JPH0895075A

JPH0895075A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0895075A
Application number: JP22969794A
Authority: JP
Inventors: Toshio Shimada; 敏男島田; Noboru Shiida; 昇志比田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1994-09-26
Filing date: 1994-09-26
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】【目的】正スタガー型ＴＦＴを用いた液晶表示装置に
おいて、周縁部で露出されたＡｌゲートラインが結露に
より浸食されて断線するのを防ぎ、装置の寿命を延長す
る。【構成】シール剤（４０）形成領域の外側のゲートラ
イン（１６Ｌ）が露出された領域において、配向膜（１
７）と同一材料のポリイミドなどからなる保護膜（１
８）を被覆する。これにより、結露などにより湿気雰囲
気が形成されても、ゲートライン（１６Ｌ）は保護膜
（１８）の下で守られ、ラインの断線が防止され、装置
の寿命が延長される。また、このような保護膜（１８）
はポリイミドの印刷時に同時に形成されるので工程の増
加はない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に、信頼性を向上し、寿命を延長した液晶表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力
などの特徴があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
基板上に液晶を駆動する容量の一方を構成する表示電極
が複数配列され、更にＴＦＴが各表示電極に接続して形
成された基板（ＴＦＴ基板）と、液晶駆動用の容量の他
方を構成する共通電極が全面的に配置された基板（対向
基板）が貼り合わされ、両基板間に液晶が封入されてな
る。ＴＦＴは表示電極へ印加される信号電圧を選択する
スイッチング素子であり、走査線ごとに全て同時にＯＮ
され、これと同期したデータ信号が各表示電極に入力さ
れる。共通電極は走査信号に同期して電圧が設定されて
各液晶容量ごとに電界が形成され、液晶はこの電界に反
応して配向状態が変化する。このように各画素ごとに液
晶容量が駆動されると、液晶を透過した光が変調されて
表示画像に合成される。また液晶容量の駆動状態は、Ｔ
ＦＴのＯＦＦ抵抗により、電圧が保持され、次フィール
ドで書き換えられるまで一定に維持される。

【０００４】ＴＦＴとして、ゲートを上層に配した正ス
タガー型を用いた場合、ＴＦＴ基板の製造はマスク数３
枚で可能であり、コストが低い。図３は、正スタガー型
ＴＦＴを用いた液晶表示装置の画素部の平面図（ａ）と
そのＢ−Ｂ線に沿った断面図（ｂ）である。互いに交差
して配置されたゲートライン（１６Ｌ）とドレインライ
ン（１３Ｌ）に囲まれた領域には表示電極（１３Ｐ）が
形成され、両ライン（１６Ｌ，１３Ｌ）の交差部にはＴ
ＦＴが形成されて、ソース部で表示電極（１３Ｐ）に接
続されている。

【０００５】表示電極（１３Ｐ）とドレインライン（１
３Ｌ）は、Ｃｒなどからなる遮光層（１１）と、これを
覆うＳｉＮXなどからなる層間絶縁層（１２）が形成さ
れた基板（１０）上でＩＴＯにより形成されている。表
示電極（１３Ｐ）及びドレインライン（１３Ｌ）の一部
は互いに近接されて、それぞれソース電極（１３Ｓ）及
びドレイン電極（１３Ｄ）となっており、両電極（１３
Ｓ，１３Ｄ）にわたる領域上には、チャンネル層となる
ａ−Ｓｉ（１４）、ＳｉＮXなどのゲート絶縁層（１
５）、及び、Ａｌなどのゲート電極（１６Ｇ）が積層さ
れてＴＦＴを構成している。ゲートライン（１６Ｌ）
は、ＴＦＴ部と一体のａ−Ｓｉ（１４）とゲート絶縁層
（１５）からなる積層体上に配置されており、Ａｌなど
によりゲート電極（１６Ｇ）と一体的に形成されてい
る。また、ａ−Ｓｉ（１４）とソース電極（１３Ｓ）、
及び、ａ−Ｓｉ（１４）とドレイン電極（１３Ｄ）の間
には、オーミックコンタクトを得るために、燐などの不
純物イオンを大量に注入にして抵抗を下げたＮ+型ａ−
Ｓｉ（１４Ｎ）を介在させている。これらを覆う全面に
は、液晶の配向を制御する目的で、ポリイミドなどの配
向膜（１７）を形成し所定のラビング処理を施すことに
より表面処理がなされている。

【０００６】こような構造のＴＦＴ基板に対向して配置
された基板（２０）上には、ＩＴＯの共通電極（２１）
が全面的に形成され、更に表面には、ＴＦＴ基板側と同
様に配向膜（２２）が形成され、対向基板となってい
る。これらＴＦＴ基板と対向基板は、エポキシ樹脂など
のシール剤によって周縁部で固定することにより数μｍ
の間隙を持って貼り合わされ、この間隙に液晶（３０）
を注入して、注入口を封止剤で塞いで液晶が密封され
る。

【０００７】図４はゲート入力側基板端の平面図（ａ）
とそのＣ−Ｃ線に沿った断面図（ｂ）である。画素部と
一体の層間絶縁層（１２）が形成された基板（１０）上
には、画素部と同一構造のａ−Ｓｉ（１４）とゲート絶
縁層（１５）の積層体上に形成されたゲートライン（１
６Ｌ）が延在されている。ゲートライン（１６Ｌ）の端
部は外部接続用のゲート入力端子（１６Ｔ）となってい
る。基板（２０）は基板（１０）よりもやや小さくゲー
ト入力端子（１６Ｔ）部を露出して貼り合わされ、基板
（２０）の端縁に沿って形成されたシール剤（４０）に
より接着され、内部の液晶（３０）を密封している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図４に示すように、画
素部から延在されたゲートライン（１６Ｌ）は、入力端
子（１６Ｔ）部でＴＡＢなどにより外部接続されるが、
シール剤（４０）が形成された領域とＴＡＢが形成され
る領域（２点鎖線より左側の領域）の間には、実装上の
制約から、数ｍｍの離間がある。この帯域ではゲートラ
イン（１６Ｌ）が露出されたままであるので、水分や導
電性の異物などが付着しやすく、劣化や短絡などの原因
となっていた。特に、ゲート配線を形成するＡｌは低抵
抗ではあるが、活性な金属であるため、結露などにより
劣化しやすく、断線につながる場合もある。

【０００９】また、図４（ｂ）に示すように、貼り合わ
せの際のアライメントの限界から、基板（２０）の端部
がシール剤（４０）の外側にせりだされるため、基板
（２０）上に形成された共通電極（２１）が、シール剤
（４０）形成領域の外側において液晶層（３０）の厚さ
に相当する数μｍの距離で基板（１０）側のゲートライ
ン（１６Ｌ）に対向する構造となる。Ａｌは還元作用が
強く、また、ＩＴＯは酸化作用が強く、標準電極電位、
即ち、ある溶液と各元素電極との電位差により電気化学
反応の起こり易さを示したもの、において差が大きい。
そのため、湿気雰囲気や不純物雰囲気などにより、両金
属間に電解質が介在されると電池反応が生じて、金属電
極の腐食が起こる。

【００１０】従来のように、共通電極（２１）がせりだ
してゲートライン（１６Ｌ）に対向する構造では、この
部分に微小な水滴が吸着すれば、これが電解質溶液とな
って電池構造が形成され、Ｈ2を発生して、ゲート配線
Ａｌが溶け出していた。経験的にこのような問題は１
０００時間程度が経過した後に生じており、装置完成時
には発見されにくく、また、日常の装置の取り扱いにお
いて僅かの水分が吸着しても、微細なパターンに形成さ
れた配線には十分な湿気雰囲気となるため、電気化学反
応を引き起こし、金属配線を浸食して劣化や断線の原因
となり、装置の寿命を縮めることとなっていた。

【００１１】また、金属片などの導電性の異物が付着す
ると、ゲートライン（１６Ｌ）間やドレインライン（１
３Ｌ）間のみならず、ゲートライン（１６Ｌ）と共通電
極（２１）間及びドレインライン（１３Ｌ）と共通電極
（２１）間でも短絡が生じていた。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するために成されたもので、第１に、対向して配置され
た２枚の基板と、前記２枚の基板の対向面側で導電層が
所定のパターンに形成された配線と、前記２枚の基板間
に狭持された液晶と、前記２枚の基板上で前記液晶層と
の接触面に形成された配向膜と、基板周縁部で前記配向
膜が形成された領域を内側に含んで形成され前記２枚の
基板を貼り合わせるとともに前記液晶を密封する接着剤
と、前記２枚の基板間で前記配線を接続する導電物と、
基板端部で前記接着剤が形成された領域の外側に前記配
線が引き出されて接続された外部接続端子と、から構成
される液晶表示装置において、前記接着剤が形成された
領域の外側には、前記外部接続端子及び前記導電物が形
成された領域を除き、前記配線上の少なくとも一部に前
記配向膜と同一の材料からなる保護膜が形成された構成
である。

【００１３】第２に、互いに対向して配置された第１の
基板及び第２の基板と、前記第１の基板の対向面側に互
いに交差して配置されたゲートライン及びドレインライ
ンと、前記ゲートラインとドレインラインに囲まれた領
域に形成された表示電極と、前記ゲートラインとドレイ
ンラインの交差部に形成され前記表示電極に電気的に接
続された薄膜トランジスタと、前記第２の基板の対向面
側に全面的に形成された共通電極と、前記第１及び第２
の基板間に狭持された液晶と、前記第１及び第２の基板
上で前記液晶層との接触面に形成された配向膜と、基板
周縁部で前記配向膜が形成された領域を内側に含んで形
成され前記第１及び第２の基板を貼り合わせるとともに
前記液晶を密封する接着剤と、前記第１の基板の端部で
前記接着剤が形成された領域の外側に前記ゲートライン
及び前記ドレインラインが引き出されてそれぞれ接続さ
れたゲート入力端子及びドレイン入力端子と、前記共通
電極を前記第１の基板側に形成された共通電極入力端子
へ接続する導電物と、から構成される液晶表示装置にお
いて、前記第１の基板上の前記接着剤が形成された領域
の外側には、前記ゲート入力端子、前記ドレイン入力端
子、前記共通電極入力端子及び前記導電物が形成された
領域を除く少なくとも一部に前記配向膜と同一の材料か
らなる保護膜が形成された構成である。

【００１４】第３に、第２の構成において、前記薄膜ト
ランジスタは、透明導電層からなるソース及びドレイン
電極上に半導体層、絶縁層及びゲート電極層が積層され
てなり、前記保護膜は少なくとも前記ゲートライン上の
一部に形成された構成である。第４に、互いに対向して
配置された第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基
板の対向面側に互いに交差して配置されたゲートライン
及びドレインラインと、前記ゲートラインとドレインラ
インに囲まれた領域に形成された表示電極と、前記ゲー
トラインとドレインラインの交差部に形成され前記表示
電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記第
２の基板の対向面側に全面的に形成された共通電極と、
前記第１及び第２の基板間に狭持された液晶と、前記第
１及び第２の基板上で前記液晶層との接触面に形成され
た配向膜と、基板周縁部で前記配向膜が形成された領域
を内側に含んで形成され前記第１及び第２の基板を貼り
合わせるとともに前記液晶を密封する接着剤と、前記第
１の基板の端部で前記接着剤が形成された領域の外側に
前記ゲートライン及び前記ドレインラインが引き出され
てそれぞれ接続されたゲート入力端子及びドレイン入力
端子と、前記共通電極を前記第１の基板側に形成された
共通電極入力端子へ接続する導電物と、から構成される
液晶表示装置において、前記第２の基板上の前記接着剤
が形成された領域の外側には、前記導電物が形成された
領域を除く少なくとも一部に前記配向膜と同一の材料か
らなる保護膜が形成された構成である。

【００１５】

【作用】前記第１の構成で、接着剤により密封された領
域の外側において外部素子との接続部分を除いた領域に
配向膜と同一材料からなる保護膜を被覆することによ
り、水分や導電性の異物が付着しても、装置表面に配線
が露出されないので、導電層の劣化による断線や異物に
よる配線間の短絡が防止される。また、この保護膜は、
印刷などにより配向膜と同時に形成されるため、工程の
増加はない。

【００１６】前記第２の構成で、第１の基板上で、接着
剤により密封された領域の外側においてゲート及びドレ
イン入力端子を除くライン上に配向膜と同一材料からな
る保護膜を被覆することにより、金属層からなるライン
が湿気雰囲気や不純物雰囲気にさらされるのが防がれ
る。このため、電池構造の成立が阻止され、電気化学反
応による金属層の腐食が防止される。また、導電性異物
の付着が防がれてライン間の短絡が防止される。更に、
接着剤の形成領域には保護膜を形成しないことにより、
接着性が高められる。

【００１７】前記第３の構成で、ゲート電極配線を上層
に配した構造では、ゲート電極配線を構成する低抵抗金
属層は、共通電極を構成する透明導電層と電池反応を起
こしやすいので、特に、ゲートライン上に保護膜を形成
することにより、電池構造の成立が防がれる。前記第４
の構成で、第２の基板上で、接着剤により密封された領
域の外側において共通電極上に配向膜と同一材料からな
る保護膜を被覆することにより、第１の基板上の金属層
が湿気雰囲気や不純物雰囲気にさらされても金属層の腐
食は起こらない。即ち、外部に露出した共通電極を保護
膜で覆い隠すことにより、湿気雰囲気に浸漬されて電池
構造を構成することがなくなり、電気化学反応が起こる
のが防がれ、金属層の腐食が防止される。また、導電性
異物の付着が防がれて第１の基板側のラインと第２の基
板側の共通電極との短絡が防がれる。

【００１８】

【実施例】続いて、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本実施例に係る液晶表示装置のゲ
ート側端部の平面図（ａ）とそのＡ−Ａ線に沿った断面
図（ｂ）である。画素部は図３に示す構造と同じであ
る。なお、図１において、従来例の図４と同じものにつ
いては同一の符号を付している。

【００１９】ガラスなどの透明な基板（１０）上には、
遮光層（１１）と遮光層（１１）を被覆する層間絶縁層
（１２）が形成され、層間絶縁層（１２）上には画素部
から延在されたゲートライン（１６Ｌ）が形成されてい
る。ゲートライン（１６Ｌ）はＴＦＴ部と同一構造でａ
−Ｓｉ（１４）とゲート絶縁層（１５）からなる積層体
上でＡｌにより形成されている。ゲートライン（１６
Ｌ）は、更に、基板（１０）の側辺端部に延在され、ゲ
ート入力端子（１６Ｔ）を構成している。ゲート入力端
子（１６Ｔ）はＴＡＢにより外部駆動回路素子と接続さ
れている。

【００２０】液晶（３０）を挟んで基板（１０）に対向
して配置された基板（２０）上にはＩＴＯの共通電極
（２１）が形成されている。これら両基板（１０）（２
０）はシール剤（４０）により接着される。シール剤
（４０）の形成領域とゲート入力端子（１６Ｔ）即ちＴ
ＡＢ形成領域の間の帯域には、画素部の配向膜（１７）
と同一材料のポリイミドからなる保護膜（１８）が形成
され、各ゲートライン（１６Ｌ）を一体的に被覆してい
る。また、基板（２０）側にも、これに対向する帯域
に、画素部と同じポリイミドからなる保護膜（２３）が
形成され、共通電極（２１）を被覆している。

【００２１】図２は、本実施例に係る液晶表示装置の全
体平面図である。図３に示した画素構造がマトリクス状
に形成された基板（１０）と、共通電極（２１）が形成
された基板（２０）が液晶を挟んで貼り合わされ、周縁
部のシール剤（４０）により接着されている。基板（１
０）は基板（２０）よりも大きく、露出された基板（１
０）の端部では、画素部から延在されたゲートライン
（１６Ｌ）の端部及びドレインライン（１３Ｌ）の端部
がそれぞれゲート入力端子（１６Ｔ）及びドレイン入力
端子（１３Ｔ）として配列されている。また、ドレイン
入力端子（１３Ｔ）が配列された辺には共通電極入力端
子（１３Ｃ）が隣接して配置されている。基板（２０）
側の共通電極（２１）は４隅でシール剤（４０）の外側
に延在されており、それぞれ銀ペースト（ＡＰ）により
基板（１０）側へ接続され、更に共通電極入力端子（１
３Ｃ）に接続されている。

【００２２】シール剤（４０）により囲まれた内側の領
域には、両基板（１０，２０）表面にポリイミドの配向
膜（１７，２２）が形成されている。更に、基板（１
０）上には、シール剤（４０）形成された帯域と、ゲー
ト入力端子（１６Ｔ）、ドレイン入力端子（１３Ｔ）及
び共通電極入力端子（１３Ｃ）が配列された帯域の間の
領域にもポリイミドが帯状に形成されて、保護膜（１
８）としている。また、基板（２０）上にも、シール剤
（４０）が形成された帯域よりも外側の最端部にポリイ
ミドが帯状に形成されて、保護膜（２３）としている。
なお、これら保護膜（１８，２３）は、銀ペースト（Ａ
Ｐ）の形成部を回避して配置されている。

【００２３】以上図１及び図２を用いて説明したよう
に、シール剤（４０）により密封された領域の外側にお
いて、基板（１０）側に、保護膜（１８）を形成してゲ
ートライン（１６Ｌ）を被覆することにより、外気に存
在する湿気や異物が付着して電解質溶媒が形成されて
も、ライン（１６Ｌ）を構成する金属が浸漬されること
がなく、電池構造の成立が妨げられ、電気化学的反応に
よるゲートライン（１６Ｌ）の腐食が防止される。ま
た、金属片などの導電性異物が付着しても、ライン（１
６Ｌ）（１３Ｌ）間及び共通電極（２１）とライン（１
６Ｌ）（１３Ｌ）間での絶縁が保たれ、短絡が防止され
る。

【００２４】また、基板（２０）側においても、保護膜
（２３）により共通電極（２１）を被覆することによ
り、同様に、ゲートライン（１６Ｌ）の腐食が防止され
る。即ち、電池構造は、標準電極電位の異なるＡｌとＩ
ＴＯの間に電解質溶媒が介在されて成立するため、共通
電極（２１）を保護膜（２３）で被覆することにより、
電池構造が成立せず、反応が防止されるので、ゲートラ
イン（１６Ｌ）が保護される。

【００２５】このような液晶表示装置は次のように製造
される。まず、ガラスなどの透明な基板（１０）上に、
Ｃｒをスパッタリングにより２０００Å程度の厚さに積
層し、これをエッチングすることにより遮光層（１１）
を形成する。続いて、遮光層（１１）を被覆してＳｉＮ
XのＣＶＤ膜を積層して層間絶縁層（１２）を形成す
る。次に、層間絶縁層（１２）上に、ＩＴＯをスパッタ
リングにより１０００Å程度の厚さに、Ｎ+ａ−Ｓｉ
（１４Ｎ）を２００〜３００Å程度の厚さに順次積層す
る。これら両膜（１２，１４Ｎ）をエッチングすること
により、表示電極（１３Ｐ）、ドレインライン（１３
Ｌ）、ソース電極（１３Ｓ）、ドレイン電極（１３
Ｄ）、ドレイン入力端子（１３Ｔ）及び共通電極入力端
子（１３Ｃ）を形成する。次に、ソース・ドレイン配線
（１３）が形成された基板上に、プラズマＣＶＤにより
ａ−Ｓｉ（１４）を５００〜１０００Å程度の厚さに積
層し、引き続き、プラズマＣＶＤによりゲート絶縁層
（１５）となるＳｉＮXを２０００〜４０００Åの厚さ
に積層し、次に、ゲート配線（１６）となるＡｌをスパ
ッタリングにより４０００Å程度の厚さに積層する。こ
のように順次積層されたＡｌ、ＳｉＮX、ａ−Ｓｉ、及
びＮ+ａ−Ｓｉは同一のマスクを用いたエッチングによ
り不要な部分を除去する。これにより、ソース及びドレ
イン電極（１３Ｓ，１３Ｄ）上にＮ+ａ−Ｓｉ（１４
Ｎ）、ａ−Ｓｉ（１４）、ゲート絶縁層（１５）及びゲ
ート電極（１６Ｇ）が積層されてＴＦＴが形成されると
ともに、ＴＦＴ部と同じ構造でＳｉＮXとａ−Ｓｉの積
層体上のＡｌからなるゲートライン（１６Ｌ）及びゲー
ト入力端子（１６Ｔ）が形成される。そして、所定のパ
ターンの版を用いた周知の印刷法により、シール剤（４
０）形成領域、ゲート入力端子（１６Ｔ）部、ドレイン
入力端子（１３Ｔ）部、共通電極入力端子（１３Ｃ）部
及び銀ペースト（ＡＰ）の形成領域を除いて、画素領域
及び周縁の帯域にポリイミド膜が形成される。そして、
所定のラビング処理を施すことにより、シール剤（４
０）形成領域の内側の領域において配向膜（１７）が形
成されるとともに、シール剤（４０）形成領域の外側の
領域において保護膜（１８）が形成される。

【００２６】一方の基板（２０）上にはＩＴＯの共通電
極（２１）が全面的に形成され、所定のパターンの版を
用いた印刷法により、シール剤（４０）形成領域及び銀
ペースト（ＡＰ）形成領域を除いてポリイミドが形成さ
れ、ラビング処理によりシール剤（４０）形成領域の内
側に配向膜（２２）が形成されるとともに、シール剤
（４０）形成領域の外側に保護膜（２３）が形成され
る。

【００２７】このように形成された基板の一方には、更
に、周縁部のポリイミドが形成されていない領域にシー
ル剤（４０）を塗布し、他方の基板と貼り合わされる。
そして両基板の間隙に液晶が注入され、注入孔を封止剤
（４１）で塞ぐことにより液晶が密封される。このよう
に構成されたパネルは更に、ＴＡＢによりそれぞれ外部
駆動回路素子がゲート入力端子（１６Ｔ）、ドレイン入
力端子（１３Ｔ）及び共通電極入力端子（１３Ｃ）に接
続される。

【００２８】なお、ポリイミド膜の印刷技術では、画素
単位ピッチの微細なパターン形成は不可能ではあるが、
本発明に適用するための数ｍｍ程度のパターン形成は可
能である。このように、保護膜（１８）は、配向膜（１
７）と同時に形成されるので、工程の増加はなく、低コ
ストである。また、基板（１０，２０）とシール剤（４
０）の間に配向膜（１８，２３）が介在されると、接着
性が著しく低下する。従って、シール剤（４０）の形成
領域にはポリイミドが被着されないように形成するた
め、ポリイミド膜の印刷精度とシール剤（４０）の塗布
精度を考慮したマージンが必要となる。一方、実験的
に、保護膜（１８，２３）は、ゲートライン（１６Ｌ）
または共通電極（２１）の露出部分の大半を被覆すれ
ば、欠陥は著しく低減された。

【００２９】このような理由のため、位置合わせのずれ
があっても、保護膜（１８，２３）がシール剤（４０）
の領域に掛からないようにするため、図１に示すよう
に、保護膜（１８，２３）は、あらかじめ、シール剤
（４０）から少し離れた領域に形成される設計にしてい
る。また、保護膜（１８，２３）は基板（１０）側と基
板（２０）側のいずれか一方に形成するだけでも、電池
構造の成立を阻止する効果はあるが、両方に形成するこ
とにより、信頼性は更に向上する。

【００３０】以上説明したように、ＴＦＴ基板はマスク
数３枚のプロセスにより製造され、低コストであるとと
もに、配向膜（１８，２３）を印刷する版を変更するだ
けで、断線が防止され、寿命が延長される。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
より、コストを増大させることなく、配向膜の印刷のパ
ターンを変更するのみで、外気の湿気や不純物などに対
する耐性が高く、寿命の長い液晶表示装置が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の要部を示
す平面図である。

【図２】本発明の実施例に係る液晶表示装置の全体平面
図である。

【図３】液晶表示装置の画素部の平面図と断面図であ
る。

【図４】従来の液晶表示装置の端部の平面図と断面図で
ある。

【符号の説明】

１０，２０基板１１遮光層１２層間絶縁層１３ソース・ドレイン配線１４ａ−Ｓｉ１５ゲート絶縁層１６ゲート配線１７，２２配向膜２１共通電極１８，２３保護膜３０液晶４０シール剤４１封止剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向して配置された２枚の基板と、前記
２枚の基板の対向面側で導電層が所定のパターンに形成
された配線と、前記２枚の基板間に狭持された液晶と、
前記２枚の基板上で前記液晶層との接触面に形成された
配向膜と、周縁部で前記２枚の基板を貼り合わせるとと
もに前記液晶を密封する接着剤と、前記２枚の基板間で
前記配線を接続する導電物と、基板周縁部で前記配向膜
が形成された領域を内側に含んで形成され前記第１の基
板と第２の基板を貼り合わせるとともに前記液晶を密封
する接着剤と、この接着剤が形成された領域の外側に前
記配線が引き出されて形成された外部接続端子と、から
構成される液晶表示装置において、前記接着剤が形成された領域の外側には、前記外部接続
端子及び前記導電物が形成された領域を除き、少なくと
も前記配線上の一部に、前記配向膜と同一の材料からな
る保護膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】互いに対向して配置された第１の基板及
び第２の基板と、前記第１の基板の対向面側に互いに交
差して配置されたゲートライン及びドレインラインと、
前記ゲートラインとドレインラインに囲まれた領域に形
成された表示電極と、前記ゲートラインとドレインライ
ンの交差部に形成され前記表示電極に電気的に接続され
た薄膜トランジスタと、前記第２の基板の対向面側に全
面的に形成された共通電極と、前記第１及び第２の基板
間に狭持された液晶と、前記第１及び第２の基板上で前
記液晶層との接触面に形成された配向膜と、基板周縁部
で前記配向膜が形成された領域を内側に含んで形成され
前記第１及び第２の基板を貼り合わせるとともに前記液
晶を密封する接着剤と、前記第１の基板の端部で前記接
着剤が形成された領域の外側に前記ゲートライン及び前
記ドレインラインが引き出されてそれぞれ接続されたゲ
ート入力端子及びドレイン入力端子と、前記共通電極を
前記第１の基板側に形成された共通電極入力端子へ接続
する導電物と、から構成される液晶表示装置において、前記第１の基板上の前記接着剤が形成された領域の外側
には、前記ゲート入力端子、前記ドレイン入力端子、前
記共通電極入力端子及び前記導電物が形成された領域を
除く少なくとも一部に、前記配向膜と同一の材料からな
る保護膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項３】前記薄膜トランジスタは、透明導電層か
らなるソース及びドレイン電極上に半導体層、絶縁層及
びゲート電極層が積層されてなり、前記保護膜は少なく
とも前記ゲートライン上の一部に形成されていることを
特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】互いに対向して配置された第１の基板及
び第２の基板と、前記第１の基板の対向面側に互いに交
差して配置されたゲートライン及びドレインラインと、
前記ゲートラインとドレインラインに囲まれた領域に形
成された表示電極と、前記ゲートラインとドレインライ
ンの交差部に形成され前記表示電極に電気的に接続され
た薄膜トランジスタと、前記第２の基板の対向面側に全
面的に形成された共通電極と、前記第１及び第２の基板
間に狭持された液晶と、前記第１及び第２の基板上で前
記液晶層との接触面に形成された配向膜と、基板周縁部
で前記配向膜が形成された領域を内側に含んで形成され
前記第１及び第２の基板を貼り合わせるとともに前記液
晶を密封する接着剤と、前記第１の基板の端部で前記接
着剤が形成された領域の外側に前記ゲートライン及び前
記ドレインラインが引き出されてそれぞれ接続されたゲ
ート入力端子及びドレイン入力端子と、前記共通電極を
前記第１の基板側に形成された共通電極入力端子へ接続
する導電物と、から構成される液晶表示装置において、前記第２の基板上の前記接着剤が形成された領域の外側
には、前記導電物が形成された領域を除く少なくとも一
部に前記配向膜と同一の材料からなる保護膜が形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。