JP3410754B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3410754B2 JP3410754B2 JP4006193A JP4006193A JP3410754B2 JP 3410754 B2 JP3410754 B2 JP 3410754B2 JP 4006193 A JP4006193 A JP 4006193A JP 4006193 A JP4006193 A JP 4006193A JP 3410754 B2 JP3410754 B2 JP 3410754B2
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- liquid crystal
- insulating film
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜上に画素電極を形成したことを
特徴とする従来例としては、特公平１−３５３５１号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。 【０００３】また一般にドライバーをアクティブマトリ
クス基板に内蔵する場合、特開昭６４−６８７２５号の
ごとくドライバーは基板間の接着部（以下シール部と称
する）よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。 【０００４】対向する基板間距離を制御する方法として
は対角１インチ程度の小型基板であれば接着部のみにス
ペーサーを配置して５〜６μｍ程度の基板間距離を確保
するようになっている。一方対角１インチ以上の中型か
ら大型の基板になると接着部のみで基板間距離を制御す
る事は困難であるため、基板間に液晶を注入する際に同
時にスペーサーを注入する。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】接着部の構造に関し、
前記従来例では画素部に厚い層間絶縁膜を設けた場合、
画素部と接着部で基板間距離が極端に異なる。従って適
正な基板間距離を確保すするためには画素部と接着部の
スペーサー径を変更せねばならぬが、層間絶縁膜の設定
膜厚と実膜厚が異なれば境界近傍では一定の基板間距離
を維持する事が困難であると言う課題を有する。 【０００６】本発明の目的は、画素部に厚い層間絶縁膜
を設けてもセルギャップの均一性確保が可能な液晶表示
装置の構造を提供する事にある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
を接着するシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板の前記シール部の内側には、
画素スイッチング用トランジスタと、前記画素スイッチ
ング用トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素
電極とが設けられた画素部を有し、前記一方の基板のシ
ール部の外側には駆動用トランジスタを有し、前記絶縁
膜は前記一方の基板上の前記シール部に対向する領域に
も配置されてなり、前記画素部と前記シール部における
前記一対の基板間にはスペーサーが配置され、前記画素
部と前記シール部のスペーサーは同一の径を有すること
を特徴とする。 【０００８】 【実施例】本発明により一実施例の液晶表示装置の平面
図を図１に示し、そのＡ−Ａ’間における断面図を図２
に示す。例えばガラス基板のような絶縁性基板１０１上
に真性半導体、導電性半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電
極、ソース電極、第一の層間絶縁膜１１２から画素スイ
ッチング用ＴＦＴ（以下画素ＴＦＴと称す）１０２を形
成し、同時に前記画素ＴＦＴ群の駆動用ＴＦＴ（以下ド
ライバーと称す）１０３を形成する。次に第二の層間絶
縁膜１０４として例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂などの有機樹脂を２μｍ程度の膜厚となるよう
に塗布する。前記有機樹脂を乾燥後、クロム薄膜を１０
００オングストローム程度堆積し、パターニングしてエ
ッチングマスク１０５とする。この後ドライエッチング
法にて第二の層間絶縁膜１０４をパターニングする。こ
のとき第二の層間絶縁膜１０４の被エッチング部分は、
画素ＴＦＴの画素電極接続部と、対向電極とアクティブ
マトリクス基板との導通部、及びシール部１１０よりも
外周でドライバー１０３を含む部分とする。エッチング
終了後エッチングマスク１０５を剥離し、画素電極１０
６をＩＴＯで形成する。次にシール部１１０で接着する
がその際スペーサーを混入した接着剤で接着する。最後
にスペーサーを混入した液晶を封入する。 【０００９】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。 【００１０】エッチングマスクが絶縁体であるならばエ
ッチングマスクの除去は必ずしも必要ではなく、エッチ
ングマスクを介して層間絶縁膜の上層に画素電極を形成
する事も可能である。この場合エッチングマスク剥離工
程の削除を伴うので、層間絶縁膜へのダメージを更に低
減できる。またエッチングマスクのパターニング後、フ
ォトレジストの剥離を行うと第二層間絶縁膜１０４のエ
ッチング時に、エッチングマスクがエッチングガスに曝
されてダメージを受け易くなるため、前記フォトレジス
トは剥離しないまま層間絶縁膜のエッチングを行うのが
望ましい。 【００１１】以上が本発明の一実施例であるが、シール
部１１０にも層間絶縁膜１０４が形成されているため画
素部１１１とシール部１１０の段差は殆ど無い。従って
シール部のスペーサーと画素部のスペーサーの径を変更
する必要がなく、セルギャップの均一性制御が容易にな
る。 【００１２】 【発明の効果】本発明を用いるとシール部にも画素部と
同一膜厚の層間絶縁膜が存在するため画素部とシール部
の段差は殆どなく、従って画素部とシール部のスペーサ
ー径が同一となるためセルギャップの均一性が向上す
る。
特徴とする従来例としては、特公平１−３５３５１号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。 【０００３】また一般にドライバーをアクティブマトリ
クス基板に内蔵する場合、特開昭６４−６８７２５号の
ごとくドライバーは基板間の接着部（以下シール部と称
する）よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。 【０００４】対向する基板間距離を制御する方法として
は対角１インチ程度の小型基板であれば接着部のみにス
ペーサーを配置して５〜６μｍ程度の基板間距離を確保
するようになっている。一方対角１インチ以上の中型か
ら大型の基板になると接着部のみで基板間距離を制御す
る事は困難であるため、基板間に液晶を注入する際に同
時にスペーサーを注入する。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】接着部の構造に関し、
前記従来例では画素部に厚い層間絶縁膜を設けた場合、
画素部と接着部で基板間距離が極端に異なる。従って適
正な基板間距離を確保すするためには画素部と接着部の
スペーサー径を変更せねばならぬが、層間絶縁膜の設定
膜厚と実膜厚が異なれば境界近傍では一定の基板間距離
を維持する事が困難であると言う課題を有する。 【０００６】本発明の目的は、画素部に厚い層間絶縁膜
を設けてもセルギャップの均一性確保が可能な液晶表示
装置の構造を提供する事にある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
を接着するシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板の前記シール部の内側には、
画素スイッチング用トランジスタと、前記画素スイッチ
ング用トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素
電極とが設けられた画素部を有し、前記一方の基板のシ
ール部の外側には駆動用トランジスタを有し、前記絶縁
膜は前記一方の基板上の前記シール部に対向する領域に
も配置されてなり、前記画素部と前記シール部における
前記一対の基板間にはスペーサーが配置され、前記画素
部と前記シール部のスペーサーは同一の径を有すること
を特徴とする。 【０００８】 【実施例】本発明により一実施例の液晶表示装置の平面
図を図１に示し、そのＡ−Ａ’間における断面図を図２
に示す。例えばガラス基板のような絶縁性基板１０１上
に真性半導体、導電性半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電
極、ソース電極、第一の層間絶縁膜１１２から画素スイ
ッチング用ＴＦＴ（以下画素ＴＦＴと称す）１０２を形
成し、同時に前記画素ＴＦＴ群の駆動用ＴＦＴ（以下ド
ライバーと称す）１０３を形成する。次に第二の層間絶
縁膜１０４として例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂などの有機樹脂を２μｍ程度の膜厚となるよう
に塗布する。前記有機樹脂を乾燥後、クロム薄膜を１０
００オングストローム程度堆積し、パターニングしてエ
ッチングマスク１０５とする。この後ドライエッチング
法にて第二の層間絶縁膜１０４をパターニングする。こ
のとき第二の層間絶縁膜１０４の被エッチング部分は、
画素ＴＦＴの画素電極接続部と、対向電極とアクティブ
マトリクス基板との導通部、及びシール部１１０よりも
外周でドライバー１０３を含む部分とする。エッチング
終了後エッチングマスク１０５を剥離し、画素電極１０
６をＩＴＯで形成する。次にシール部１１０で接着する
がその際スペーサーを混入した接着剤で接着する。最後
にスペーサーを混入した液晶を封入する。 【０００９】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。 【００１０】エッチングマスクが絶縁体であるならばエ
ッチングマスクの除去は必ずしも必要ではなく、エッチ
ングマスクを介して層間絶縁膜の上層に画素電極を形成
する事も可能である。この場合エッチングマスク剥離工
程の削除を伴うので、層間絶縁膜へのダメージを更に低
減できる。またエッチングマスクのパターニング後、フ
ォトレジストの剥離を行うと第二層間絶縁膜１０４のエ
ッチング時に、エッチングマスクがエッチングガスに曝
されてダメージを受け易くなるため、前記フォトレジス
トは剥離しないまま層間絶縁膜のエッチングを行うのが
望ましい。 【００１１】以上が本発明の一実施例であるが、シール
部１１０にも層間絶縁膜１０４が形成されているため画
素部１１１とシール部１１０の段差は殆ど無い。従って
シール部のスペーサーと画素部のスペーサーの径を変更
する必要がなく、セルギャップの均一性制御が容易にな
る。 【００１２】 【発明の効果】本発明を用いるとシール部にも画素部と
同一膜厚の層間絶縁膜が存在するため画素部とシール部
の段差は殆どなく、従って画素部とシール部のスペーサ
ー径が同一となるためセルギャップの均一性が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例記載の液晶表示装置の平面図。
【図２】 実施例記載の液晶表示装置のＡ−Ａ’間に於
ける断面図。 【図３】 実施例の工程を表す断面図。 【図４】 従来例の液晶表示装置の断面図。 【符号の説明】 １０１ ガラス基板 １０２ 画素ＴＦＴ １０３ ドライバー １０４ 第二層間絶縁膜 １０５ エッチングマスク １０６ 画素電極 １０７ 対向基板 １０８ 接着剤 １０９ 対向電極 １１０ シール部 １１１ 画素部 １１２ 第一層間絶縁膜
ける断面図。 【図３】 実施例の工程を表す断面図。 【図４】 従来例の液晶表示装置の断面図。 【符号の説明】 １０１ ガラス基板 １０２ 画素ＴＦＴ １０３ ドライバー １０４ 第二層間絶縁膜 １０５ エッチングマスク １０６ 画素電極 １０７ 対向基板 １０８ 接着剤 １０９ 対向電極 １１０ シール部 １１１ 画素部 １１２ 第一層間絶縁膜
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 一対の基板間を接着するシール部の内
側に液晶が挟持されてなり、 前記一対の基板の一方の基板の前記シール部の内側に
は、画素スイッチング用トランジスタと、前記画素スイ
ッチング用トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された
画素電極とが設けられた画素部を有し、 前記一方の基板のシール部の外側には駆動用トランジス
タを有し、 前記絶縁膜は前記一方の基板上の前記シール部に対向す
る領域にも配置されてなり、 前記画素部と前記シール部における前記一対の基板間に
はスペーサーが配置され、前記画素部と前記シール部の
スペーサーは同一の径を有する ことを特徴とする液晶装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006193A JP3410754B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006193A JP3410754B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250222A JPH06250222A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3410754B2 true JP3410754B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=12570412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006193A Expired - Lifetime JP3410754B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3410754B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7612856B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-03 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Display device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3541014B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2004-07-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2001290172A (ja) * | 1995-08-11 | 2001-10-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP3541026B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2004-07-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板 |
| JPH09281508A (ja) | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
| JP3742485B2 (ja) | 1997-04-24 | 2006-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶パネル |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP4006193A patent/JP3410754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7612856B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-03 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06250222A (ja) | 1994-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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