KR100285126B1 - 액정표시장치및그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화소 상층 배치 구조를 채용한 액정표시장치에 있어서 시일영역을 가로지르는 인출배선의 단선불량을 방지하기 위한 것으로서, 절연기판(11)상에 주사선(15), 신호선(19) 및 TFT(13)가 형성되고, 그 위에 무기절연막(20) 및 유기절연막(21)을 통하여 화소전극(23)이 배열되며, 화소전극(23)이 배열된 표시영역(24) 주위에는 주사선(15) 및 신호선(19)에 전압 신호를 전송하는 구동회로(25, 26)가 배치되고, 표시영역(24)과 구동회로 영역 사이의 경계부(시일영역)에 시일부재가 배치되며, 시일영역을 가로지르는 인출배선(27)의 윗쪽을 덮도록 무기절연막(20)상에 화소전극(23)과 동일 공정으로 ITO막(28)이 형성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 어레이기판에 관한 것이다.
최근, 액정표시장치에 대해 고개구율화의 요구가 높아지고 있다. 고개구율화를 실현하기 위해 화소전극을 어레이기판측의 최상층에 배치하는 방법이 채용되고 있다.
화소 상층 배치 구조를 채용한 경우, 화소전극을 구성하는 ITO막의 에칭 공정은 다음과 같은 문제점을 갖고 있다. 즉, ITO막을 어레이기판측의 최상층에 배치하기 때문에 ITO막과 그 하부측의 신호선과의 사이의 층간절연막의 막두께를 확보하기 위해 층간절연막을 다층구조로 하고, 그 상측의 층으로서 유기절연막이 사용된다. 이 때문에, ITO막의 에칭방법으로는 습식에칭에 한정된다. 그 이유는 건식에칭을 이용하면 에칭시 및 레지스트 박리시에 유기절연막과의 선택비를 충분히 확보할 수 없기 때문이다.
일반적으로 ITO막의 습식에칭에는 왕수, 옥살산, HBr, HI 등을 물로 희석한 강산의 에칭액, 또는 희석액에 염화철 또는 염화구리를 더한 에칭액이 사용되지만 이러한 에칭액은 신호선의 재료로서 일반적으로 사용되고 있는 Al을 부식하는 성질을 갖고 있다. 도 8에 어레이기판의 표시영역과 구동회로영역과의 경계부분의 부분단면도가 나타나있다. 도면중, “64”는 게이트산화막, “67”은 제 1 층간절연막, “69”는 신호선의 인출 배선, “70”은 무기재료로 이루어진 절연막(제 2 층간절연막의 하층 부분), “71”은 유기재료로 이루어진 절연막(제 2 층간절연막의 상층 부분), “73”은 ITO로 이루어진 화소전극을 나타낸다. 또한, 파선 B의 좌측이 표시영역, 파선 C의 우측이 구동회로영역이며, 2개의 파선 B, C로 끼워진 경계 부분이 시일 영역(81)이 된다.
이 시일영역(81)상에 대향 기판을 어레이기판상에 접착하는 시일부재가 배치된다. 대향기판과의 접착력을 확보하기 위해 시일영역(81)위에서는 유기절연막(71)이 제거되어 있다. 따라서, 시일영역(81)에 관해서는 신호선의 인출 배선(69)상에 층간절연막으로서 무기재료로 이루어진 절연막(70)밖에 존재하지 않는다. 이 결과, 절연막(70)에 핀홀 등의 결함이 있으면 신호선의 재료인 Al이 부식하여 단선을 초래하는 경우가 있다. 이 때문에 시일영역(81)의 부분은 단선 불량이 발생하기 쉬운 부위로 되어 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 화소 상층 배치 구조를 채용한 액정표시장치에 있어서, 시일 영역을 가로지르는 배선의 인출 부분에 단선 불량이 발생하기 어려운 구조를 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 목적은 시일부재의 위치를 안정시킬 수 있는 시일 영역의 구조를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서 액정표시장치의 신호선 형성 공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 부분 단면도,
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서 액정표시장치의 화소전극 형성 공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 부분 단면도,
도 3의 (a)는 본 발명의 실시예 1에 있어서 액정표시장치의 화소전극 형성 공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 평면도,
도 3의 (b)는 도 3의 (a)중의 A부분의 부분 확대 단면도,
도 3의 (c)는 도 3의 (b)중의 D-D 단면의 부분 확대 단면도,
도 4의 (a)는 본 발명의 실시예 2에 있어서 액정표시장치의 화소전극 형성공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 평면도,
도 4의 (b)는 도 4의 (a)중의 A부의 부분 확대도,
도 5의 (a)는 본 발명의 실시예 3에 있어서 액정표시장치의 화소전극 형성공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 평면도,
도 5의 (b)는 도 5의 (a)중의 A부의 부분 확대도,
도 6의 (a)는 본 발명의 실시예 4에 있어서 액정표시장치의 화소전극 형성공정이 종료된 단계에서의 어레이기판의 평면도,
도 6의 (b)는 도 6의 (a)중의 A부의 부분 확대도,
도 6의 (c)는 도 6의 (b)중의 D-D 단면의 부분 확대 단면도,
도 7은 본 발명의 실시예 5에 있어서 액정표시장치의 어레이기판상의 표시영역과 구동회로영역의 경계 영역(시일 영역)의 부분 단면도 및
도 8은 종래의 액정표시장치에서 있어서 어레이기판의 표시영역과 구동회로영역의 경계 부분(시일영역)의 부분 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 유리기판 12 : 언더코팅(under coating)막
13 : 반도체활성층(채널) 14, 64 : 게이트산화막
15 : 게이트전극 16 : 고농도 불순물 영역(소스·드레인)
17, 67 : 제 1 층간절연막 18 : 제 1 접촉구
19, 69 : 신호선 20, 70 : 무기절연막
21, 71 : 유기절연막 22 : 제 2 접촉구
23, 73 : 화소전극 24 : 표시영역
25 : Y방향 구동회로 26 : X방향 구동회로
27 : 신호선의 인출 배선 28, 29 : ITO막
37 : 주사선의 인출 배선 39 : 제 2 층간절연막
42 : 시일영역 43 : 주변영역
45 : 시일부재 81 : 경계영역
본 발명은 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 봉입된 액정을 갖는 액정표시장치에 있어서, 상기 액정표시장치는 상기 시일이 형성되는 시일영역과 상기 시일에 의해 밀봉된 시일내 영역을 갖고, 상기 어레이기판의 상기 시일내 영역은 기판상에 형성된 배선, 상기 배선에 접속하여 형성된 스위칭소자, 상기 배선 및 상기 스위칭소자를 덮어 형성된 무기절연막과, 상기 무기절연막상에 형성된 유기절연막 및 상기 유기절연막상에 형성되어 상기 무기절연막 및 상기 유기절연막에 형성된 접촉구를 통하여 상기 스위칭소자에 접속된 화소전극을 갖고, 상기 어레이기판의 상기 시일영역은 상기 시일내 영역으로부터 연장된 상기 배선 및 상기 무기절연막과, 상기 무기절연막의 바로 위에 상기 배선에 겹쳐 형성된 무기막을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치이다.
또한, 본 발명은 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 봉입된 액정을 갖는 액정표시장치에 있어서, 상기 액정표시장치는 상기 시일이 형성되는 시일영역, 상기 시일에 의해 밀봉된 시일내 영역 및 상기 시일을 끼워 상기 시일내 영역의 반대측에 존재하는 시일외 영역을 갖고, 상기 어레이기판은 기판상에 형성된 스위칭소자, 상기 스위칭소자를 포함한 기판을 덮어 형성된 유기절연막, 상기 유기절연막상에 형성되고, 상기 유기절연막에 형성된 접촉구를 통하여 상기 스위칭소자에 접속된 화소전극을 갖고, 상기 유기절연막은 상기 시일영역을 제외하고 상기 시일내 영역과 상기 시일외 영역에 형성되고, 상기 시일은 상기 시일내 영역에 형성된 상기 유기절연막 또는 상기 시일외 영역에 형성된 상기 유기절연막 중 적어도 한쪽에 접해 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치이다.
또한, 본 발명은 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 밀봉된 액정을 갖는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 어레이기판의 제조공정은 기판상에 배선과 상기 배선에 접속되는 스위칭 소자를 형성하는 공정, 상기 배선 및 상기 스위칭소자를 덮도록 무기절연막을 형성하는 공정, 상기 무기절연막상에 유기절연막을 형성하는 공정, 상기 시일이 형성되는 시일 영역의 상기 유기절연막을 제거하는 공정, 기판 전체면에 도전막을 형성하는 공정, 상기 도전막상에 레지스트를 형성하는 공정, 화소를 형성하는 영역 및 상기 시일 영역의 적어도 상기 배선상에 상기 레지스트를 남겨 레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전막을 습식 에칭에 의해 패터닝하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법이다.
(발명의 실시형태)
(실시예 1)
본 발명의 실시형태의 한 예를 도 1에서 도 3을 사용하여 설명한다. 또한, 이 예에 있어서, 액정표시장치는 구동회로 일체형의 액티브매트릭스형 액정표시장치이다. 표시영역의 주위의 어레이기판상에는 주사선에 주사신호를 전송하는 Y방향 구동회로 및 신호선에 화상신호를 전송하는 X방향 구동회로가 배치된다.
스위칭소자로서 폴리실리콘 TFT가 채용되고 있다. 또한, 상세한 설명은 TFT 완성후, 즉 신호선의 형성공정이 종료된 이후부터 한다.
도 1은 신호선(19)의 형성이 종료된 단계에서의 어레이기판의 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 유리기판(11)상에 산화규소막과 질화규소막의 2층구조로 이루어진 언더코팅막(12)이 형성되고, 그 위에 반도체 활성층(13)(채널), 소스·드레인이 되는 고농도 불순물 영역(16), 게이트산화막(14), 게이트전극(15) 등에 의해 공면(coplaner)형 폴리실리콘 TFT가 형성되어 있다. 또한, 주사선은 게이트전극(15)과 동일한 공정으로 형성된다. 주사선 및 게이트전극(15)상에는 산화막에 의해 제 1 층간절연막(17)이 형성된다. 제 1 층간절연막(17)상에 Mo와 Al의 2층구조로 이루어진 신호선(19)이 형성된다. 신호선(19)은 제 1 층간절연막(17) 및 게이트산화막(14)을 관통하는 제 1 접촉구(18)를 통하여 고농도 불순물 영역(16)에 접속되어 있다.
다음에 도 2에 나타내는 바와 같이 신호선(19)상에 플라즈마CVD법을 이용하여 산화규소막과 질화규소막의 2층 구조로 이루어진 무기 절연막(20)을 막두께 0.45㎛로 퇴적한다. 반응성 이온 에칭법에 의해서 무기절연막(20)을 에칭하여 제 2 접촉구(22)를 신호선(19)까지 개구한다. 감광성을 갖는 유기재료를 도포한 후, 노광, 현상, 에칭을 실시하여 유기절연막(21)을 형성한다. 이 유기절연막(21)에 제 2 접촉구(22)를 개구한다. 또한, 이 예에서 유기절연막(21)의 막두께는 0.2㎛이다. 이상과 같이 무기절연막(20) 및 그위에 형성된 유기절연막(21)에 의해서 제 2 층간절연막(39)이 구성된다.
또한, 제 2 층간절연막(39)상에 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링법에 의해 퇴적한다. 그 위에 포토레지스트를 막두께 1.2㎛로 도포하여 노광, 현상 후 습식 에칭을 실시하여 화소전극(23)을 형성한다.
도 3의 (a)에 화소전극(23)의 형성공정이 종료된 후의 어레이기판을 윗쪽에서 본 개요도를 나타낸다. 어레이기판의 중앙부에는 표시영역(24)이 있고, 표시영역(24)의 좌우에 닿는 어레이기판의 주변부에 Y방향 구동회로(25), 표시영역(24)의 상하에 닿는 어레이기판의 주변부에 X방향 구동회로(26)가 배치되어 있다. 신호선의 인출 배선(27)에 의해서 표시영역(24)의 내부와 X방향 구동회로(26)가 서로 접속되고, 주사선의 인출 배선(37)에 의해서 표시영역(24)의 내부와 Y방향 구동회로(25)가 서로 접속되어 있다.
또한, 용장성(冗長性)을 고려하여 양측 구동으로 하고 있기 때문에 X방향 구동회로(26) 및 Y방향 구동회로(25)는 각각 상하, 좌우에 한쌍씩 설치되어 있다. 또한, 신호선의 인출 배선(27)은 공정수의 증가를 피하기 위해 신호선과 동일 공정으로 형성되기 때문에 Mo와 Al의 2층 배선이다.
여기서, 본 발명에 기초한 액정표시장치에서는 화소전극(23)을 구성하는 ITO막을 패터닝할 때, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이 표시영역(24)과 X방향 구동회로(26)사이의 경계영역(시일 영역)에 있는 ITO막(28)을 남긴다.
도 3의 (b)에 도 3의 (a)중의 A부의 확대도, 즉 어레이기판의 표시영역(24)과 X방향 구동회로(26)와의 경계 영역 부분의 부분 확대도를 나타낸다. 도 3의 (c)는 도 3의 (b)중의 D-D부의 부분 확대 단면도를 나타낸다. 도면중, “27”은 신호선의 인출 배선, “28”은 ITO막, “14”는 게이트산화막, “17”은 제 1 층간절연막, “20”은 무기재료로 이루어지는 절연막(제 2 층간절연막의 하층 부분), “21”은 유기재료로 이루어지는 절연막(제 2 층간 절연막의 상층 부분), “23”은 화소전극을 구성하는 ITO막을 나타낸다.
도 3의 (b) 중, 파선B의 하측이 표시 영역이고, 파선C의 상측이 X방향 구동회로 영역, 2개의 파선으로 끼워진 부분이 경계 영역이 된다. 또한, 도 3의 (c)중, 파선B의 좌측이 표시영역, 파선C의 우측이 X방향 구동회로 영역이고, 2개의 파선으로 끼워진 부분이 경계영역이 된다.
도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 경계 영역상에서는 유기절연막(21)이 제거되어 있다. 이것은 앞에서 설명한 바와 같이 경계영역상에 후속 공정으로 시일부재가 배치되기 때문이다. 또한 도면중, “28”은 화소전극과 동일 공정으로 형성되는 ITO막이며, 이 ITO막(28)은 무기절연막(20)을 통하여 신호선의 인출 배선(27)의 윗쪽을 덮도록 형성된다. ITO막(28)을 형성하는 것에 의해서 화소전극(23)의 패터닝 공정에 있어서, ITO막 전용 에칭액에 의한 신호선의 인출 배선(27)의 부식이 방지된다. 즉, 화소전극(23)의 포토리소그래피의 공정시 무기절연막(20)에 더해 ITO막(28)상에 형성되어 있는 포토레지스트(도시하지 않음)가 인출배선(27)을 ITO막용의 에칭액으로부터 보호하는 기능을 담당한다.
(실시예 2)
본 발명의 실시형태의 다른 예를 도 4에 나타낸다. 도 4의 (a)는 화소전극(23)의 형성 공정이 종료된 후의 어레이기판을 윗쪽에서 본 개요도이며, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)중의 A부의 부분 확대도이다.
이 예에서는 화소전극과 동일 공정으로 형성되는 ITO막(28)은 각 신호선의 인출 배선(27)의 윗쪽에 각 인출 배선마다 각각 전기적으로 독립하여 형성된다. ITO막(28)을 이와 같이 형성하는 것에 의해서 가령 무기절연막(20)(도 3의 (c))에 핀홀 등의 결함이 있고 ITO막(28)과 각 신호선의 인출 배선(27)이 단락된 경우에도 어레이기판의 기능 불량에는 이르지 않는다. 따라서, 이와같은 구조는 생산성 향상에 효과가 있다.
(실시예 3)
본 발명의 실시형태의 다른 예를 도 5에 나타낸다. 도 5의 (a)는 화소전극(23)의 형성 공정이 종료된 후의 어레이기판을 윗쪽에서 본 개요도이며, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)중의 A부의 부분 확대도이다.
이 예에서는 화소전극과 동일 공정으로 형성되는 ITO막(29)이 표시영역(24)과 X방향 구동회로(26)사이의 경계영역 및 표시영역(24)과 Y방향 구동회로(25) 사이의 경계 영역을 통하여 표시영역(24)의 주위를 둘러싸도록 전기적으로 연속적으로 형성되어 있다. 이와 같이, 표시영역(24)의 주위를 둘러싸도록 ITO막(29)을 형성하는 것에 의해서 이 ITO막(29)은 신호선의 인출 배선(27)을 보호함과 동시에 어레이기판내에서의 정전기의 대전을 방지하는 보호링(guard ring)으로서의 기능을 구비한다.
(실시예4)
본 발명의 실시형태의 다른 예를 도 6에 나타낸다. 도 6의 (a)는 화소전극(23)의 형성공정이 종료된 후의 어레이기판을 윗쪽에서 본 개요도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)중의 A부의 부분 확대도이며, 도 6의 (c)는 도 6의 (b)중의 D-D부의 부분 확대단면도이다.
이 예에서는 화소전극과 동일 공정으로 형성되는 ITO막(28)이 각 신호선의 인출 배선(27)의 윗쪽에 각 배선마다 각각 전기적으로 독립하여 형성된다. 이에 더해, 화소전극과 동일 공정으로 형성되는 ITO막(29)이 표시영역(24)과 X방향 구동회로(26) 사이의 경계영역 및 표시영역(24)과 Y방향 구동회로 영역과의 사이의 경계 영역을 통하여 표시영역(24)의 주위를 둘러싸도록 전기적으로 연속하여 형성되어 있다. 또한, ITO막(28)과 ITO막(29)은 서로 전기적으로 격리되어 있다.
이 예에서 ITO막(28)은 신호선의 인출배선(27)을 보호하는 기능을 갖는 한편, ITO막(29)은 어레이기판내에서의 정전기의 대전을 방지하는 보호링으로서의 기능을 갖는다. 또한, 이 경우, ITO막(29)의 선폭은 ITO막(29)과 각 신호선의 인출배선(27)의 단락의 위험을 가능한한 줄이기 위해 ITO막(28)에 비해 폭을 좁혀 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 이상의 예에서 화소전극 부분의 ITO막의 바탕(21)은 유기재료에 의한 절연막으로 했지만 바탕에 착색 레지스트를 이용하는 경우에도 상기 예와 동일한 효과가 얻어진다. 따라서, 착색 레지스트상에 ITO막을 형성하는 구조에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.
(실시예5)
본 발명의 실시형태의 다른 예를 도 7에 나타낸다. 도 7은 시일영역(42)(경계영역)상에 시일부재(45)가 배치된 상태를 나타내는 부분 확대 단면도이다. 또한, 이 예에서는 시일 영역(42)상에 ITO막은 설치되어 있지 않다.
이 예에서는 표시영역(24)상에 더해 구동회로 등이 배치되는 주변 영역(43)상에도 유기절연막(21a)이 형성되어 있다. 시일부재(45)는 표시영역상의 유기절연막(21)의 단면(端面) 및 주변 영역상의 유기절연막(21a)의 단면에 접촉하도록 배치된다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 대향기판을 어레이기판상에 접착할 때 시일부재(45)가 유기절연막(21, 21a)의 단면(端面)에 의해서 구속되어 시일부재의 위치가 안정된다.
또한, 도 7에 나타내는 바와 같이 유기절연막(21, 21a)의 단면을 어레이기판의 표면에 대해 둔각을 이루도록 형성하는 것에 의해서 시일부재(45)와 유기절연막(21, 21a)의 단면과의 접촉의 확보가 용이하게 된다.
또한, 시일부재(45)를 표시영역상의 유기절연막(21)의 단면 또는 주변영역상의 유기절연막(21a)의 단면중 어느 한쪽에 접촉하도록 배치하면 상기한 효과는 얻어진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치에서는 시일영역상에 ITO(또는 다른 무기재료)로 이루어진 박막을 형성하는 것에 의해서 화소전극의 패터닝시 무기절연막의 결함부에서 발생하는 인출배선의 부식이 방지된다.
또한, ITO박막을 표시영역을 둘러싸도록 전기적으로 연속시켜 형성하는 것에 의해서 액정표시장치의 제조공정의 도중에 정전기가 발생해도 정전기는 ITO막을 전파하기 때문에 액정표시장치의 내부에 영향을 주지 않는다. 따라서, 정전파괴에 대해 강한 어레이구조가 얻어진다.
또한, 시일부재를 표시영역상의 유기절연막의 단면 및 주변영역상의 유기절연막의 단면 중 적어도 한쪽에 접촉하도록 배치하면 시일부재의 위치를 안정시키는 효과가 얻어진다.
Claims (7)
- 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 봉입된 액정을 갖는 액정표시장치에 있어서,상기 액정표시장치는 상기 시일이 형성되는 시일영역 및 상기 시일에 의해 밀봉된 시일 내영역을 갖고,상기 어레이기판의 상기 시일 내영역은기판상에 형성되는 배선;상기 배선에 접속하여 형성되는 스위칭소자;상기 배선 및 상기 스위칭소자를 덮어 형성된 무기절연막;상기 무기절연막상에 형성된 유기절연막; 및상기 유기절연막상에 형성되고, 상기 무기절연막 및 상기 유기절연막에 형성된 접촉구를 통하여 상기 스위칭소자에 접속된 화소전극을 갖고,상기 어레이기판의 상기 시일영역은 상기 시일 내영역으로부터 연장된 상기 배선 및 상기 무기절연막과 상기 무기절연막의 바로 위에 상기 배선에 겹쳐 형성된 상기 화소전극과 동일 재료로 이루어진 무기막을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 무기막은 각 배선위마다 각각 독립적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 액정표시장치는 상기 시일을 끼워 상기 시일 내영역의 반대측으로 존재하는 시일 외영역을 갖고,상기 유기절연막은 상기 시일 내영역에 형성된 상기 유기절연막 또는 상기 시일 외영역에 형성된 상기 유기절연막 중 적어도 한쪽에 접하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 시일 내영역과 상기 시일 외영역에 형성된 상기 유기절연막의 각각의 단면(端面)은 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 봉입된 액정을 갖는 액정표시장치에 있어서,상기 액정표시장치는상기 시일이 형성되는 시일 영역;상기 시일에 의해 밀봉된 시일 내영역; 및상기 시일을 끼워 상기 시일 내영역의 반대측에 존재하는 시일 외영역을 갖고,상기 어레이기판은기판상에 형성되는 스위칭소자;상기 스위칭소자를 포함하는 기판을 덮어 형성된 유기절연막; 및상기 유기절연막상에 형성되고, 상기 유기절연막에 형성된 접촉구를 통하여 상기 스위칭소자에 접속된 화소전극을 갖고,상기 유기절연막은 상기 시일영역을 제외하고 상기 시일 내영역과 상기 시일 외영역에 형성되며,상기 시일은 상기 시일 내영역에 형성된 상기 유기절연막 또는 상기 시일 외영역에 형성된 상기 유기절연막 중 적어도 한쪽에 접하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 시일 내영역과 상기 시일 외영역에 형성된 상기 유기절연막의 각각의 단면은 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 시일을 통하여 대향 배치된 어레이기판 및 대향기판과, 이 틈에 밀봉된 액정을 갖는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,상기 어레이기판의 제조공정은기판상에 배선과 상기 배선에 접속되는 스위칭소자를 형성하는 공정;상기 배선 및 상기 스위칭소자를 덮도록 무기절연막을 형성하는 공정;상기 무기절연막상에 유기절연막을 형성하는 공정;상기 시일이 형성되는 시일영역의 상기 유기절연막을 제거하는 공정;기판 전체면에 도전막을 형성하는 공정;상기 도전막상에 레지스트를 형성하는 공정;화소를 형성하는 영역 및 상기 시일영역의 적어도 상기 배선상에 상기 레지스트를 남겨 레지스트 패턴을 형성하는 공정; 및상기 레지스트 패턴을 마스크로서 상기 도전막을 습식 에칭에 의해 패터닝하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6100119A (en) * | 1995-08-31 | 2000-08-08 | Lg Electronics Inc. | Thin film transistor and method for fabricating the same |
US6512504B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
JP4298131B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2009-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
GB2350204B (en) * | 1999-05-21 | 2003-07-09 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
JP5210473B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP3428511B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
KR100335462B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2002-05-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시패널 |
KR100315209B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
US6747724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-06-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having non-display area with reduced width |
KR100393044B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2003-07-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배선 전극 단선 방지용 보상 전극 패턴을 채용한 터치 패널 |
KR100870660B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널의 합착력이 향상된 액정표시소자 및 제조방법 |
KR100972148B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치 |
KR100615212B1 (ko) * | 2004-03-08 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
KR20060121370A (ko) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치 |
KR100683791B1 (ko) | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
JP5066836B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR101272488B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 가지는 액정표시 패널과 이 액정 표시 패널의 제조방법 |
KR20070077896A (ko) * | 2006-01-25 | 2007-07-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치 |
JP2007220647A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
KR100702032B1 (ko) * | 2006-03-07 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 프로브 어레이, 상기 프로브 어레이를 갖는 스토리지 소자 및 이들의 제조방법들 |
KR100805154B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8106487B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-01-31 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Semiconductor device having an inorganic coating layer applied over a junction termination extension |
JP5788701B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-10-07 | 関東化学株式会社 | 透明導電膜用エッチング液組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02304524A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Ibm Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH03209435A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Seiko Instr Inc | アクティブマトリックス型電気光学装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59151137A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
DE69334236D1 (de) * | 1992-02-27 | 2008-09-18 | Canon Kk | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPH06258660A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JP3059915B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2000-07-04 | 三洋電機株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
TW378276B (en) * | 1995-01-13 | 2000-01-01 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device and its fabrication method |
JPH09222612A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
KR100223153B1 (ko) * | 1996-05-23 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치 |
KR100255592B1 (ko) * | 1997-03-19 | 2000-05-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-03-18 TW TW087104040A patent/TW375689B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-26 KR KR1019980010940A patent/KR100285126B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-27 US US09/049,049 patent/US6011608A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02304524A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Ibm Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH03209435A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Seiko Instr Inc | アクティブマトリックス型電気光学装置 |
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