KR20070041877A - 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070041877A KR20070041877A KR1020050097475A KR20050097475A KR20070041877A KR 20070041877 A KR20070041877 A KR 20070041877A KR 1020050097475 A KR1020050097475 A KR 1020050097475A KR 20050097475 A KR20050097475 A KR 20050097475A KR 20070041877 A KR20070041877 A KR 20070041877A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- layer
- amorphous silicon
- pattern
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Abstract
Description
Claims (18)
- 화상을 표시하는 표시영역 및 상기 표시영역 외측으로 게이트 링크부가 정의된 기판의 일면에 서로 교차하여 상기 표시영역에 다수의 화소영역을 정의하면서 형성된 다수의 게이트 배선 및 데이터 배선과;상기 게이트 링크부에 상기 게이트 배선의 끝단과 연결되며 형성된 다수의 게이트 링크 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 사이에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 링크부에 상기 다수의 게이트 링크배선과 중첩하며 반도체물질로 형성된 다수의 더미패턴과;상기 더미패턴 상부로 전면에 형성되며 상기 각 더미패턴을 노출시키는 다수의 홀을 구비한 보호층을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체물질은 순수 비정질 실리콘인 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 유기절연물질로써 이루어진 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 링크부에 형성된 다수의 홀은 그 크기가 상기 더미패턴의 면적보다 작으며, 상기 더미패턴에 대응하여 형성된 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 링크부에는 상기 다수의 홀이 형성된 보호층 위로 씰패턴이 더욱 형성된 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,각 화소영역에는 상기 게이트 배선과 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터를 더욱 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 6 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 상기 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘의 반도체층과, 상기 반도체층 위로 불순물 비정질 실리콘의 서로 이격하는 오믹콘택층과, 상기 각 오믹콘택층 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 보호층은 상기 다수의 홀 이외에 상기 각 화소영역의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 더욱 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 보호층 위로 각 화소영역별로 독립된 화소전극을 더욱 구비한 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 더미패턴은 단일층인 액정표시장치용 어레이 기판.
- 다수의 화소영역으로 이루어져 화상을 표시하는 표시영역 및 상기 표시영역 외측으로 게이트 링크부가 정의된 기판의 일면에 일방향으로 게이트 배선이 형성되고, 게이트 링크부에 상기 게이트 배선의 일끝단과 연결된 게이트 링크 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선 및 게이트 링크 배선 위로 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘층과, 불순물 비정질 실리콘층과, 금속물질층을 순차 형성하고, 이를 패터닝하여, 상기 게이트 배선과 교차하는 다수의 데이터 배선을 형성하고, 동시에 상기 게이트 링크부에 있어서는 상기 다수의 게이트 링크 배선과 중첩하는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 다수의 더미패턴을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선과 더미패턴 위로 전면에 상기 각 더미패턴에 대응하여 상기 더미패턴을 노출시키는 다수의 홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 게이트 배선을 형성하는 단계는상기 게이트 배선에서 각 화소영역으로 분기하는 게이트 전극을 형성하는 단 계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 데이터 배선 및 더미패턴을 형성하는 단계는상기 각 화소영역에 상기 데이터 배선에서 분기한 소스 전극과, 상기 소스 전극에서 소정간격 이격하는 드레인 전극과, 상기 이격한 소스 및 드레인 전극 사이에 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과 반도체층을 포함하여 데이터 배선 및 더미패턴을 형성하는 단계는상기 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘과, 불순물 비정질 실리콘과 금속물질을 연속하여 순차 증착하여 순수 비정질 실리콘층과, 불순물 비정질 실리콘층과, 금속물질층을 형성하는 단계와;상기 금속물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트층 위로 상기 데이터 배선과, 소스 및 드레인 전극을 형성할 영역에는 각각 투과영역이, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 이격영역과, 더미 패턴을 형성할 영역에는 반투과영역이, 그 외의 영역에는 차단영역이 대응하도록 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통한 노광을 실시하는 단계와;상기 노광된 포토레지스트층을 현상함으로써 상기 데이터 배선과, 소스 및 드레인 전극이 형성될 영역에 대응해서는 두꺼운 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 마스크의 반투과영역에 대응한 소스 및 드레인 전극 사이의 이격영역과, 더미패턴이 형성될 영역에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 그 외의 영역에 있어서는 상기 금속물질층을 노출시키는 단계와;상기 노출된 금속물질층과, 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층 및 순수 비정질 실리콘층을 순차적으로 식각하여 하부의 게이트 절연막을 노출시킴으로써 3중층 구조의 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 상태의 소스 드레인 패턴과, 다수의 3중층 구조의 패턴을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선과, 소스 드레인 패턴과, 다수의 3중충 구조의 패턴이 형성된 기판 상에 드라이 에칭을 실시함으로써 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와;상기 제 2 포토레지스트 패턴이 제거됨으로써 노출된 금속물질층과, 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층을 순차 식각함으로써 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 이격한 소스 및 드레인 전극 하부로 서로 이격하는 오믹콘택층과, 상기 서로 이격하는 오믹콘택층 사이로 노출되는 순수 비정질 실리콘의 반도체층과, 게이트 링크부에 있어 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 다수의 더미패턴을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과, 다수의 더미패턴이 형성된 기판상의 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 보호층 위로 각 화소영역별로 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 게이트 링크부의 다수의 홀을 포함하는 보호층 위로 씰패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 보호층은 유기절연물질로써 형성되는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 더미패턴은 단일층으로 형성되는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050097475A KR100957614B1 (ko) | 2005-10-17 | 2005-10-17 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
US11/368,465 US7485907B2 (en) | 2005-10-17 | 2006-03-07 | Array substrate for liquid crystal display device and the seal pattern in the periphery of the display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050097475A KR100957614B1 (ko) | 2005-10-17 | 2005-10-17 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070041877A true KR20070041877A (ko) | 2007-04-20 |
KR100957614B1 KR100957614B1 (ko) | 2010-05-13 |
Family
ID=37947359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050097475A KR100957614B1 (ko) | 2005-10-17 | 2005-10-17 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7485907B2 (ko) |
KR (1) | KR100957614B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101367140B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
KR101052770B1 (ko) | 2009-11-09 | 2011-07-29 | 슈-유안 추앙 | 호흡을 위한 나노 필터 구조 및 그 제조 방법 |
CN103839907B (zh) * | 2012-11-21 | 2016-08-31 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其电路堆叠结构 |
CN103474396B (zh) * | 2013-09-24 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft-lcd阵列基板的制造方法 |
KR102390451B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN105931995B (zh) * | 2016-04-29 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
KR102601650B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2023-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN212808868U (zh) * | 2020-10-16 | 2021-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6493048B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US6287899B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100315209B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-29 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100545021B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자와 그 제조 방법 |
US6678018B2 (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same |
JP4613271B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2011-01-12 | シャープ株式会社 | 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100848099B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
KR100763408B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2007-10-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP3939140B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
KR100437837B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100886241B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2009-02-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
US6956237B2 (en) * | 2002-12-28 | 2005-10-18 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same |
KR100771825B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2007-10-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
KR100470208B1 (ko) * | 2003-04-03 | 2005-02-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20050066710A (ko) * | 2003-12-27 | 2005-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
2005
- 2005-10-17 KR KR1020050097475A patent/KR100957614B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-03-07 US US11/368,465 patent/US7485907B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070085116A1 (en) | 2007-04-19 |
KR100957614B1 (ko) | 2010-05-13 |
US7485907B2 (en) | 2009-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101298547B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR101298693B1 (ko) | 액정표시패널 및 이의 제조 방법 | |
KR100957614B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR101248005B1 (ko) | 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
EP2818917B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display and method of fabricating the same | |
KR20030050984A (ko) | 액정표시소자의 제조 방법 | |
JP2009133954A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR20080023109A (ko) | 액정 표시 패널의 제조 방법 및 액정 표시 패널 | |
KR101148557B1 (ko) | 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 | |
US9261743B2 (en) | Liquid crystal display device having dual link structure and method of manufacturing the same | |
KR20170081070A (ko) | 수평 전계형 액정 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101180273B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR101215943B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR100190035B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101333609B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20080057034A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100993458B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100504572B1 (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101557805B1 (ko) | 액정표시장치 | |
KR20070072204A (ko) | 액정표시소자 및 제조방법 | |
KR100953436B1 (ko) | 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법 | |
KR20050054280A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR101188638B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR101591333B1 (ko) | 씨오지 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
KR101009680B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 10 |