JPH06258660A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06258660A JPH06258660A JP4145693A JP4145693A JPH06258660A JP H06258660 A JPH06258660 A JP H06258660A JP 4145693 A JP4145693 A JP 4145693A JP 4145693 A JP4145693 A JP 4145693A JP H06258660 A JPH06258660 A JP H06258660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- liquid crystal
- pixel
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成した液晶表示装置に於いて、駆動回路の信
頼性を低下させる事無く前記層間絶縁膜形成と同時に駆
動回路封止用絶縁膜を設ける事を目的とする。 【構成】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成し、同時に駆動回路上にも層間絶縁膜を形
成、さらに画素電極形成と同時に駆動回路上にもシール
ドを形成する。
素電極を形成した液晶表示装置に於いて、駆動回路の信
頼性を低下させる事無く前記層間絶縁膜形成と同時に駆
動回路封止用絶縁膜を設ける事を目的とする。 【構成】 ソース線よりも上層に層間絶縁膜を介して画
素電極を形成し、同時に駆動回路上にも層間絶縁膜を形
成、さらに画素電極形成と同時に駆動回路上にもシール
ドを形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】駆動回路内蔵型液晶表示装置の構成は特
開昭64−68725号のごとく、駆動回路を接着部よ
り外側に配置し、ポリイミドなどの有機絶縁膜を塗布、
パターニングして駆動回路上のみに有機絶縁膜を形成し
ている。このことにより駆動回路の対衝撃性や耐湿性を
向上させている。
開昭64−68725号のごとく、駆動回路を接着部よ
り外側に配置し、ポリイミドなどの有機絶縁膜を塗布、
パターニングして駆動回路上のみに有機絶縁膜を形成し
ている。このことにより駆動回路の対衝撃性や耐湿性を
向上させている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかるに画素部のソー
ス線と画素電極を有機樹脂などで層間分離するとき、わ
ざわざ従来の技術を用いなくても駆動回路上に保護膜を
形成できる。しかし単に保護膜を形成しただけではシー
ル部にも保護膜が残ってしまい、シール部保護膜を通路
として外部から水分が画素部へ侵入し、封入されている
液晶の信頼性を低下させる。また従来は有機樹脂の保護
膜上には何等膜を設けないが、これでは駆動回路は外部
電場の影響を受けて誤動作しやすい。
ス線と画素電極を有機樹脂などで層間分離するとき、わ
ざわざ従来の技術を用いなくても駆動回路上に保護膜を
形成できる。しかし単に保護膜を形成しただけではシー
ル部にも保護膜が残ってしまい、シール部保護膜を通路
として外部から水分が画素部へ侵入し、封入されている
液晶の信頼性を低下させる。また従来は有機樹脂の保護
膜上には何等膜を設けないが、これでは駆動回路は外部
電場の影響を受けて誤動作しやすい。
【0004】本発明の目的は、画素部液晶の信頼性を損
なう事無く駆動回路部へ有機樹脂膜を設けて、駆動回路
の信頼性を保てる液晶表示装置の構造を提供する事にあ
る。
なう事無く駆動回路部へ有機樹脂膜を設けて、駆動回路
の信頼性を保てる液晶表示装置の構造を提供する事にあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置において、アクティブマトリ
クス基板はソース線と画素電極がポリイミド樹脂あるい
は酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの層間絶縁膜
を介して非同一層に形成されてあることと、前記層間絶
縁膜は画素表示部分及び駆動回路上部にのみ形成されて
あることと、対向する2枚の絶縁性基板の接着部より基
板の外周部よりに液晶表示装置駆動回路を配置した事
と、前記駆動回路上の前記層間絶縁膜上に導電性薄膜を
形成することと、前記導電性薄膜を共通電位に落とさな
いことを特徴とする。
リクス方式の液晶表示装置において、アクティブマトリ
クス基板はソース線と画素電極がポリイミド樹脂あるい
は酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの層間絶縁膜
を介して非同一層に形成されてあることと、前記層間絶
縁膜は画素表示部分及び駆動回路上部にのみ形成されて
あることと、対向する2枚の絶縁性基板の接着部より基
板の外周部よりに液晶表示装置駆動回路を配置した事
と、前記駆動回路上の前記層間絶縁膜上に導電性薄膜を
形成することと、前記導電性薄膜を共通電位に落とさな
いことを特徴とする。
【0006】
【実施例】本発明による一実施例の液晶表示装置の平面
図を図1に示し、そのA−A’間における断面図を図2
に示す。例えばガラス基板の様な絶縁性基板101上に
画素スイッチング用TFT(以下画素TFTと称す)1
02を形成し、同時に前記画素TFT群の駆動用TFT
(以下ドライバーと称す)103を形成する。次に層間
絶縁膜104として例えばポリイミドを2μm程度の膜
厚となるように塗布する。前記ポリイミドを乾燥後、ク
ロム薄膜を1000Å程度堆積し、パターニングして前
記層間絶縁膜104のエッチングマスクとする。この後
ドライエッチング法にて層間絶縁膜104をパターニン
グする。このとき層間絶縁膜104の被エッチング部分
は、画素TFTの画素電極接続部と、対向基板接着部
(以下シール部と称す)と、対向基板との導通を図る部
分と、外部接続電極部とする。エッチング終了後エッチ
ングマスクを剥離し、画素電極106をITOで形成す
る。この時ドライバー部にもITO膜を形成し、電場シ
ールド112とする。但し共通電位が乱れるといけない
ので、この電場シールド112は共通電位には落とさな
い。次に絶縁性基板101と対向基板107をシール部
110で接着する。
図を図1に示し、そのA−A’間における断面図を図2
に示す。例えばガラス基板の様な絶縁性基板101上に
画素スイッチング用TFT(以下画素TFTと称す)1
02を形成し、同時に前記画素TFT群の駆動用TFT
(以下ドライバーと称す)103を形成する。次に層間
絶縁膜104として例えばポリイミドを2μm程度の膜
厚となるように塗布する。前記ポリイミドを乾燥後、ク
ロム薄膜を1000Å程度堆積し、パターニングして前
記層間絶縁膜104のエッチングマスクとする。この後
ドライエッチング法にて層間絶縁膜104をパターニン
グする。このとき層間絶縁膜104の被エッチング部分
は、画素TFTの画素電極接続部と、対向基板接着部
(以下シール部と称す)と、対向基板との導通を図る部
分と、外部接続電極部とする。エッチング終了後エッチ
ングマスクを剥離し、画素電極106をITOで形成す
る。この時ドライバー部にもITO膜を形成し、電場シ
ールド112とする。但し共通電位が乱れるといけない
ので、この電場シールド112は共通電位には落とさな
い。次に絶縁性基板101と対向基板107をシール部
110で接着する。
【0007】以上が本発明を用いた液晶表示装置の構成
であるが、シール部に層間絶縁膜104が存在しないた
め層間絶縁膜を伝っての外部から液晶層への水分の侵入
は低減される。さらに2μm程度の膜厚を持つ層間絶縁
膜104がドライバー部覆っているので耐湿性、耐衝撃
性には問題がない。また層間絶縁膜104のエッチング
時にドライバーはドライエッチングのガス雰囲気あるい
はプラズマに曝されない。従ってドライバーはスレッシ
ョルド電圧が狂う等のダメージを受けることはない。
であるが、シール部に層間絶縁膜104が存在しないた
め層間絶縁膜を伝っての外部から液晶層への水分の侵入
は低減される。さらに2μm程度の膜厚を持つ層間絶縁
膜104がドライバー部覆っているので耐湿性、耐衝撃
性には問題がない。また層間絶縁膜104のエッチング
時にドライバーはドライエッチングのガス雰囲気あるい
はプラズマに曝されない。従ってドライバーはスレッシ
ョルド電圧が狂う等のダメージを受けることはない。
【0008】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
【0009】また、エッチングマスクを絶縁体で形成し
た場合には、エッチングマスクの除去は必ずしも必要で
はなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜104の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、層間絶縁膜
104へのダメージを更に低減できる。
た場合には、エッチングマスクの除去は必ずしも必要で
はなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜104の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、層間絶縁膜
104へのダメージを更に低減できる。
【0010】また画素電極も例えばアルミニウムが使え
るなどITOには限らない。
るなどITOには限らない。
【0011】
【発明の効果】本発明を用いればシール部には層間絶縁
膜が存在しないため外部から液晶層への水分の侵入は低
減される。従って画素部の層間絶縁膜とドライバーの保
護膜を同時に形成した場合においても液晶の信頼性を保
つ事が可能となる。同時に、画素部にソース線と画素電
極との分離用層間絶縁膜を設けたときでも新たにドライ
バー保護膜として有機樹脂を設ける必要がなくなる。
膜が存在しないため外部から液晶層への水分の侵入は低
減される。従って画素部の層間絶縁膜とドライバーの保
護膜を同時に形成した場合においても液晶の信頼性を保
つ事が可能となる。同時に、画素部にソース線と画素電
極との分離用層間絶縁膜を設けたときでも新たにドライ
バー保護膜として有機樹脂を設ける必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例記載の液晶表示装置の平面図。
【図2】 実施例記載の液晶表示装置のA−A’間に於
ける断面図。
ける断面図。
【図3】 実施例の工程図。
【図4】 従来例の液晶表示装置の断面図。
101 ガラス基板 102 画素TFT 103 ドライバー 104 層間絶縁膜 106 画素電極 107 対向基板 108 画素表示部 109 接着剤 110 シール部 111 対向電極 112 シールド
Claims (1)
- 【請求項1】 アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置において、アクティブマトリクス基板はソース線と画
素電極がポリイミド樹脂あるいは酸化シリコンあるいは
窒化シリコンなどの層間絶縁膜を介して非同一層に形成
されてあることと、前記層間絶縁膜は画素表示部分及び
駆動回路上に形成されてあることと、対向する2枚の絶
縁性基板の接着部より基板の外周部よりに液晶表示装置
駆動回路を配置した事と、前記駆動回路上の前記層間絶
縁膜上に導電性薄膜を形成することと、前記導電性薄膜
を共通電位に落とさないことを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4145693A JPH06258660A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4145693A JPH06258660A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06258660A true JPH06258660A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12608881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4145693A Pending JPH06258660A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06258660A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6011608A (en) * | 1997-03-27 | 2000-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display panel wherein inorganic film is formed over an inorganic insulating film overlying wirings extending across seal area |
US6246454B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
JP2003202589A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6897919B2 (en) | 2001-01-31 | 2005-05-24 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid-crystal display device having a shield shielding an electromagnetic wave radiated from one of a driver and an electrode lead-out line |
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US7158205B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
JP2007280964A (ja) * | 2003-02-24 | 2007-10-25 | Sony Corp | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
CN102622942A (zh) * | 2012-04-18 | 2012-08-01 | 钟瑞芬 | 一种能工作在高磁场中的液晶显示器 |
WO2012105189A1 (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
JP2017146450A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2020098356A (ja) * | 2020-02-03 | 2020-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Tft基板 |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP4145693A patent/JPH06258660A/ja active Pending
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US8107049B2 (en) | 1996-10-22 | 2012-01-31 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
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US7184105B2 (en) | 1996-10-22 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device having the same |
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