacture thereof |
| JPS5757482A (en) * | 1980-08-12 | 1982-04-06 | Nippon Electric Co | Heater |
| JPS60216541A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体基板への不純物導入方法 |
| JPS60216561A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 熱処理方法 |
| JPS60216538A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体基板への不純物拡散方法 |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP61296435A patent/JPS63148685A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826662A (ja) * | 1971-08-10 | 1973-04-07 | ||
| JPS55158680A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solar cell and manufacture thereof |
| JPS5757482A (en) * | 1980-08-12 | 1982-04-06 | Nippon Electric Co | Heater |
| JPS60216541A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体基板への不純物導入方法 |
| JPS60216561A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 熱処理方法 |
| JPS60216538A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5165505A (en) * | 1990-10-01 | 1992-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Elevator landing door apparatus |
| JP2011512041A (ja) * | 2008-04-17 | 2011-04-14 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池、太陽電池のエミッタ層形成方法及び太陽電池の製造方法 |
| US8513754B2 (en) | 2008-04-17 | 2013-08-20 | Lg Electronics Inc. | Solar cell, method of forming emitter layer of solar cell, and method of manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0565066B2 (ja) | 1993-09-16 |
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|---|---|---|---|
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