전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판은, 화상을 표시하는 표시영역 및 상기 표시영역 외측으로 게이트 링크부를 포함하는 기판의 일면에 서로 교차하여 상기 표시영역에 형성된 다수의 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 표시영역에 상기 다수의 각 게이트 및 데이터 배선이 교차하는 지점에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결되며 액티브층과 오믹콘택층으로 구성된 반도체층을 포함하여 형성된 박막트랜지스터와; 상기 게이트 링크부에 상기 다수의 게이트 배선의 끝단과 각각 연결되며 형성된 다수의 게이트 링크 배선과; 상기 다수의 게이트 배선과 데이터 배선의 사이로 전면에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 링크부에 상기 다수의 게이트 링크배선과 교차하는 형태로 중첩하며 상기 액티브층을 이루는 동일한 반도체물질로 형성된 다수의 더미패턴과; 상기 더미패턴 상부로 전면에 형성되며 상기 각 더미패턴을 노출시키는 다수의 홀을 구비한 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극을 포함한다.
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이때, 상기 반도체물질은 순수 비정질 실리콘인 것이 특징이며, 상기 보호층은 유기절연물질로써 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트 링크부에 형성된 다수의 홀은 그 크기가 상기 더미패턴의 면적보다 작으며, 상기 더미패턴에 대응하여 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 게이트 링크부에는 상기 다수의 홀이 형성된 보호층 위로 씰패턴이 형성된다.
또한, 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 상기 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘의 액티브층과, 상기 액티브층 위로 불순물 비정질 실리콘의 서로 이격하는 오믹콘택층과, 상기 각 오믹콘택층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 이때, 상기 보호층은 상기 다수의 홀 이외에 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 구비하는 것이 특징이다.
또한, 상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 다수의 화소영역으로 이루어져 화상을 표시하는 표시영역 및 상기 표시영역 외측으로 게이트 링크부를 포함하는 기판의 일면에 일방향으로 다수의 게이트 배선과, 상기 게이트 링크부에 상기 다수의 각 게이트 배선의 일끝단과 연결된 다수의 게이트 링크 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선 및 게이트 링크 배선 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘층과, 불순물 비정질 실리콘층과, 금속물질층을 순차 형성하고, 이를 패터닝하여, 상기 다수의 각 게이트 배선과 교차하는 다수의 데이터 배선을 형성하고, 동시에 상기 게이트 링크부에 있어서는 상기 다수의 게이트 링크 배선과 교차하도록 중첩하는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 다수의 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과 더미패턴 위로 전면에 상기 각 더미패턴에 대응하여 상기 더미패턴을 노출시키는 다수의 홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 게이트 배선을 형성하는 단계는 상기 게이트 배선에서 각 화소영역으로 분기하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 데이터 배선 및 더미패턴을 형성하는 단계는 상기 각 화소영역에 상기 데이터 배선에서 분기한 소스 전극과, 상기 소스 전극에서 이격하는 드레인 전극과, 상기 이격한 소스 및 드레인 전극 사이에 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소스 및 드레인 전극과 반도체층을 포함하여 데이터 배선 및 더미패턴을 형성하는 단계는 상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘과, 불순물 비정질 실리콘과 금속물질을 연속하여 순차 증착하여 순수 비정질 실리콘층과, 불순물 비정질 실리콘층과, 금속물질층을 형성하는 단계와; 상기 금속물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층 위로 상기 데이터 배선과, 소스 및 드레인 전극을 형성할 영역에는 각각 투과영역이, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 이격영역과, 더미패턴을 형성할 영역에는 반투과영역이, 그 외의 영역에는 차단영역이 대응하도록 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통한 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 데이터 배선과, 소스 및 드레인 전극이 형성될 영역에 대응해서는 두꺼운 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 마스크의 반투과영역에 대응한 소스 및 드레인 전극 사이의 이격영역과, 더미패턴이 형성될 영역에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 그 외의 영역에 있어서는 상기 금속물질층을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 금속물질층과, 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층 및 순수 비정질 실리콘층을 순차적으로 식각하여 하부의 게이트 절연막을 노출시킴으로써 3중층 구조의 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 상태의 소스 드레인 패턴과, 다수의 3중층 구조의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과, 소스 드레인 패턴과, 다수의 3중충 구조의 패턴이 형성된 기판 상에 드라이 에칭을 실시함으로써 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와; 상기 제 2 포토레지스트 패턴이 제거됨으로써 노출된 금속물질층과, 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층을 순차 식각함으로써 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 이격한 소스 및 드레인 전극 하부로 서로 이격하는 오믹콘택층과, 상기 서로 이격하는 오믹콘택층 사이로 노출되는 순수 비정질 실리콘의 반도체층과, 게이트 링크부에 있어 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 다수의 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과, 다수의 더미패턴이 형성된 기판상의 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 보호층 위로 각 화소영역별로 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 또한, 상기 게이트 링크부의 다수의 홀을 포함하는 보호층 위로 씰패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 보호층은 유기절연물질로써 형성되며, 상기 더미패턴은 단일층으로 형성되는 것이 특징이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도 일부를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판(110)은 중앙에 화상을 표시하는 화상 표시영역(AA)이 위치하고 있으며, 상기 표시영역(AA)에는 박막트랜지스터(Tr) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)와 연결된 화소전극(145)을 갖는 다수의 화소영역(P)이 형성되어 있으며, 상기 화상 표시영역(AA)의 외각에 위치한 비표시영역(NA) 더욱 정확히는 게이트 패드부(GPA) 및 데이터 패드부(미도시)에는 외부 구동회로와 연결되는 다수 개의 게이트 패드(147) 및 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있다.
또한, 상기 화상 표시영역(AA)과 게이트 패드부(GPA) 및 데이터 패드부(미도시) 사이에 위치하는 게이트 및 데이터 링크부(GLA, 미도시)에 있어서는, 상기 각각의 게이트 패드(147) 및 데이터 패드(미도시)와 연결되며 화상 표시영역(AA)에 형성된 가로방향의 게이트 배선(112)과, 세로방향의 데이터 배선(125)과 각각 연결하는 게이트 및 데이터 링크배선(116, 미도시)이 형성되어 있다. 이때, 특히 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 다수의 게이트 링크 배선(116)과 중첩하며 반도체 물질 더욱 정확히는 순수 비정질 실리콘만으로 단일층으로 이루어진 에치 스토퍼(etch stopper) 역할을 하는 다수의 더미패턴(121)이 형성되어 있다. 이러한 단일층 구조의 더미패턴(121)의 형성 방법에 대해서는 추후에 설명한다. 순수 비정질 실리콘은 금속물질 대비 거의 전기를 통하지 않아 절연물질에 가까우므로 상기 게이트 링크 배선(116)을 이루는 금속물질이 절연막내의 크렉(crack)을 통한 확산(migration) 또는 힐락(hillock)현상에 의해 상기 더미패턴(21)과 접촉한다 하여도 전기가 거의 통하지 않으므로 쇼트(short) 등의 문제는 발생하지 않게 되는 것이다.
또한, 상기 더미패턴(121) 상부로는 상기 더미패턴(121)의 면적보다 작은 크기를 갖는 다수의 홈(144)을 갖는 보호층(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(미도시) 위로 컬러필터 기판(미도시)과의 합착을 위한 씰패턴(150)이 형성되어 있다. 이때, 상기 씰패턴(150)은 컬러필터 기판(미도시)에 형성될 수도 있으며, 이 경우도 합착시에는 도면에 표시한 바와 같이 어레이 기판(110)과 접촉하게 됨으로 상기 어레이 기판(110)에 형성한 것처럼 도면에 나타낸 것이다.
다음, 도 4와, 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 어레이 기판의 단면구조에 대해 좀 더 상세히 설명한다.
도 4와 도 5는 각각 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ, Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도이며, 이때, 도 4는 화상 표시영역 내의 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역을 절단한 단면도이며, 도 5는 더미패턴을 포함하는 게이트 링크부 일부를 절단한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 화소영역내의 박막트랜지스터가 형성된 영역을 스위칭 영역이라 칭한다.
도시한 바와 같이, 기판(110) 상에 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에는 제 1 금속물질로써 게이트 전극(115)이 형성되어 있으며, 일방향으로 연장하며 상기 게이트 전극(115)과 전기적으로 연결되며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다.
또한, 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 게이트 배선(미도시)과 일끝단이 연결되며 상기 게이트 배선(미도시)을 형성한 동일한 물질로써 게이트 링크 배선(116)이 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(115)과 게이트 링크 배선(116) 위로 전면에 무기절연물질로써 게이트 절연막(117)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(117) 위로 스위칭 영역(TrA)에 있어서는 순수 비정질 실리콘의 반도체층(120a)과, 상기 반도체층층(120a) 위로 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)이 상기 게이트 전극(115) 상에서 서로 이격하며 형성되어 있으며, 상기 각 오믹콘택층(120b) 위로 금속물질 예를들면 몰리브덴(Mo)으로써 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(128, 130)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(128, 130) 사이로 반도체층(120a)이 노출되며 형성되고 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(117) 위로는 하부의 게이트 배선(미도시)과 교차하며 데이터 배선(125)이 형성되어 있다. 이때, 상기 데이터 배선(125)은 본 발명의 제조 특성상 그 하부에 스위칭 영역(TrA)의 액티브층(120)을 이루는 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘으로서 순수 비정질 실리콘 패턴(125a)과 불순물 비정질 실리콘 패턴(125b)의 이중층 구조의 반도체 패턴(125a, 125b)이 상기 더욱 구비되고 있으며, 상기 소스 및 드레인 전극(128, 130)을 형성한 동일한 금속물질로써 형성된 금속물질패턴(125c)과 더불어 3중층 구조로써 형성되어 있음을 알 수 있다.
또한, 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 게이트 절연막(117) 위로 순수 비정질 실리콘으로써 단일층 구조로 이루어지며, 소정 면적을 갖는 다수의 더미패턴(121)이 형성되어 있다.
다음, 상기 소스 및 드레인 전극(128, 130)과 게이트 링크 배선(116) 위로 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 보호층(140)이 전면에 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 각 화소영역(P)에 있어서는 상기 드레인 전극(130) 또는 상기 드레인 전극(130) 하부의 오믹콘택층(120b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 가지며, 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 각 더미패턴(121)에 대응하여 상기 더미패턴(121)의 면적보다 작은 크기를 갖는 다수의 홈(144)이 형성되고 있으며, 상기 각 홈(144)에 대응하여 상기 더미패턴(121)이 노출되고 있다.
다음, 상기 유기절연물질의 보호층(140) 위로는 투명 도전성 물질로써 각 화소영역(P)별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(130)의 상면 또는 측면과 접촉하는 화소전극(145)이 형성되고 있다. 도면에 있어서는 상기 화소전극(145)이 드레인 전극(130)의 상면과 접촉하고 있는 것을 도시하였지만, 상기 보호층에 대해 과도 식각(over etch)이 진행될 경우, 상기 드레인 콘택홀(143)에 대응되는 부분의 드레인 전극(130)이 제거되어 하부의 오믹콘택층(120b)을 노출시킬 수 있으며, 이 경우 상기 화소전극(145)은 상기 드레인 전극(130)의 측면과, 노출된 오믹콘택층(120b)와 동시에 접촉하며 형성될 수도 있다.
전술한 바와 같은 구조를 갖는 어레이 기판(110)은 게이트 링크부(GLA)에 있어, 컬러필터 기판(미도시)과의 합착 시, 압력에 의해 게이트 절연막(117) 내에 크렉(crack)이 발생하고 상기 크렉(crack)을 통해 상기 게이트 링크 배선(116)을 형성하는 금속물질이 확산(migration)되거나 또는 힐락(hillock)이 발생한다 하더라도 도전성을 갖는 물질 즉 금속물질로 이루어진 부분이 상기 더미패턴에는 존재하지 않음으로 인접한 게이트 링크 배선(116)간 쇼트(short)가 발생하지 않는 구조가 됨을 알 수 있다.
이후에는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 6a 내지 도 6g는 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계에 따른 공정 단면도이며, 도 7a 내지 도 7g는 도 3을 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계에 따른 공정 단면도이다.
우선, 도 6a와 도 7a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(110) 상에 제 1 금속물질을 증착하여 금속층(미도시)을 형성한 후, 그 위로 감광 특성을 갖는 포토레지스트를 전면에 도포하고, 상기 포토레지스트를 마스크를 이용하여 노광을 실시하고, 이를 현상한 후, 상기 현상된 포토레지스트 외부로 노출된 금속층(미도시)을 식각하고, 상기 포토레지스트를 스트립(strip)하는 일련의 단계를 포함하는 마스크 공정을 진행하여 상기 금속층(미도시)을 패터닝함으로써 일방향으로 연장하는 다수의 게이트 배선(미도시)을 형성하고, 동시에 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에는 상기 게이트 배선에서 분기한 게이트 전극(115)을 형성하고, 더불어 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 각 게이트 배선(미도시)의 일끝단과 연결되는 다수의 게이트 링크 배선(116)을 형성한다 (제 1 마스크 공정).
다음, 도 6b와 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(115)과 게이트 링크 배선(116) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 전면에 증착하여 게이트 절연막(117)을 형성하고, 연속하여 상기 게이트 절연막(117) 위로 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘 및 제 2 금속물질을 연속 증착하여 순수 비정질 실리콘층(118)과, 불순물 비정질 실리콘층(119)과 금속물질층(122)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 금속물질은 몰리브덴(Mo)인 것이 바람직하다.
다음, 도 6c와 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 금속물질층(122) 위로 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(180)을 형성하고, 빛을 100% 투과시키는 투과영역(TA)과, 빛을 100% 차단하는 차단영역(BA) 및 빛의 투과량을 0% 내지 100% 사이에서 조절할 수 있는 반투과영역(HTA)을 포함하는 마스크(191)를 상기 포토레지스트층(180) 위로 위치시킨 후, 상기 마스크(191)를 통한 노광을 실시한다.
이때, 상기 포토레지스트층(180)을 형성한 포토레지스트가 빛을 받으면, 현상 시 남게되는 네가티브 타입(negative type)인 경우, 상기 어레이 기판(110) 상의 데이터 배선(미도시)과, 상기 스위칭 영역(TrA) 중 소스 및 드레인 전극(미도시)이 형성되어야 할 부분에 대응해서는 마스크(191)의 투과영역(TA)이, 상기 스위칭 영역(TrA)의 상기 게이트 전극(115)과 중첩하며, 상기 소스 및 드레인 전극(미도시) 사이로 노출되는 영역(이를 채널영역(ch)이라 함) 및 상기 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 소정면적을 갖는 더미패턴이 형성되는 영역에 대응해서 상기 마스크(191)의 반투과영역(HTA)이, 그 외의 영역에 대해서는 상기 마스크(191)의 차단영역(BA)이 대응되도록 상기 마스크(191)를 위치시킨 후, 노광을 실시한다. 이때, 상기 포토레지스트가 포지티브 타입(positive tape)인 경우, 상기 마스크(191) 상의 투과영역(TA)과 차단영역(BA)의 상기 어레이 기판(110)에 대응되는 위치를 바꾸어 대응되도록 한 후, 노광을 실시하면 상기 네가티브 타입(negative type)의 포토레지스트를 이용한 것과 동일한 결과를 얻을 수 있다.
다음, 도 6d와 도 7d에 도시한 바와 같이, 전술한 바와 위치시킨 마스크(도 6c와 도 7c의 191)를 통한 노광을 실시한 후, 상기 노광된 포토레지스트층(180)을 현상하면, 상기 마스크(도 6c와 도7c의 191)의 투과영역(도 6c와 도 7c의 TA)에 대응된 영역에는 두꺼운 제 1 두께(t1)를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴(180a)이 남게되고, 상기 마스크(도 6c와 도 7c의 191)의 반투과영역(도 6c와 도 7c의 HTA)에 대응된 부분은 상기 제 1 두께(t1)보다 얇은 제 2 두께(t2)를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(180b)이 남게되고, 상기 마스크(도 6c와 도 7c의 191)의 차단영역(도 6c와 도 7c의 BA)에 대응된 포토레지스트층(도 6c와 도 7c의 180)은 모두 제거되어 하부의 금속물질층(도 7c의 122)을 노출시키게 된다.
다음, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(180a, 180b) 외부로 노출된 금속물질층(도 6c와 도 7c의 122)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층(도 6c와 도 7c의 119) 및 순수 비정질 실리콘층(도 6c와 도 7c의 118)을 순차적으로 식각함으로써 상기 게이트 절연막(117) 위로 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 각 화소영역(P)을 정의하며, 동일한 모양으로 패터닝된 순수 비정질 실리콘 패턴(125a)과 불순물 비정질 실리콘 패턴(125b)과 제 1 금속패턴(125c)의 3중층 구조를 갖는 데이터 배선(125)을 형성하고, 동시에 스위칭 영역(TrA)에 있어서는, 상기 데이터 배선(125)과 연결된 상태로서 3중층 구조의 소스 드레인 패턴(120a, 127b, 127c)을 형성하고, 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 제 2 포토레지스트 패턴(180b) 하부로 소정면적을 가지며, 하층으로부터 상층으로 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘과 금속물질로 이루어진 다수의 3중층 구조 패턴(121)을 형성한다.
다음, 도 6e와 도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(125)과 소스 드레인 패턴(127) 및 3중층 구조 패턴(121)을 형성한 기판(110)에 이방성 특성의 드 라이 에칭 공정을 진행함으로써 상기 제 2 두께의 포토레지스트 패턴(도 6d와 도 7d의 180b)을 제거하여 그 하부의 금속물질층(121c, 127c)을 노출시킨다. 이때, 드라이 에칭에 의해 상기 제 1 두께의 포토레지스트 패턴(180a) 또한 그 두께가 얇아지지만, 상기 드라이 에칭 진행 완료 후에도 여전히 소정의 두께를 가지며 여전히 기판(110) 상에 남아있게 된다.
다음, 상기 드라이 에칭에 의해 제 2 포토레지스트 패턴(도 6d와 도 7d의 180b)이 제거됨으로써 노출된 금속물질층(121c, 127c)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층(121b, 127c)을 순차적으로 식각하여 제거함으로써 스위칭 영역(TrA)에 있어서는 서로 이격된 소스 및 드레인 전극(128, 130)과 그 하부로 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 전극(128, 130) 사이로 이격된 채널영역(ch)에는 순수 비정질 실리콘의 반도체층(120a)을 노출시키며, 상기 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 순수 비정질 실리콘의 단층구조를 갖는 다수의 더미패턴(121)을 형성한다. (제 2 마스크 공정)
다음, 도 6f와 도 7f에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(125)과 소스 및 드레인 전극(128, 130) 및 다수의 더미패턴(121) 위로 전면에 유기절연물질인 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo)을 코팅하여 보호층(140)을 형성하고, 이후, 상기 보호층(140)에 제 3 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 스위칭 영역(TrA)에 있어서는 하부의 상기 드레인 전극(130)의 상면 일부 또는 상기 드레인 전극(130) 하부의 오믹콘택층(120b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성하고, 동시에 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 하부에 위치한 각 더미패턴(121)에 대 응하여 상기 더미패턴(121)의 면적보다 작은 크기를 가지며 상기 각 더미패턴(121)의 일부를 노출시키는 다수의 홈(144)을 형성한다. 이때, 상기 보호층(140)은 드레인 전극(130)이 노출되도록 충분히 식각을 진행하여야 하며, 이렇게 보호층(140)의 과도시각을 진행하여도 게이트 링크부(GLA)에 있어서는 상기 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 단층 구조의 더미패턴(121)이 에치 스토퍼로서 작용하므로 상기 더미패턴(121) 하부로는 더 이상 식각되지 않으며, 이 경우 스위칭 영역(TrA)에 있어서는 드레인 전극(130)이 식각될 수 있지만 상기 드레인 전극(130) 하부에는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)이 형성되고 있는 바, 과도식각 된다 하여도 상기 오믹콘택층(120b)이 에치 스토퍼로서 작용을 하므로 상기 드레인 콘택홀(143) 또한 더 깊게 형성되지 않는다.
다음, 도 6g와 도 7g에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(130)의 상면 또는 측면을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)과 더미패턴(121)을 노출시키는 다수의 홈(144)을 갖는 보호층(140) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 전면에 증착하고 이를 제 4 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P)마다 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(130)의 상면 또는 측면과 접촉하는 화소전극(145)을 형성함으로써 어레이 기판(110)을 완성한다.
이때, 도면에는 나타내지 않았지만, 상기 어레이 기판(110)의 게이트 링크부(GLA)를 포함하는 비표시영역의 테두리를 따라 씰패턴(150)을 형성하는 단계를 더욱 실시할 수도 있다.
이후, 전술한 바와같이, 어레이 기판과 일반적인 제조 방법에 의해 완성된 컬러필터 기판을 서로 대향시킨 후, 액정을 개재한 후, 합착하여 액정표시장치를 완성하게 된다.