JPH02208636A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH02208636A JPH02208636A JP1030743A JP3074389A JPH02208636A JP H02208636 A JPH02208636 A JP H02208636A JP 1030743 A JP1030743 A JP 1030743A JP 3074389 A JP3074389 A JP 3074389A JP H02208636 A JPH02208636 A JP H02208636A
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- JP
- Japan
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- electrode
- picture element
- drain electrode
- entire surface
- pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ ）基板のドレイン電極及び
絵素電極に関するもので特にカラー液晶表示装置に使用
されるものである。
絵素電極に関するもので特にカラー液晶表示装置に使用
されるものである。
〈従来の技術〉
従来のＴＰＴの構造を、第２図（ａ）〜（ｃ）を参照し
ながら工程の順を追って説明する。
ながら工程の順を追って説明する。
先ず、ガラス基板（図示せず）上にゲート電極ｌを形成
し陽極酸化を行なう（第２図（ａ））。次に全面にＳ
ｉＮｘ＋ ａ−８Ｌ ｎ＋−ａ −８Ｌ Ｍｏを連続的
に積層し、リソグラフィーを行なってパターン２を形成
する（第２図う））。次いで絵素電極５及びソース、ド
レイン電極３となるＩＴＯを全面にスパッタ蒸着し、リ
ソグラフィーによってＩＴＯをパターン化する。その後
連続してチャネル部４のＭｏ及びｎ＋−ａ−８ｉ をエ
ツチングする（第２図（Ｃ））。
し陽極酸化を行なう（第２図（ａ））。次に全面にＳ
ｉＮｘ＋ ａ−８Ｌ ｎ＋−ａ −８Ｌ Ｍｏを連続的
に積層し、リソグラフィーを行なってパターン２を形成
する（第２図う））。次いで絵素電極５及びソース、ド
レイン電極３となるＩＴＯを全面にスパッタ蒸着し、リ
ソグラフィーによってＩＴＯをパターン化する。その後
連続してチャネル部４のＭｏ及びｎ＋−ａ−８ｉ をエ
ツチングする（第２図（Ｃ））。
〈発明が解決しようとする課題〉
前述の絵素電極とソース、ドレイン電極の構造では絵素
電極とソース、ドレイン電極が同一面上に形成されるた
め、絵素電極とソース電極の間隔を広くしなければ、エ
ツチング不良やレジスト不良のためにリークの確立が増
加する。そのために間隔を広く開けた場合、絵素面積が
小さくなり開口率の低下をもたらす。又、ソース線巾を
小さくして絵素面積を広げた場合は開口率は大きくなる
がソース断熱の確立が増加する。
電極とソース、ドレイン電極が同一面上に形成されるた
め、絵素電極とソース電極の間隔を広くしなければ、エ
ツチング不良やレジスト不良のためにリークの確立が増
加する。そのために間隔を広く開けた場合、絵素面積が
小さくなり開口率の低下をもたらす。又、ソース線巾を
小さくして絵素面積を広げた場合は開口率は大きくなる
がソース断熱の確立が増加する。
すなわち、絵素電極とソース電極が同一面上にあるため
に、ソース線巾、ソース絵素間隔、絵素面積の相互間で
悪影響を及ぼし開口率の悪い液晶表示素子となる。
に、ソース線巾、ソース絵素間隔、絵素面積の相互間で
悪影響を及ぼし開口率の悪い液晶表示素子となる。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は上述する課題を解決するためになされたもので
、カラー液晶表示装置の駆動に用いられるＴＦＴアレイ
の絵素電極の構造において、絵素電極が保護膜上に形成
され、かつ、ＴＰＴのドレイン電極上に形成された保護
膜のスルホールを介して絵素電極とドレイン電極が電気
的にコンタクトされている液晶表示素子を提供するもの
である。
、カラー液晶表示装置の駆動に用いられるＴＦＴアレイ
の絵素電極の構造において、絵素電極が保護膜上に形成
され、かつ、ＴＰＴのドレイン電極上に形成された保護
膜のスルホールを介して絵素電極とドレイン電極が電気
的にコンタクトされている液晶表示素子を提供するもの
である。
〈発明の作用〉
ソース、ドレイン電極と絵素電極を別層に形成すること
によってソース電極と絵素電極間隔を０にしてもソース
電極と絵素電極間のリークは発生せず、又絵素面積がソ
ース電極の近傍まで拡張できるため開口率の向上につな
がる。又、ドレイン電極と絵素電極のコンタクトにおい
ては、ソースドレイン電極と絵素電極が同一面上の場合
、ドレイン電極の段差部で、絵素電極のバターニング時
に絵素電極のエツチング液が浸透し、ドレイン電極の段
差部で絵素電極の断線が起りドレイン電極と絵素電極の
コンタクトができない事も起っていたが、ドレイン電極
上のＳｉＮｘ膜にスルホ−〜をあけて絵素電極とコンタ
クトさせる構造にした場合、ドレイン電極のエツジで段
差部が平担化され段切れによる絵素欠陥が起りにくくな
る。
によってソース電極と絵素電極間隔を０にしてもソース
電極と絵素電極間のリークは発生せず、又絵素面積がソ
ース電極の近傍まで拡張できるため開口率の向上につな
がる。又、ドレイン電極と絵素電極のコンタクトにおい
ては、ソースドレイン電極と絵素電極が同一面上の場合
、ドレイン電極の段差部で、絵素電極のバターニング時
に絵素電極のエツチング液が浸透し、ドレイン電極の段
差部で絵素電極の断線が起りドレイン電極と絵素電極の
コンタクトができない事も起っていたが、ドレイン電極
上のＳｉＮｘ膜にスルホ−〜をあけて絵素電極とコンタ
クトさせる構造にした場合、ドレイン電極のエツジで段
差部が平担化され段切れによる絵素欠陥が起りにくくな
る。
〈発明の実施例〉
本発明の実施例を図を追って説明していく。
まず、第１図−の如く、ガラス基板上にＴａを４００Ｏ
Ａスパッタ蒸着し、リソグラフィーを行なってゲート電
ｇｉＡ１を形成し、該電極１の表面を陽極酸化して第１
層目のゲート絶縁膜を形成する。
Ａスパッタ蒸着し、リソグラフィーを行なってゲート電
ｇｉＡ１を形成し、該電極１の表面を陽極酸化して第１
層目のゲート絶縁膜を形成する。
次に全面に第２層のゲート絶縁膜となるＳｉＮｘを４０
０ＯＡ、半導体層となるａ−８ｔを１００ＯＡ＋ オーミックコンタクトをとるためのｎ−ａ−８ｔを４５
ＯＡ、 ソース、ドレイン電極となるＭｏ を８００
ＯＡを連続的に積層し、第１図（ｂ）の如く、リソグラ
フィーを行なってパターン２を形成する。
０ＯＡ、半導体層となるａ−８ｔを１００ＯＡ＋ オーミックコンタクトをとるためのｎ−ａ−８ｔを４５
ＯＡ、 ソース、ドレイン電極となるＭｏ を８００
ＯＡを連続的に積層し、第１図（ｂ）の如く、リソグラ
フィーを行なってパターン２を形成する。
次いでリソグラフィーを行なってパターン２のＭ。
及びｎ’−ａ−８ｔを選択的にエツチング除去しチャネ
ル部４を形成した後、全面に保護膜となるＳ ｉＮｘ
（図示せず）を４００ＯＡの膜厚になるようプラズマＣ
ＶＤで形成する。次に、第１図（ｃ）の様にパターン２
のドレイン電極上のＳｉＮｘ膜にスルホ−ＩＶＹを形成
する。最後に絵素電極となるＩＴＯを全面にスパッタ蒸
着し、リソグラフィーによってパターニングし、第１図
１ｄ）の如く、絵素電極５がスルホール部でコンタクト
するように形成する。
ル部４を形成した後、全面に保護膜となるＳ ｉＮｘ
（図示せず）を４００ＯＡの膜厚になるようプラズマＣ
ＶＤで形成する。次に、第１図（ｃ）の様にパターン２
のドレイン電極上のＳｉＮｘ膜にスルホ−ＩＶＹを形成
する。最後に絵素電極となるＩＴＯを全面にスパッタ蒸
着し、リソグラフィーによってパターニングし、第１図
１ｄ）の如く、絵素電極５がスルホール部でコンタクト
するように形成する。
〈発明の効果〉
ソース電極と絵素電極を保護絶縁膜を介して別層に形成
することによってソース−絵素リークの確立は少なくな
シ、又、ソース−絵素間隔を小さくできるため表示装置
としての絵素の開口率が大きくなり、表示品位が向上す
る。
することによってソース−絵素リークの確立は少なくな
シ、又、ソース−絵素間隔を小さくできるため表示装置
としての絵素の開口率が大きくなり、表示品位が向上す
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を形成するた
めの工程を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来例を示
す図である。 １、・・・Ｔａ （ゲート電極ン ＋ ２、− Ｓ ｔＮｘ／ａ−８ｉ／ｎ −ａ −８ｉ／Ｍ
。 ＋ ３− Ｓ ｉＮｘ／ａ −８ｉ／ｎ −ａ −８ｉ／Ｍ
ｏ／Ｉ ＴＯ４、−８ｉＮｘ／ａ−８ｔ （チャネル
部）５、・・・ＩＴＯ（絵素電極） ＋ ６、−８ｉＮｘ／ａ−８ｉ／ｎ −ａ−３ｉ／Ｍｏ／
ＩＴＯ（ドレイン電極） ７、・・・ＳｉＮｘ のスルホ−μ 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１ 図 ＊１ｔＫｓｒｔ−ｒａｔ Ｃ１ｊ −一一一一一一ニ− 第２図 琥釆４１ＦＴ構正
めの工程を示す図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来例を示
す図である。 １、・・・Ｔａ （ゲート電極ン ＋ ２、− Ｓ ｔＮｘ／ａ−８ｉ／ｎ −ａ −８ｉ／Ｍ
。 ＋ ３− Ｓ ｉＮｘ／ａ −８ｉ／ｎ −ａ −８ｉ／Ｍ
ｏ／Ｉ ＴＯ４、−８ｉＮｘ／ａ−８ｔ （チャネル
部）５、・・・ＩＴＯ（絵素電極） ＋ ６、−８ｉＮｘ／ａ−８ｉ／ｎ −ａ−３ｉ／Ｍｏ／
ＩＴＯ（ドレイン電極） ７、・・・ＳｉＮｘ のスルホ−μ 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１ 図 ＊１ｔＫｓｒｔ−ｒａｔ Ｃ１ｊ −一一一一一一ニ− 第２図 琥釆４１ＦＴ構正
Claims (1)
- １、カラー液晶表示装置の駆動に用いられる薄膜トラン
ジスタアレイの絵素電極の構造において、絵素電極が保
護膜上に形成され、かつ、薄膜トランジスタ部のドレイ
ン電極上に形成された保護膜のスルホールを介して絵素
電極とドレイン電極が電気的にコンタクトされているこ
とを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030743A JPH02208636A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030743A JPH02208636A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208636A true JPH02208636A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12312160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030743A Pending JPH02208636A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02208636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5995174A (en) * | 1996-06-27 | 1999-11-30 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus with source/drain electrodes and pixel electrode formed by the same material |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1030743A patent/JPH02208636A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5995174A (en) * | 1996-06-27 | 1999-11-30 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus with source/drain electrodes and pixel electrode formed by the same material |
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