JPH0529238A - ドーパント熱拡散装置 - Google Patents
ドーパント熱拡散装置Info
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- JPH0529238A JPH0529238A JP3184533A JP18453391A JPH0529238A JP H0529238 A JPH0529238 A JP H0529238A JP 3184533 A JP3184533 A JP 3184533A JP 18453391 A JP18453391 A JP 18453391A JP H0529238 A JPH0529238 A JP H0529238A
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- Japan
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- dopant
- substrate
- semiconductor substrate
- gas
- thermal diffusion
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 この発明は、異なる導電型の拡散層の形成を
同時に行なうことを可能としたドーパント熱拡散装置の
提供を目的とする。 【構成】 基板１を浮遊状態で移動させる移動手段１０
と、基板の表裏面にドーパントを吹きつけるドーパント
供給手段２０および供給されたこのドーパントを拡散さ
せるための加熱光照射手段３０とを備えている。
同時に行なうことを可能としたドーパント熱拡散装置の
提供を目的とする。 【構成】 基板１を浮遊状態で移動させる移動手段１０
と、基板の表裏面にドーパントを吹きつけるドーパント
供給手段２０および供給されたこのドーパントを拡散さ
せるための加熱光照射手段３０とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ドーパント熱拡散装
置に関し、特に、異なる導電型の拡散層の形成を同時に
行なうことを可能としたドーパント熱拡散装置の構造に
関するものである。
置に関し、特に、異なる導電型の拡散層の形成を同時に
行なうことを可能としたドーパント熱拡散装置の構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の作成には、導電型の
異なるドーパントを基板表裏両面から供給し、異なる導
電型の拡散層を基板の表裏両面に形成することが不可欠
な技術となっている。従来、この種の技術としては、ガ
ス拡散法やイオン注入法が一般に知られている。
異なるドーパントを基板表裏両面から供給し、異なる導
電型の拡散層を基板の表裏両面に形成することが不可欠
な技術となっている。従来、この種の技術としては、ガ
ス拡散法やイオン注入法が一般に知られている。
【０００３】前者のガス拡散法における拡散装置の概要
は、図７を参照して、石英製の反応管５１の外側に、加
熱器５２があり、その周囲を断熱材５３が囲んでいる。
は、図７を参照して、石英製の反応管５１の外側に、加
熱器５２があり、その周囲を断熱材５３が囲んでいる。
【０００４】また、加熱器５２と反応管５１との間に
は、炭化珪素製の灼熱管５４が設けられている。この灼
熱管５４は、その比較的高い熱伝導率により温度が一
様な加熱面を形成するとともに、加熱器５２から発生
する重金属蒸気が反応管５１内へ侵入することを防止す
る目的で設けられている。
は、炭化珪素製の灼熱管５４が設けられている。この灼
熱管５４は、その比較的高い熱伝導率により温度が一
様な加熱面を形成するとともに、加熱器５２から発生
する重金属蒸気が反応管５１内へ侵入することを防止す
る目的で設けられている。
【０００５】上記構成よりなるガス拡散装置において、
半導体基板１を２５〜２００枚石英製のジグ５５に並
べ、外部のボードローダ５６で出し入れを行なう。
半導体基板１を２５〜２００枚石英製のジグ５５に並
べ、外部のボードローダ５６で出し入れを行なう。
【０００６】反応管５１内においては、ｎ+ 層を拡散す
る場合はリン（Ｐ）を、拡散源としてＰＯＣｌ3 、Ｐ2
Ｏ5 などを用いて８５０〜９５０℃ぐらいの温度で拡散
を行なう。
る場合はリン（Ｐ）を、拡散源としてＰＯＣｌ3 、Ｐ2
Ｏ5 などを用いて８５０〜９５０℃ぐらいの温度で拡散
を行なう。
【０００７】一方、ｐ+ 層を拡散する場合は、ＢＣ
ｌ3 、ＢＢｒ3 などを拡散源として硼素（Ｂ）を拡散す
る。
ｌ3 、ＢＢｒ3 などを拡散源として硼素（Ｂ）を拡散す
る。
【０００８】また、イオン注入法におけるイオン打込み
装置は、図８を参照して、イオン源６１で発生したイオ
ンビーム６２は、直進後分離用電磁石６３で必要イオン
のみが選択された後、回転円板６４上に配置された半導
体基板１に衝突し、半導体基板１に打込まれる。
装置は、図８を参照して、イオン源６１で発生したイオ
ンビーム６２は、直進後分離用電磁石６３で必要イオン
のみが選択された後、回転円板６４上に配置された半導
体基板１に衝突し、半導体基板１に打込まれる。
【０００９】次に、イオン打込みによる半導体基板１の
表面の結晶損失回復のため、ならびにイオンを深く拡散
させるためにアニールを行なう。
表面の結晶損失回復のため、ならびにイオンを深く拡散
させるためにアニールを行なう。
【００１０】従来、半導体基板の表裏両面に導電型層を
形成した半導体装置の代表的なものに太陽電池セルの形
成がある。この太陽電池セルを上記のガス拡散装置を用
いた場合の形成プロセスについて、以下図を参照して順
に説明する。
形成した半導体装置の代表的なものに太陽電池セルの形
成がある。この太陽電池セルを上記のガス拡散装置を用
いた場合の形成プロセスについて、以下図を参照して順
に説明する。
【００１１】まず、Ｐ型半導体基板１の全面に、図９を
参照して、炉内において熱酸化によりＳｉＯ2 膜よりな
る酸化膜を形成する。
参照して、炉内において熱酸化によりＳｉＯ2 膜よりな
る酸化膜を形成する。
【００１２】次に、このＰ型半導体基板１は、図１０を
参照して、表面側の酸化膜のみを除去するために半導体
基板１の底面側に樹脂層７１を形成する。
参照して、表面側の酸化膜のみを除去するために半導体
基板１の底面側に樹脂層７１を形成する。
【００１３】次に、上記樹脂層７１が形成された半導体
基板１は、図１１を参照して、その表面側をフッ酸と硝
酸とからなる混酸溶液で酸化膜を削除する。
基板１は、図１１を参照して、その表面側をフッ酸と硝
酸とからなる混酸溶液で酸化膜を削除する。
【００１４】次に、上記酸化膜が除去された半導体基板
１の表面側を、ＮａＯＨを含むアルカリ溶液で異方性エ
ッチングを行ない、光学的に優れた微小なピラミッド状
の凹凸からなるテキスチャ構造７１を形成する。
１の表面側を、ＮａＯＨを含むアルカリ溶液で異方性エ
ッチングを行ない、光学的に優れた微小なピラミッド状
の凹凸からなるテキスチャ構造７１を形成する。
【００１５】次に、このテキスチャ構造７２が形成され
た半導体基板１は、ガス拡散炉において熱拡散を行なう
ために、樹脂層を洗浄により除去する。
た半導体基板１は、ガス拡散炉において熱拡散を行なう
ために、樹脂層を洗浄により除去する。
【００１６】樹脂層が除去された半導体基板１は、図１
２を参照して、ガス拡散装置炉内において、ＰＨ3 ガス
の雰囲気中においてｎ+ が半導体基板表面に拡散され、
ｎ+ 層が形成される。
２を参照して、ガス拡散装置炉内において、ＰＨ3 ガス
の雰囲気中においてｎ+ が半導体基板表面に拡散され、
ｎ+ 層が形成される。
【００１７】次に、ｎ+ 不純物領域が形成された半導体
基板１は、図１３を参照して、さらに全面に酸化膜７４
が形成される。
基板１は、図１３を参照して、さらに全面に酸化膜７４
が形成される。
【００１８】次に、上記半導体基板１の底面のみの拡散
を行なうために、図１４を参照して表面部を樹脂層７５
で覆い、エッチングにより底面の酸化膜が除去される。
その後、樹脂層７５は図１５を参照して洗浄により除去
される。
を行なうために、図１４を参照して表面部を樹脂層７５
で覆い、エッチングにより底面の酸化膜が除去される。
その後、樹脂層７５は図１５を参照して洗浄により除去
される。
【００１９】上記により、底面以外は酸化膜で覆われた
半導体基板１は、図１６を参照して再びガス拡散装置炉
内において、Ｂ2 Ｈ6 ガスの雰囲気中でｐ+ が半導体基
板裏面に拡散され、ｐ+ 層７６が形成される。
半導体基板１は、図１６を参照して再びガス拡散装置炉
内において、Ｂ2 Ｈ6 ガスの雰囲気中でｐ+ が半導体基
板裏面に拡散され、ｐ+ 層７６が形成される。
【００２０】次に、表面および裏面を覆っていた酸化膜
を除去することにより、図１７を参照してｎ+ ｐｐ+ 接
合からなる半導体基板１を形成することができる。
を除去することにより、図１７を参照してｎ+ ｐｐ+ 接
合からなる半導体基板１を形成することができる。
【００２１】次に、この半導体基板１は、図１８を参照
して、その表面側にＳｉＯ2 よりなるパッシベーション
膜７７およびＴｉＯ2 よりなる反射防止膜が形成された
後、受光面電極が形成される。さらに、半導体基板裏面
側には裏面電極８０が接続され、太陽電池セルが形成す
る。
して、その表面側にＳｉＯ2 よりなるパッシベーション
膜７７およびＴｉＯ2 よりなる反射防止膜が形成された
後、受光面電極が形成される。さらに、半導体基板裏面
側には裏面電極８０が接続され、太陽電池セルが形成す
る。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ガ
ス拡散装置を用いてｎ+ ｐｐ+ 接合からなる半導体基板
を形成する場合は、上記に示したように片面ずつ導電型
の拡散層を形成するために酸化膜の形成、樹脂層の形成
が必要となり、それに伴ったプロセスが多くなって、結
果的にコストが高くなるという問題点があった。また、
上記ガス拡散装置においては、半導体基板を熱するため
に装置全体が熱せられることになり、実際の拡散に寄与
しない不要な熱が多く発生していた。
ス拡散装置を用いてｎ+ ｐｐ+ 接合からなる半導体基板
を形成する場合は、上記に示したように片面ずつ導電型
の拡散層を形成するために酸化膜の形成、樹脂層の形成
が必要となり、それに伴ったプロセスが多くなって、結
果的にコストが高くなるという問題点があった。また、
上記ガス拡散装置においては、半導体基板を熱するため
に装置全体が熱せられることになり、実際の拡散に寄与
しない不要な熱が多く発生していた。
【００２３】また、イオン打ち込み装置を用いた場合に
おいては、高真空が必要であることから装置構成が複雑
で、しかも打ち込み後の加熱処理が歪み層の除去のため
不可欠であるため、プロセスコストとしては非常に高価
になってしまうという問題点があった。
おいては、高真空が必要であることから装置構成が複雑
で、しかも打ち込み後の加熱処理が歪み層の除去のため
不可欠であるため、プロセスコストとしては非常に高価
になってしまうという問題点があった。
【００２４】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、酸化膜の形成および樹脂層の形成を不要
としかつ必要最小限の熱量を供与することで、異なる導
電型の拡散層の形成を同時に行なうことを可能とするド
ーパント熱拡散装置の提供を目的とする。
されたもので、酸化膜の形成および樹脂層の形成を不要
としかつ必要最小限の熱量を供与することで、異なる導
電型の拡散層の形成を同時に行なうことを可能とするド
ーパント熱拡散装置の提供を目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
この発明に基づいたドーパント熱拡散装置は、基板の表
裏両面を挟む位置に対向し、この基板の表裏両面に不活
性ガスを吹きつけてこの基板を浮遊状態で移動させる基
板搬送手段と、上記基板の表面の所定位置に第１のドー
パントを、裏面の所定位置に第２のドーパントをそれぞ
れ吹きつけてドーパントを付着させるドーパント供給手
段と、上記基板の表面の第１のドーパントが付着された
位置に第１の加熱光を照射し、かつ、上記基板の裏面の
第２のドーパントが付着された位置に第２の加熱光を照
射することにより、ドーパントを上記基板内に熱拡散さ
せる加熱光照射手段とを有している。
この発明に基づいたドーパント熱拡散装置は、基板の表
裏両面を挟む位置に対向し、この基板の表裏両面に不活
性ガスを吹きつけてこの基板を浮遊状態で移動させる基
板搬送手段と、上記基板の表面の所定位置に第１のドー
パントを、裏面の所定位置に第２のドーパントをそれぞ
れ吹きつけてドーパントを付着させるドーパント供給手
段と、上記基板の表面の第１のドーパントが付着された
位置に第１の加熱光を照射し、かつ、上記基板の裏面の
第２のドーパントが付着された位置に第２の加熱光を照
射することにより、ドーパントを上記基板内に熱拡散さ
せる加熱光照射手段とを有している。
【００２６】
【作用】この発明によれば、基板を浮遊状態で移動させ
る移動手段、基板の表裏面にドーパントを吹きつけるド
ーパント供給手段およびこのドーパントを基板に拡散さ
せるための加熱光照射手段とを備えることにより、基板
の表裏面に異なる導電型の拡散層の形成を同時に行なう
ことを可能とし、従来必要とされていた片面を保護する
ための酸化膜の形成や樹脂層の形成工程を不要としてい
る。
る移動手段、基板の表裏面にドーパントを吹きつけるド
ーパント供給手段およびこのドーパントを基板に拡散さ
せるための加熱光照射手段とを備えることにより、基板
の表裏面に異なる導電型の拡散層の形成を同時に行なう
ことを可能とし、従来必要とされていた片面を保護する
ための酸化膜の形成や樹脂層の形成工程を不要としてい
る。
【００２７】
【実施例】以下、この発明に基づいた実施例について図
１ないし図６を参照して説明する。
１ないし図６を参照して説明する。
【００２８】この実施例におけるドーパント熱拡散装置
１００の構造は、図１を参照して、半導体基板１を浮遊
状態で図中矢印Ａ方向に移動させる基板搬送手段１０
と、半導体基板１の表面１ａの所定位置に第１のドーパ
ントであるＰＨ3 ガス３を、裏面１ｂの所定の位置に第
２のドーパントであるＢ2 Ｈ6 ガス４をそれぞれ吹きつ
けて、ドーパントを付着させるドーパント供給手段２０
と、上記半導体基板１の表面１ａにＰＨ3 ガス３が付着
された位置に、第１の加熱光である赤外線光２を照射
し、かつ、上記半導体基板１の裏面１ｂのＢ2 Ｈ6 ガス
４が付着された位置に、第２の加熱光である赤外線光２
を照射することにより、上記各ドーパントを上記半導体
基板１内に熱拡散させる加熱光照射手段３０とを備えて
いる。
１００の構造は、図１を参照して、半導体基板１を浮遊
状態で図中矢印Ａ方向に移動させる基板搬送手段１０
と、半導体基板１の表面１ａの所定位置に第１のドーパ
ントであるＰＨ3 ガス３を、裏面１ｂの所定の位置に第
２のドーパントであるＢ2 Ｈ6 ガス４をそれぞれ吹きつ
けて、ドーパントを付着させるドーパント供給手段２０
と、上記半導体基板１の表面１ａにＰＨ3 ガス３が付着
された位置に、第１の加熱光である赤外線光２を照射
し、かつ、上記半導体基板１の裏面１ｂのＢ2 Ｈ6 ガス
４が付着された位置に、第２の加熱光である赤外線光２
を照射することにより、上記各ドーパントを上記半導体
基板１内に熱拡散させる加熱光照射手段３０とを備えて
いる。
【００２９】まず、上記基板搬送手段１０の構造は、半
導体基板１の表裏面１ａ・１ｂを挟む位置に対向して基
台１０ａ・１０ｂが設けられている。
導体基板１の表裏面１ａ・１ｂを挟む位置に対向して基
台１０ａ・１０ｂが設けられている。
【００３０】基台１０ａは、半導体基板１の表面１ａ側
に位置し、半導体基板１を図中矢印Ａ方向へ移動させる
ためのＮ2 ガス吹きつけ穴１０ｃが設けられている。こ
の吹きつけ穴１０ｃは、その軸方向が半導体基板１の移
動方向Ａに所定角度をもって傾斜しており、半導体基板
１にＮ2 ガス５を吹きつけることにより半導体基板１を
Ａ方向に移動させることができる。
に位置し、半導体基板１を図中矢印Ａ方向へ移動させる
ためのＮ2 ガス吹きつけ穴１０ｃが設けられている。こ
の吹きつけ穴１０ｃは、その軸方向が半導体基板１の移
動方向Ａに所定角度をもって傾斜しており、半導体基板
１にＮ2 ガス５を吹きつけることにより半導体基板１を
Ａ方向に移動させることができる。
【００３１】また、基台１０ａのほぼ中央部には、シリ
コン基板１ａにドーパントを吹きつけるためのドーパン
ト供給手段２０が設けられており、ドーパントガスを供
給へ誘導し吹きつけるためのドーパント吹きつけ穴２０
ａを有している。
コン基板１ａにドーパントを吹きつけるためのドーパン
ト供給手段２０が設けられており、ドーパントガスを供
給へ誘導し吹きつけるためのドーパント吹きつけ穴２０
ａを有している。
【００３２】さらに、基台１０ａの中央部には、半導体
基板１の表面１ａ上のドーパントガス吹きつけ部におい
て、熱拡散を行なうための加熱光照射手段３０から得ら
れる加熱光３０ａを通過させるための加熱光通過穴１０
ｄが設けられ、石英ガラス１０ｅで覆われている。
基板１の表面１ａ上のドーパントガス吹きつけ部におい
て、熱拡散を行なうための加熱光照射手段３０から得ら
れる加熱光３０ａを通過させるための加熱光通過穴１０
ｄが設けられ、石英ガラス１０ｅで覆われている。
【００３３】加熱光照射手段３０は，基台１０ａに設け
られた加熱光通過穴１０ｄの上部に設けられており、加
熱光３０を発生する光源３０ｂ、この光源から発せられ
る加熱光３０ａを集光し、半導体基板１の表面１ａの所
定の部分に照射するための反射板３０ｃとから構成され
ている。
られた加熱光通過穴１０ｄの上部に設けられており、加
熱光３０を発生する光源３０ｂ、この光源から発せられ
る加熱光３０ａを集光し、半導体基板１の表面１ａの所
定の部分に照射するための反射板３０ｃとから構成され
ている。
【００３４】一方、基台１０ｂは、半導体基板１の裏面
１ｂ側に位置し、半導体基板１を所定距離浮遊させるた
めのＮ2 ガス５吹きつけ穴１０ｆが設けられている。こ
の吹きつけ穴１０ｆは、その軸方向が鉛直方向に設けら
れており、半導体基板１にＮ 2 ガスを吹きつけることに
より半導体基板１を浮遊させている。
１ｂ側に位置し、半導体基板１を所定距離浮遊させるた
めのＮ2 ガス５吹きつけ穴１０ｆが設けられている。こ
の吹きつけ穴１０ｆは、その軸方向が鉛直方向に設けら
れており、半導体基板１にＮ 2 ガスを吹きつけることに
より半導体基板１を浮遊させている。
【００３５】また、基台１０ｂのほぼ中央部には、シリ
コン基板１ｂにドーパントを吹きつけるためのドーパン
ト供給手段２０が設けられており、ドーパントガスを基
板へ誘導し吹きつけるためのドーパント吹きつけ穴２０
ａを有している。
コン基板１ｂにドーパントを吹きつけるためのドーパン
ト供給手段２０が設けられており、ドーパントガスを基
板へ誘導し吹きつけるためのドーパント吹きつけ穴２０
ａを有している。
【００３６】さらに、基台１０ｂの中央部には、半導体
基板１の裏面１ｂ上のドーパントガス吹きつけ部におい
て、熱拡散を行なうための加熱光照射手段３０から得ら
れる加熱光３０ａを通過させるための加熱光通過穴１０
ｄが設けられ、石英ガラス１０ｅで覆われている。
基板１の裏面１ｂ上のドーパントガス吹きつけ部におい
て、熱拡散を行なうための加熱光照射手段３０から得ら
れる加熱光３０ａを通過させるための加熱光通過穴１０
ｄが設けられ、石英ガラス１０ｅで覆われている。
【００３７】上記加熱光照射手段３０は、基台１０ｂに
設けられた加熱光通過穴１０ｄの下方に設けられてお
り、加熱光３０ａを発生する光源３０ｂ、この光源３０
ｂから発せられる加熱光３０ａを集光し、半導体基板１
の裏面１ｂの所定の部分に照射するための反射板３０ｃ
とから構成されている。
設けられた加熱光通過穴１０ｄの下方に設けられてお
り、加熱光３０ａを発生する光源３０ｂ、この光源３０
ｂから発せられる加熱光３０ａを集光し、半導体基板１
の裏面１ｂの所定の部分に照射するための反射板３０ｃ
とから構成されている。
【００３８】本実施例においては、基台１０ａと基台１
０ｂの間隔は３ｍｍとなるように平行に置かれている。
また、基台１０ｂに設けられているＮ2 ガス吹きつけ穴
からは、毎分２０ｃｃのＮ2 ガスをシリコン基板に吹き
つけることにより、半導体基板１を基台１０ｂから０．
５〜１．０ｍｍ浮遊させている。
０ｂの間隔は３ｍｍとなるように平行に置かれている。
また、基台１０ｂに設けられているＮ2 ガス吹きつけ穴
からは、毎分２０ｃｃのＮ2 ガスをシリコン基板に吹き
つけることにより、半導体基板１を基台１０ｂから０．
５〜１．０ｍｍ浮遊させている。
【００３９】また、基台１０ａに設けられたドーパント
吹きつけ穴２０ａからは、毎分５０ｃｃのＰＨ3 ガスが
半導体基板１の表面１ａに吹きつけられ、一方基台１０
ｂに設けられたドーパント吹きつけ穴２０ｃからは、毎
分６０ｃｃのＢ2 Ｈ6 ガスが吹きつけられている。
吹きつけ穴２０ａからは、毎分５０ｃｃのＰＨ3 ガスが
半導体基板１の表面１ａに吹きつけられ、一方基台１０
ｂに設けられたドーパント吹きつけ穴２０ｃからは、毎
分６０ｃｃのＢ2 Ｈ6 ガスが吹きつけられている。
【００４０】上記雰囲気中において、加熱光照射手段３
０より赤外線光を５０Ｗ／ｃｍ2 のエネルギで照射した
場合、１０ｃｍ角の基板全体に熱拡散を行なうのに要し
た時間は１分程度である。
０より赤外線光を５０Ｗ／ｃｍ2 のエネルギで照射した
場合、１０ｃｍ角の基板全体に熱拡散を行なうのに要し
た時間は１分程度である。
【００４１】上記構成よりなるドーパント熱拡散装置１
００を用いて、従来と同様の太陽電池セルを形成した場
合のプロセスについて、以下図２ないし図６を参照して
説明する。
００を用いて、従来と同様の太陽電池セルを形成した場
合のプロセスについて、以下図２ないし図６を参照して
説明する。
【００４２】Ｐ型半導体基板１は、図２を参照して、ま
ず表面の汚れなどを洗浄した後に表面のダメージ層を除
去するためにフッ酸と硝酸とからなる混酸溶液でエッチ
ングを行なう。
ず表面の汚れなどを洗浄した後に表面のダメージ層を除
去するためにフッ酸と硝酸とからなる混酸溶液でエッチ
ングを行なう。
【００４３】次に、上記Ｐ型半導体基板１は、図３を参
照して、その表面側１ａをＮａＯＨを含むアルカリ溶液
で異方性エッチングを行ない、光学的に優れた微小なピ
ラミッド状の凹凸からなるテキスチャ構造７２を形成す
る。
照して、その表面側１ａをＮａＯＨを含むアルカリ溶液
で異方性エッチングを行ない、光学的に優れた微小なピ
ラミッド状の凹凸からなるテキスチャ構造７２を形成す
る。
【００４４】次に、上記Ｐ型半導体基板１は、図４およ
び図５を参照して、本実施例におけるドーパント熱拡散
装置１００において、熱拡散され表面１ａにＮ+ 接合層
７３、裏面１ｂにｐ+ 接合層７６が同時に形成される。
び図５を参照して、本実施例におけるドーパント熱拡散
装置１００において、熱拡散され表面１ａにＮ+ 接合層
７３、裏面１ｂにｐ+ 接合層７６が同時に形成される。
【００４５】次に、上記Ｐ型半導体基板１は、図６を参
照して、従来技術と同様の方法によって、表面側にＳｉ
Ｏ2 よりなるパッシベーション膜７７およびＴｉＯ2 よ
りなる反射防止膜７８が形成された後、受光側電極７９
が形成される。さらに、半導体基板裏面側には、裏面電
極８０が形成され、太陽電池セルが完成する。
照して、従来技術と同様の方法によって、表面側にＳｉ
Ｏ2 よりなるパッシベーション膜７７およびＴｉＯ2 よ
りなる反射防止膜７８が形成された後、受光側電極７９
が形成される。さらに、半導体基板裏面側には、裏面電
極８０が形成され、太陽電池セルが完成する。
【００４６】以上のように、従来の製造プロセスと比較
し、その行程を大幅に短縮し、同様の太陽電池セルの製
作を可能としている。
し、その行程を大幅に短縮し、同様の太陽電池セルの製
作を可能としている。
【００４７】なお、上記実施例においては、表面側にの
みテキスチャ構造を採用しているが裏面側にも同様のテ
キスチャ構造を設けても何ら問題はない。
みテキスチャ構造を採用しているが裏面側にも同様のテ
キスチャ構造を設けても何ら問題はない。
【００４８】また、加熱光照射手段の光源として赤外線
を用いているが、これに限定されることはなくレーザ光
を用いても同様の作用効果が得られる。
を用いているが、これに限定されることはなくレーザ光
を用いても同様の作用効果が得られる。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、基
板を浮遊状態で移動させる移動手段、基板の表裏面にド
ーパントを吹きつけるドーパント供給手段およびこのド
ーパントを基板に拡散させるための加熱光照射手段とを
備えることにより、異なる導電型の拡散層の形成を同時
に行なうことを可能とし、従来必要とされていた酸化膜
の形成や樹脂層の形成を不要とした。
板を浮遊状態で移動させる移動手段、基板の表裏面にド
ーパントを吹きつけるドーパント供給手段およびこのド
ーパントを基板に拡散させるための加熱光照射手段とを
備えることにより、異なる導電型の拡散層の形成を同時
に行なうことを可能とし、従来必要とされていた酸化膜
の形成や樹脂層の形成を不要とした。
【００５０】上記により、このドーパント熱拡散装置を
太陽電池セルの製造に用いた場合においては、従来の製
造工程に必要とされていた行程を大幅に縮小可能とし、
製造コストの低下を可能とした。また熱拡散を行なう場
合においても必要とする面のみを熱することで従来のガ
ス拡散方法に比べ大幅に熱効率を向上することを可能と
した。
太陽電池セルの製造に用いた場合においては、従来の製
造工程に必要とされていた行程を大幅に縮小可能とし、
製造コストの低下を可能とした。また熱拡散を行なう場
合においても必要とする面のみを熱することで従来のガ
ス拡散方法に比べ大幅に熱効率を向上することを可能と
した。
【図１】この発明に基づいた実施例におけるドーパント
熱拡散装置の構造を示す図である。
熱拡散装置の構造を示す図である。
【図２】この発明は基づいたドーパント熱拡散装置を用
いた場合の太陽電池セル製造工程の第１工程を示す図で
ある。
いた場合の太陽電池セル製造工程の第１工程を示す図で
ある。
【図３】この発明に基づいたドーパント熱拡散装置を用
いた場合の太陽電池セル製造工程の第２工程を示す図で
ある。
いた場合の太陽電池セル製造工程の第２工程を示す図で
ある。
【図４】この発明に基づいたドーパント熱拡散装置を用
いた場合の太陽電池セル製造工程の第３工程を示す図で
ある。
いた場合の太陽電池セル製造工程の第３工程を示す図で
ある。
【図５】この発明に基づいたドーパント熱拡散装置を用
いた場合の太陽電池セル製造工程の第４工程を示す図で
ある。
いた場合の太陽電池セル製造工程の第４工程を示す図で
ある。
【図６】この発明に基づいたドーパント熱拡散装置を用
いた場合の太陽電池セル製造工程の第５工程を示す図で
ある。
いた場合の太陽電池セル製造工程の第５工程を示す図で
ある。
【図７】従来技術におけるガス熱拡散装置の構造を示す
図である。
図である。
【図８】従来技術におけるイオン打込み装置の構造を示
す図である。
す図である。
【図９】従来技術における太陽電池セル製造工程の第１
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図１０】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
２工程を示す図である。
２工程を示す図である。
【図１１】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
３工程を示す図である。
３工程を示す図である。
【図１２】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
４工程を示す図である。
４工程を示す図である。
【図１３】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
５工程を示す図である。
５工程を示す図である。
【図１４】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
６工程を示す図である。
６工程を示す図である。
【図１５】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
７工程を示す図である。
７工程を示す図である。
【図１６】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
８工程を示す図である。
８工程を示す図である。
【図１７】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
９工程を示す図である。
９工程を示す図である。
【図１８】従来技術における太陽電池セル製造工程の第
１０工程を示す図である。
１０工程を示す図である。
１ 半導体基板 １０ 基板搬送手段 １０ａ．１０ｂ 基台 １０ｃ．１０ｆ 吹きつけ穴 １０ｅ 石英ガラス １０ｄ 加熱光通過穴 ２０ ドーパント供給手段 ２０ａ ドーパント吹きつけ穴 ３０ 加熱光照射手段 ３０ａ 加熱光 ３０ｂ 光源 ３０ｃ 反射板 １００ ドーパント熱拡散装置 図中、同一符号は、同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横沢 雄二 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 奥野 哲啓 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 布居 徹 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板の表裏両面を挟む位置に対向し、こ
の基板の表裏両面に不活性ガスを吹きつけて、この基板
を浮遊状態で移動させる基板搬送手段と、 前記基板の表面の所定位置に第１のドーパントを、裏面
の所定位置に第２のドーパントをそれぞれ吹きつけて、
ドーパントを付着させるドーパント供給手段と、 前記基板の表面の第１のドーパントが付着された位置
に、第１の加熱光を照射し、かつ、前記基板の裏面の第
２のドーパントが付着された位置に、第２の加熱光を照
射することにより、ドーパントを前記基板内に熱拡散さ
れる加熱光照射手段と、 を備えたドーパント熱拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184533A JPH0529238A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | ドーパント熱拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184533A JPH0529238A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | ドーパント熱拡散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529238A true JPH0529238A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16154868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184533A Withdrawn JPH0529238A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | ドーパント熱拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529238A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0563985A1 (en) | 1992-04-03 | 1993-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide color photographic material |
| US6091055A (en) * | 1997-08-04 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of heat treating object and apparatus for the same |
| US6336775B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas floating apparatus, gas floating-transporting apparatus, and thermal treatment apparatus |
| JP2008076170A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 基板検査装置 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3184533A patent/JPH0529238A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0563985A1 (en) | 1992-04-03 | 1993-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide color photographic material |
| US6091055A (en) * | 1997-08-04 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of heat treating object and apparatus for the same |
| US6336775B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas floating apparatus, gas floating-transporting apparatus, and thermal treatment apparatus |
| JP2008076170A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 基板検査装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |