JP3484307B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえばアクティブ・マトリックス型の液晶表示装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえばアクティブ・マトリックス型の
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
延在され、かつ、ｙ方向に並設された走査信号線とこれ
ら走査信号線に絶縁されてｙ方向に延在され、かつ、ｘ
方向に並設された映像信号線とで囲まれた各領域にそれ
ぞれ画素領域を構成するようになっている。

【０００３】そして、これら各画素領域において、走査
信号線からの走査信号（電圧）の供給によってオンされ
る薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トラ
ンジスタを介して映像信号線からの映像信号（電圧）が
印加される透明な画素電極とが備えられている。

【０００４】このような構成からなる液晶表示装置は、
近年、その走査信号線あるいは映像信号線として、Ｃｒ
あるいはその合金からなる導体層を用い、さらに、前記
各信号線の端部であって信号を供給するための端子（外
部端子）の表面にＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜を積層
する技術が知られるようになってきた。

【０００５】各信号線と同一の材料からなる端子は、そ
れが高温で湿度の高い環境に露呈されていると物理・化
学反応を惹き越し、これら物理・化学反応は電気信号に
よって加速されて該外部端子に腐食をもたらすことか
ら、比較的腐食に強い材料であるＩＴＯ膜を覆う構造と
している。

【０００６】なお、この明細書では、以下、端子の腐食
を防止するために該端子に積層させて形成するＩＴＯ膜
のような導電層を耐腐食電極と称する場合がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置において、それを長時間
にわたって駆動を行っていくうちに、等間隔に並設され
ている各端子（外部端子）のうち一つ置きに配置されて
いる各端子に、Ｃｒあるいはその合金からなる導体層と
ＩＴＯ膜との界面に発生する電食が原因となって断線す
る問題が指摘されるに到った。

【０００８】本発明者はこのような電食が発生する原因
を追及した結果、各外部端子に印加される信号電圧の時
間平均がそれぞれ一つ置きに異なっており、電圧が高い
外部端子において断線が生じるという事実に基づき、隣
接する外部端子の間に信号の電圧差による微小な漏洩電
流が発生し、いわゆる電池作用によってＣｒあるいはそ
の合金からなる導体層とＩＴＯ膜との界面に電食が発生
することが判明した。

【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、信号線の外部端子に電食
が原因となって発生する断線を防止できる液晶表示装置
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、表示部内に形成される信号線の
それぞれに信号を供給するための外部端子が表示部外に
並設されて形成され、これら各外部端子はＣｒ層あるい
はその合金層とＩＴＯ膜（耐腐食電極）の順次積層体か
ら構成されている液晶表示装置において、それぞれの外
部端子の間に、該外部端子と電気的に絶縁されかつ各外
部端子に供給される信号の電圧以上の電圧が印加される
端子（以下、必要に応じて電食防止電極と称する場合が
ある）が備えられていることを特徴とするものである。

【００１２】このように構成した液晶表示装置は、新た
に設けた端子も外部端子と同じ端子であるとして考えた
場合、該端子とこの端子に隣接する外部端子との間に電
圧差による微小な漏洩電流が発生することになる。

【００１３】しかしこの場合、電池作用によって起りえ
る電食は、電圧の高い端子（電食防止電極）側であっ
て、電圧の低い外部端子側では全く発生しないことが確
認される。

【００１４】このため、信号を供給するための外部端子
には電食が発生しないことから、この電食が原因となる
断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装置を得ること
ができるようになる。

【００１５】しかも、電食防止電極として形成した端子
においても、異種の金属の積層体でなく単層で形成する
ことによって電食が発生し難い構造とすることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の一実施例について図面を用いて説明をする。

【００１７】まず、図２は、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板のうち一方の透明基板の液晶側
の構成の概略を示した平面図である。

【００１８】同図において、透明基板１があり、この透
明基板１の周辺を除く中央部は表示領域（図中一点鎖線
Ａで囲まれる領域）となっている。

【００１９】なお、この表示領域は他の透明基板（図示
せず）との間に液晶が介在される領域となっており、か
つ、この液晶は図中一点鎖線Ａに沿って形成されるシー
ル材によって封入されるようになっている。

【００２０】そして、前記表示領域には、図中ｘ方向に
延在し、かつ、ｙ方向に並設される走査信号線２が形成
され、また、この走査信号線２と絶縁されてｙ方向に延
在し、かつ、ｘ方向に並設される映像信号線３が形成さ
れ、これら、走査信号線２と映像信号線３とで囲まれた
各領域は、それぞれ画素領域を構成するようになってい
る。

【００２１】すなわち、前記表示領域は、マトリックス
状に配置された各画素領域の集合体によって形成される
ことになる。

【００２２】各画素領域は、その詳細を図３に示すよう
に、該走査信号線２からの走査信号の供給によってオン
される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜
トランジスタＴＦＴを介して前記映像信号線３からの映
像信号が供給される画素電極４が形成されている。ま
た、これら薄膜トランジスタＴＦＴおよび画素電極４の
他に、前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させる走査信
号線２とは異なる他の隣接する走査信号線２と前記画素
電極４との間に付加容量素子Ｃａｄｄが形成されてい
る。この付加容量素子Ｃａｄｄは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴがオフしても、画素電極４に映像信号を長く蓄積さ
せておくために備えられている。

【００２３】そして、この画素領域の具体的な構成の一
実施例として、その平面図を図４に、また、図４のV−V
線における断面図を図５に、VI−VI線における断面図を
図６に示している。

【００２４】図４に示すように、まず、透明基板１の表
面において、図中ｘ方向に延在しｙ方向に当間隔で並設
される走査信号線２が形成されている。この走査信号線
２はたとえばＭｏとＣｒとの合金層２Ａによって形成さ
れている。

【００２５】また、後述する映像信号線３が形成される
部分において、該映像信号線３よりも幅広で、しかも、
薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域（図中点線Ｂで囲ま
れる領域）を回避し前記走査信号線２と物理的に分離さ
れた状態で遮光膜５が形成されている。この遮光膜５は
走査信号線２とともにいわゆるブラックマトリックス層
となるもので、走査信号線２と同材料からなり該走査信
号線２と同時に形成されるようになっている。

【００２６】そして、このように走査信号線２および遮
光膜５が形成された透明基板１の表面の全域には、該走
査信号線２と後に詳述する映像信号線３との層間絶縁を
図るための絶縁膜６がたとえばシリコン窒化膜によって
形成されている（図４、図５参照）。

【００２７】また、前記走査信号線２と後に詳述する映
像信号線３とで囲まれる画素領域の一角（図中点線Ｂで
囲まれる領域）における前記絶縁膜４の上面には薄膜ト
ランジスタＴＦＴが形成されるようになっている。

【００２８】この薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に
おいては、ゲート絶縁膜として機能する前記絶縁膜２の
下層において前記走査信号線２から一体になって延在さ
れたゲート電極２Ｃが形成され、前記絶縁膜２の表面に
は該ゲート電極２Ｃを股がるようにしてアモルファスＳ
ｉからなる半導体層７が形成されている。

【００２９】そして、この半導体層７は、後に詳述する
映像信号線３の形成領域において該映像信号線３と同一
のパターンで延在されて形成されている。この映像信号
線３を半導体層７との積層構造とするのは、段切れ防止
と交差する走査信号線２との間の容量を低減させるため
である。

【００３０】薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域におけ
る半導体層７の表面にはドレイン電極３Ｄおよびソース
電極３Ｓが形成され、これら各電極３Ｄ、３Ｓはそれを
平面的に観た場合に前記ゲート電極２Ｃを間にして互い
に対向して配置されている。

【００３１】なお、半導体層７の表面のドレイン電極３
Ｄおよびソース電極３Ｓとの界面には前記半導体層７に
高濃度の不純物がドープされたコンタクト層７Ａが形成
されている。この高濃度の不純物層は、半導体層７を形
成した時点でその全面に形成されており、その後に形成
する各電極３Ｄ、３Ｓをマスクとして前記各電極３Ｄ、
３Ｓから露呈された不純物層をエッチングすることによ
って形成されるようになっている。

【００３２】そして、ドレイン電極３Ｄとソース電極３
Ｓは映像信号線３と同一の工程で、かつ、同一の材料で
形成されるようになっている。

【００３３】すなわち、映像信号線３が、図中ｙ方向に
延在されｘ方向に等間隔に並設されて形成され、この
際、映像信号線３から延在された延在部によってドレイ
ン電極３Ｄが形成され、また、このドレイン電極３Ｄと
離間された状態でソース電極３Ｓが形成されるようにな
っている。

【００３４】また、ソース電極３Ｓは後に詳述する画素
電極４の形成領域にまで延在されて形成され、この延在
部において前記画素電極４とのコンタクトがとれるよう
に構成されている。

【００３５】ここで、映像信号線３は走査信号線２と同
一の材料から形成され、ＭｏとＣｒとの合金層によって
形成されている。

【００３６】このように加工された透明基板１の表面の
全域には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接
な接触を回避させるため、たとえばシリコン窒化膜から
なる保護膜８が形成され、この保護膜８には前記ソース
電極３Ｓの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール
８Ａが形成されている。

【００３７】そして、この保護膜８の上面における画素
領域内にはたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜から
なる画素電極４が形成され、この画素電極４は前記コン
タクトホール８Ａを通して前記ソース電極３Ｓと電気的
接続が図れるようになっている。

【００３８】この場合、前記画素電極４の一部は、前記
薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させるための走査信号線
２とは異なる他の隣接する走査信号線２上にまで延在す
るように形成され、これにより、該画素電極４と走査信
号線２との間に介在される前記絶縁膜６および保護膜８
の積層体を誘電体膜とする付加容量素子Ｃａｄｄが構成
されるようになっている。

【００３９】なお、図５に示すように、上記のように加
工された透明基板１は、液晶ＬＣを間にして他の透明基
板１’が配置され、この透明基板１’の液晶ＬＣ側の面
にはカラーフィルタ６’とともに各画素領域に共通な共
通電極４’がたとえばＩＴＯ膜によって形成されてい
る。

【００４０】これにより、共通電極４’と各画素電極４
との間に電圧差が生じることによって、その電圧差に応
じてその間の液晶ＬＣの光透過率が変化するようになっ
ている。

【００４１】また、図２に示すように、各走査信号線２
の一端部は近接するシール材（図中一点鎖線Ａに沿って
形成される）の外側にまで延在され、このシール材の外
側にまで延在された部分において走査信号端子部２Ａを
構成している。

【００４２】同様に、たとえば奇数番目の各映像信号線
３の一端部（図中上側の一端部）は近接するシール材の
外側にまで延在され、このシール材の外側にまで延在さ
れた部分において映像信号端子部３Ａを構成し、偶数番
目の各映像信号線３の一端部（図中下側の一端部）は近
接するシール材の外側にまで延在され、このシール材の
外側にまで延在された部分において映像信号端子部３Ｂ
を構成している。

【００４３】このように、各映像信号線３における映像
信号端子部３Ａ、３Ｂを交互に異なる側から（図中上下
の側から）取り出しているのは、たとえば、各映像信号
線３におけるそれらの間隔が比較的狭く、仮に一方の側
に全て各映像信号端子部を取り出した場合に、後述する
駆動ＩＣの配置に裕度がなくなるのを回避せんがためで
ある。

【００４４】この場合、各走査信号端子部２Ａおよび各
映像信号端子部３Ａ、３Ｂのそれぞれは、透明基板１の
周端にまで延在されることはなく、該周端までの間に充
分なスペースを空けた状態でその手前まで延在されるよ
うに形成されている。

【００４５】この理由は、図２に示す透明基板１のたと
えば左下角部の詳細を示す図７に示すように、透明基板
１の周辺部には走査信号端子部２Ａに走査信号を供給す
るための駆動ＩＣ２０Ａ、および映像信号端子部３Ｂに
映像信号を供給するための駆動ＩＣ２０Ｂがボンデング
搭載されるようになっているからである。

【００４６】これら各駆動ＩＣ２０Ａ、２０Ｂはいわゆ
るテープキャリア方式で形成される回路からなり、フレ
キシブルな基板に半導体チップがフェースダウンされて
搭載され、その半導体チップの各電極は該フレキシブル
基板に形成された配線層を介し対向するそれぞれの辺部
に形成された端子部にまで引き出されることによって構
成されている。

【００４７】この各駆動ＩＣ２０Ａ、２０Ｂには、それ
ぞれプリント基板２１Ａ、２１Ｂに搭載された電源回路
・CRT⇒TFT回路等からの信号等が供給されるようになっ
ており、このため、図１に示すように、透明基板１の周
端部付近の周辺部には、前記プリント基板側２１Ａ、２
１Ｂの各端子部に接続されるための端子部２Ｔ、３Ｔが
それぞれ形成されている。

【００４８】なお、図７のVIII−VIII線における断面図
を図８に示す。図８に示すように、透明基板１上にボン
ディング搭載された駆動ＩＣ２０Ｂおよび透明基板１に
形成された端子部３Ｔに接続されたプリント基板２１Ｂ
の該接続部は、それぞれ合成樹脂２２によって被われ湿
気等を回避できるように構成されている。

【００４９】ここで、図１に示すように、走査信号線端
子部２Ａとこれに対向配置される端子部２Ｔ、映像信号
線端子部３Ａ、３Ｂとこれらに対向配置される端子部３
Ｔは、それぞれ同一の距離を保って並設されているよう
に記載したものであるが、これは概略的に記載したもの
で、たとえば図２の点線Ｃで囲まれた領域の具体的な構
成は図９に示すようになっている。

【００５０】すなわち、図９において、ボンディング配
置される一つの駆動ＩＣ２０Ｂに対して、たとえば１１
本の映像信号線端子３Ｂがそれぞれ隣接され、また６本
の端子部３Ｔがそれぞれ隣接されて配置されている。

【００５１】そして、この実施例では、各映像信号線端
子３Ｂの上面には前記画素電極４の形成時に同時に形成
されるＩＴＯ膜（耐腐食電極４Ａ）が積層されていると
ともに、各映像信号線端子３Ｂの隣接する他の映像信号
線端子３Ｂとの間には、それら各映像信号線端子３Ｂと
電気的に絶縁されて前記画素電極４の形成時に同時に形
成されるＩＴＯ膜（電食防止用電極４Ｃ）が各映像信号
線端子３Ｂの延在方向に沿って形成され、これら各ＩＴ
Ｏ膜はたとえばシール材（一点鎖線Ａに沿って形成され
る）の内側において共通に接続された同材料からなる配
線層４Ｐを介して所定の電圧が印加されるようになって
いる。この場合の電圧としては、各映像信号線端子３Ｂ
に供給される信号（電圧）以上の電圧が印加されるよう
になっている。

【００５２】図９のI−I線における断面図は図１に示す
ようになっている。透明基板１の上面には前記絶縁膜６
が形成され、この絶縁膜６の上面には映像信号線３をそ
のまま延在させた映像信号線端子３Ｂが形成され、さら
にこの映像信号線端子３Ｂを被って保護膜８が形成され
ている。

【００５３】この保護膜には、映像信号線端子３Ｂを被
う部分において該映像信号線端子３Ｂの周辺部を除く中
央部を露呈させる開口部が形成されているとともに、隣
接する映像信号線端子３Ｂの間の部分において絶縁膜６
をも貫いて透明基板１の表面をも露呈させる開口部が形
成されている。

【００５４】そして、上述した開口部のそれぞれには画
素電極４と同時に形成されるＩＴＯ膜が形成され、これ
により、映像信号線端子３Ｂに積層されたＩＴＯ膜は該
映像信号線端子３Ｂの腐食を防止する耐腐食電極４Ａと
して機能するとともに、各映像信号線端子３Ｂとの間に
配置されるＩＴＯ膜は電食防止用電極４Ｃとして機能す
るようになっている。

【００５５】なお、このような構成は、図２において図
中上側に配置される映像信号線端子３Ａ側においても同
様となっている。

【００５６】このように構成することによって、新たに
設けた電食防止用電極４Ｃも映像信号端子部３Ｂと同じ
端子であるとして考えた場合、該電食防止用電極４Ｃと
この電食防止用電極４Ｃに隣接する映像信号線端子部３
Ｂとの間に電圧差による微小な漏洩電流が発生すること
になる。

【００５７】しかしこの場合、電池作用によって起りえ
る電食は、電圧の高い電食防止電極４Ｃ側であって、電
圧の低い映像信号線端子部３Ｂ側では全く発生しないこ
とが確認される。

【００５８】このため、信号を供給するための映像信号
線端子部３Ｂには電食が発生しないことから、この電食
が原因となる断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装
置を得ることができるようになる。

【００５９】しかも、電食防止電極４においても、それ
を異種の金属の積層体でなく単層で形成することによっ
て電食が発生し難い構造とすることができる。

【００６０】同様に、走査信号線端子２Ａにおいても、
その断面図を図１０において示すように、透明基板１の
上面には走査信号線２をそのまま延在させた走査信号線
端子２Ａが形成され、さらにこの走査信号線端子２Ａを
被って絶縁膜６が形成されている。

【００６１】そして、この絶縁膜６の上面には保護膜８
が形成されている。

【００６２】この保護膜８には、その下層の絶縁膜６を
も貫いて、走査信号線端子２Ａを被う部分において該走
査信号線端子２Ａの周辺部を除く中央部を露呈させる開
口部が形成されているとともに、隣接する映像信号線端
子３Ｂの間の部分において透明基板１の表面を露呈させ
る開口部が形成されている。

【００６３】そして、上述した開口部のそれぞれには画
素電極４と同時に形成されるＩＴＯ膜が形成され、これ
により、走査信号線端子２Ｂに積層されたＩＴＯ膜は該
走査信号線端子２Ａの腐食を防止する耐腐食電極４Ａと
して機能するとともに、各走査信号線端子２Ａとの間に
配置されるＩＴＯ膜は電食防止用電極４Ｃとして機能す
るようになっている。

【００６４】なお、これら走査信号線端子２Ｂおよび電
食防止用電極４Ｃの平面的パターンは図９に示したとほ
ぼ同様となっており、該電食防止用電極４Ｃを互いに接
続する同材料からなる配線層はシール材の内側に配置さ
れ、図９に示す配線層４Ｐと一体に形成されている。

【００６５】このように構成した場合、新たに設けた電
食防止用電極４Ｃも走査信号端子部２Ａと同じ端子であ
るとして考えた場合、該電食防止用電極４Ｃとこの電食
防止用電極４Ｃに隣接する走査信号線端子部２Ａとの間
に電圧差による微小な漏洩電流が発生することになる。

【００６６】しかしこの場合、電池作用によって起りえ
る電食は、電圧の高い電食防止電極４Ｃ側であって、電
圧の低い走査信号線端子部２Ａ側では全く発生しないこ
とが確認される。

【００６７】このため、信号を供給するための走査信号
線端子部２Ａには電食が発生しないことから、この電食
が原因となる断線も生ぜず、信頼性に優れた液晶表示装
置を得ることができるようになる。

【００６８】しかも、電食防止電極４においても、それ
を異種の金属の積層体でなく単層で形成することによっ
て電食が発生し難い構造とすることができる。

【００６９】次に、このように構成される液晶表示装置
の製造方法の一実施例について図１１ないし図１５を用
いて説明する。

【００７０】なお、各図において、その（ａ）は図１に
対応する図で映像信号線端子３Ｂ側の部分を示し、
（ｂ）は図１０に対応する図で走査信号線端子２Ａ側の
部分を示している。また、（ｃ）は製造プロセスを説明
する図となっている。

【００７１】ステップ１．（図１１） 透明基板１の主表面の全域にたとえばスパッタリング方
法を用いてＣｒとＭｏの合金層を形成する。この合金層
は走査信号線２、この走査信号線２と一体に形成される
薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ｃ、該走査信号
線２と一体に形成される走査信号線端子２Ａ、端子部２
Ｔ、および遮光膜５を形成するための金属層となるもの
である。

【００７２】ステップ２．（図１１） 前記合金層の上面の全域にフォトレジスト膜を塗布す
る。そして、走査信号線２、この走査信号線２と一体に
形成される薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ｃ、
該走査信号線２と一体に形成される走査信号線端子２
Ａ、端子部２Ｔ、および遮光膜５のパターンが形成され
たフォトマスクを介して前記フォトレジスト膜を選択露
光する。

【００７３】その後、前記フォトレジスト膜を現像する
ことによって、前記走査信号線２、この走査信号線２と
一体に形成される薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極
２Ｃ、該走査信号線２と一体に形成される走査信号線端
子２Ａ、端子部２Ｔ、および遮光膜５の形成領域以外の
領域に相当するフォトレジスト膜を除去し、この除去さ
れた部分から前記合金層を露呈させる。

【００７４】ステップ３．（図１１） 残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマス
クから露呈された前記合金層を選択エッチングする。

【００７５】これにより、残存された合金層によって、
走査信号線２、この走査信号線２と一体に形成される薄
膜トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ｃ、該走査信号線
２と一体に形成される走査信号線端子２Ａ、端子部２
Ｔ、および遮光膜５が形成される。

【００７６】ステップ４．（図１２） このように加工された透明基板１の主表面の全域にシリ
コン窒化膜からなる絶縁膜６、ｉ型のアモルファスＳｉ
からなる半導体層７、およびｎ型の不純物がドーピング
されたアモルファスＳｉ半導体層７ＡをたとえばＣＶＤ
方法を用いて順次形成する。

【００７７】この場合、同一のＣＶＤ装置を用いて、連
続的に絶縁膜６、半導体層７、およびｎ型の不純物がド
ーピングされた半導体層７Ａを順次形成することによっ
て、それら工程の簡略化を達成させることができるよう
になる。

【００７８】ステップ５．（図１２） 前記ｎ型の不純物がドーピングされた半導体層７Ａの上
面の全域にフォトレジスト膜を塗布する。そして、薄膜
トランジスタＴＦＴおよび映像信号線３のパターンが形
成されたフォトマスクを介して前記フォトレジスト膜を
選択露光する。

【００７９】その後、前記フォトレジスト膜を現像する
ことによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴおよび映像
信号線３の形成領域以外の領域に相当するフォトレジス
ト膜を除去し、この除去された部分から前記ｎ型の不純
物がドーピングされた半導体層７Ａの上面を露呈させ
る。

【００８０】ステップ６．（図１２） 残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマス
クから露呈された前記ｎ型の不純物がドーピングされた
半導体層７Ａおよびその下層の半導体層７を選択エッチ
ングする。

【００８１】この場合、半導体層７の下層に位置づけら
れる絶縁膜６はエッチングすることなく残存させる。

【００８２】これにより、薄膜トランジスタＴＦＴの形
成領域において、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化膜、
ｉ型のアモルファスＳｉ半導体層、およびコンタクト層
となるｎ型の不純物がドーピングされたアモルファスＳ
ｉ半導体層が順次形成されることになる。

【００８３】また、後に形成される映像信号線３は、そ
の下層においてｎ型の不純物がドーピングされた半導体
層７Ａおよび半導体層７との積層構造として形成される
ようになる。

【００８４】ステップ７．（図１３） さらに、このように加工された透明基板の主表面１の全
域にたとえばスパッタリング方法を用いてＭｏとＣｒと
の合金層を形成する。この合金層は映像信号線３、この
映像信号線３と一体に形成される薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのソース電極３Ｓおよびドレイン電極３Ｄ、該映像信
号線３と一体に形成される映像信号線端子３Ｂ、および
端子部３Ｔを形成するための金属層となるものである。

【００８５】ステップ８．（図１３） 前記合金層の上面の全域にフォトレジスト膜を塗布す
る。そして、映像信号線３、この映像信号線３と一体に
形成される薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極３Ｓお
よびドレイン電極３Ｄ、該映像信号線３と一体に形成さ
れる映像信号線端子３Ｂ、および端子部３Ｔのパターン
が形成されたフォトマスクを介して前記フォトレジスト
膜を選択露光する。

【００８６】その後、前記フォトレジスト膜を現像する
ことによって、前記映像信号線３、この映像信号線３と
一体に形成される薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
３Ｓおよびドレイン電極３Ｄ、該映像信号線３と一体に
形成される映像信号線端子３Ｂ、および端子部３Ｔの形
成領域以外の領域に相当するフォトレジスト膜を除去
し、この除去された部分から前記合金層を露呈させる。

【００８７】ステップ９．（図１３） 残存されたフォトレジスト膜をマスクとして、このマス
クから露呈された前記合金層を選択エッチングする。

【００８８】これにより、残存された合金層によって、
前記映像信号線３、この映像信号線３と一体に形成され
る薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極３Ｓおよびドレ
イン電極３Ｄ、該映像信号線３と一体に形成される映像
信号線端子３Ｂ、および端子部３Ｔが形成される。

【００８９】さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの形
成領域に形成された半導体層７の上層であってｎ型の不
純物がドーピングされた半導体層７Ａを前記ソース電極
３Ｓおよびドレイン電極３Ｄをマスクとして選択エッチ
ングする。これにより、残存された前記ｎ型の不純物が
ドーピング半導体層７Ａは半導体層７に対するソース電
極３Ｓおよびドレイン３Ｄ電極との界面にのみ形成され
コンタクト層７Ａとして機能するようになる。

【００９０】ステップ１０．（図１４） このように加工された透明基板１の主表面の全域にシリ
コン窒化膜からなる保護膜８をたとえばプラズマＣＶＤ
方法により形成する。

【００９１】ステップ１１．（図１４） この保護膜８にコンタクト孔８Ａ（図６参照）を形成す
る。この際に同時に映像信号線端子３Ｂの上面に形成さ
れている保護膜８および走査信号線端子２Ａの上面に形
成されている保護膜３に開口を設ける。

【００９２】これにより、映像信号線端子３Ｂはその周
辺を除く中央部が保護膜８から露呈されるが、走査信号
線端子２Ａはその下層の絶縁膜６の表面の一部が露呈さ
れるだけに止まる。

【００９３】また、この保護膜８に、前記コンタクト孔
８Ａを形成する際に同時に、各映像信号線端子３Ｂの間
の領域および各走査信号線端子２Ａの間の領域に開口を
設ける。この場合においても、その下層の絶縁膜６の表
面の一部が露呈されるだけに止まる。

【００９４】ステップ１２．（図１４） ステップ１１で用いたマスクをそのまま用いて、ドライ
エッチングを行う。これにより、絶縁膜６に穴開けがな
され、走査信号線端子２Ａはその周辺を除く中央部が露
呈されるとともに、この各走査信号線端子２Ａの間の領
域および映像信号線端子３Ｂの間の領域において透明基
板１の表面が露呈されるまで開口が形成されることにな
る。

【００９５】ステップ１３．（図１５） このように加工された透明基板１の表面の全域にＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜を形成する。このＩＴＯ膜の厚
さとしては７０〜３００ｎｍが適当であり、この実施例
では１４０ｎｍとした。このＩＴＯ膜は、画素電極４、
映像信号線端子３Ｂに積層される耐腐食電極４Ｂ、走査
信号線端子２Ａに積層される耐腐食電極４Ａ、各映像信
号線端子３Ｂの間に形成される電食防止用電極４Ｃ、各
走査信号線端子２Ａの間に形成される電食防止用電極４
Ｃを形成するために形成されるようになっている。

【００９６】ステップ１４．（図１５） 前記ＩＴＯ膜の表面の全域にフォトレジスト膜を形成
し、前記画素電極４、映像信号線端子３Ｂに積層される
耐腐食電極４Ｂ、走査信号線端子２Ａに積層される耐腐
食電極４Ａ、各映像信号線端子３Ｂの間に形成される電
食防止用電極４Ｃ、各走査信号線端子２Ａの間に形成さ
れる電食防止用電極４Ｃのパターンを有するフォトマス
クを介して該フォトレジスト膜に選択露光を行う。

【００９７】そして、該フォトレジスト膜を現像するこ
とによって、前記画素電極４、映像信号線端子３Ｂに積
層される耐腐食電極４Ｂ、走査信号線端子２Ａに積層さ
れる耐腐食電極４Ａ、各映像信号線端子３Ｂの間に形成
される電食防止用電極４Ｃ、各走査信号線端子２Ａの間
に形成される電食防止用電極４Ｃの形成領域以外のフォ
トレジスト膜を除去する。

【００９８】ステップ１５．（図１５） 残存されたフォトレジスト膜をマスクとし、このマスク
から露呈された前記ＩＴＯ膜を選択エッチングする。

【００９９】これにより、残存されたＩＴＯ膜によって
画素電極４、映像信号線端子３Ｂに積層される耐腐食電
極４Ｂ、走査信号線端子２Ａに積層される耐腐食電極４
Ａ、各映像信号線端子３Ｂの間に形成される電食防止用
電極４Ｃ、各走査信号線端子２Ａの間に形成される電食
防止用電極４Ｃが形成される。

【０１００】このような製造方法から明らかとなるよう
に、新たに設ける電食防止用電極４Ｃを画素電極４と同
材料とし、かつ、該画素電極４の形成と同時に形成する
ことによって、該電食防止用電極４Ｃを製造工数の増大
をもたらすことなく形成できるという効果を有する。

【０１０１】上述した実施例では、映像信号線２および
走査信号線２の材料として、ＣｒとＭｏとの合金層を用
いたものであるが、Ｃｒのみであってもよいことはもち
ろんである。また、Ｃｒ以外であって、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｗ、Ｍｏ等であってもよいことはいうまでもない。

【０１０２】また、上述した実施例では、映像信号線端
子３Ｂおよび走査信号線端子２Ａのそれぞれにおいて、
電食防止用電極４Ｃを形成したものであるが、走査信号
線端子２Ａ側に設けることなく、映像信号線端子３Ｂ側
にのみ設けるようにしてもよいことはいうまでもない。
映像信号線端子３Ｂは走査信号線端子２Ａと比較すると
長時間にわたって信号が供給されることから、走査信号
線端子２Ａよりも電食が発生しやすい状態にあるからで
ある。

【０１０３】また、上述した実施例では、映像信号線端
子３Ｂあるいは走査信号線端子２Ａの上層に形成する耐
腐食電極はＩＴＯ膜としたものであるが、この材料に限
定されないことはもちろんである。その機能からして耐
腐食性の導電体材料であればよいからである。

【０１０４】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、信号線の外部端子
に電食が原因となって発生する断線を防止できるように
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の要部構成図であ
り、図９のI−I線における断面図を示している。

【図２】本発明による液晶表示装置を構成する一方の透
明基板の一実施例を示す平面図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の各画素の一実施例
を示す等価回路図である。

【図４】本発明による液晶表示装置の各画素の一実施例
を示す平面図である。

【図５】図４のV−V線における断面図である。

【図６】図４のVI−VI線における断面図である。

【図７】本発明による液晶表示装置の一実施例の要部を
示す平面図である。

【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。

【図９】本発明による液晶表示装置の要部平面図であ
る。

【図１０】本発明による液晶表示装置の要部を示す断面
図である。

【図１１】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す図でステップ１からステップ３までを示して
いる。

【図１２】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す図でステップ４からステップ６までを示して
いる。

【図１３】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す図でステップ７からステップ９までを示して
いる。

【図１４】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す図でステップ１０からステップ１２までを示
している。

【図１５】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す図でステップ１３からステップ１５までを示
している。

【符号の説明】

１……透明電極、６……絶縁膜、８……保護膜、２Ａ…
…走査信号線端子、３Ｂ……映像信号線端子、４Ａ……
耐腐食電極、４Ｃ……電食防止用電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−136942（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−15039（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1345

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示部内に形成される信号線のそれぞれ
   に信号を供給するための外部端子が表示部外に並設され
   て形成され、これら各外部端子は異種の金属層の順次積
   層体から構成されている液晶表示装置において、 それぞれの外部端子の間に、該外部端子と電気的に絶縁
   されかつ各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧
   が印加される端子が備えられていることを特徴とする液
   晶表示装置。
2. 【請求項２】 異種の金属層の順次積層体から構成され
   る前記外部端子はＣｒ層あるいはその合金層とＩＴＯ膜
   の順次積層体から構成されていることを特徴とする請求
   項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板の一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在さ
   れｙ方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶
   縁されｙ方向に延在されｘ方向に並設される映像信号線
   とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域
   に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる
   薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタ
   を介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるＩ
   ＴＯ膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であっ
   て、 前記走査信号線がその外部端子とともにＣｒあるいはそ
   の合金で構成され、前記外部端子の部分にて前記画像電
   極の形成と同時に形成されるＩＴＯ膜が積層され、か
   つ、前記外部端子の間に該外部端子と電気的に絶縁され
   かつ前記各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧
   が印加される端子が設けられていることを特徴とする液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板の一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在さ
   れｙ方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶
   縁されｙ方向に延在されｘ方向に並設される映像信号線
   とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域
   に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる
   薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタ
   を介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるＩ
   ＴＯ膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であっ
   て、 前記映像信号線がその外部端子とともにＣｒあるいはそ
   の合金で構成され、前記外部端子の部分にて前記画像電
   極の形成と同時に形成されるＩＴＯ膜が積層され、か
   つ、前記外部端子の間に該外部端子と電気的に絶縁され
   かつ前記各外部端子に供給される信号の電圧以上の電圧
   が印加される端子が設けられていることを特徴とする液
   晶表示装置。
5. 【請求項５】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板の一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在さ
   れｙ方向に並設される走査信号線とこの走査信号線に絶
   縁されｙ方向に延在されｘ方向に並設される映像信号線
   とが形成され、これら各信号線で囲まれる各画素領域
   に、前記走査信号線からの走査信号によってオンされる
   薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタ
   を介して前記映像信号線からの映像信号が供給されるＩ
   ＴＯ膜からなる画素電極とを備える液晶表示装置であっ
   て、 前記走査信号線および映像信号線がその外部端子ととも
   にＣｒあるいはその合金で構成され、前記外部端子の部
   分にて前記画像電極の形成と同時に形成されるＩＴＯ膜
   が積層されているともに、前記外部端子の間に該外部端
   子と電気的に絶縁されかつ前記各外部端子に供給される
   信号の電圧以上の電圧が印加される端子が設けられてい
   ることを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 外部端子に供給される信号の電圧以上の
   電圧が印加される前記端子はＩＴＯ膜によって形成され
   ていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のうち
   いずれか記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 Ｃｒの合金としてＭｏが含有されている
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のうちいずれ
   か記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 外部端子に供給される信号の電圧以上の
   電圧が印加される前記端子のＩＴＯ膜は画素電極の形成
   と同時に形成することを特徴とする請求項６記載の液晶
   表示装置の製造方法。