JPH08234225A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08234225A JPH08234225A JP6518495A JP6518495A JPH08234225A JP H08234225 A JPH08234225 A JP H08234225A JP 6518495 A JP6518495 A JP 6518495A JP 6518495 A JP6518495 A JP 6518495A JP H08234225 A JPH08234225 A JP H08234225A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置の片側の基板に露出した端子電
極の根元を保護し、短絡欠陥、断線欠陥、リーク欠陥等
を防止する。 【構成】 液晶表示装置は所定の間隙を介して互いに接
合した上下一対の基板１，２と、この間隙に保持された
液晶３とを備えたパネル構造を有する。このパネル構造
は内部領域４と外部領域５と両領域を隔てる接合領域６
とに分かれている。接合領域６には両基板１，２を互い
に接合する接着材７が配設されている。内部領域４は接
合領域６に囲まれ液晶３を保持して表示部８を形成す
る。外部領域５には少なくとも部分的に下側基板２のみ
が存在する。その露出した表面には内部領域４から接合
領域６を通過して外部領域５に延設された外部接続用の
端子電極９が形成されている。接合領域６から外方に向
って露出した端子電極９の根元部が絶縁膜１０により選
択的に被覆されている。
極の根元を保護し、短絡欠陥、断線欠陥、リーク欠陥等
を防止する。 【構成】 液晶表示装置は所定の間隙を介して互いに接
合した上下一対の基板１，２と、この間隙に保持された
液晶３とを備えたパネル構造を有する。このパネル構造
は内部領域４と外部領域５と両領域を隔てる接合領域６
とに分かれている。接合領域６には両基板１，２を互い
に接合する接着材７が配設されている。内部領域４は接
合領域６に囲まれ液晶３を保持して表示部８を形成す
る。外部領域５には少なくとも部分的に下側基板２のみ
が存在する。その露出した表面には内部領域４から接合
領域６を通過して外部領域５に延設された外部接続用の
端子電極９が形成されている。接合領域６から外方に向
って露出した端子電極９の根元部が絶縁膜１０により選
択的に被覆されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
より詳しくは、液晶表示装置の基板周辺に設けられる外
部接続用端子電極の保護構造に関する。
より詳しくは、液晶表示装置の基板周辺に設けられる外
部接続用端子電極の保護構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４を参照して従来の液晶表示装置の一
般的な構成を簡潔に説明する。液晶表示装置は、所定の
間隙を介して互いに接合した上下一対のガラス基板１０
１，１０２と、この間隙に保持された液晶１０３とを備
えたパネル構造を有する。このパネル構造は内部領域１
０４と、外部領域１０５と、両領域１０４，１０５を隔
てる接合領域１０６とに分かれている。接合領域１０６
には両基板１０１，１０２を互いに接合する接着材１０
７が配設されている。内部領域１０４は接合領域１０６
に囲まれ、液晶１０３を保持して表示部を形成する。外
部領域１０５には部分的に下側の基板１０２のみが存在
し、その露出した表面には、内部領域１０４から接合領
域１０６を通過して外部領域１０５に延設された外部接
続用の端子電極１０８が形成されている。一方、上側の
基板１０１の内表面には対向電極１０９がパタニング形
成されている。
般的な構成を簡潔に説明する。液晶表示装置は、所定の
間隙を介して互いに接合した上下一対のガラス基板１０
１，１０２と、この間隙に保持された液晶１０３とを備
えたパネル構造を有する。このパネル構造は内部領域１
０４と、外部領域１０５と、両領域１０４，１０５を隔
てる接合領域１０６とに分かれている。接合領域１０６
には両基板１０１，１０２を互いに接合する接着材１０
７が配設されている。内部領域１０４は接合領域１０６
に囲まれ、液晶１０３を保持して表示部を形成する。外
部領域１０５には部分的に下側の基板１０２のみが存在
し、その露出した表面には、内部領域１０４から接合領
域１０６を通過して外部領域１０５に延設された外部接
続用の端子電極１０８が形成されている。一方、上側の
基板１０１の内表面には対向電極１０９がパタニング形
成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上下一対の基板１０
１，１０２は接着材１０７により互いに接合されてお
り、その間隙寸法は数μｍ程度である。又、両基板１０
１，１０２は外部領域１０５において部分的に重なって
おり隙間１１０が存在する。この隙間１１０の高さは数
μｍ程度の極めて微小な寸法になっている。従って、毛
細管現象等により水分がこの隙間１１０に侵入し、互い
に隣接する端子電極１０８間で電流リークや短絡欠陥等
の不具合を発生させていた。さらには、水分に含まれる
不純物と印加電圧との相互作用により、電食が進行し端
子電極１０８の根元が断線するという欠陥も生じてい
た。
１，１０２は接着材１０７により互いに接合されてお
り、その間隙寸法は数μｍ程度である。又、両基板１０
１，１０２は外部領域１０５において部分的に重なって
おり隙間１１０が存在する。この隙間１１０の高さは数
μｍ程度の極めて微小な寸法になっている。従って、毛
細管現象等により水分がこの隙間１１０に侵入し、互い
に隣接する端子電極１０８間で電流リークや短絡欠陥等
の不具合を発生させていた。さらには、水分に含まれる
不純物と印加電圧との相互作用により、電食が進行し端
子電極１０８の根元が断線するという欠陥も生じてい
た。
【０００４】又、点線で示す様に仮に対向電極１０９を
上側基板１０１の外端部まで全面的に形成すると、隙間
１１０に金属粉等の異物が付着した場合、上下電極間で
短絡故障が発生する。これを防止する為には、対向電極
１０９をパタニングして内部領域１０４のみに収めなけ
ればならず、液晶表示装置の製造プロセス上負担になっ
ていた。
上側基板１０１の外端部まで全面的に形成すると、隙間
１１０に金属粉等の異物が付着した場合、上下電極間で
短絡故障が発生する。これを防止する為には、対向電極
１０９をパタニングして内部領域１０４のみに収めなけ
ればならず、液晶表示装置の製造プロセス上負担になっ
ていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明は外部接続用に設けた端子電極の短絡
欠陥や断線欠陥を防止可能な保護構造を有する液晶表示
装置を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する
為に以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかる液晶表
示装置は基本的に、所定の間隙を介して互い接合した一
対の基板と、該間隙に保持された液晶とを備えたパネル
構造を有する。このパネル構造は内部領域と、外部領域
と、両領域を隔てる接合領域とに分かれている。接合領
域には接着材が配設されており両基板を互いに接合す
る。内部領域は該接合領域に囲まれており、液晶を保持
して表示部を形成する。外部領域には少なくとも部分的
に一方の基板のみが存在する。この一方の基板の露出し
た表面には内部領域から接合領域を通過して外部領域に
延設された外部接続用の端子電極が形成されている。特
徴事項として、接合領域から外方に向って露出した該端
子電極の根元部が絶縁膜により被覆されている。具体的
には、該一方の基板には内部領域の凹凸を埋める平坦化
膜が形成されており、前記絶縁膜はこの平坦化膜が接合
領域を超えて外部領域にまで延設された部分からなる。
なお、表示部は一方の基板に形成された画素電極及びス
イッチング素子と、他方の基板に全面形成された対向電
極とを含んでいる。この場合、前記端子電極の根元部は
接合領域を超えて外方に延在した対向電極に対面し、且
つ該絶縁膜により対向電極から電気的に絶縁されてい
る。
題に鑑み、本発明は外部接続用に設けた端子電極の短絡
欠陥や断線欠陥を防止可能な保護構造を有する液晶表示
装置を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する
為に以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかる液晶表
示装置は基本的に、所定の間隙を介して互い接合した一
対の基板と、該間隙に保持された液晶とを備えたパネル
構造を有する。このパネル構造は内部領域と、外部領域
と、両領域を隔てる接合領域とに分かれている。接合領
域には接着材が配設されており両基板を互いに接合す
る。内部領域は該接合領域に囲まれており、液晶を保持
して表示部を形成する。外部領域には少なくとも部分的
に一方の基板のみが存在する。この一方の基板の露出し
た表面には内部領域から接合領域を通過して外部領域に
延設された外部接続用の端子電極が形成されている。特
徴事項として、接合領域から外方に向って露出した該端
子電極の根元部が絶縁膜により被覆されている。具体的
には、該一方の基板には内部領域の凹凸を埋める平坦化
膜が形成されており、前記絶縁膜はこの平坦化膜が接合
領域を超えて外部領域にまで延設された部分からなる。
なお、表示部は一方の基板に形成された画素電極及びス
イッチング素子と、他方の基板に全面形成された対向電
極とを含んでいる。この場合、前記端子電極の根元部は
接合領域を超えて外方に延在した対向電極に対面し、且
つ該絶縁膜により対向電極から電気的に絶縁されてい
る。
【０００６】
【作用】本液晶表示装置は、各々電極を有する一対の基
板を互いに貼り合わせ、その間隙に液晶を挟持してな
る。かかる構成において、一方の基板の露出表面に形成
された外部接続用の端子電極は、他方の基板との接合領
域近傍において絶縁膜により保護コートされている。こ
の様な構成では、一対の基板が重ね合わさっている隙間
に水分、不純物、異物等が侵入した時でも、端子電極の
短絡欠陥や断線欠陥が発生しない。
板を互いに貼り合わせ、その間隙に液晶を挟持してな
る。かかる構成において、一方の基板の露出表面に形成
された外部接続用の端子電極は、他方の基板との接合領
域近傍において絶縁膜により保護コートされている。こ
の様な構成では、一対の基板が重ね合わさっている隙間
に水分、不純物、異物等が侵入した時でも、端子電極の
短絡欠陥や断線欠陥が発生しない。
【０００７】
【実施例】以下図面を参照して本発明にかかる液晶表示
装置の好適な実施例を詳細に説明する。図１は本発明に
かかる液晶表示装置の基本的な構成を表わしており、
（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は部分断面図である。図
示する様に、本液晶表示装置は所定の間隙を介して互い
に接合した上下一対の基板１，２と、この間隙に保持さ
れた液晶３とを備えたパネル構造を有する。上側基板１
と下側基板２は略同一の外形形状を有しているが、上辺
部のみ上側基板１の方が下側基板２に比べて短い。この
パネル構造は内部領域４と、外部領域５と、両領域４，
５を隔てる接合領域６とに分かれている。接合領域６に
は両基板１，２を互いに接合する接着材７が配設されて
いる。内部領域４は接合領域６により囲まれており、液
晶３を保持して表示部８を形成する。外部領域５には少
なくとも部分的に下側基板２のみが存在する。その露出
した表面には、内部領域４から接合領域６を通過して外
部領域５に延設された外部接続用の端子電極９が複数個
形成されている。
装置の好適な実施例を詳細に説明する。図１は本発明に
かかる液晶表示装置の基本的な構成を表わしており、
（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は部分断面図である。図
示する様に、本液晶表示装置は所定の間隙を介して互い
に接合した上下一対の基板１，２と、この間隙に保持さ
れた液晶３とを備えたパネル構造を有する。上側基板１
と下側基板２は略同一の外形形状を有しているが、上辺
部のみ上側基板１の方が下側基板２に比べて短い。この
パネル構造は内部領域４と、外部領域５と、両領域４，
５を隔てる接合領域６とに分かれている。接合領域６に
は両基板１，２を互いに接合する接着材７が配設されて
いる。内部領域４は接合領域６により囲まれており、液
晶３を保持して表示部８を形成する。外部領域５には少
なくとも部分的に下側基板２のみが存在する。その露出
した表面には、内部領域４から接合領域６を通過して外
部領域５に延設された外部接続用の端子電極９が複数個
形成されている。
【０００８】本発明の特徴事項として、接合領域６から
外方に向って露出した端子電極９の根元部が、絶縁膜１
０により被覆されている。本例では、下側基板２に、内
部領域４の凹凸を埋める為感光性のアクリル樹脂等から
なる平坦化膜１１が形成されている。この平坦化膜１１
は接合領域６を超えて外部領域５にまで延設されてお
り、その一部が絶縁膜１０を構成している。但し、本発
明はこれに限られるものではなく絶縁膜１０としてアク
リル樹脂等の有機材料に代え、ＳｉＯ2 等絶縁効果を有
する無機材料を用いる事ができる。又、表示部８は下側
基板２に形成された画素電極及びスイッチング素子と、
上側基板１に全面形成された対向電極１２とを含んでお
り、所謂アクティブマトリクス型の構成になっている。
この場合、端子電極９の根元部は、接合領域６を超えて
外方に延在した対向電極１２に対面する事になる。しか
しながら、端子電極９の根元部は前述した様に絶縁膜１
０により対向電極１２から電気的に絶縁されている。従
って、対向電極１２を上側基板１に全面的に形成したま
まの状態でパネルに組み立てられる為、何等対向電極の
パタニング処理は不要であり、製造プロセスが簡略化で
きる。なお、本発明はアクティブマトリクス型の液晶表
示装置に限られるものではなく、上下一対の基板１，２
に互いに直交するストライプ状の電極を形成した単純マ
トリクス型の液晶表示装置にも適用可能である事はいう
までもない。
外方に向って露出した端子電極９の根元部が、絶縁膜１
０により被覆されている。本例では、下側基板２に、内
部領域４の凹凸を埋める為感光性のアクリル樹脂等から
なる平坦化膜１１が形成されている。この平坦化膜１１
は接合領域６を超えて外部領域５にまで延設されてお
り、その一部が絶縁膜１０を構成している。但し、本発
明はこれに限られるものではなく絶縁膜１０としてアク
リル樹脂等の有機材料に代え、ＳｉＯ2 等絶縁効果を有
する無機材料を用いる事ができる。又、表示部８は下側
基板２に形成された画素電極及びスイッチング素子と、
上側基板１に全面形成された対向電極１２とを含んでお
り、所謂アクティブマトリクス型の構成になっている。
この場合、端子電極９の根元部は、接合領域６を超えて
外方に延在した対向電極１２に対面する事になる。しか
しながら、端子電極９の根元部は前述した様に絶縁膜１
０により対向電極１２から電気的に絶縁されている。従
って、対向電極１２を上側基板１に全面的に形成したま
まの状態でパネルに組み立てられる為、何等対向電極の
パタニング処理は不要であり、製造プロセスが簡略化で
きる。なお、本発明はアクティブマトリクス型の液晶表
示装置に限られるものではなく、上下一対の基板１，２
に互いに直交するストライプ状の電極を形成した単純マ
トリクス型の液晶表示装置にも適用可能である事はいう
までもない。
【０００９】本発明によれば、外部接続用の端子電極９
の根元部には感光性のアクリル樹脂等からなる絶縁膜１
０が形成されている。この絶縁膜１０は、例えば対向電
極１２と重なり合う部分からさらに外側約２００μｍ程
度にまで及んでいる。これにより、上側基板１の内表面
に対向電極１２を全面的に形成でき、上下一対の基板
１，２の重なり合う隙間に水分、不純物、異物１３等が
侵入もしくは付着した時でも短絡欠陥や断線欠陥もしく
はリーク欠陥が生じる事はない。又、耐湿性についても
改善できる事が確認されており、電流リーク欠陥も抑制
可能である。
の根元部には感光性のアクリル樹脂等からなる絶縁膜１
０が形成されている。この絶縁膜１０は、例えば対向電
極１２と重なり合う部分からさらに外側約２００μｍ程
度にまで及んでいる。これにより、上側基板１の内表面
に対向電極１２を全面的に形成でき、上下一対の基板
１，２の重なり合う隙間に水分、不純物、異物１３等が
侵入もしくは付着した時でも短絡欠陥や断線欠陥もしく
はリーク欠陥が生じる事はない。又、耐湿性についても
改善できる事が確認されており、電流リーク欠陥も抑制
可能である。
【００１０】図２は、図１に示した液晶表示装置の具体
的な構成例を示す模式的な平面図である。石英ガラス等
からなる下側基板２の表面にはマトリクス状に画素電極
２２が形成されている。この画素電極２２は例えばＩＴ
Ｏからなり例えばスパッタリングにより成膜される。個
々の画素電極２２を駆動するスイッチング素子として、
薄膜トランジスタ２３が集積形成されている。又、行状
のゲートライン２４及び列状の信号ライン２５も形成さ
れている。個々の薄膜トランジスタ２３のゲート電極は
対応するゲートライン２４に接続され、ソース電極は対
応する信号ライン２５に接続され、ドレイン電極は対応
する画素電極２２に接続されている。信号ライン２５は
例えば金属アルミニウムからなり、ゲートライン２４は
例えば低抵抗化されたポリシリコンからなる。これらの
画素電極２２、薄膜トランジスタ２３、ゲートライン２
４、信号ライン２５が前述した表示部８を構成する。加
えて、ゲートライン２４には垂直駆動回路２７が接続さ
れる一方、信号ライン２５には水平駆動回路２８が接続
されている。これらの駆動回路２７，２８も薄膜トラン
ジスタにより構成され、表示部８と同じく内部領域に包
含されている。
的な構成例を示す模式的な平面図である。石英ガラス等
からなる下側基板２の表面にはマトリクス状に画素電極
２２が形成されている。この画素電極２２は例えばＩＴ
Ｏからなり例えばスパッタリングにより成膜される。個
々の画素電極２２を駆動するスイッチング素子として、
薄膜トランジスタ２３が集積形成されている。又、行状
のゲートライン２４及び列状の信号ライン２５も形成さ
れている。個々の薄膜トランジスタ２３のゲート電極は
対応するゲートライン２４に接続され、ソース電極は対
応する信号ライン２５に接続され、ドレイン電極は対応
する画素電極２２に接続されている。信号ライン２５は
例えば金属アルミニウムからなり、ゲートライン２４は
例えば低抵抗化されたポリシリコンからなる。これらの
画素電極２２、薄膜トランジスタ２３、ゲートライン２
４、信号ライン２５が前述した表示部８を構成する。加
えて、ゲートライン２４には垂直駆動回路２７が接続さ
れる一方、信号ライン２５には水平駆動回路２８が接続
されている。これらの駆動回路２７，２８も薄膜トラン
ジスタにより構成され、表示部８と同じく内部領域に包
含されている。
【００１１】かかる内部領域を囲む様に接合領域が設け
られており、これに沿って接着材（シール材）７が塗布
され、上側基板１が接合される。この接着材７と交差す
る様に外部接続用の端子電極９が下側基板２の上辺に設
けられている。個々の端子電極９は、金属アルミニウム
等からなる配線３０を介して前述した垂直駆動回路２
７、水平駆動回路２８に電気接続している。本例では、
この端子電極９は二層構造を有しており、下地の金属ア
ルミニウムの上にＩＴＯが被覆されている。このＩＴＯ
は下地金属アルミニウムの酸化等を防止する。本発明の
特徴事項として、各端子電極９の根元部は、前述した様
に絶縁膜１０により被覆されている。上側基板１の上端
面からはみ出た絶縁膜１０の幅は、例えば２００μｍ程
度に設定されている。
られており、これに沿って接着材（シール材）７が塗布
され、上側基板１が接合される。この接着材７と交差す
る様に外部接続用の端子電極９が下側基板２の上辺に設
けられている。個々の端子電極９は、金属アルミニウム
等からなる配線３０を介して前述した垂直駆動回路２
７、水平駆動回路２８に電気接続している。本例では、
この端子電極９は二層構造を有しており、下地の金属ア
ルミニウムの上にＩＴＯが被覆されている。このＩＴＯ
は下地金属アルミニウムの酸化等を防止する。本発明の
特徴事項として、各端子電極９の根元部は、前述した様
に絶縁膜１０により被覆されている。上側基板１の上端
面からはみ出た絶縁膜１０の幅は、例えば２００μｍ程
度に設定されている。
【００１２】最後に、図３は図２に示した液晶表示装置
の断面構造を表わしている。図示する様に、下側基板２
の表面には、内部領域４に沿って薄膜トランジスタ２３
が集積形成されている。この薄膜トランジスタ２３はポ
リシリコン３１を素子領域として用いており、その上に
はゲート絶縁膜３２を介してゲート電極Ｇがパタニング
形成されている。かかる構成を有する薄膜トランジスタ
２３はＰＳＧ等からなる第１層間絶縁膜３３により被覆
されている。第１層間絶縁膜３３の上にはアルミニウム
等からなる信号ライン２５がパタニング形成されてお
り、第１層間絶縁膜３３に開口したコンタクトホールを
介して、薄膜トランジスタ２３のソース領域Ｓに導通し
ている。信号ライン２５は同じくＰＳＧ等からなる第２
層間絶縁膜３４により被覆されている。さらに、薄膜ト
ランジスタ２３や信号ライン２５は平坦化膜１１により
被覆されており、下側基板２の表面の凹凸を吸収してい
る。従って、平坦化膜１１の表面は極めて平坦な状態と
なっている。この平坦化膜１１は前述した様に例えばア
クリル樹脂からなる。平坦化膜１１の表面には画素電極
２２が所定の形状にパタニング形成されている。平坦化
膜１１の耐熱性を考慮して、画素電極２２の成膜はＩＴ
Ｏの低温スパッタリングにより行なっている。
の断面構造を表わしている。図示する様に、下側基板２
の表面には、内部領域４に沿って薄膜トランジスタ２３
が集積形成されている。この薄膜トランジスタ２３はポ
リシリコン３１を素子領域として用いており、その上に
はゲート絶縁膜３２を介してゲート電極Ｇがパタニング
形成されている。かかる構成を有する薄膜トランジスタ
２３はＰＳＧ等からなる第１層間絶縁膜３３により被覆
されている。第１層間絶縁膜３３の上にはアルミニウム
等からなる信号ライン２５がパタニング形成されてお
り、第１層間絶縁膜３３に開口したコンタクトホールを
介して、薄膜トランジスタ２３のソース領域Ｓに導通し
ている。信号ライン２５は同じくＰＳＧ等からなる第２
層間絶縁膜３４により被覆されている。さらに、薄膜ト
ランジスタ２３や信号ライン２５は平坦化膜１１により
被覆されており、下側基板２の表面の凹凸を吸収してい
る。従って、平坦化膜１１の表面は極めて平坦な状態と
なっている。この平坦化膜１１は前述した様に例えばア
クリル樹脂からなる。平坦化膜１１の表面には画素電極
２２が所定の形状にパタニング形成されている。平坦化
膜１１の耐熱性を考慮して、画素電極２２の成膜はＩＴ
Ｏの低温スパッタリングにより行なっている。
【００１３】本液晶表示装置の接合領域６にはシール材
７が配設されており、下側基板２に対向して所定の間隙
を介し上側基板１を接着している。この上側基板１の内
表面にはＩＴＯ等からなる対向電極１２が全面的に形成
されている。従って、ＩＴＯを成膜した後何等パタニン
グ処理を施す必要がない。上下一対の基板１，２の間隙
には液晶３が保持されている。上下一対の基板１，２の
内表面は夫々配向処理が施されており、液晶３は分子整
列状態が制御され、例えばツイストネマチック状態を呈
する。
７が配設されており、下側基板２に対向して所定の間隙
を介し上側基板１を接着している。この上側基板１の内
表面にはＩＴＯ等からなる対向電極１２が全面的に形成
されている。従って、ＩＴＯを成膜した後何等パタニン
グ処理を施す必要がない。上下一対の基板１，２の間隙
には液晶３が保持されている。上下一対の基板１，２の
内表面は夫々配向処理が施されており、液晶３は分子整
列状態が制御され、例えばツイストネマチック状態を呈
する。
【００１４】本液晶表示装置の外部領域５には端子電極
９が一部露出した状態で形成されている。本例では、こ
の端子電極９は前述した様に金属アルミニウム膜３５と
ＩＴＯ膜３６の二層構造を有する。金属アルミニウム膜
３５は信号ライン２５と同一層である。又、ＩＴＯ膜３
６は画素電極２２と同一層である。かかる二層構造を有
する端子電極９の根元部は絶縁膜１０により被覆保護さ
れている。この絶縁膜１０は平坦化膜１１と同一層であ
る。
９が一部露出した状態で形成されている。本例では、こ
の端子電極９は前述した様に金属アルミニウム膜３５と
ＩＴＯ膜３６の二層構造を有する。金属アルミニウム膜
３５は信号ライン２５と同一層である。又、ＩＴＯ膜３
６は画素電極２２と同一層である。かかる二層構造を有
する端子電極９の根元部は絶縁膜１０により被覆保護さ
れている。この絶縁膜１０は平坦化膜１１と同一層であ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、接
合領域から外方に向って露出した端子電極の根元部に絶
縁膜を被覆している。これにより、水分の侵入や異物の
付着による短絡欠陥、断線欠陥、リーク欠陥等を効果的
に防止する事が可能になる。又、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置の場合、基板の内表面全体に渡って対
向電極をベタ形成する事が可能であり、何等パタニング
処理を施す必要がない為、製造プロセスの簡略化につな
がるという効果がある。
合領域から外方に向って露出した端子電極の根元部に絶
縁膜を被覆している。これにより、水分の侵入や異物の
付着による短絡欠陥、断線欠陥、リーク欠陥等を効果的
に防止する事が可能になる。又、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置の場合、基板の内表面全体に渡って対
向電極をベタ形成する事が可能であり、何等パタニング
処理を施す必要がない為、製造プロセスの簡略化につな
がるという効果がある。
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の基本的な構成を
示す平面図並びに部分断面図である。
示す平面図並びに部分断面図である。
【図２】本発明にかかる液晶表示装置の具体的な構成例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】本発明にかかる液晶表示装置の具体的な構成例
を示す一部破断断面図である。
を示す一部破断断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の一例を示す部分断面図で
ある。
ある。
１ 上側基板 ２ 下側基板 ３ 液晶 ４ 内部領域 ５ 外部領域 ６ 接合領域 ７ 接着材 ８ 表示部 ９ 端子電極 １０ 絶縁膜 １１ 平坦化膜 １２ 対向電極 １３ 異物
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに接合した一対
の基板と、該間隙に保持された結晶とを備えたパネル構
造を有し、 このパネル構造が内部領域と、外部領域と、両領域を隔
てる接合領域とに分かれた液晶表示装置であって、 前記接合領域には両基板を互いに接合する接着材が配設
されており、 前記内部領域は該接合領域に囲まれ該液晶を保持して表
示部を形成し、 前記外部領域には少なくとも部分的に一方の基板のみが
存在し、その露出した表面には該内部領域から該接合領
域を通過して該外部領域に延設された外部接続用の端子
電極が形成されており、 該接合領域から外方に向って露出した該端子電極の根元
部が絶縁膜により被覆されている事を特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 該一方の基板には内部領域の凹凸を埋め
る平坦化膜が形成されており、 前記絶縁膜は該平坦化膜が該接合領域を超えて該外部領
域にまで延設された部分からなる事を特徴とする請求項
１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記表示部は一方の基板に形成された画
素電極及びスイッチング素子と、他方の基板に全面形成
された対向電極とを含んでおり、 前記端子電極の根元部は、該接合領域を超えて外方に延
在した対向電極に対面し且つ該絶縁膜により対向電極か
ら電気的に絶縁されている事を特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6518495A JPH08234225A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6518495A JPH08234225A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234225A true JPH08234225A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=13279588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6518495A Pending JPH08234225A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08234225A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10161152A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投写型表示装置 |
| WO2000041033A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Fujitsu Limited | Substrat de dispositif a cristaux liquides et son procede de fabrication |
| JP2002098984A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその対向基板製造方法 |
| JP2004126597A (ja) * | 2003-10-06 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投写型表示装置 |
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| US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2016510510A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-07 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | アレイ基板、表示装置、及びアレイ基板の製造方法 |
| WO2022213318A1 (zh) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP6518495A patent/JPH08234225A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8624253B2 (en) | 1999-07-22 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| JP2013243372A (ja) * | 1999-07-22 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | コンタクト構造 |
| JP2015096952A (ja) * | 1999-07-22 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2012256050A (ja) * | 1999-07-22 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | コンタクト構造 |
| JP2017040929A (ja) * | 1999-07-22 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯情報端末 |
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