CN110111712B - 阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 - Google Patents

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置。所述阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。本发明可以直接进行偏压温度应力测试，并可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态。

Description

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置。
背景技术
在现有技术中，在制备显示基板时，先在衬底基板上设置驱动电路层(所述驱动电路层包括像素驱动电路)，以形成阵列基板，之后，需要对驱动电路层进行像素区BTS(BiasTemperature Stress，偏压温度应力)稳定性测试，测试合格之后再在驱动电路层上制备发光元件。
在现有技术中，只能通过切样制备或者像素区附近的TEG(Test Element Group，测试式元件组)来进行像素区BTS稳定性测试。切样制备BTS稳定性测试方法指的是：通过将阵列基板切片，通过激光将薄膜晶体管的栅极、源极和漏极切开，同时将栅极、源极和漏极上表面的绝缘层用激光刮掉，现有的切样制备BTS稳定性测试方法是一种有损检测方法，并且制样失败率高，效率低，样品采集数据少。像素区附近的TEG是进行正常的栅极、源极和漏极加压测试，但是其不能准确反应像素区实际电学性能。在现有技术中，无法直接通过目前产线拥有的AT(Array Test，阵列测试)设备进行BTS测试，从而不能方便的得到像素驱动电路中的各晶体管的阈值电压的漂移状态。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置，解决现有技术中无法对阵列基板(所述阵列基板包括衬底基板和设置于衬底基板上的驱动电路层)直接进行像素区BTS稳定性测试的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：
在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。
实施时，所述像素驱动电路包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：在所述置位阶段，控制所述数据写入电路包括的数据写入晶体管、所述驱动电路包括的驱动晶体管，或所述补偿控制电路包括的补偿控制晶体管处于偏置状态。
实施时，所述像素驱动电路包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：在所述检测阶段，
向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，向所述电源电压线提供相应的电源电压，根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述补偿控制线提供相应的补偿控制电压信号，向所述外部补偿线提供相应的补偿电压信号，根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述电源电压线提供相应的电源电压，向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，根据所述检测节点的电位判断所述驱动晶体管的阈值电压漂移状态。
实施时，所述数据写入晶体管的控制极与所述栅线电连接，所述数据写入晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动电路的控制端电连接；所述像素驱动电路还包括储能电路；所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端电连接，所述储能电路的第二端与所述检测节点电连接；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述数据线提供第一电压信号，向所述栅线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述数据写入晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
实施时，所述检测阶段包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述数据线提供预定的第一数据电压，向所述电源电压线提供预定的第一电源电压；
在所述第一检测时间段，向所述栅线提供第一栅极驱动电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述栅线提供第二栅极驱动电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述栅线提供所述第一栅极驱动电压信号，并经过第一预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态。
实施时，所述补偿控制晶体管的控制极与所述补偿控制线电连接，所述补偿控制晶体管的第一极与所述检测节点电连接，所述补偿控制晶体管的第二极与所述外部补偿线电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述外部补偿线提供第二电压信号，向所述补偿控制线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述补偿控制晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
实施时，所述检测阶段包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述外部补偿线提供预定的补偿电压信号；
在所述第一检测时间段，向所述补偿控制线提供第一补偿控制电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述补偿控制线提供第二补偿控制电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述补偿控制线提供所述第一补偿控制电压信号，并经过第二预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态。
实施时，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第二数据电压，向所述栅线提供第三栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第二数据电压写入所述驱动晶体管的控制极，并向所述电源电压线提供预定的第二电源电压，以控制所述驱动晶体管处于偏置状态。
实施时，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述置位阶段包括至少一个重置子阶段，所述重置子阶段包括依次设置的第一置位时间段、第二置位时间段和第三置位时间段；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第三数据电压，向所述电源电压线提供预定的第三电源电压；
在所述第一置位时间段，向所述栅线提供第四栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第三数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二置位时间段，向所述栅线提供第五栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；
在所述第三置位时间段，向所述栅线提供第三电压信号；所述第三电压信号的电压值与0V之间的差值处于预定电压差值范围内；
所述第一置位时间段持续的时间与所述第二置位时间段持续的时间之间的差值处于预定时间差值范围内。
实施时，所述检测阶段包括至少一个检测子阶段；所述检测子阶段包括第一检测时间段和第二检测时间段；所述第一检测时间段包括第一检测子时间段和第二检测子时间段，所述第二检测时间段包括第三检测子时间段和第四检测子时间段；所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述电源电压线提供预定的第四电源电压；
在所述第一检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第六栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第七栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第三预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第一检测电位；
在所述第三检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第八栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第四检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第九栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第四预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第二检测电位；
根据所述第一检测电位和所述第二检测电位的和值，以判断所述驱动晶体管的阈值漂移状态。
本发明还提供了一种阈值电压漂移检测装置，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；所述阈值电压漂移检测装置包括置位单元和检测单元；
所述置位单元用于在置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
所述检测单元用于在检测阶段，通过向控制线提供预定的控制电压信号，向电压线提供预定的电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。
与现有技术相比，本发明所述的阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置能够在置位阶段，控制像素驱动电路包括的晶体管处于偏置状态(所述偏置状态为正向偏置状态或反向偏置状态)，再在检测阶段，向控制线提供控制电压信号，向电压线提供电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值漂移状态，可以直接进行BTS(BiasTemperature Stress，偏压温度应力)测试，并在BTS测试后可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态，反映BTS稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例所述的阈值电压漂移检测方法应用于的像素驱动电路的结构图；
图2是所述像素驱动电路的一具体实施例的电路图；
图3对图2中的数据写入晶体管T1进行BTS测试后，在检测阶段对像素驱动电路提供的信号的波形图；
图4是在对图2中的补偿控制晶体管T2进行BTS测试后，在检测阶段对像素驱动电路提供的信号的波形图；
图5是在对图2中的驱动晶体管DTFT进行PBTS测试时，在重置阶段为像素驱动电路提供的信号的波形图；
图6是在检测图2中的驱动晶体管DTFT的阈值电压是否漂移时，在所述检测阶段包括的第一检测时间段，为所述像素驱动电路提供的信号的波形图；
图7是在检测图2中的驱动晶体管DTFT的阈值电压是否漂移时，在所述检测阶段包括的第二检测时间段，为所述像素驱动电路提供的信号的波形图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
在实际操作时，当所述晶体管为三极管时，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为集电极，所述第二极可以发射极；或者，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为发射极，所述第二极可以集电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
本发明实施例所述的阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：
在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。
在本发明实施例所述的阈值电压漂移检测方法中，在置位阶段，控制像素驱动电路包括的晶体管处于偏置状态(所述偏置状态为正向偏置状态或反向偏置状态)，再在检测阶段，向控制线提供控制电压信号，向电压线提供电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值漂移状态，可以进行BTS(Bias Temperature Stress，偏压温度应力)测试，并在BTS测试后可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态，反映BTS稳定性。
本发明实施例提供了一种用AT(Array Test，阵列测试)设备检测像素区不同晶体管的BTS稳定性的pattern(波形)设计方法。
本发明实施例针对目前的阵列基板(阵列基板包括衬底基板和设置于衬底基板上的驱动电路层)无法直接进行像素区BTS稳定性测试的难点，提出利用目前的AT设备测试的波形，可以进行BTS测试，以及晶体管的阈值电压偏移的测试，通过AT设备的检测图片反馈，可以有效的反映整张glass(玻璃)包括的不同的显示基板中所有像素区域BTS稳定性等情况，这对于残像分析和OLED Target(目标)Mura(显示不均匀)等不良分析具有很好的指导意义。
如图1所示，所述像素驱动电路可以包括数据写入电路11、驱动电路12和补偿控制电路13；所述控制线包括栅线G1和补偿控制线G2；所述电压线包括电源电压线VS、数据线Data和外部补偿线Sense；所述像素驱动电路还包括储能电路14；
所述数据写入电路11的控制端与所述栅线G1电连接，所述数据写入电路11的第一端与所述数据线Data电连接，所述数据写入电路11的第二端与所述驱动电路12的控制端电连接，所述数据写入电路11用于在所述栅线G1输入的栅极驱动电压信号的控制下，控制所述数据线Data与所述驱动电路12的控制端之间连通；
所述驱动电路12的第一端与所述电源电压线VS电连接，所述驱动电路12的第二端与所述检测节点D电连接；所述驱动电路12用于在其控制端的电位的控制下，控制所述电源电压线VS与所述检测节点D之间连通；
所述补偿控制电路13的控制端与所述补偿控制线G2电连接，所述补偿控制电路13的第一端与所述检测节点D电连接，所述补偿控制电路13的第二端与所述外部补偿线Sense电连接，所述补偿控制电路13用于在所述补偿控制线G2输入的补偿控制电压信号的控制下，控制所述检测节点D与所述外部补偿线Sense之间连通；
所述储能电路14的第一端与所述驱动电路12的控制端电连接，所述储能电路14的第二端与所述检测节点D电连接。
在图1所示的像素驱动电路的实施例中，所述检测节点D可以与有机发光二极管EL的阳极电连接，所述有机发光二极管EL的阴极可以与地端GND电连接。
如图2所示，在图1所示的像素驱动电路的实施例的基础上，所述数据写入电路11可以包括数据写入晶体管T1，所述驱动电路12可以包括驱动晶体管DTFT，所述补偿控制电路13可以包括补偿控制晶体管T2；所述储能电路14可以包括存储电容CST；
所述数据写入晶体管T1的栅极与所述栅线G1电连接，所述数据写入晶体管T1的漏极与所述数据线Data电连接，所述数据写入晶体管T1的源极与与所述驱动晶体管T2的栅极电连接；
所述驱动晶体管T2的漏极与所述电源电压线VS电连接，所述驱动晶体管T2的源极与所述检测节点D电连接；
所述补偿控制晶体管T2的栅极与所述补偿控制线G2电连接，所述补偿控制晶体管T2的漏极与所述检测节点D电连接，所述补偿控制晶体管T2的源极与所述外部补偿线Sense电连接；
所述存储电容CST的第一端与DTFT的栅极电连接，所述存储电容CST的第二端与所述检测节点D电连接。
在图2所示的实施例中，T1、DTFT和T2都为n型薄膜晶体管，但不以此为限，以上各晶体管也可以被替换为p型晶体管。
在具体实施时，可以对各晶体管进行PBTS(Positive Bias Temperature Stress，正偏压温度应力)测试或NBTS(Negative Bias Temperature Stress，负偏压温度应力)测试。
当对各晶体管进行PBTS测试时，也即控制所述晶体管处于正向偏置状态，当对各晶体管进行NBTS测试时，也即控制所述晶体管处于反向偏置状态。
具体的，所述像素驱动电路可以包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤可以包括：在所述置位阶段，控制所述数据写入电路包括的数据写入晶体管、所述驱动电路包括的驱动晶体管，或所述补偿控制电路包括的补偿控制晶体管处于偏置状态。
在本发明实施例中，所述偏置状态可以为正向偏置状态，也可以为反向偏置状态。
在实际操作时，可以控制以上各晶体管处于正向偏置状态的持续时间处于预定时间范围内，控制以上各晶体管处于反向偏置状态的持续时间处于预定时间范围内；所述预定时间范围可以为大于或等于1s(秒)而小于或等于300s，但不以此为限。
具体的，所述像素驱动电路可以包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤可以包括：在所述检测阶段，
向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，向所述电源电压线提供相应的电源电压，根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述补偿控制线提供相应的补偿控制电压信号，向所述外部补偿线提供相应的补偿电压信号，根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述电源电压线提供相应的电源电压，向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，根据所述检测节点的电位判断所述驱动晶体管的阈值电压漂移状态。
在具体实施时，在控制所述晶体管处于偏置状态之后，可以通过向相应的控制线提供预定的控制信号，向相应的电压线提供预定的电压信号，并通过检测节点的电位，以判断所述晶体管的阈值电压漂移状态。
具体的，所述数据写入晶体管的控制极与所述栅线电连接，所述数据写入晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动电路的控制端电连接；所述像素驱动电路还包括储能电路；所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端电连接，所述储能电路的第二端与所述检测节点电连接；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述数据线提供第一电压信号，向所述栅线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述数据写入晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
在具体实施时，所述第一电压信号可以为0V电压信号，但不以此为限。
在对图2中的数据写入晶体管T1进行PBTS测试时，可以控制外部补偿线Sense、所述电源电压线VS和所述补偿控制线G2处于关闭状态，向所述数据线Data提供0V电压信号，向所述栅线提供+20V电压信号(但不以此为限)，并持续1s至300s；
在对图2中的数据写入晶体管T1进行NBTS测试时，可以控制外部补偿线Sense、所述电源电压线VS和所述补偿控制线G2处于关闭状态，向所述数据线Data提供0V电压信号，向所述栅线提供-20V电压信号(但不以此为限)，并持续1s至300s。
具体的，所述检测阶段可以包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述数据线提供预定的第一数据电压，向所述电源电压线提供预定的第一电源电压；
在所述第一检测时间段，向所述栅线提供第一栅极驱动电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述栅线提供第二栅极驱动电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述栅线提供所述第一栅极驱动电压信号，并经过第一预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态。
在具体实施时，所述第一电源电压例如可以为7V电压信号，但不以此为限。
在具体实施时，在对图2中的数据写入晶体管T1进行BTS测试后，如图3所示，所述检测阶段S2可以包括依次设置的第一检测时间段S21、第二检测时间段S22和第三检测时间段S23；
在所述检测阶段S2开始时，DTFT的栅极的电位和所述检测节点D的电位为0V；
在所述检测阶段S2，可以向数据线Data提供4V电压信号，向所述电源电压线VS提供7V电压信号，控制所述补偿控制线G2和所述外部补偿线Sense关闭(也即不向G2和Sense提供电压信号)；
在所述第一检测时间段S21，可以向所述栅线G1提供-1V电压信号；
在所述第二检测时间段S22，可以向所述栅线G1提供2V电压信号；
在所述第三检测时间段S23，可以向所述栅线G1提供-1V电压信号，并经过第一预定时间后，检测所述检测节点D的电位，并根据所述检测节点D的电位判断所述数据写入晶体管T1的阈值电压漂移状态；当所述检测节点D的电位为7V时，T1正常(也即无阈值电压漂移或阈值电压漂移程度轻)；当所述检测节点D的电位为0V时，T1的阈值电压正向漂移；当所述检测节点D的电位为4V时，T1的阈值电压负向漂移。
在具体实施时，所述第一检测时间段S21持续的时间可以为4000us，所述第二检测时间段S22持续的时间可以为400us；所述第一预定时间例如可以为8000us，但不以此为限，但第二检测时间小于1000us)。
当T1正常时，在第一检测时间段S21，T1关断；在第二检测时间段S22，T1打开，以使得DTFT的栅极电位变为2V；在第三检测时间段S23，T1关断，DTFT的栅极处于浮空状态，使得检测节点D的电位也被自举拉升，直至所述检测节点D的电位变为7V；
当T1的阈值电压正向漂移时(T1的阈值电压大于2V)，在第一检测时间段S21、第二检测时间段S22和第三检测时间段S23，T1都关断，所述检测节点D的电位为0V；
当T1的阈值电压负向漂移时(T1的阈值电压小于-1V)，在第一检测时间段S21、第二检测时间段S22和第三检测时间段S23，T1均为打开的状态，使得DTFT的栅极电位不变，DTFT打开，使得VDD的7V高压流入，直至夹断，检测节点D的电位可以大于0V而小于7V。
在具体实施时，所述补偿控制晶体管的控制极与所述补偿控制线电连接，所述补偿控制晶体管的第一极与所述检测节点电连接，所述补偿控制晶体管的第二极与所述外部补偿线电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述外部补偿线提供第二电压信号，向所述补偿控制线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述补偿控制晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
在对图2中的补偿控制晶体管T2进行PBTS测试时，可以控制数据线Data、所述电源电压线VS和所述栅线G1处于关闭状态，向所述外部补偿线Sense提供0V电压信号，向所述补偿控制线提供+20V电压信号(但不以此为限)，并持续1s至300s；
在对图2中的补偿控制晶体管T2进行NBTS测试时，可以控制数据线Data、所述电源电压线VS和所述栅线G1处于关闭状态，向所述外部补偿线Sense提供0V电压信号，向所述补偿控制线提供-20V电压信号(但不以此为限)，并持续1s至300s。
具体的，所述检测阶段可以包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述外部补偿线提供预定的补偿电压信号；
在所述第一检测时间段，向所述补偿控制线提供第一补偿控制电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述补偿控制线提供第二补偿控制电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述补偿控制线提供所述第一补偿控制电压信号，并经过第二预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态。
在具体实施时，在对图2中的补偿控制晶体管T2进行BTS测试后，如图4所示，所述检测阶段S2可以包括依次设置的第一检测时间段S21、第二检测时间段S22和第三检测时间段S23；
在所述检测阶段S2开始时，所述检测节点D的电位为0V；
在所述检测阶段S2，可以向所述外部补偿线Sense提供4V电压信号，控制所述数据线Data、所述栅线G1和所述电源电压线VS关闭(也即不向Data、G1和VS提供电压信号)；
在所述第一检测时间段S21，可以向所述补偿控制线G2提供-1V电压信号；
在所述第二检测时间段S22，可以向所述补偿控制线G2提供2V电压信号；
在所述第三检测时间段S23，可以向所述补偿控制线G2提供-1V电压信号，并经过第二预定时间后，检测所述检测节点D的电位，并根据所述检测节点D的电位判断所述补偿控制晶体管T2的阈值电压漂移状态；当所述检测节点D的电位为2V时，T2正常；当所述检测节点D的电位为0V时，T2的阈值电压正向漂移；当所述检测节点D的电位为4V时，T2的阈值电压负向漂移。
所述第二预定时间例如可以为8000ms，但不以此为限。
当T2正常时，在第一检测时间段S21，T2关断；在第二检测时间段S22，T2打开，以使得所述检测节点D的电位为2V；在第三检测时间段S23，T2关断，所述检测节点D的电位维持为2V；
当T2的阈值电压正向漂移(T2的阈值电压大于2V)时，在第一检测时间段S21、第二检测时间段S22和第三检测时间段S23，T2都关断，所述检测节点D的电位为0V；
当T2的阈值电压负向漂移时(T1的阈值电压小于-2V)，在所述第二检测时间段S22，T2打开，以控制所述检测节点D的电位为4V。
根据一种具体实施方式，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤可以包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第二数据电压，向所述栅线提供第三栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第二数据电压写入所述驱动晶体管的控制极，并向所述电源电压线提供预定的第二电源电压，以控制所述驱动晶体管处于偏置状态。
在具体实施时，所述第二电源电压可以为0V电压信号，但不以此为限。
在对图2中的驱动晶体管DTFT进行NBTS测试时，可以控制外部补偿线Sense和所述补偿控制线G2处于关闭状态，向所述电源电压线VS提供0V电压信号，向所述栅线G1提供0V电压信号(但不以此为限)，向所述数据线Data提供-20V电压信号，并持续1s至300s。
根据另一种具体实施方式，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述置位阶段包括至少一个重置子阶段，所述重置子阶段包括依次设置的第一置位时间段、第二置位时间段和第三置位时间段；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤可以包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第三数据电压，向所述电源电压线提供预定的第三电源电压；
在所述第一置位时间段，向所述栅线提供第四栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第三数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二置位时间段，向所述栅线提供第五栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；
在所述第三置位时间段，向所述栅线提供第三电压信号；所述第三电压信号的电压值与0V之间的差值处于预定电压差值范围内；
所述第一置位时间段持续的时间与所述第二置位时间段持续的时间之间的差值处于预定时间差值范围内。
在本发明实施例中，所述预定电压差值范围例如可以大于或等于-0.2V而小于或等于0.2V，但不以此为限；
所述预定时间差值范围例如可以为大于或等于-2s而小于或等于2s，但不以此为限；
在具体实施时，所述第三电源电压可以为0V电压信号，但不以此为限。
在对图2中的驱动晶体管DTFT进行PBTS测试时，可以控制外部补偿线Sense和所述补偿控制线G2处于关闭状态，向所述电源电压线VS提供0V电压信号；
置位阶段包括至少一个重置子阶段，如图5所示，所述重置子阶段包括依次设置的第一置位时间段S11、第二置位时间段S12和第三置位时间段S13；
在所述第一置位时间段S11，向所述数据线Data提供20V电压信号，向所述栅线G1提供+22V电压信号；此时T1打开，20V电压信号写入DTFT的栅极，以控制DTFT处于正向偏置状态；此时T1处于正向偏置状态；
在所述第二置位时间段S12，向所述数据线Data提供20V电压信号，向所述栅线G1提供-22V电压信号；T1关断，并T1处于反向偏置状态；
在所述第三置位时间段S13，向所述数据线Data提供0V电压信号，向所述栅线G1提供0V电压信号，T1关断。
本发明实施例通过提供图5所示的波形，在控制DTFT处于正向偏置状态的同时，通过将S11持续的时间和S12持续的时间设置为相差不大，以控制T1的阈值电压不会大幅漂移。
具体的，所述检测阶段可以包括至少一个检测子阶段；所述检测子阶段包括第一检测时间段和第二检测时间段；所述第一检测时间段包括第一检测子时间段和第二检测子时间段，所述第二检测时间段包括第三检测子时间段和第四检测子时间段；所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述电源电压线提供预定的第四电源电压，控制所述补偿控制线和所述外部补偿线处于关闭状态；
在所述第一检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第六栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第七栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第三预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第一检测电位；
在所述第三检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第八栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第四检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第九栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第四预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第二检测电位；
根据所述第一检测电位和所述第二检测电位的和值，以判断所述驱动晶体管的阈值漂移状态。
在本发明实施例中，所述第四电源电压可以为5V电压，但不以此为限。
在具体实施时，在检测图2中的驱动晶体管DTFT的阈值电压是否漂移时，所述检测阶段可以包括至少一个检测子阶段；所述检测子阶段包括第一检测时间段和第二检测时间段；如图6所示，所述第一检测时间段S21包括第一检测子时间段S211和第二检测子时间段S212，如图7所示，所述第二检测时间段S22包括第三检测子时间段S221和第四检测子时间段S222；
在所述检测阶段，向所述电源电压线VS提供+5V电压信号，并控制所述补偿控制线G2和外部补偿线Sense处于关闭状态(也即不向G2和Sense提供电压信号)；
所述第一检测子时间段S211持续的时间例如可以为4000us，所述第二检测子时间段S212持续的时间例如可以为12000us，但不以此为限；所述第三检测子时间段S221持续的时间例如可以为4000us，所述第四检测子时间段S222持续的时间例如可以为12000us，但不以此为限；
在所述检测阶段开始时，所述检测节点D的电位为0V；
如图6所示，在所述第一检测子时间段S211，向所述数据线Data提供+1V电压信号，向所述栅线G1提供+6V电压信号，以控制T1打开，以将+1V电压信号写入所述驱动晶体管DTFT的栅极；
在所述第二检测子时间段S212，向所述数据线Data提供+1V电压信号，向所述栅线G1提供-6V电压信号，以使得T1关断，以控制所述数据线Data与所述驱动晶体管DTFT的栅极之间断开；在经过第三预定时间后，检测所述检测节点D的电位，该电位为第一检测电位V1；所述第三预定时间例如可以为12000us，但不以此为限；
如图7所示，在所述第三检测子时间段S221，向所述数据线Data提供-1V电压信号，向所述栅线提供+6V电压信号，以控制T1打开，以将-1V电压信号写入所述驱动晶体管DTFT的栅极；
在所述第四检测子时间段S222，向所述数据线提供-1V电压信号，向所述栅线提供-6V电压信号，以使得T1关断，以控制所述数据线Data与所述驱动晶体管DTFT的栅极之间断开；在经过第四预定时间后，检测所述检测节点D的电位，该电位为第二检测电位V2；所述第四预定时间例如可以为12000us，但不以此为限；
根据所述第一检测电位V1和所述第二检测电位V2的和值，以判断所述驱动晶体管DTFT的阈值漂移状态。
在实际操作时，当DTFT正常时，V1等于5V；当DTFT的阈值电压正向漂移时，V1等于0V；当DTFT的阈值电压负向漂移时，V1等于5V；
当当DTFT正常时，V2等于0V；当DTFT的阈值电压正向漂移时，V2等于0V；当DTFT的阈值电压负向漂移时，V2等于5V；
则当V1和V2的和值等于5V时，指示DTFT正常；当V1和V2的和值等于0V时，指示DTFT的阈值电压正向漂移；当V1和V2的和值等于10V时，指示DTFT的阈值电压负向漂移。
在具体实施时，当DTFT正常时，在所述第一检测子时间段S211，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入+1V电压信号，DTFT先打开，直至检测节点D的电位变为+1V时，DTFT关断；在所述第二检测子时间段S212，T1关断，则DTFT的栅极处于浮空状态，使得检测节点D的电位也被自举拉升，直至所述检测节点D的电位变为5V，此时V1等于5V；
当DTFT的阈值电压正向漂移(DTFT的阈值电压大于1V)时，在所述第一检测子时间段S211，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入+1V电压信号，DTFT关断；在第二检测子时间段S212，T1关断，DTFT也关断，则所述检测节点D的电位保持为0V，此时V1等于0V；
当DTFT的阈值电压负向漂移时，在所述第一检测子时间段S211，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入+1V电压信号，DTFT打开；在第二检测子时间段S212，T1关断，DTFT的栅极处于浮空状态，使得检测节点D的电位也被自举拉升，直至所述检测节点D的电位变为5V，此时V1等于5V；
当DTFT正常时，在所述第三检测子时间段S221，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入-1V电压信号，DTFT关断；在所述第四检测子时间段S222，T1关断，此时DTFT仍关断，则所述检测节点D的电位为0V，也即V2等于0V；
当DTFT的阈值电压正向漂移时，在所述第三检测子时间段S221，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入-1V电压信号，DTFT关断；在所述第四检测子时间段S222，T1关断，此时DTFT仍关断，则所述检测节点D的电位为0V，也即V2等于0V；
当DTFT的阈值电压负向漂移(DTFT的阈值电压小于-1V)时，在所述第三检测子时间段S221，所述驱动晶体管DTFT的栅极接入-1V电压信号，DTFT打开；在所述第四检测子时间段S222，T1关断，此时DTFT的栅极处于浮空浮空状态，使得检测节点D的电位也被自举拉升，直至所述检测节点D的电位变为5V，此时V2等于5V。
本发明实施例所述的阈值电压漂移检测装置，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；所述阈值电压漂移检测装置可以包括置位单元和检测单元；
所述置位单元用于在置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
所述检测单元用于在检测阶段，通过向控制线提供预定的控制电压信号，向电压线提供预定的电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。
本发明实施例所述的阈值电压漂移检测装置在置位阶段，通过置位单元控制像素驱动电路包括的晶体管处于偏置状态(所述偏置状态为正向偏置状态或反向偏置状态)，再在检测阶段，通过检测单元向控制线提供控制电压信号，向电压线提供电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值漂移状态，可以进行BTS(Bias Temperature Stress，偏压温度应力)测试，并在BTS测试后可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态，反映BTS稳定性。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；其特征在于，检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：
在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态；
所述像素驱动电路包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：在所述置位阶段，控制所述数据写入电路包括的数据写入晶体管、所述驱动电路包括的驱动晶体管，或所述补偿控制电路包括的补偿控制晶体管处于偏置状态；
所述数据写入晶体管的控制极与所述栅线电连接，所述数据写入晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动电路的控制端电连接；所述像素驱动电路还包括储能电路；所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端电连接，所述储能电路的第二端与所述检测节点电连接；
所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述数据线提供第一电压信号，向所述栅线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述数据写入晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
2.如权利要求1所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述像素驱动电路包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：在所述检测阶段，
向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，向所述电源电压线提供相应的电源电压，根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述补偿控制线提供相应的补偿控制电压信号，向所述外部补偿线提供相应的补偿电压信号，根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态；或者，向所述电源电压线提供相应的电源电压，向所述栅线提供相应的栅极驱动电压信号，向所述数据线提供相应的数据电压，根据所述检测节点的电位判断所述驱动晶体管的阈值电压漂移状态。
3.如权利要求1或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述检测阶段包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述数据线提供预定的第一数据电压，向所述电源电压线提供预定的第一电源电压；
在所述第一检测时间段，向所述栅线提供第一栅极驱动电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述栅线提供第二栅极驱动电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述栅线提供所述第一栅极驱动电压信号，并经过第一预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述数据写入晶体管的阈值电压漂移状态。
4.如权利要求1或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述补偿控制晶体管的控制极与所述补偿控制线电连接，所述补偿控制晶体管的第一极与所述检测节点电连接，所述补偿控制晶体管的第二极与所述外部补偿线电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，控制向所述外部补偿线提供第二电压信号，向所述补偿控制线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述补偿控制晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
5.如权利要求1或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述检测阶段包括依次设置的第一检测时间段、第二检测时间段和第三检测时间段，所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述外部补偿线提供预定的补偿电压信号；
在所述第一检测时间段，向所述补偿控制线提供第一补偿控制电压信号；
在所述第二检测时间段，向所述补偿控制线提供第二补偿控制电压信号；
在所述第三检测时间段，向所述补偿控制线提供所述第一补偿控制电压信号，并经过第二预定时间后，检测所述检测节点的电位，并根据所述检测节点的电位判断所述补偿控制晶体管的阈值电压漂移状态。
6.如权利要求1或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第二数据电压，向所述栅线提供第三栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第二数据电压写入所述驱动晶体管的控制极，并向所述电源电压线提供预定的第二电源电压，以控制所述驱动晶体管处于偏置状态。
7.如权利要求2或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一极与所述电源电压线电连接，所述驱动晶体管的第二极与所述检测节点电连接；所述置位阶段包括至少一个重置子阶段，所述重置子阶段包括依次设置的第一置位时间段、第二置位时间段和第三置位时间段；所述在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态步骤包括：
在所述置位阶段，向所述数据线提供预定的第三数据电压，向所述电源电压线提供预定的第三电源电压；
在所述第一置位时间段，向所述栅线提供第四栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制将所述第三数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二置位时间段，向所述栅线提供第五栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；
在所述第三置位时间段，向所述栅线提供第三电压信号；所述第三电压信号的电压值与0V之间的差值处于预定电压差值范围内；
所述第一置位时间段持续的时间与所述第二置位时间段持续的时间之间的差值处于预定时间差值范围内。
8.如权利要求1或2所述的阈值电压漂移检测方法，其特征在于，所述检测阶段包括至少一个检测子阶段；所述检测子阶段包括第一检测时间段和第二检测时间段；所述第一检测时间段包括第一检测子时间段和第二检测子时间段，所述第二检测时间段包括第三检测子时间段和第四检测子时间段；所述在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态步骤包括：
在所述检测阶段，向所述电源电压线提供预定的第四电源电压；
在所述第一检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第六栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第二检测子时间段，向所述数据线提供第四数据电压，向所述栅线提供第七栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第三预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第一检测电位；
在所述第三检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第八栅极驱动电压信号，以控制所述数据写入电路将所述第四数据电压写入所述驱动晶体管的控制极；
在所述第四检测子时间段，向所述数据线提供第五数据电压，向所述栅线提供第九栅极驱动电压信号，以使得所述数据写入电路控制所述数据线与所述驱动晶体管的控制极之间断开；在经过第四预定时间后，检测所述检测节点的电位，该电位为第二检测电位；
根据所述第一检测电位和所述第二检测电位的和值，以判断所述驱动晶体管的阈值漂移状态。
9.一种阈值电压漂移检测装置，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；其特征在于，所述阈值电压漂移检测装置包括置位单元和检测单元；
所述置位单元用于在置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；
所述检测单元用于在检测阶段，通过向控制线提供预定的控制电压信号，向电压线提供预定的电压信号，根据检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态；
所述像素驱动电路包括数据写入电路、驱动电路和补偿控制电路；所述控制线包括栅线和补偿控制线；所述电压线包括电源电压线、数据线和外部补偿线；
所述置位单元具体用于在所述置位阶段，控制所述数据写入电路包括的数据写入晶体管、所述驱动电路包括的驱动晶体管，或所述补偿控制电路包括的补偿控制晶体管处于偏置状态；
所述数据写入晶体管的控制极与所述栅线电连接，所述数据写入晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动电路的控制端电连接；所述像素驱动电路还包括储能电路；所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端电连接，所述储能电路的第二端与所述检测节点电连接；
所述置位单元具体用于在所述置位阶段，控制向所述数据线提供第一电压信号，向所述栅线提供正电压信号或负电压信号，以控制所述数据写入晶体管处于正向偏置状态或反向偏置状态。
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