CN110264931A - 像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置 - Google Patents

像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，涉及显示技术领域；能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测；待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；该检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，输入阶段包括：向第二扫描端输入第一开启电压，侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；检测阶段包括：向第二扫描端输入第一关闭电压，侦测晶体管截止，检测第二节点的实际电压；并根据实际电压和第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。

Description

像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，其中，AMOLED(Active-matrix OLED，中文全称：主动矩阵有机发光二极体)因驱动电压低，发光组件寿命长等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。
OLED显示器的每一亚像素中均设置有像素电路来驱动OLED发光以进行画面显示；其中，像素电路一般采用晶体管、电容等器件电连接而成，然而，由于工艺、材料以及设计等方面不同的各像素电路中的晶体管的阈值电压往往会发生漂移，从而造成显示器在显示过程中出现亮点、暗点等，并且在线缺陷(line defect)检测中很难检测出来；因此，对于设计一种关于像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法很有必要，以便对后续的制作工艺、显示驱动等提供相关的参考依据。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。
在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。
在一些实施例中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第一信号，所述开关晶体管保持导通状态；所述驱动晶体管的阈值电压的漂移检测方法，在所述输入阶段之前还包括：重置阶段；所述重置阶段包括，向所述数据电压端输入重置电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述重置电压输出至所述第一节点，以将所述存储电容中残留的电荷释放，并对所述第二节点进行重置；所述输入阶段还包括：向所述侦测电压端输入第一电压；向所述第一控制电压端输入第一控制电压；向所述数据电压端输入第一数据电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述第一数据电压输出至所述第一节点。
在一些实施例中，所述第一数据电压大于所述第一控制电压，所述第一电压大于所述第一控制电压；所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压小于所述第一电压，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。
在一些实施例中，所述待检测晶体管为所述侦测晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第二信号，所述开关晶体管保持截止状态；所述检测阶段还包括：向所述侦测信号端输入第二电压；所述第二电压与所述第一电压不同。
在一些实施例中，所述第一关闭电压大于所述第一电压，所述第二电压大于所述第一电压；所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压大于所述第一电压，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。
本发明实施例还提供一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；所述检测装置包括：输入单元、检测单元、处理器；所述输入单元配置为：在输入阶段，向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，向所述侦测信号端输入第一电压；所述输入单元还配置为：在检测阶段，向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止；所述检测单元配置为：在所述检测阶段，检测所述第二节点的实际电压；所述处理器配置为：在所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个。
在一些实施例中，在所述待检测晶体管为所述开关晶体管时，所述处理器配置为：根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压小于所述第一电压时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。
在一些实施例中，在所述待检测晶体管为所述侦测晶体管时，所述处理器配置为根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压大于所述第一电压时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。
本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；该检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，输入阶段包括：向第二扫描端输入第一开启电压，侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；检测阶段包括：向第二扫描端输入第一关闭电压，侦测晶体管截止，检测第二节点的实际电压；并根据实际电压和第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
综上所述，采用本发明提供的检测方法，能够对像素驱动电路中的驱动晶体管和侦测晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测，从而可以对后续的生产以及显示控制提供依据，以降低显示面板因像素电路中的晶体管的阈值电压漂移而造成显示不良的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种像素电路示意图；
图3为本发明实施例提供的一种像素电路的中间形成电路示意图；
图4为本发明实施例提供的一种检测方法流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种检测方法流程示意图；
图6为本发明实施例提供的一种时序驱动示意图；
图7为本发明实施例提供的一种检测方法流程示意图；
图8为本发明实施例提供的一种时序驱动示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本申请实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
此外，本申请中，“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”以及“竖直”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
本申请中涉及的显示装置可以为电视、手机、电脑、笔记本电脑、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载电脑等。
上述显示装置包括框架、设置于框架内的显示面板、电路板、显示驱动IC以及其他电子配件等。
上述显示面板可以为：有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)显示面板、微发光二极管(Micro Light Emitting Diodes，简称Micro LED)显示面板等，本发明对此不做具体限定。
如图1所示，上述显示面板001包括：显示区1(active area，AA；简称AA区；也可称为有效显示区)和围绕显示区1一圈设置的周边区2。
上述显示面板001在显示区1中包括多种颜色的亚像素(sub pixel)P，该多种颜色的亚像素至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。其中，每一亚像素P中均设置有像素电路10(也可称为像素驱动电路)。
为了方便说明，本申请中上述多个亚像素P是以矩阵形式排列为例进行的说明。在此情况下，沿水平方向X排列成一排的亚像素P称为同一行亚像素；沿竖直方向Y排列成一排的亚像素P称为同一列亚像素。
基于此，位于同行亚像素P中的像素电路与同一栅线(Gate Line)GL连接，位于同列亚像素P中的像素电路同一数据线(Data Line)DL连接。
本发明实施例以下实施例以OLED显示面板为例，对上述像素电路10的具体设置情况做进一步的说明。
如图2所示，本发明中涉及的像素电路10可以包括开关晶体管M1、侦测晶体管M2、驱动晶体管M3、存储电容Cst、发光单元(也即OLED)。
上述开关晶体管M1的栅极与第一扫描端G1连接，开关晶体管M1的第一极与数据电压端Data连接，开关晶体管M1的第二极与第一节点连接。
上述侦测晶体管M2的栅极与第二扫描端G2连接，侦测晶体管M2的第一极与所述第二节点连接，侦测晶体管M2的第二极与侦测信号端SENSE连接。
上述驱动晶体管M3的栅极与第一节点G连接，驱动晶体管M3的第一极与第一控制电压端VDD连接，驱动晶体管M3的第二极与第二节点S连接。
上述存储电容Cst的第一极与第一节点G连接，存储电容Cst的第二极与第二节点S连接。
发光单元(也即OLED)一端与第二节点S，另一端接地或者连接固定电压端VSS。
本领域的技术人员可以理解的是，由于工艺、材料以及设计等方面不同，各像素电路中的晶体管的阈值电压往往会发生漂移，从而造成显示面板在显示过程中出现显示不良。
基于此，本发明提出一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，以降低显示面板出现显示不良的几率。
在一些实施例中，该检测方法可以在显示面板001的制作过程中，在阵列基板制作完成后，也即如图3所示，像素电路10中驱动电路部分(包括前述的开关晶体管M1、侦测晶体管M2、驱动晶体管M3、存储电容Cst)制作完成后，并未开始制作发光单元(OLED)之前，对像素电路10中晶体管的阈值电压的漂移进行检测。
上述像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，可以对驱动晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测，也可以对侦测晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测；也可以先后分别对驱动晶体管和侦测晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测。也即可以将驱动晶体管和侦测晶体管中的至少一个作为待检测晶体管，进行阈值电压的漂移检测。
如图4所示，上述待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段T1、检测阶段T2。
输入阶段T1包括：向第二扫描端G2输入第一开启电压，侦测晶体管M2导通，通过侦测信号端SENSE向第二节点S写入第一电压V1。
检测阶段T2包括：向第二扫描端G2输入第一关闭电压，侦测晶体管M2截止，检测第二节点S的实际电压V’；并根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
也就是说，采用本发明提供的检测方法，能够对像素驱动电路中的驱动晶体管和侦测晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测，能够检测出相关的不良(例如线不良)，同时可以对后续的生产以及显示控制提供依据，以降低显示面板因像素电路中的晶体管的阈值电压漂移而造成显示不良的几率。
在一些实施例，上述检测阶段T2中根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态可以为：根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。
示例的，在一些实施例，上述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移可以包括：判断实际电压V’和第一电压V1是否一致，若实际电压V’和第一电压V1一致，则确定待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若实际电压V’和第一电压V1不一致，则确定待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。
以下通过具体实施例对驱动晶体管M3和侦测晶体管M2的阈值电压的漂移的检测过程做进一步的说明。
实施例一
在该实施例中，待检测晶体管为驱动晶体管M3；在此情况下，参考图3和图5，该驱动晶体管M3的阈值电压的漂移检测方法包括：重置阶段T0、输入阶段T1、检测阶段T2。
参考图6的时序控制图，在整个检测过程中，向第一扫描端G1持续输入第一信号，开关晶体管G1保持导通状态。
重置阶段T0包括，向数据电压端Data输入重置电压，并通过导通的开关晶体管M1，将重置电压输出至第一节点G，以将存储电容Cst中残留的电荷释放，并对第二节点S进行重置。
在一些实施例中，上述重置电压可以为接地信号GND。
输入阶段T1包括：向侦测电压端SENSE输入第一电压V1；向第一控制电压端VDD输入第一控制电压Vdd；向数据电压端Data输入第一数据电压Vdata，并通过导通的开关晶体管M1，将第一数据电压Vdata输出至第一节点G。另外，在该阶段，向第二扫描端G1输入第一开启电压，侦测晶体管M2导通，通过侦测信号端SENSE向第二节点写入第一电压V1。
示例的，如图6所示，在上述输入阶段T1，第二扫描端G1输入的第一开启电压可以在进入输入阶段T1后的t1时间后进行输入。
检测阶段T2包括：侦测电压端SENSE、第一控制电压端VDD、数据电压端Data保持前一阶段(即输入阶段T1)输入的电压(即V1、Vdd、Vdata)；同时，向第二扫描端G2输入第一关闭电压，侦测晶体管M2截止；在此情况下，检测第二节点S的实际电压V’，并根据实际电压V’和第一电压V1，判断驱动晶体管M3的阈值电压的漂移状态。
在一些实施例中，可以设置第一数据电压Vdata大于第一控制电压V1；上述第一电压V1大于第一控制电压Vdd。
在此情况下，可以理解的是，对于驱动晶体管M3而言：
若第一节点G(第一数据电压Vdata)与第一控制电压端VDD的电压(第一控制电压Vdd)差值大于驱动晶体管M3的阈值电压Vth(即Vdata-Vdd＞Vth)，则驱动晶体管M3导通，第二节点S的电压(第一电压V1)输出至第一控制电压端VDD，此时，第二节点S的电压下降；也即第二节点S的实际电压V’小于第一电压V1(即V’＜V1)。
若第一节点G(第一数据电压Vdata)与第一控制电压端VDD的电压(第一控制电压Vdd)差值小于驱动晶体管M3的阈值电压Vth(即Vdata-Vdd＜Vth)，则驱动晶体管M3截止，此时第二节点S的电压保持不变；即第二节点S的实际电压V’等于第一电压V1(V’＝V1)。
基于此，本发明中在选取第一数据电压Vdata和第一控制电压Vdd时，可以直接选取两者的差值等于驱动晶体管M3的阈值电压预估值(该预估值可以为经验值)。当然，在检测过程中，还可实时的对第一数据电压Vdata和第一控制电压Vdd的差值进行调整(也即对第一数据电压Vdata、第一控制电压Vdd中的至少一个进行调整)。
在此情况下，在检测阶段T2，根据实际电压V’和第一电压V1，判断驱动晶体管M3的阈值电压的漂移状态可以包括：若实际电压V’和第一电压V1一致，则确定驱动晶体管M3的阈值电压未发生漂移；若实际电压V’小于第一电压V1，则确定驱动晶体管M3的阈值电压发生负漂移。
需要说明的是，通过本发明的检测方法，能够通过在多次检测过程中，设置第一数据电压Vdata和第一控制电压Vdd的差值不同，还可以获取驱动晶体管M3的分布区间范围。
示例的，在第一次检测过程中，可以设置Vdata-Vdd＝1；此时，检测得到第二节点S的实际电压V’与第一电压V1相等；在第二次检测过程中，设置Vdata-Vdd＝1.5；此时，检测得到第二节点S的实际电压V’小于第一电压V1；在此情况下，即可判断该驱动晶体管的阈值电压处于1v～1.5v的范围内。
实施例二
在该实施例中，待检测晶体管为侦测晶体管M2；在此情况下，参考图3和图7，该侦测晶体管M2的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段T1、检测阶段T2。
参考图8的时序控制图，在整个检测过程中，向第一扫描端G1持续输入第二信号，开关晶体管M1保持截止状态。也就是说，在该检测过程中，对于第一控制电压端VDD、数据电压端Data输入的信号不做具体限定，只要不影响检测即可。
输入阶段T1包括：向侦测电压端SENSE输入第一电压V1；向第二扫描端G2输入第一开启电压，侦测晶体管M2导通，通过侦测信号端SENSE向第二节点S写入第一电压V1，并对第二节点S进行复位。
示例的，如图8所示，上述输入阶段T1，第二扫描端G1输入的第一开启电压可以在进入输入阶段T1后的t2时间后进行输入。
检测阶段T2包括：向第二扫描端G2输入第一关闭电压Vs，侦测晶体管M2截止；向侦测信号端SENSE输入第二电压V2(V2≠V1)；检测第二节点S的实际电压V’；并根据实际电压V’和第一电压V1，判断侦测晶体管M2的阈值电压的漂移状态。
在一些实施例中，上述第一关闭电压Vs大于第一电压V1，第二电压V2大于第一电压V1。
在此情况下，可以理解的是，对于侦测晶体管M2而言：
若第二扫描端G2的电压(第一关闭电压Vs)与第二节点S的电压(第一电压V1)的差值大于其阈值电压Vth(即Vs-V1＞Vth)，则侦测晶体管M1导通，将侦测信号端SENSE的第二电压V2输出至第二节点S的电压，第二节点S的电压上降；也即第二节点S的实际电压V’大于第一电压V1(即V’＞V1)。
若第二扫描端G2的电压(第一关闭电压Vs)与第二节点S的电压(第一电压V1)的差值小于其阈值电压Vth(即Vs-V1＜Vth)，则侦测晶体管M1截止，第二节点S的电压保持不变；也即第二节点S的实际电压V’与第一电压V1相等(V’＝V1)。
基于此，本发明中在选取第一关闭电压Vs和第一电压V1时，可以直接选取差值等于侦测晶体管的阈值电压预估值(该预估值可以为经验值)；当然，在检测过程中，还可实时的对第一关闭电压Vs和第一电压V1的差值进行调整(也即对第一关闭电压Vs、第一电压V1中的至少一个进行调整)。
在此情况下，在检测阶段T2，根据实际电压V’和第一电压V1，判断侦测晶体管M2的阈值电压的漂移状态可以包括：若实际电压V’和第一电压V1一致，则确定侦测晶体管M2的阈值电压未发生漂移；若实际电压V’大于第一电压V1，则确定侦测晶体管M2的阈值电压发生负漂移。
需要说明的是，通过本发明的检测方法，通过在多次检测过程中，设置第一关闭电压Vs和第一电压V1的差值不同，还可以获取侦测的晶体管M2的分布区间范围。
示例的，在第一次检测过程中，设置Vs-V1＝1；此时检测得到第二节点S的实际电压V’与第一电压V1相等；在第二次检测过程中，设置Vs-V1＝1.5；此时检测得到第二节点S的实际电压V’大于第一电压V1；在此情况下，即可判断该侦测晶体管M2的阈值电压处于1v～1.5v的范围内。
需要说明的是，本发明中的晶体管可以为增强型晶体管，也可以为耗尽型晶体管。本发明上述实施例中晶体管的导通、截止(开启、关闭)过程均是以所有晶体管为P型晶体管为例进行说明的；本发明实施例中晶体管也可以为N型，当所有晶体管均为N型时，需要对图6和图8中各个控制信号进行翻转即可。
本发明实施例还提供一种关于前述的像素电路10中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其中，驱动晶体管M3和侦测晶体管M2中的至少一个作为待检测晶体管。该检测装置包括：输入单元、检测单元、处理器。
输入单元配置为：在输入阶段T1，向第二扫描端G2输入第一开启电压，侦测晶体管M2导通，通过侦测信号端SENSE向第二节点S写入第一电压。
输入单元还配置为：在检测阶段T2，向第二扫描端G2输入第一关闭电压，侦测晶体管M2截止。
示例的，在一些实施例中，上述输入单元包括电压生成电路。
检测单元配置为：在检测阶段T2，检测第二节点S的实际电压V’。
示例的，在一些实施例中，上述检测单元可以包括：悬空非接触式测电器；也即通过该悬空非接触式测电器以非接触的方式对第二节点S的电压进行检测。
处理器配置为：在检测阶段T2，根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
在一些实施例中，上述检测装置还可以包括显示单元。示例的，该显示单元可以为显示器。
在此情况下，上述处理器还配置为，控制显示单元对待检测晶体管的阈值电压的漂移状态进行显示。
示例的，在一些实施例中，在待检测晶体管为驱动晶体管M3时，上述处理器配置为：根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态可以包括：处理器通过比较实际电压V’和第一电压V1之间的大小，并在实际电压V’和第一电压V1一致时，则确定驱动晶体管M3的阈值电压未发生漂移；在实际电压V’小于第一电压V1时，则确定驱动晶体管M3的阈值电压发生负漂移。
在此情况下，对于包括显示器(显示单元)的检测装置而言，处理器还可以控制显示器，在对应(检测的显示面板中的)阈值电压未发生漂移的驱动晶体管M3的位置，显示绿色亮点；在对应(检测的显示面板中的)阈值电压发生负漂移的驱动晶体管M3的位置，显示暗点。
示例的，在一些实施例中，在待检测晶体管为侦测晶体管M2时，上述处理器配置为根据实际电压V’和第一电压V1，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态可以包括：处理器通过比较实际电压V’和第一电压V1之间的大小，并在实际电压V’和第一电压V1一致时，则确定侦测晶体管M2的阈值电压未发生漂移；在实际电压V’大于第一电压V1时，则确定侦测晶体管M2的阈值电压发生负漂移。
在此情况下，对于包括显示器(显示单元)的检测装置而言，处理器还可以控制显示器，在对应(检测的显示面板中的)阈值电压未发生漂移的侦测晶体管M2的位置，显示绿色亮点，在对应(检测的显示面板中的)阈值电压未发生漂移的侦测晶体管M2的位置，显示异常高亮点。
对于上述检测方法中其他的相关内容(例如实施例、实施例二)检测步骤，相应的可以也采用前述检测装置中相关的部件进行，例如，输入电压的步骤均可以通过输入单元进行输入等，此处不再一一赘述。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；
待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；
所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；
所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
2.根据权利要求1所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。
3.根据权利要求2所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：
判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。
4.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述待检测晶体管为所述驱动晶体管；
在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第一信号，所述开关晶体管保持导通状态；
所述驱动晶体管的阈值电压的漂移检测方法，在所述输入阶段之前还包括：重置阶段；
所述重置阶段包括，向所述数据电压端输入重置电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述重置电压输出至所述第一节点，以将所述存储电容中残留的电荷释放，并对所述第二节点进行重置；
所述输入阶段还包括：向所述侦测电压端输入第一电压；向所述第一控制电压端输入第一控制电压；向所述数据电压端输入第一数据电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述第一数据电压输出至所述第一节点。
5.根据权利要求4所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述第一数据电压大于所述第一控制电压，所述第一电压大于所述第一控制电压；
所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：
若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压小于所述第一电压，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。
6.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述待检测晶体管为所述侦测晶体管；
在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第二信号，所述开关晶体管保持截止状态；
所述检测阶段还包括：向所述侦测信号端输入第二电压；所述第二电压与所述第一电压不同。
7.根据权利要求6所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，
所述第一关闭电压大于所述第一电压，所述第二电压大于所述第一电压；
所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：
若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压大于所述第一电压，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。
8.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其特征在于，
所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；
所述检测装置包括：输入单元、检测单元、处理器；
所述输入单元配置为：在输入阶段，向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，向所述侦测信号端输入第一电压；
所述输入单元还配置为：在检测阶段，向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止；
所述检测单元配置为：在所述检测阶段，检测所述第二节点的实际电压；
所述处理器配置为：在所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态；
其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个。
9.根据权利要求8所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其特征在于，
在所述待检测晶体管为所述开关晶体管时，所述处理器配置为：根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：
所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压小于所述第一电压时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。
10.根据权利要求8所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其特征在于，
在所述待检测晶体管为所述侦测晶体管时，所述处理器配置为根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：
所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压大于所述第一电压时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。
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