TWI421813B - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本發明係關於顯示裝置及其製造方法。
近年來，針對液晶顯示裝置與有機EL(電致發光)顯示裝置等薄型顯示裝置之開發正快速進展。此些薄型顯示裝置較多者係，為提高顯示品質具有主動矩陣基板，該主動矩陣基板上佈置有對複數像像素中之每個像素所設置的用以驅動該像素的切換元件。
也就是說，顯示裝置係具有上述主動矩陣基板、與該基板相向佈置且經框狀密封部件與上述主動矩陣基板貼合的反基板。顯示裝置中，在密封部件內側形成有顯示區域，另一方面，在該顯示區域的外側周圍形成有非顯示區域。
在主動矩陣基板的成為顯示區域的區域，對複數像素中之每個像素形成有作為切換元件的例如TFT(薄膜電晶體)。上述TFT具有例如a-Si(非晶矽)等半導體層，對各像素分別形成有與TFT連接的像素電極。
另一方面，在主動矩陣基板的成為非顯示區域的區域，是在密封部件外側形成有複數端子。外部電路安裝在該複數端子上。各端子係形成在被從上述顯示區域引出的引出佈線之端部。
圖59係放大示出習知顯示裝置中密封部件附近的剖面圖。如圖50所示，密封部件103設置在主動矩陣基板101和反基板102之間。於主動矩陣基板101上密封部件103的形成區域形成有引出佈線104。為保護引出佈線104，該引出佈線104由閘極絕緣膜105和保護膜106覆蓋。而且，在該閘極絕緣膜105和保護膜106上形成有由感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜107。在顯示區域也形成有層間絕緣膜107，圖示省略。在顯示區域的層間絕緣膜107的表面上形成有像素電極。另一方面，在密封部件103的形成區域，上述密封部件103形成在層間絕緣膜107的表面。
在此，製造形成有複數由a-Si形成的TFT之主動矩陣基板之情形，例如使用五枚光罩之手法已為眾人所知曉。使用該五枚光罩進行之製造方法中，利用第一光罩進行閘極材料層之圖型化，利用第二光罩進行a-Si層之圖型化。進一步利用第三光罩進行源極材料層之圖型化，利用第四光罩進行感光性有機絕緣膜之圖型化。以該感光性有機絕緣膜為光罩對閘極絕緣膜等絕緣膜加以蝕刻。之後，利用第五光罩進行成為像素電極的ITO(Indium Tin Oxide)膜之圖型化。
是以，在密封部件的形成區域，為形成保護引出佈線的閘極絕緣膜和保護膜，需要將由感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜殘留於該閘極絕緣膜和保護膜上。
然而，上述顯示裝置中，因外部水分自密封部件和層間絕緣膜之界面浸透至密封部件內側(亦即，顯示區域一側)，而存在顯示品質惡化，顯示可靠性下降之問題。
相對於此，專利文獻1所公開之發明內容如下：在密封部件的形成區域，係在層間絕緣膜上形成槽部，在該槽部內側和槽部両側的層間絕緣膜表面形成密封部件，如此來防止水分在密封部件和層間絕緣膜界面處浸透。
日本公開特許公報特開2004-53815號公報
然而，像上述專利文獻1所公開的顯示裝置那樣，即使降低了密封部件和層間絕緣膜界面處的水分浸透性，仍會因層間絕緣膜本身具有透濕性，而依然存在外部水分朝著密封部件內側的顯示區域一側浸透之可能性。
本發明正是鑑於上述各點而完成者。其目的在於：做到既能夠在密封部件的形成區域保護引出佈線，又能夠可靠地防止外部水分朝著密封部件內側浸透。
為達成上述目的，本發明係以以下顯示裝置為對象。該顯示裝置具備：主動矩陣基板、與上述主動矩陣基板相向佈置的反基板、存在於上述主動矩陣基板和上述反基板之間的框狀密封部件。在上述密封部件的框內形成有顯示區域，另一方面，在該顯示區域的外側周圍形成有包含上述密封部件之形成區域的非顯示區域。
在上述主動矩陣基板的上述顯示區域，設置有由感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜、與該層間絕緣膜不同的絕緣膜、形成在上述層間絕緣膜的表面且矩陣狀配置的複數像素電極。在上述主動矩陣基板的上述非顯示區域，形成有被從上述顯示區域引出的引出佈線，在上述密封部件的形成區域，上述層間絕緣膜被除去且上述絕緣膜被設置成覆蓋上述引出佈線之一部份，上述密封部件直接形成在該絕緣膜的表面。
本發明所關係之顯示裝置的製造方法，係以經框狀密封部件使主動矩陣基板和反基板貼合來製造顯示裝置的方法為對象。
該顯示裝置的製造方法具有以下製程：利用第一光罩在基板上形成具有規定圖型的第一導電膜的製程；在上述基板上形成覆蓋上述第一導電膜的第一絕緣膜的製程；利用第二光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的半導體層的製程；利用第三光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的第二導電膜的製程；利用第四光罩形成由具有規定圖型的感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜，以覆蓋形成有上述半導體層和上述第二導電膜的上述第一絕緣膜之一部份的製程；以上述層間絕緣膜為光罩蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程；以及利用第五光罩在上述層間絕緣膜上形成具有規定圖型的透明電極的製程。在形成上述第一導電膜的製程中，係在用以形成上述密封部件的區域形成上述第一導電膜之一部份；在形成上述半導體層的製程中，在用以形成上述密封部件的區域形成上述半導體層之一部份；在形成上述層間絕緣膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域自上述半導體層上除去上述層間絕緣膜；在蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程中，以上述半導體層為光罩對用以形成上述密封部件的區域的上述第一絕緣膜進行蝕刻；在形成上述透明電極的製程中，形成上述透明電極的同時，藉由蝕刻除去用以形成上述密封部件的區域的上述半導體層；該顯示裝置的製造方法還包括：將上述密封部件設在上述半導體層已被除去的上述第一絕緣膜上的製程。
本發明所關係之顯示裝置的製造方法，係以經框狀密封部件使主動矩陣基板和反基板貼合來製造顯示裝置的方法為對象。
該顯示裝置的製造方法具有以下製程：利用第一光罩在基板上形成具有規定圖型的第一導電膜的製程；形成覆蓋上述第一導電膜的第一絕緣膜的製程；利用第二光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的半導體層的製程；利用第三光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的第二導電膜的製程；利用第四光罩形成由具有規定圖型的感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜，以覆蓋形成有上述半導體層和上述第二導電膜的上述第一絕緣膜之一部份的製程；以上述層間絕緣膜為光罩蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程；利用第五光罩在上述層間絕緣膜上形成具有規定圖型的共用電極的製程；利用第六光罩形成具有規定圖型的第二絕緣膜，以覆蓋上述共用電極的製程；利用第七光罩在上述第二絕緣膜的表面形成具有規定圖型的像素電極的製程。在形成上述半導體層的製程中，在用以形成上述密封部件的區域除去上述半導體層；在蝕刻上述第一絕緣膜之一部份製程中，在用以形成上述密封部件的區域從上述第一導電膜上除去上述第一絕緣膜；在形成上述第二絕緣膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域形成上述第二絕緣膜之一部份以覆蓋上述第一導電膜。該顯示裝置的製造方法還包括：在用以形成上述密封部件的區域將上述密封部件直接設在上述第二絕緣膜的表面的製程。
根據本發明，對具有主動矩陣基板、與上述主動矩陣基板相向佈置的反基板以及存在於上述主動矩陣基板和上述反基板之間的框狀密封部件的顯示裝置，做到：既能夠在密封部件的形成區域保護引出佈線，又能夠可靠地防止外部水分朝著密封部件內側浸透。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。此外，本發明並不限於以下實施方式。
《發明第一實施方式》
圖1~圖19示出本發明第一實施方式。
圖1係放大顯示本第一實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖。圖2係顯示本第一實施方式中使用第五光罩形成的像素電極的剖面圖。圖3係顯示本第一實施方式中使用第五光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖。圖4係顯示本第一實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖。圖5~圖22係顯示本第一實施方式中顯示裝置的製造製程的剖面圖。圖23係本第一實施方式中液晶顯示裝置的概略結構的剖面圖。
本第一實施方式中，以液晶顯示裝置作為本發明的顯示裝置之一例做說明。如圖23所示，液晶顯示裝置1係具備主動矩陣基板即TFT基板11、與TFT基板11相向佈置的反基板12以及存在於TFT基板11和反基板之間的框狀密封部件13。在TFT基板11和反基板12之間設有被密封部件13密封的液晶層14。
在密封部件13的框內形成有顯示區域15，另一方面，在顯示區域15的外側周圍形成有包含密封部件13之形成區域20的非顯示區域16。在顯示區域15，複數顯示單位即像素形成為矩陣狀。
在TFT基板11之與反基板12相反的一側，佈置有省略圖示的照明裝置即背光單元。是以，液晶顯示裝置1構成為：選擇性地使上述背光單元的光透過，進行透過顯示。
如圖1所示，反基板12上且作為透明基板的玻璃基板21的靠TFT基板11一側形成有反電極22。反電極22係由ITO等透明導電膜形成。
如圖2~圖4所示，TFT基板11的顯示區域15，具有形成在作為透明基板的玻璃基板30上的TFT部31、輔助電容部32、連接部33、COG端子部34和FPC端子部35。
在TFT基板11的顯示區域15，設置有由感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜42、與層間絕緣膜42不同的絕緣膜即閘極絕緣膜38、形成在層間絕緣膜42的表面且矩陣狀佈置的複數像素電極43以及與複數像素電極43分別一一連接的複數TFT部(薄膜電晶體部)31。閘極絕緣膜38係由例如氮化矽等無機絕緣膜形成。像素電極43係由例如ITO等透明導電膜形成。
另一方面，如圖1和圖4所示，在TFT基板11的非顯示區域16，形成有自顯示區域15引出的引出佈線44。在密封部件13之形成區域20，層間絕緣膜42被除去，且閘極絕緣膜38被設置成覆蓋引出佈線44之一部份，密封部件13直接形成在閘極絕緣膜38的表面。
TFT部31具有：形成在玻璃基板30上的閘極電極37、覆蓋閘極電極37的閘極絕緣膜38、形成在閘極絕緣膜38的表面的半導體層39以及覆蓋半導體層39之一部份的汲極、源極電極40。汲極、源極電極40係由保護膜41和層間絕緣膜42覆蓋。保護膜41係由例如氮化矽等無機絕緣膜構成。
半導體層39係由例如IGZO(In-Ga-Zn-O)等氧化物半導體形成。如此之氧化物半導體具有離子性高的鍵，結晶和非晶間的電子遷移率差小。因此，即使是非晶狀態也能夠獲得較高的電子遷移率。還具有能夠藉由濺鍍法等室溫下易於形成非晶膜之優點。
如圖2所示，輔助電容部32具有隔著閘極絕緣膜38相對的第一電極47和第二電極48。第一電極47係由閘極材料形成且形成在玻璃基板30上。第二電極48係由源極材料形成且形成在閘極絕緣膜38的表面。第二電極48還經貫通保護膜41和層間絕緣膜42的接觸孔45與像素電極43相連接。
連接部33具有連接閘極材料層49和源極材料層50的連接層51。閘極材料層49形成在玻璃基板30上。源極材料層50形成在閘極絕緣膜38的表面。連接層51係由ITO形成且形成在貫通保護膜41和層間絕緣膜42的接觸孔52。
如圖3所示，COG端子部34和FPC端子部35係分別具有形成在玻璃基板30上的閘極材料層55、半導體材料層56以及ITO層57。半導體材料層56形成在閘極絕緣膜38的表面。ITO層57形成在半導體材料層56的表面，經貫通閘極絕緣膜38形成的接觸孔58與閘極材料層55相連接。
-製造方法-
接下來，對上述液晶顯示裝置1的製造方法做說明。
液晶顯示裝置1是使TFT基板11和反基板12夾著框狀密封部件13相貼合而製成。本發明中，特別是因為TFT基板11的製造製程具有特徵，所以對該TFT基板11的製造製程做詳細的說明。
(閘極材料層形成製程)
首先，藉由光刻法，利用第一光罩在玻璃基板30上形成具有規定圖型的第一導電膜即閘極材料層37、44、47、49、55。閘極材料層37、44、47、49、55係由例如Al層、Ti層以及TiN層的積層構造構成。
也就是說，如圖5所示，在玻璃基板30上TFT部31之形成區域形成閘極電極37；在輔助電容部32之形成區域形成第一電極47；在連接部33之形成區域形成閘極材料層49。如圖6所示，在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成閘極材料層55。如圖7所示，在用以形成密封部件13的區域20，由閘極材料層37、44、47、49、55之一部份形成引出佈線44。
(閘極絕緣膜形成製程)
接下來，如圖8~圖10所示，在玻璃基板30上形成覆蓋上述閘極材料層(閘極電極37、第一電極47、閘極材料層49、55以及引出佈線44)且作為第一絕緣膜的閘極絕緣膜38。
(半導體層形成製程)
接下來，如圖8~圖10所示，藉由光刻法，利用第二光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的半導體層39、56、60。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成半導體層39，並在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成半導體材料層56。而且，在用以形成密封部件13的區域形成上述半導體層39、56、60之一部份即半導體層60。半導體層39、56、60係由例如IGZO等氧化物半導體形成。
(源極材料層形成製程)
接下來，如圖11~圖13所示，藉由光刻法，利用第三光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的第二導電膜即源極材料層40、48、50。源極材料層40、48、50係由例如Ti層、MoN層、Al層以及MoN層的積層構造、Ti層、Al層以及Ti層的積層構造或者Cu層、Ti層、Cu層以及Mo層的積層構造構成。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成汲極、源極電極40；在輔助電容部32之形成區域形成第二電極48；在連接部33之形成區域形成源極材料層50。
(層間絕緣膜形成製程)
接下來，如圖14~圖16所示，藉由光刻法，利用第四光罩形成具有規定圖型的層間絕緣膜42，以覆蓋形成有上述半導體層39、56、60和源極材料層40、48、50的閘極絕緣膜38之一部份。層間絕緣膜42係由丙稀酸類有機樹脂等感光性有機絕緣膜形成。
也就是說，在含有用以形成密封部件13的區域20之玻璃基板30整個面上，依次積層保護膜41的材料層、層間絕緣膜42的材料層。保護膜41係由例如氮化矽等無機絕緣膜形成。之後，藉由使用第四光罩進行的光刻法，在用以形成密封部件13的區域20和用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域除去上述層間絕緣膜42的材料層，並在用以形成輔助電容部32的區域形成接觸孔45，在用以形成連接部33的區域形成接觸孔52。是以，在用以形成密封部件13的區域20，將層間絕緣膜42自半導體層60上除去。
(閘極絕緣膜的蝕刻製程)
之後，如圖17~圖19所示，以層間絕緣膜42為光罩對閘極絕緣膜38之一部份加以蝕刻。此時，保護膜41亦與閘極絕緣膜38同時被蝕刻。
如圖17所示，在形成有輔助電容部32的區域，在接觸孔45內保護膜41被蝕刻，且在用以形成連接部33的區域，接觸孔52內保護膜41和閘極絕緣膜38被蝕刻。在用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域，如圖18所示，保護膜41被除去，而且已從半導體材料層56露出的閘極絕緣膜38被蝕刻。如圖19所示，在用以形成密封部件13的區域20，保護膜41被除去且已自半導體層60露出的閘極絕緣膜38被蝕刻。
因此，在該製程中，能夠以層間絕緣膜42、半導體層60以及半導體材料層56作光罩，蝕刻閘極絕緣膜38。
(透明電極形成製程)
接下來，如圖20~圖22所示，在玻璃基板30整體上形成由例如ITO等形成的透明導電層62。
接下來，如圖2~圖4所示，利用第五光罩對上述透明導電層62施行光刻法，由此在層間絕緣膜42上形成具有規定圖型的作為透明電極之像素電極43和連接層51。
也就是說，如圖2所示，在TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成像素電極43；在連接部33之形成區域形成連接層51；在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成ITO層57。
該製程中，利用含例如草酸、氯化鐵等的抗蝕劑加以蝕刻。藉此，在形成像素電極43的同時，即能夠藉由蝕刻除去用以形成密封部件13之區域20的半導體層60。在COG端子部34之形成區域，還能夠同時蝕刻半導體材料層56和透明導電層62，使相互相鄰的端子彼此分離。是以來形成TFT基板11。
(密封部件形成製程)
接下來，在上述半導體層60已被除去的密封部件13之形成區域20，將密封部件13設在閘極絕緣膜38上。此時，將密封部件13直接設在閘極絕緣膜38的表面。然後，滴入液晶材料而向密封部件13的框內供去以後，再使上述TFT基板11和反基板12夾著密封部件13和液晶層14相貼合。如此製造液晶顯示裝置1。
-第一實施方式的效果-
因此，根據該第一實施方式，不僅在密封部件13之形成區域20，能夠利用閘極絕緣膜38覆蓋保護引出佈線44，還做到了將具有透濕性的層間絕緣膜42自密封部件13之形成區域20除去。因此，能夠可靠地防止外部水分朝著密封部件13內側浸透。而且，在蝕刻透明導電層62之際，還能夠同時蝕刻除去為了使閘極絕緣膜38殘留在密封部件13之形成區域20所設的半導體層60和該透明導電層62。所以能夠防止製程數量增加。其結果是，既能夠減低製造成本，又能夠防止顯示品質惡化。
《發明第二實施方式》
圖24~圖36係顯示本發明第二實施方式。此外，以下各實施方式中，用同一符號表示與圖1~圖23相同的部份，詳細說明會有省略。
圖24係放大顯示本第二實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖；圖25係顯示本第二實施方式中利用第七光罩形成的像素電極的剖面圖；圖26係顯示本第二實施方式中利用第七光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖；圖27係顯示本第二實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖；圖28~圖36係顯示本第二實施方式中顯示裝置的製造製程的剖面圖。
如圖24和圖27所示，本第二實施方式中液晶顯示裝置1係如此，在密封部件13之形成區域20，引出佈線44被具有閘極絕緣膜38和積層於閘極絕緣膜38之表面的第二保護膜67的絕緣膜38、67覆蓋。而且，密封部件13直接形成在第二保護膜67的表面。
如圖25所示，本第二實施方式中TFT基板11係如此：由例如ITO等形成、作為透明電極的共用電極65和像素電極43形成在層間絕緣膜42上。也就是說，共用電極65形成在層間絕緣膜42的表面，該共用電極被第二保護膜67覆蓋。而且，像素電極43形成在第二保護膜67的表面。是以，既能夠維持較高的開口率，又能夠由上述像素電極43和共用電極65形成電容。
在連接部33之形成區域，係在接觸孔52內形成有與共用電極65一樣由ITO材料形成的第一連接層66。第一連接層66，係在接觸孔52內部，被第二保護膜67、和與像素電極43相同由ITO材料形成的第二連接層68覆蓋。在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域，ITO層69存在於半導體材料層56和ITO層57之間。
-製造方法-
接下來，對上述液晶顯示裝置1的製造方法做說明。
液晶顯示裝置1係使TFT基板11和反基板12夾著框狀密封部件13相貼合而製成。本發明中，特別是因為TFT基板11的製造製程具有特徵，所以對該TFT基板11的製造製程做詳細的說明。
首先，與上述第一實施方式一樣，執行閘極材料層形成製程、閘極絕緣膜形成製程、半導體層形成製程、源極材料層形成製程、層間絕緣膜形成製程以及閘極絕緣膜的蝕刻製程。
(閘極材料層形成製程)
首先，如圖5~圖7所示，利用第一光罩在玻璃基板30上形成具有規定圖型的第一導電膜即閘極材料層37、44、47、49、55。閘極材料層37、44、47、49、55係由例如Al層、Ti層以及TiN層的積層構造構成。
也就是說，如圖5所示，在玻璃基板30上TFT部31之形成區域形成閘極電極37；在輔助電容部32之形成區域形成第一電極47；在連接部33之形成區域形成閘極材料層49。如圖6所示，在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成閘極材料層55。如圖7所示，在用以形成密封部件13的區域20，由閘極材料層37、44、47、49、55之一部份形成引出佈線44。
(閘極絕緣膜形成製程)
接下來，如圖8~圖10所示在玻璃基板30上形成覆蓋上述閘極材料層(閘極電極37、第一電極47、閘極材料層49、55以及引出佈線44)、作為第一絕緣膜的閘極絕緣膜38。
(半導體層形成製程)
接下來，如圖8~圖10所示，藉由光刻法，利用第二光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的半導體層39、56、60。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成半導體層39，並在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成半導體材料層56。而且，在用以形成密封部件13的區域形成上述半導體層39、56、60之一部份即半導體層60。半導體層39、56、60係由例如IGZO等氧化物半導體形成。
(源極材料層形成製程)
接下來，如圖11~圖13所示，藉由光刻法，利用第三光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的第二導電膜即源極材料層40、48、50。源極材料層40、48、50係由例如Ti層、MoN層、Al層以及MoN層的積層構造、Ti層、Al層以及Ti層的積層構造或者Cu層、Ti層、Cu層以及Mo層的積層構造構成。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成汲極、源極電極40；在輔助電容部32之形成區域形成第二電極48；在連接部33之形成區域形成源極材料層50。
(層間絕緣膜形成製程)
接下來，如圖14~圖16所示，藉由光刻法，利用第四光罩形成具有規定圖型的層間絕緣膜42，以覆蓋形成有上述半導體層39、56、60和源極材料層40、48、50的閘極絕緣膜38之一部份。層間絕緣膜42係由丙稀酸類有機樹脂等感光性有機絕緣膜形成。
也就是說，在含有用以形成密封部件13的區域20之玻璃基板30上，全面地依次積層保護膜41的材料層、層間絕緣膜42的材料層。保護膜41係由例如氮化矽等無機絕緣膜形成。之後，藉由使用第四光罩進行的光刻法，在用以形成密封部件13的區域20和用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域除去上述層間絕緣膜42的材料層，並在用以形成輔助電容部32的區域形成接觸孔45，在用以形成連接部33的區域形成接觸孔52。是以，在用以形成密封部件13的區域20，將層間絕緣膜42自半導體層60上除去。
(閘極絕緣膜的蝕刻製程)
之後，如圖17~圖19所示，以層間絕緣膜42為光罩對閘極絕緣膜38之一部份加以蝕刻。此時，保護膜41亦與閘極絕緣膜38同時被蝕刻。
如圖17所示，在形成有輔助電容部32的區域，在接觸孔45內保護膜41被蝕刻，且在用以形成連接部33的區域，接觸孔52內保護膜41和閘極絕緣膜38被蝕刻。在用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域，如圖18所示，保護膜41被除去，而且已從半導體材料層56露出的閘極絕緣膜38被蝕刻。如圖19所示，在用以形成密封部件13的區域20，保護膜41被除去且已自半導體層60露出的閘極絕緣膜38被蝕刻。
因此，在該製程中，能夠以層間絕緣膜42、半導體層60以及半導體材料層56作光罩，蝕刻閘極絕緣膜38。
(透明電極形成製程)
本第二實施方式中，之後的製程與上述第一實施方式不同。
如圖28~圖30所示，在玻璃基板30整體上形成由例如ITO等形成的透明導電層72。
接下來，如圖31~圖33所示，利用第五光罩對上述透明導電層72執行光刻法，藉此在層間絕緣膜42上形成具有規定圖型的作為透明電極的共用電極65和第一連接層66。
也就是說，如圖31所示，在TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成共用電極65；在連接部33之形成區域形成第一連接層66；在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成ITO層69。
該製程中，利用含例如草酸、氯化鐵等的抗蝕劑加以蝕刻。藉此，在形成共用電極65的同時，即能夠藉由蝕刻除去用以形成密封部件13之區域20的半導體層60。而且，在COG端子部34之形成區域，還能夠同時蝕刻半導體材料層56和透明導電層62，使相互相鄰的端子彼此分離。
(第二保護膜形成製程)
接下來，如圖34~圖36所示，利用第六光罩形成具有規定圖型的作為第二絕緣膜的第二保護膜67，以覆蓋共用電極65。
也就是說，如圖34所示，在TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成覆蓋共用電極65的第二保護膜67。在接觸孔45內部，使第一電極47自第二保護膜67露出。另一方面，在接觸孔52內部，由第二保護膜67覆蓋第一連接層66。如圖35所示，在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域除去第二保護膜67。
該製程中，在用以形成密封部件13的區域20，在閘極絕緣膜38上形成第二保護膜67之一部份。也就是說，如圖36所示，在密封部件13之形成區域20，係在閘極絕緣膜38的表面積層第二保護膜67。
(像素電極形成製程)
接下來，如圖25~圖27所示，利用第七光罩在第二保護膜67的表面上形成具有規定圖型的像素電極43。
也就是說，如圖25所示，TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成像素電極43；在連接部33之形成區域形成第二連接層68。其結果，像素電極43在接觸孔45內部與第一電極47相連接；在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成ITO層57。是以來形成TFT基板11。
(密封部件形成製程)
接下來，在上述半導體層60已被除去的密封部件13之形成區域20，將密封部件13設在閘極絕緣膜38和第二保護膜67上。此時，將密封部件13直接設在第二保護膜67的表面。然後，滴入液晶材料而向密封部件13的框內供去以後，再經密封部件13和液晶層14使上述TFT基板11和反基板12相互貼合在一起。如此製造液晶顯示裝置1。
-第二實施方式的效果-
因此，根據該第二實施方式，不僅在密封部件13之形成區域20，能夠利用閘極絕緣膜38和第二保護膜67覆蓋保護引出佈線44，還做到了將具有透濕性的層間絕緣膜42自密封部件13之形成區域20除去。因此，能夠可靠地防止外部水分朝著密封部件13內側浸透。而且，在蝕刻透明導電層72之際，還能夠同時蝕刻除去為了使閘極絕緣膜38殘留在密封部件13之形成區域20所設的半導體層60和該透明導電層72。所以能夠防止製程數量增加。其結果是，能夠邊減低製造成本，邊防止顯示品質惡化。
除此以外，因為還形成了與像素電極43相向的透明共用電極65，所以還能夠提高開口率，並由上述像素電極43和共用電極65形成電容，使顯示品質進一步提高。
《發明第三實施方式》
圖37~圖58係顯示本發明第三實施方式。
圖37係放大顯示本第三實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖；圖38係顯示本第三實施方式中利用第七光罩形成的像素電極的剖面圖；圖39係顯示本第三實施方式中利用第七光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖；圖40係顯示本第三實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖。圖41~圖58係顯示本第三實施方式中顯示裝置的製造製程的剖面圖。
如圖37和圖40所示，本第三實施方式中液晶顯示裝置1係如此：在密封部件13之形成區域20，在閘極絕緣膜38已被除去的狀態下引出佈線44直接形成在第二保護膜67的表面。
如圖38所示，本第三實施方式中的TFT基板11係如此：由例如ITO等形成、作為透明電極的共用電極65和像素電極43形成在層間絕緣膜42上。也就是說，共用電極65形成在層間絕緣膜42的表面，該共用電極65被第二保護膜67覆蓋。在第二保護膜67的表面還形成有像素電極43。是以，能夠邊將開口率維持地較高，邊由上述像素電極43和共用電極65形成電容。
在連接部33之形成區域，係在接觸孔52內形成有與共用電極65相同由ITO材料形成的第一連接層66。第一連接層66，在接觸孔52內部由第二保護膜67和與像素電極43相同由ITO材料形成的第二連接層68覆蓋。在COG端子部34和FPC端子部35的形成區域，ITO層69存在於半導體材料層56和ITO層57之間。
-製造方法-
接下來，對上述液晶顯示裝置1的製造方法做說明。
液晶顯示裝置1是經框狀密封部件13將TFT基板11和反基板12貼合而製成。本發明中，特別是因為TFT基板11的製造製程具有特徵，所以對該TFT基板11的製造製程做詳細的說明。
(閘極材料層形成製程)
首先，如圖5~圖7所示，藉由光刻法，利用第一光罩在玻璃基板30上形成具有規定圖型的第一導電膜即閘極材料層37、44、47、49、55。閘極材料層37、44、47、49、55係由例如Al層、Ti層以及TiN層的積層構造構成。
也就是說，如圖5所示，在玻璃基板30上TFT部31之形成區域形成閘極電極37；在輔助電容部32之形成區域形成第一電極47；在連接部33之形成區域形成閘極材料層49。如圖6所示，在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成閘極材料層55。如圖7所示，在用以形成密封部件13的區域20，由閘極材料層37、44、47、49、55之一部份形成引出佈線44。
(閘極絕緣膜形成製程)
接下來，如圖41~圖43所示，在玻璃基板30上形成覆蓋上述閘極材料層(閘極電極37、第一電極47、閘極材料層49、55以及引出佈線44)、作為第一絕緣膜的閘極絕緣膜38。
(半導體層形成製程)
接下來，如圖41~圖43所示，藉由光刻法，利用第二光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的半導體層39、56。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成半導體層39，並在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成半導體材料層56。半導體層39、56、60係由例如IGZO等氧化物半導體形成。另一方面，在用以形成密封部件13的區域，除去相當於上述第一和第二實施方式的半導體層60，使閘極絕緣膜38露出。
(源極材料層形成製程)
接下來，如圖44~圖46所示，藉由光刻法，利用第三光罩在閘極絕緣膜38上形成具有規定圖型的第二導電膜即源極材料層40、48、50。源極材料層40、48、50係由例如Ti層、MoN層、Al層以及MoN層的積層構造、Ti層、Al層以及Ti層的積層構造或者Cu層、Ti層、Cu層以及Mo層的積層構造構成。
也就是說，在TFT部31之形成區域形成汲極、源極電極40；在輔助電容部32之形成區域形成第二電極48；在連接部33之形成區域形成源極材料層50。
(層間絕緣膜形成製程)
接下來，如圖47~圖49所示，藉由光刻法，利用第四光罩形成具有規定圖型的層間絕緣膜42，以覆蓋形成有上述半導體層39、56、60和源極材料層40、48、50的閘極絕緣膜38之一部份。層間絕緣膜42係由丙稀酸類有機樹脂等感光性有機絕緣膜形成。
也就是說，在含有用以形成密封部件13的區域20之玻璃基板30整體上，依次積層保護膜41的材料層、層間絕緣膜42的材料層。保護膜41係由例如氮化矽等無機絕緣膜形成。之後，藉由使用第四光罩進行的光刻法，在用以形成密封部件13的區域20和用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域除去上述層間絕緣膜42的材料層，並在用以形成輔助電容部32的區域形成接觸孔45，在用以形成連接部33的區域形成接觸孔52。是以，在用以形成密封部件13的區域20，將層間絕緣膜42自半導體層60上除去。
(閘極絕緣膜的蝕刻製程)
之後，如圖50~圖52所示，以層間絕緣膜42為光罩對閘極絕緣膜38之一部份加以蝕刻。此時，保護膜41亦與閘極絕緣膜38同時被蝕刻。
如圖50所示，在用以形成輔助電容部32的區域，係在接觸孔45內保護膜41被蝕刻；在用以形成連接部33的區域，係在接觸孔52內保護膜41和閘極絕緣膜38被蝕刻。如圖51所示，在用以形成COG端子部34和FPC端子部35的區域，保護膜41被除去，而且已從半導體材料層56露出的閘極絕緣膜38被蝕刻。如圖52所示，在用以形成密封部件13的區域20，保護膜41和閘極絕緣膜38被從引出佈線44上蝕刻除去。
因此，在該製程中，能夠以層間絕緣膜42、半導體層60以及半導體材料層56作光罩，蝕刻閘極絕緣膜38。
(透明電極形成製程)
接下來，如圖28~圖30所示，在玻璃基板30整體上形成由例如ITO等形成的透明導電層72。
接下來，如圖53~圖55所示，利用第五光罩對上述透明導電層72施行光刻法，由此在層間絕緣膜42上形成具有規定圖型的作為透明電極之共用電極65和第一連接層66。
也就是說，如圖53所示，在TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成共用電極65；在連接部33之形成區域形成第一連接層66；在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成ITO層69。
該製程中，利用含例如草酸、氯化鐵等的抗蝕劑加以蝕刻。藉此，在形成共用電極65的同時，即能夠藉由蝕刻除去用以形成密封部件13分離之區域20的半導體層60。在COG端子部34之形成區域，還能夠同時蝕刻半導體材料層56和透明導電層72，使相互相鄰的端子彼此分離。
(第二保護膜形成製程)
接下來，如圖56~圖58所示，利用第六光罩形成具有規定圖型的作為第二絕緣膜的第二保護膜67，以覆蓋共用電極65。
也就是說，如圖56所示，在TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成覆蓋共用電極65的第二保護膜67。在接觸孔45內部，使第一電極47自第二保護膜67露出。另一方面，在接觸孔52內部，由第二保護膜67覆蓋第一連接層66。如圖57所示，在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域除去第二保護膜67。
該製程中，在用以形成密封部件13的區域20，形成第二保護膜67之一部份以覆蓋引出佈線44。也就是說，如圖58所示，在密封部件13之形成區域20，係將第二保護膜67積層於玻璃基板30和引出佈線44的表面。
(像素電極形成製程)
接下來，如圖38~圖40所示，利用第七光罩在第二保護膜67的表面上形成具有規定圖型的像素電極43。
也就是說，如圖38所示，TFT部31之形成區域和輔助電容部32之形成區域形成像素電極43；在連接部33之形成區域形成第二連接層68。其結果，像素電極43在接觸孔45內部與第一電極47相連接；在COG端子部34和FPC端子部35之形成區域形成ITO層57。是以來形成TFT基板11。
(密封部件形成製程)
接下來，在密封部件13之形成區域20，將密封部件13設在第二保護膜67的表面。然後，滴入液晶材料而向密封部件13的框內供去以後，再經密封部件13和液晶層14使上述TFT基板11和反基板12相互貼合在一起。如此製造液晶顯示裝置1。
-第三實施方式的效果-
因此，根據該第三實施方式，不僅在密封部件13之形成區域20，能夠利用第二保護膜67覆蓋保護引出佈線44，還做到了將具有透濕性的層間絕緣膜42自密封部件13之形成區域20除去。因此，能夠可靠地防止外部水分朝著密封部件13內側浸透。而且，能夠防止製程數量增加。其結果是，能夠邊減低製造成本，邊防止顯示品質惡化。
除此以外，因為還形成了與像素電極43相向的透明共用電極65，所以還能夠提高開口率，並由上述像素電極43和共用電極65形成電容，使顯示品質進一步提高。
《其它實施方式》
上述第一至第三實施方式中，以液晶顯示裝置為例做了說明，但本發明並不限於此。本發明對例如有機EL顯示裝置等其它薄型顯示裝置同樣適用。
本發明並不限於上述第一實施方式~第三實施方式，本發明包括適當組合上述第一至第三實施方式所獲得的構成。
綜上所述，本發明對顯示裝置及其製造方法有用。
1．．．液晶顯示裝置
11．．．TFT基板(主動矩陣基板)
12．．．反基板
13．．．密封部件
14．．．液晶層
15．．．顯示區域
16．．．非顯示區域
20．．．在密封部件的形成區域
21．．．玻璃基板
22．．．反電極
30．．．玻璃基板
31．．．TFT部(薄膜電晶體)
32．．．輔助電容部
33．．．連接部
34．．．COG端子部
35．．．FPC端子部
37．．．閘極電極/閘極材料層
38．．．閘極絕緣膜
39．．．半導體層
40．．．汲極、源極電極/源極材料層
41．．．保護膜
42．．．層間絕緣膜
43．．．像素電極(透明電極)
44．．．引出佈線/閘極材料層
45．．．接觸孔
47．．．第一電極/閘極材料層
48．．．第二電極/源極材料層
49．．．閘極材料層/閘極材料層
50．．．源極材料層
51．．．連接層
52．．．接觸孔
55．．．閘極材料層
56．．．半導體材料層
57．．．ITO層
60．．．半導體層
62．．．透明導電層
65．．．共用電極(透明電極)
66．．．第一連接層
67．．．第二保護膜(保護膜)
68．．．第二連接層
69．．．ITO層
72．．．透明導電層
101．．．主動矩陣基板
102．．．反基板
103．．．密封部件
104．．．引出佈線
105．．．閘極絕緣膜
106．．．保護膜
107．．．層間絕緣膜
圖1係放大顯示本第一實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖。
圖2係顯示本第一實施方式中利用第五光罩形成的像素電極的剖面圖。
圖3係顯示本第一實施方式中利用第五光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖。
圖4係顯示本第一實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖。
圖5係顯示本第一實施方式中利用第一光罩形成在基板上的閘極材料層的剖面圖。
圖6係顯示本第一實施方式中利用第一光罩形成在基板上的閘極材料層的剖面圖。
圖7係顯示本第一實施方式中利用第一光罩形成在基板上的閘極材料層的剖面圖。
圖8係顯示本第一實施方式中利用第二光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖9係顯示本第一實施方式中利用第二光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖10係顯示本第一實施方式中利用第二光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖11係顯示本第一實施方式中利用第三光罩形成在閘極絕緣膜上的源極材料層的剖面圖。
圖12係顯示本第一實施方式中利用第三光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖13係顯示本第一實施方式中利用第三光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖14係顯示本第一實施方式中利用第四光罩形成在基板上的層間絕緣膜的剖面圖。
圖15係顯示本第一實施方式中層間絕緣膜已被除去的半導體層和閘極絕緣膜的剖面圖。
圖16係顯示本第一實施方式中層間絕緣膜已被除去的半導體層和閘極絕緣膜的剖面圖。
圖17係顯示本第一實施方式中已被蝕刻的閘極絕緣膜和保護膜的剖面圖。
圖18係顯示本第一實施方式中已被蝕刻的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖19係顯示本第一實施方式中已被蝕刻的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖20係顯示本第一實施方式中形成在基板上的ITO層的剖面圖。
圖21係顯示本第一實施方式中形成在基板上的ITO層的剖面圖。
圖22係顯示本第一實施方式中形成在基板上的ITO層的剖面圖。
圖23係顯示本第一實施方式中液晶顯示裝置的概略構成的剖面圖。
圖24係放大顯示本第二實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖。
圖25係顯示本第二實施方式中利用第七光罩形成的像素電極的剖面圖。
圖26係顯示本第二實施方式中利用第七光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖。
圖27係顯示本第二實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖。
圖28係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的透明導電層的剖面圖。
圖29係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的透明導電層的剖面圖。
圖30係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的透明導電層的剖面圖。
圖31係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的共用電極和第一連接層的剖面圖。
圖32係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的ITO層的剖面圖。
圖33係顯示本第二實施方式中透明導電層已被除去的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖34係顯示本第二實施方式中形成在玻璃基板上的第二保護膜的剖面圖。
圖35係顯示本第二實施方式中第二保護膜已被除去的ITO層的剖面圖。
圖36係顯示本第二實施方式中形成在閘極絕緣膜上的第二保護膜的剖面圖。
圖37係放大顯示本第三實施方式中顯示裝置的密封部件附近的剖面圖。
圖38係顯示本第三實施方式中利用第七光罩形成的像素電極的剖面圖。
圖39係顯示本第三實施方式中利用第七光罩形成的COG端子部和FPC端子部之構成的剖面圖。
圖40係顯示本第三實施方式中密封部件形成區域之構成的剖面圖。
圖41係顯示本第三實施方式中利用第二光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖42係顯示本第三實施方式中利用第二光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖43係顯示本第三實施方式中半導體層已被除去的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖44係顯示本第三實施方式中利用第三光罩形成在閘極絕緣膜上的源極材料層的剖面圖。
圖45係顯示本第三實施方式中利用第三光罩形成在閘極絕緣膜上的半導體層的剖面圖。
圖46係顯示本第三實施方式中半導體層已被除去的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖47係顯示本第三實施方式中利用第四光罩形成在基板上的層間絕緣膜的剖面圖。
圖48係顯示本第三實施方式中層間絕緣膜已被除去的半導體層和閘極絕緣膜的剖面圖。
圖49係顯示本第三實施方式中層間絕緣膜已被除去的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖50係顯示本第三實施方式中已被蝕刻的閘極絕緣膜和保護膜的剖面圖。
圖51係顯示本第三實施方式中已被蝕刻的閘極絕緣膜的剖面圖。
圖52係顯示本第三實施方式中閘極絕緣膜已被除去的引出佈線的剖面圖。
圖53係顯示本第三實施方式中形成在玻璃基板上的共用電極和第一連接層的剖面圖。
圖54係顯示本第三實施方式中形成在玻璃基板上的ITO層的剖面圖。
圖55係顯示本第三實施方式中閘極絕緣膜已被除去的引出佈線的剖面圖。
圖56係顯示本第三實施方式中形成在玻璃基板上的第二保護膜的剖面圖。
圖57係顯示本第三實施方式中第二保護膜已被除去的ITO層的剖面圖。
圖58係顯示本第三實施方式中形成在玻璃基板上的第二保護膜的剖面圖。
圖59係放大顯示習知顯示裝置中密封部件附近的剖面圖。
1．．．液晶顯示裝置
11．．．TFT基板(主動矩陣基板)
12．．．反基板
13．．．密封部件
20．．．在密封部件的形成區域
21．．．玻璃基板
22．．．反電極
38．．．閘極絕緣膜
44．．．引出佈線
Claims (13)
- 一種顯示裝置的製造方法，藉由使主動矩陣基板和反基板夾著框狀密封部件相貼合來製造顯示裝置，其中：包括以下製程：利用第一光罩在基板上形成具有規定圖型的第一導電膜的製程；在上述基板上形成覆蓋上述第一導電膜的第一絕緣膜的製程；利用第二光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的半導體層的製程；利用第三光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的第二導電膜的製程；利用第四光罩形成由具有規定圖型的感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜，以覆蓋形成有上述半導體層和上述第二導電膜的上述第一絕緣膜之一部份的製程；以上述層間絕緣膜為光罩蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程；以及利用第五光罩在上述層間絕緣膜上形成具有規定圖型的透明電極的製程；在形成上述第一導電膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域形成上述第一導電膜之一部份；在形成上述半導體層的製程中，在用以形成上述密封部件的區域形成上述半導體層之一部份； 在形成上述層間絕緣膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域中，自上述半導體層上除去上述層間絕緣膜；在蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程中，以上述半導體層為光罩對用以形成上述密封部件的區域內的上述第一絕緣膜進行蝕刻；在形成上述透明電極的製程中，形成上述透明電極的同時，藉由蝕刻除去用以形成上述密封部件的區域內的上述半導體層；該顯示裝置的製造方法還包括：將上述密封部件設在上述半導體層已被除去的上述第一絕緣膜上的製程。
- 如請求項1之顯示裝置的製造方法，其中：在設置上述密封部件的製程中，將上述密封部件直接設在上述第一絕緣膜的表面。
- 如請求項1之顯示裝置的製造方法，其中：在形成上述透明電極的製程中，形成作為上述透明電極的像素電極。
- 如請求項1之顯示裝置的製造方法，其中：在形成上述透明電極的製程中，形成作為上述透明電極的共用電極，該顯示裝置的製造方法還包括：利用第六光罩形成具有規定圖型的第二絕緣膜以覆蓋上述共用電極的製程；和利用第七光罩在上述第二絕緣膜的表面形成具有規定 圖型的像素電極的製程；在形成上述第二絕緣膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域，在上述第一絕緣膜上形成上述第二絕緣膜之一部份；在設置上述密封部件的製程中，將上述密封部件直接設在上述第二絕緣膜的表面。
- 如請求項4之顯示裝置的製造方法，其中：上述第二絕緣膜係保護膜。
- 如請求項1至5中任一項之顯示裝置的製造方法，其中：上述半導體層係氧化物半導體層。
- 如請求項6之顯示裝置的製造方法，其中：上述氧化物半導體層係含In-Ga-Zn-O。
- 如請求項1至5中任一項之顯示裝置的製造方法，其中：上述第一絕緣膜是閘極絕緣膜。
- 一種顯示裝置的製造方法，係藉由使主動矩陣基板和反基板夾著框狀密封部件相貼合來製造顯示裝置，其中：包括以下製程：利用第一光罩在基板上形成具有規定圖型的第一導電膜的製程；形成覆蓋上述第一導電膜的第一絕緣膜的製程；利用第二光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的半導體層的製程；利用第三光罩在上述第一絕緣膜上形成具有規定圖型的第二導電膜的製程； 利用第四光罩形成由具有規定圖型的感光性有機絕緣膜構成的層間絕緣膜，以覆蓋形成有上述半導體層和上述第二導電膜的上述第一絕緣膜之一部份的製程；以上述層間絕緣膜為光罩蝕刻上述第一絕緣膜之一部份的製程；利用第五光罩在上述層間絕緣膜的表面形成具有規定圖型的共用電極的製程；利用第六光罩形成具有規定圖型的第二絕緣膜，以覆蓋上述共用電極的製程；以及利用第七光罩在上述第二絕緣膜的表面形成具有規定圖型的像素電極的製程；在形成上述半導體層的製程中，在用以形成上述密封部件的區域，除去上述半導體層；在蝕刻上述第一絕緣膜之一部份製程中，在用以形成上述密封部件的區域，自上述第一導電膜上除去上述第一絕緣膜；在形成上述第二絕緣膜的製程中，在用以形成上述密封部件的區域形成上述第二絕緣膜之一部份以覆蓋上述第一導電膜；該顯示裝置的製造方法還包括：在用以形成上述密封部件的區域將上述密封部件直接設在上述第二絕緣膜的表面的製程。
- 如請求項9之顯示裝置的製造方法，其中：上述第二絕緣膜係保護膜。
- 如請求項9或10之顯示裝置的製造方法，其中：上述半導體層係氧化物半導體層。
- 如請求項11之顯示裝置的製造方法，其中：上述氧化物半導體層係含In-Ga-Zn-O。
- 如請求項9或10之顯示裝置的製造方法，其中：上述第一絕緣膜係閘極絕緣膜。
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