CN114267273B - 阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备。阈值偏移检测电路包括：监控模块，监控模块的第一输入端与第一电源信号连接，第二输入端与第一参考信号连接，监控端与待检测晶体管连接，监控模块用于将第一电源信号和第一参考信号的电压差值施加于待检测晶体管，以使待检测晶体管在电压差值小于实际导通阈值时导通，监控模块还用于在待检测晶体管导通时输出第一导通信号；输出转换模块，输出转换模块用于将接收到的第一导通信号转换为第二导通信号；显示模块，显示模块用于在接收到第二导通信号时熄灭发光元件。根据本申请实施例，能够对待检测晶体管进行阈值偏移检测，并在发生阈值偏移时通过发光元件的发光状态显示检测结果。

Description

阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备。

背景技术

目前，在像素电路中，通常采用扫描信号和数据信号驱动像素电路中的各个晶体管，以控制发光元件进行发光。

然而，在生产过程中，由于生产工序、材料、环境以及其他因素的影响，晶体管的导通阈值电压容易发生偏差。以P型晶体管为例，根据晶体管的理论导通阈值电压，可以向晶体管施加大于理论导通阈值电压的控制电压，以使该P型晶体管截止。

在该P型晶体管发生正偏时，则其实际导通阈值电压相比于理论导通阈值电压将会增大，若实际导通阈值电压发生增大至大于控制电压时，控制电压将会使得晶体管导通。即，晶体管正偏将会导致导通状态发生变化。由于施加的控制电压无法正常控制晶体管，像素电路的发光元件将无法正常进行发光，显示面板也将无法正常显示相应的图像。即，晶体管的导通阈值电压发生偏移，将会影响显示面板的显示效果。

发明内容

本申请实施例提供了一种阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备，能够解决现有的晶体管导通阈值电压存在偏移现象，影响显示效果的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供一种阈值偏移检测电路，阈值偏移检测电路包括：

监控模块，监控模块的第一输入端与第一电源信号连接，监控模块的第二输入端与第一参考信号连接，监控模块的监控端与待检测晶体管连接，监控模块用于将第一电源信号和第一参考信号的电压差值施加于待检测晶体管，以使待检测晶体管在电压差值小于实际导通阈值时导通，监控模块还用于在待检测晶体管导通时输出第一导通信号；

输出转换模块，输出转换模块的输入端与监控模块的输出端连接，输出转换模块用于将接收到的第一导通信号转换为第二导通信号；

显示模块，显示模块包括发光元件，显示模块的发光控制端与输出转换模块的输出端连接，显示模块用于在接收到第二导通信号时熄灭发光元件。

第二方面，本申请实施例提供一种显示面板，显示面板包括：

多个像素电路，多个像素电路为阵列排布，像素电路中包括多个用于驱动像素发光的晶体管；

至少一个阈值偏移检测电路，阈值偏移检测电路为如上的阈值偏移检测电路；

晶体管中包括至少一个待检测晶体管，待检测晶体管与对应的阈值偏移检测电路连接。

第三方面，本申请实施例提供了一种显示设备，显示设备包括如上的显示面板。

与现有技术相比，本申请实施例提供的阈值偏移检测电路，通过设置监控模块，能够对待检测晶体管的源极和栅极分别施加第一电源信号和第一参考信号，第一电源信号和第一参考信号的电压差值即为待检测晶体管的源极栅极电压差。通过设置第一电源信号和第一参考信号的电压差值，在待检测晶体管在该电压差值下导通时，可以确定该待检测晶体管的导通阈值发生正偏，且正偏后的实际导通阈值大于该电压差值。在确定待检测晶体管导通后，可以控制显示模块的发光元件熄灭，从而提示该待检测晶体管发生阈值偏移。通过阈值偏移检测电路，能够在生产过程中对产品的待检测晶体管进行阈值偏移检测，并在待检测晶体管发生阈值偏移时通过发光元件的发光状态进行提示，从而实现对待检测晶体管发生阈值偏移的产品进行筛选。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的阈值偏移检测电路的模块结构示意图；

图2是本申请一实施例提供的监控模块的电路结构示意图；

图3是本申请一实施例提供的输出转换模块的电路结构示意图；

图4是本申请一实施例提供的显示模块的电路结构示意图；

图5是本申请另一实施例提供的显示模块的电路结构示意图；

图6是本申请又一实施例提供的显示模块的电路结构示意图；

图7是本申请一实施例提供的使能信号信号时序图；

图8是本申请一实施例提供的显示设备的结构示意图。

附图中：

10、监控模块；20、输出转换模块；30、显示模块；LED、发光元件；T、待检测晶体管；T1、第一晶体管；T2、第二晶体管；T3、第三晶体管；T4、第四晶体管；T5、第五晶体管；C1、第一电容；C2、第二电容；Vref1、第一参考信号；Vref2、第二参考信号；Vref3、第三参考信号；VDD、第一电源信号；VEE、第二电源信号；S1、第一使能信号；S2、第二使能信号；S3、第三使能信号；Emit、发光信号。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。

目前，显示面板中的像素电路，通常采用晶体管实现发光元件的发光控制。然而，在生产过程中，由于生产工序、材料、环境以及其他因素的影响，晶体管的导通阈值电压容易发生偏差。例如，在P型晶体管的导通阈值电压增大时，原有的截止电压可能会小于增大后的阈值电压，而使得P型晶体管发生导通。即，晶体管正偏将会导致导通状态发生变化，从而影响显示面板的显示效果。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种种阈值偏移检测电路、显示面板及显示设备。下面首先对本申请实施例所提供的阈值偏移检测电路进行介绍。

图1示出了本申请一个实施例提供的阈值偏移检测电路的模块结构示意图。阈值偏移检测电路包括监控模块10、输出转换模块20及显示模块30。

监控模块10的第一输入端与第一电源信号VDD连接，监控模块10的第二输入端与第一参考信号Vref1连接，监控模块10的监控端与待检测晶体管T连接。监控模块10能够获取第一电源信号VDD的电压和第一参考信号Vref1的电压，并将第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1的电压差值施加于待检测晶体管T，以使得待检测晶体管T在实际导通阈值发生偏移而大于该电压差值时进行导通。监控模块10还可以在待检测晶体管T导通时输出第一导通信号。

输出转换模块20的输入端与监控模块10的输出端连接，在监控模块10输出第一导通信号时，输出转换模块20可以将接收到的第一导通信号转换为第二导通信号并输出。

显示模块30包括发光元件LED，显示模块30的发光控制端与输出转换模块20的输出端连接，显示模块30能够在接收到输出转换模块20输出的第二导通信号时，控制发光元件LED熄灭。

可以理解的是，上述第一电源信号VDD的电压和第一参考信号Vref1的电压可以为预先设置，第一电源信号VDD与第一参考信号Vref1的电压差值即为预先设置的待检测晶体管T的最大允许导通阈值，在待检测晶体管T的导通阈值大于该电压差值时，即确定该待检测晶体管T发生阈值偏移。

在待检测晶体管T未发生导通阈值偏移或者偏移程度较小时，其实际导通阈值仍小于第一电源信号VDD与第一参考信号Vref1的电压差值，使得待检测晶体管T在电压差值下截止。而在待检测晶体管T发生导通阈值偏移，使得实际导通阈值大于电压差值时，待检测晶体管T在该电压差值下将会由截止变为导通。根据施加在待检测晶体管T上的电压差值以及待检测晶体管T的导通状态，即可确定待检测晶体管T的导通阈值是否发生偏移。

在本实施例中，通过设置监控模块10，能够对待检测晶体管T的源极和栅极分别施加第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1，第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1的电压差值即为待检测晶体管T的源极栅极电压差Vgs。通过设置第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1的电压差值，在待检测晶体管T在该电压差值下导通时，可以确定该待检测晶体管T的导通阈值发生正偏，且正偏后的实际导通阈值大于该电压差值。在确定待检测晶体管T导通后，可以控制显示模块30的发光元件LED熄灭，从而提示该待检测晶体管T发生阈值偏移。通过阈值偏移检测电路，能够在检测过程中对产品的待检测晶体管T进行阈值偏移检测，并在待检测晶体管T发生阈值偏移时通过发光元件LED的发光状态进行提示，从而实现对待检测晶体管T发生阈值偏移的产品进行筛选。

可以理解的是，在待检测晶体管T的实际导通阈值大于电压差值时，待检测晶体管T在该电压差值下将会导通。即待检测晶体管T在低电平信号下导通，待检测晶体管T可以为P型晶体管。在待检测晶体管T为显示面板上的晶体管时，待检测晶体管T可以为TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)。

请参照图2，在一些实施例中，上述监控模块10可以包括第一晶体管T1、第一电容C1及第二晶体管T2。

第一晶体管T1的第一端与第一参考信号Vref1连接，第一晶体管T1的控制端与第一使能信号S1连接，第一晶体管T1的第二端与待检测晶体管T的控制端连接。第一电容C1的第一端与待检测晶体管T的控制端连接，第一电容C1的第二端与第一电源信号VDD连接，第一电容C1的第二端还与待检测晶体管T的第一端连接。第二晶体管T2的第一端与待检测晶体管T的第二端连接，第二晶体管T2的第二端与第二参考信号Vref2连接，第二晶体管T2的控制端与第二使能信号S2连接。

其中，第二晶体管T2与待检测晶体管T的公共节点为第一节点，第一节点与输出转换模块20的输入端连接，第一节点即为监控模块10的输出端。

第二晶体管T2可以在导通时将第二参考信号Vref2写入该第一节点，待检测晶体管T可以在导通时将第一电源信号VDD写入该第一节点。

通过预先设置第一参考信号Vref1的电压值和第一电源信号VDD的电压值，能够使得第一晶体管T1在接收第一使能信号S1并导通时，在待检测晶体管T的栅极施加第一参考信号Vref1的电压。此时待检测晶体管T的源极接收第一电源信号VDD的电压，待检测晶体管T的Vgs即为第一参考信号Vref1与第一电源信号VDD的电压差值。该电压差值可以设置为待检测晶体管T的正偏上限阈值。即，在待检测晶体管T的实际导通阈值Vth大于该电压差值时，可以确定该待检测晶体管T的导通阈值正偏程度超出允许范围。

在待检测晶体管T的实际导通阈值Vth未发生正偏或者发生正偏但未达到该电压差值时，Vgs>Vth，待检测晶体管T截止。在待检测晶体管T的实际导通阈值Vth发生正偏，并且偏移程度较高，使得实际导通阈值已超过设置的电压差值时，Vgs<Vth，此时待检测晶体管T导通。

第二晶体管T2在接收到第二使能信号S2时，可以由截止状态变为导通状态，以使第一节点的电压变为第二参考信号Vref2的电压。在第二使能信号S2使能结束后，第一使能信号S1可以控制第一晶体管T1导通。第一晶体管T1导通时，待检测晶体管T若保持截止状态，则第一节点的电压不发生变化；若待检测晶体管T变为导通状态，则第一节点的电压变为第一电源信号VDD的电压。即，待检测晶体管T为导通状态时，第一节点的电压为第一电源信号VDD的电压；待检测晶体管T为截止状态时，第一节点的电压为第二参考信号Vref2的电压。

可以理解的是，监控模块10在待检测晶体管T导通时输出第一导通信号，是指待检测晶体管T导通时，与输出转换模块20的输入端连接的第一节点的电压变为第一电源信号VDD的电压。

在一些实施例中，上述第一晶体管T1和第二晶体管T2可以为P型晶体管，第二参考信号Vref2的电压可以设置为小于第一电源信号VDD的电压。即，在待检测晶体管T导通时，第一节点的电压增大，由第二参考信号Vref2的电压提升至第一电源信号VDD的电压。

请参照图3，在一些实施例中，上述输出转换模块20可以包括第二电容C2，第二电容C2的第一端与监控模块10的输出端连接，第二电容C2的第二端与显示模块30的发光控制端连接。

在第二晶体管T2导通、第一晶体管T1截止时，第一节点的电压为第二参考信号Vref2的电压，而在第一晶体管T1导通，第二晶体管T2截止时，第一节点的电压抬升为第一电源信号VDD的电压，通过第二电容C2的耦合作用，在第一节点的电压进行抬升时，第二电容C2的第二端电位相应地进行耦合抬升，抬升的电压为第一电源信号VDD的电压与第二参考信号Vref2的电压的差值。

可以理解的是，第一节点的电压抬升为第一电源信号VDD的电压时，即相当于监控模块10输出第一导通信号。第二电容C2在第一端的电压抬升为第一电源信号VDD的电压时，将第二端的电压进行耦合抬升，即相当于输出转换模块20在接收到的第一导通信号时输出第二导通信号。

请参照图4，在一些实施例中，上述述显示模块30还可以包括第三晶体管T3和第四晶体管T4。

第三晶体管T3的第一端与第二电容C2的第二端连接，第三晶体管T3的第二端与第三参考信号Vref3连接，第三晶体管T3的控制端与第二使能信号S2连接。

第四晶体管T4的第一端与第一电源信号VDD连接，第四晶体管T4的第二端与发光元件LED的第一端连接，第四晶体管T4的控制端与第二电容C2的第二端连接，发光元件LED的第二端与第二电源信号VEE连接。

第三晶体管T3与第四晶体管T4的公共节点为第二节点，第三晶体管T3导通时，可以将第三参考信号Vref3接入第二节点。

可以理解的是，上述第三晶体管T3的控制端可以与第二使能信号S2连接，此时第三晶体管T3与第二晶体管T2连接相同的使能信号，即第三晶体管T3与第二晶体管T2可以同步导通或同步截止。第三晶体管T3的控制端也可以与其他的使能信号连接，如图5所示，第二晶体管T2和第三晶体管T3分别与第二使能信号S2和第三使能信号S3连接，以分别通过第二使能信号S2和第三使能信号S3控制第二晶体管T2和第三晶体管T3的导通状态。

在第三晶体管T3导通时，第二节点的电压为第三参考信号Vref3的电压，此时第四晶体管T4导通，发光元件LED通过第四晶体管T4分别与第一电源信号VDD和第二电源信号VEE连接，以使发光元件LED正常发光。其中，第二电源信号VEE可以为接地信号。

在第二电容C2的第一端，即第一节点的电压提升为第一电源信号VDD的电压时，第二电容C2的第二端电压也相应抬升，使得第二节点的电压升高，在第二节点的电压升高至大于第四晶体管T4的导通阈值时，

第四晶体管T4由导通状态变为截止状态，发光元件LED的发光回路断开，从而使得发光元件LED熄灭。

在一些实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以为P型晶体管，即第三晶体管T3和第四晶体管T4均为低电平信号导通。第三参考信号Vref3的电压可以设置为小于第四晶体管T4的导通阈值。则在第三晶体管T3导通时，第二节点的电压为第三参考信号Vref3，此时第四晶体管T4的栅极接收到该第三参考信号Vref3，第四晶体管T4导通。

可以理解的是，为了使得第四晶体管T4在待检测晶体管T发生正偏时断开以使发光元件LED熄灭，需要设置第四晶体管T4在初期保持导通状态。即，第四晶体管T4的初始化状态为导通状态。通过设置第三参考信号Vref3的电压，能够在第三晶体管T3导通时对第四晶体管T4的栅极电压进行初始化，以使得第四晶体管T4在对待检测晶体管T进行检测前保持导通状态，发光元件LED正常发光。

请参照图6，在一些实施例中，上述显示模块30还包括第五晶体管T5，第五晶体管T5的第一端与第一电源信号VDD连接，第五晶体管T5的第二端与第四晶体管T4的第一端连接，第五晶体管T5的控制端与发光信号Emit连接。

第四晶体管T4可以通过第五晶体管T5与第一电源信号VDD连接，第五晶体管T5的导通状态由发光信号Emit进行控制。在第五晶体管T5断开、第四晶体管T4导通时，发光元件LED不发光。即，可以在对第四晶体管T4进行初始化后，对待检测晶体管T进行阈值偏移检测，并在第二电容C2对第二节点的电压进行耦合提升后，通过发光信号Emit控制第五晶体管T5导通。此时若待检测晶体管T的导通阈值发生正偏，则第四晶体管T4的栅极电压增大至高于第四晶体管T4的导通阈值，使得发光元件LED不发光，从而指示该待检测晶体管T的导通阈值发生正偏。

若待检测晶体管T的导通阈值未发生正偏，则第四晶体管T4继续导通，第四晶体管T4和第五晶体管T5同时导通时，发光元件LED正常发光，从而指示该待检测晶体管T的导通阈值未发生正偏。

请参照图7，在一些实施例中，上述第二使能信号S2、第一使能信号S1和发光信号Emit可以设置为依次使能。

T1为初始化阶段，在T1时期内，第二使能信号S2下拉为低电平信号，使得第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。第二晶体管T2导通时可以将第一节点的电压初始化为第二参考信号Vref2的电压。第三晶体管T3导通时可以将第二节点的电压初始化为第三参考信号Vref3的电压。此时第四晶体管T4的栅极接收到第三参考信号Vref3的电压，第四晶体管T4导通。

T2为阈值检测阶段，在T2时期内，第一使能信号S1下拉为低电平信号，使得第一晶体管T1导通。

若待检测晶体管T的实际导通阈值发生正偏，并且偏移至实际导通阈值大于第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1的电压差值时，则待检测晶体管T导通，使得第一节点的电压由第二参考信号Vref2的电压提升为第一电源信号VDD的电压，此时第一节点的电位增量为第一电源信号VDD与第二参考信号Vref2的差值。相应地，第二电容C2的第二端，即第二节点的电位增量与第一节点相同。在第二节点的电压抬高至大于第四晶体管T4的导通阈值时，第四晶体管T4由导通状态变为截止状态。

若待检测晶体管T的实际导通阈值未发生正偏或正偏较小，使得实际导通阈值仍小于第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1的电压差值时，待检测晶体管T保持截止状态。第一节点的电压不变，第二节点的电压不变，第四晶体管T4保持导通状态。

T3为保持阶段，在T3时期内，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3均为截止状态，第四晶体管T4的状态则与待检测晶体管T是否发生正偏相关联。在待检测晶体管T正偏时，第四晶体管T4为截止状态；在待检测晶体管T未发生正偏时，第四晶体管T4为导通状态。

T4为发光显示阶段，在T4时期内，发光信号Emit下拉为低电平，第五晶体管T5导通。此时若第四晶体管T4导通，则发光元件LED正常发光，表示待检测晶体管T未发生正偏。若第四晶体管T4截止，则发光元件LED不发光，表示待检测晶体管T发生正偏。

在一些实施例中，第一电源信号VDD为3V，第一参考信号Vref1为2V，第二参考信号Vref2为-2V，第三参考信号Vref3为-2V。

在T1阶段，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，第一节点的电压为-2V，第二节点的电压为-2V，第四晶体管T4的栅极接收到第二节点的电压，第四晶体管T4导通。

在T2阶段，第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，第一晶体管T1导通，待检测晶体管T的源极电压为3V，栅极电压为2V，则待检测晶体管T的Vgs为-1V。

在待检测晶体管T的实际导通阈值未发生正偏，或发生正偏但实际导通阈值Vth仍小于-1V时，待检测晶体管T在源极和栅极分别接收第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1时截止。例如，待检测晶体管T的实际导通阈值Vth为-1.5V，此时Vgs>Vth，待检测晶体管T截止，第一节点、第二节点的电压均未发生变化，第四晶体管T4继续保持导通，使得发光元件LED发光。

在待检测晶体管T的实际导通阈值发生正偏，并且实际导通阈值偏移至大于-1V时，待检测晶体管T在源极和栅极分别接收第一电源信号VDD和第一参考信号Vref1时截止。例如，待检测晶体管T的实际导通阈值Vth为-0.8V，此时Vgs<Vth，待检测晶体管T导通，第一节点的电压由-2V提升至3V，在第二电容C2的耦合作用下，第二节点的电压同样提升5V，此时第二节点的电压变为3V，第四晶体管T4截止，使得发光元件LED不发光。

本申请还提供一种显示面板，显示面板包括多个像素电路以及至少一个阈值偏移检测电路。

多个像素电路为阵列排布，且每个像素电路中包括多个用于驱动像素发光的晶体管。阈值偏移检测电路可以为本申请上述实施例中所提供的阈值偏移检测电路。多个像素电路的多个晶体管中包括至少一个待检测晶体管T，待检测晶体管T与对应的阈值偏移检测电路进行连接。

在显示面板的多个像素电路中，至少存在一个像素电路，该像素电路中的多个晶体管中至少存在一个晶体管为待检测晶体管T。在显示面板内存在多个待检测晶体管T时，可以设置与待检测晶体管T的数量相等的阈值偏移检测电路，并将每个待检测晶体管T与对应的阈值偏移检测电路进行连接，以通过阈值偏移检测电路对待检测晶体管T是否发生正偏进行检测。

可以理解的是，在显示面板中设置一个待检测晶体管T时，若阈值偏移检测电路检测结果为该待检测晶体管T发生正偏，则可以确定该显示面板为异常产品，并对显示面板进行筛选，以避免异常产品流出。

需要说明的是，在显示面板的母板尚未切割时，可以根据切割后的显示面板大小来进行阈值偏移检测电路的设置。例如，在显示面板的母板切割后可以形成多个显示面板时，可以将多个阈值偏移检测电路分别设置在显示面板母板的各个区域，以使得每个切割后的显示面板内至少存在一个阈值偏移检测电路，阈值偏移检测电路可以与该显示面板内像素电路中的某个晶体管进行连接，以将该晶体管作为待检测晶体管T进行检测。通过多个阈值偏移检测电路同时进行检测，可以同时对每个显示面板内的待检测晶体管T进行阈值偏移检测，并在对显示面板进行切割后，将筛选出的存在阈值偏移的待检测晶体管T对应的显示面板进行筛选。

本申请实施例还提供一种显示设备，请参见图8，该显示设备可以为可穿戴设备、智能手表、PC、电视、显示器、移动终端以及平板电脑等，该显示设备可以包括本申请实施例提供的阈值偏移检测电路。

以上所述的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时，其可以例如是电子电路、专用集成电路(ASIC)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时，本申请的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中，或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RF)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。以上仅是本申请的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将本申请的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种阈值偏移检测电路，其特征在于，所述阈值偏移检测电路包括：

监控模块，所述监控模块的第一输入端与第一电源信号连接，所述监控模块的第二输入端与第一参考信号连接，所述监控模块的监控端与待检测晶体管连接，所述监控模块用于将所述第一电源信号和所述第一参考信号的电压差值施加于所述待检测晶体管，以使所述待检测晶体管在所述电压差值小于实际导通阈值时导通，所述监控模块还用于在所述待检测晶体管导通时输出第一导通信号；

输出转换模块，所述输出转换模块的输入端与所述监控模块的输出端连接，所述输出转换模块用于将接收到的第一导通信号转换为第二导通信号；

显示模块，所述显示模块包括发光元件，所述显示模块的发光控制端与所述输出转换模块的输出端连接，所述显示模块用于在接收到所述第二导通信号时熄灭所述发光元件。

2.根据权利要求1所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述监控模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与所述第一参考信号连接，所述第一晶体管的控制端与第一使能信号连接，所述第一晶体管的第二端与所述待检测晶体管的控制端连接；

第一电容，所述第一电容的第一端与所述待检测晶体管的控制端连接，所述第一电容的第二端与所述第一电源信号连接，所述第一电容的第二端与所述待检测晶体管的第一端连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一端与所述待检测晶体管的第二端连接，所述第二晶体管的第二端与第二参考信号连接，所述第二晶体管的控制端与第二使能信号连接；

所述第二晶体管与所述待检测晶体管的公共节点为第一节点，所述第一节点与所述输出转换模块的输入端连接，所述第二晶体管用于将所述第二参考信号接入所述第一节点，所述待检测晶体管用于将所述第一电源信号接入所述第一节点。

3.根据权利要求2所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二参考信号的电压小于所述第一电源信号的电压。

4.根据权利要求2所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述输出转换模块包括：

第二电容，所述第二电容的第一端与所述监控模块的输出端连接，所述第二电容的第二端与所述显示模块的发光控制端连接，所述第二电容用于在第一端的电位增大时，对第二端的电位进行耦合抬升。

5.根据权利要求4所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述显示模块还包括：

第三晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第二电容的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与第三参考信号连接，所述第三晶体管的控制端与所述第二使能信号连接；

第四晶体管，所述第四晶体管的第一端与第一电源信号连接，所述第四晶体管的第二端与所述发光元件的第一端连接，所述第四晶体管的控制端与所述第二电容的第二端连接，所述发光元件的第二端与第二电源信号连接；

所述第三晶体管与所述第四晶体管的公共节点为第二节点，所述第三晶体管用于将第三参考信号接入所述第二节点。

6.根据权利要求5所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管为P型晶体管，所述第三参考信号的电压小于所述第四晶体管的导通阈值电压。

7.根据权利要求5所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述显示模块还包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的第一端与第一电源信号连接，所述第五晶体管的第二端与所述第四晶体管的第一端连接，所述第五晶体管的控制端与发光信号连接。

8.根据权利要求7所述的阈值偏移检测电路，其特征在于，所述第二使能信号、所述第一使能信号以及所述发光信号依次使能；

在所述第二使能信号使能时，所述第二晶体管和所述第三晶体管导通，所述第二参考信号接入所述第一节点，所述第三参考信号接入所述第二节点，所述第四晶体管导通；

在所述第一使能信号使能，且所述待检测晶体管的实际导通阈值大于所述电压差值时，所述第一晶体管导通，所述第一节点的电位增量为所述第一电源信号与所述第二参考信号的差值，所述第二节点的电位增量与所述第一节点的电位增量相同，所述第四晶体管截止；

在所述发光信号使能时，所述第五晶体管导通，所述第四晶体管截止，所述发光元件为熄灭状态。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

多个像素电路，所述多个像素电路为阵列排布，所述像素电路中包括多个用于驱动像素发光的晶体管；

至少一个阈值偏移检测电路，所述阈值偏移检测电路为权利要求1-8中任一项所述的阈值偏移检测电路；

所述晶体管中包括至少一个待检测晶体管，所述待检测晶体管与对应的所述阈值偏移检测电路连接。

10.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括权利要求9所述的显示面板。