KR100190035B1 - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents
액정표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (6)
- 제 1방향으로 신장하는 게이트 라인과 제 2방향으로 불연속적으로 신장하는 제 1데이터 라인을 동일 평면에 동시에 형성하는 단계, 결과물 전면에 게이트절연층, 반도체층 및 오믹층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 게이트절연층, 반도체층 및 오믹청의 일부를 제거하여 상기 박막트랜지스터의 채널부분과 상기 제 1데이터라인의 불연속영역을 덮으며 상기 게이트 라인 및 제 1데이터 라인과 중첩되는 부분을 남기는 단계, 및 상기 채널부분의 잔여 반도체층의 일단과 상기 중첩부분의 잔여 반도체층을 연결하는 제 2데이터 라인과 채널부분의 잔여 반도체층의 타단에 연결된 화소전극을 동시에 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 애정표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2데이터 라인 및 화소전극의 형상 단계 후 결과물 전면에 보호막을 형성하여 패턴화하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1데이터 라인과 게이트 라인은 동일 물질로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2데이터 라인과 화소전극은 동일물질로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제 1데이터 라인은 Cu, Al, AlZr, Mo, MoW, α-Ta, Cr, MoTa, ITO 및 SnO2 중의 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제 2데이터 라인은 ITO 또는 SnO2로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| US7582903B2 (en) | 2002-11-14 | 2009-09-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
| KR100942833B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2010-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 구동장치 |
| KR101044487B1 (ko) * | 2004-08-09 | 2011-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20150030033A (ko) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법, 및 이를 포함하는 표시장치 |
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1996
- 1996-04-29 KR KR1019960013469A patent/KR100190035B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR102075530B1 (ko) | 2013-09-11 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법, 및 이를 포함하는 표시장치 |
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