CN110827730A - 一种检测ltpsamoled显示基板像素区晶体管特性的电路与方法 - Google Patents

一种检测ltpsamoled显示基板像素区晶体管特性的电路与方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路与方法，所述电路包括：驱动晶体管DTFT、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块，其特征在于：还包括检测晶体管和多个检测端，其中，多个检测端包括第一检测端，其与检测晶体管的第一极连接，检测晶体管的第二极连接驱动晶体管DTFT栅极，检测晶体管栅极连接复位信号线。电路制作方便，具有更高的制样成功率，同时这种结构设计只需要将探针直接搭接在金属检测端上便可。并且增加的检测晶体管可以增加一条对存储电容Cst初始化路径，优化复位效果，有利于改善闪烁与残像等。

Description

一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路与 方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路与方法。
背景技术
LTPS AMOLED的阵列基板驱动部分，是由多个薄膜晶体管TFT构成，这些TFT的性能，会直接影响显示效果，因此，TFT的性能测试在显示面板行业中非常重要。常规的TFT特性评价主要包括：TFT的转移特性曲线和输出特性曲线、以及TFT特性参数(如阈值电压、迁移率、关态漏电流等)。
目前现有技术中，主要通过在非显示区设计TEG测试键来评价TFT特性，由于LTPS技术中掺杂、ELA(Excimer Laser Annel，准分子激光退火)等工艺，会存在均一性略差的问题，所以TEG测试键难以表征整面的TFT特性状况。为了更加准确的评价像素区内任意像素TFT的特性，目前正在开发采用腐蚀、研磨等方法，将TFT基板上的有机与无机绝缘层去除，或采用FIB(聚焦离子束)挖孔搭接的方式，再通过探针搭接到TFT的源、漏、栅极(SD Layer)测试显示区TFT特性。
但对于第一种方法，由于复合膜层腐蚀精度、机械研磨精度难以掌控到微米级别，成功率极低。FIB搭接时，由于镀铂或搭接效果难以确认，测试结果浮动很大，准确率不足。所以本文探讨一种可实现更加方便、成功率高、准确性高的测试LTPS AMOLED显示基板像素区TFT特性的结构设计与方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决上述问题的检测LTPSAMOLED显示基板像素区TFT特性的电路与方法。本发明通过在TFT最上层的金属层阳极层同层设计TFT测试点的金属Pad，金属Pad避开或新增TFT隔离，规避存储电容、数据线等特殊位置被测试金属块耦合，形成像素区TFT测试的结构。通过在测试金属Pad(Gate/EM/Reset/Vinit AND)上施加电压控制像素电路开关，并在测试金属检测端(Vinit AND/Vdd/AND)输入或检出信号变化，并采用截断部分金属线，在测试像素或与相离像素形成测试通路，用以测试像素电路内各个TFT的特性。
具体而言一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路，所述电路包括：驱动晶体管DTFT、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块，其特征在于：还包括检测晶体管和多个检测端，其中，多个检测端包括第一检测端，其与检测晶体管的第一极连接，检测晶体管的第二极连接驱动晶体管DTFT栅极，检测晶体管栅极连接复位信号线。
进一步地，多个检测端还包括与复位信号线、发光信号线、扫描信号线、电源线、电致发光元件阳极连接的第二检测端、第三检测端、第四检测端、第五检测端和第六检测端。
进一步地，初始化模块包括第一晶体管和第七晶体管,其中，第一晶体管的栅极连接复位信号线，第一晶体管的第一极连接检测晶体管第二极、驱动晶体管DTFT栅极和存储电容的第一极；第一晶体管的第二极连接复位电压，第七晶体管的栅极连接扫描信号，第一极连接电致发光元件的阳极，第二极连接复位电压。
进一步地，写入模块包括第二晶体管和第四晶体管，第二晶体管和第四晶体管的栅极均连接扫描信号,第二晶体管的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二晶体管的第二极连接驱动晶体管DTFT的栅极；第四晶体管的第一极连接数据信号，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极。
进一步地，发光控制模块包括第五晶体管和第六晶体管，其中，第五晶体管和第六晶体管的栅极均连接发光信号线，第五晶体管的第一极连接电源线，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极；第六晶体管的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二极连接电致发光元件的阳极。
本发明还提供一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的方法，其特征在于：采用上述任一项所述的电路实现，所述方法包括通过切断电路上部分线路，实现断开部分晶体管，并在部分检测端对剩余电路中的晶体管进行检测。
进一步地，切断部分线路，将第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管和第七晶体管从线路上断开；
测试驱动晶体管DTFT时：检测第一检测端经检测晶体管作DTFT的栅极端，第五检测端经第五晶体管作驱动晶体管DTFT的源极端，第六检测端经第六晶体管作驱动晶体管DTFT的漏极端；
测试第五晶体管时，第三检测端作第五晶体管的栅极端，第五检测端作源极端，第六检测端经第六晶体管作DTFT漏极端；
测试第六晶体管时，第三检测端作第六晶体管T6的栅极端，第五检测端经第五晶体管作源极端，第六检测端作DTFT漏极端。
进一步地，切断部分线路，将将第二晶体管至第六晶体管和存储电容Cst从线路上断开；
测试时，第二检测端作为第一晶体管或第八晶体管的栅极，第四检测端作为第七晶体管的栅极；第一检测端作为第一晶体管、第七晶体管或第八晶体管的第一极，第六检测端作为第一晶体管、第七晶体管或第八晶体管的第二极。
进一步地，切断部分线路，将第一晶体管、驱动晶体管DTFT以及第四晶体管、第五晶体管、第七晶体管和存储电容Cst从线路上断开，
测试第二晶体管时，第一检测端经检测晶体管作第二晶体管的第一极，第六检测端经第六晶体管作第二晶体管第二极，第四检测端作第二晶体管的栅极端；
测试第六晶体管时，第一检测端经检测晶体管、第二晶体管作第六晶体管第一极，第六检测端作第六晶体管第二极，第三检测端作第六晶体管栅极端；
测试检测晶体管时，第二检测端作为检测晶体管的栅极，第一检测端作为检测晶体管的第一极，第六检测端经第六晶体管和第二晶体管作为检测晶体管的第二极。
进一步地，切断部分线路，将第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第七晶体管、检测晶体管、驱动驱动晶体管DTFT和存储电容Cst从线路上断开，并通过数据线使得上下两个相邻像素的线路组合，
当检测第四晶体管时，下一像素的第五检测端经第五晶体管和第四晶体管作第四晶体管的第一极，第五检测端经第五晶体管作第四晶体管的第二极；第四检测端作第四晶体管的栅极；
当检测第五晶体管时，下一像素的第五检测端经第五晶体管和第四晶体管以及本像素的第四晶体管作第五晶体管的第一极，第五检测端作第四晶体管的第二极；第三检测端作第五晶体管的栅极。
发明效果：
采用本发明的方案的这种结构，形成金属检测端时只需去除PDL的有机材料，相比于有机与无机复合膜层，更易去除，具有更高的制样成功率。同时这种结构设计只需要将探针直接搭接在测试金属Pad上便可，相对与FIB搭接方法更加稳定，准确率更高，对于解析与TFT特性相关的不良Issue有重要作用。
同时，本发明的这种结构和方法，可以对像素区内各个TFT进行测试。并且增加的TFT8可以增加一条对Cst初始化路径，优化Reset效果，有利于改善Flicker与残像等。
附图说明
图1是现有像素电路结构图；
图2是本发明检测电路结构图；
图3是在基板上形成的检测端布局图；
图4本发明检测电路检测部分晶体管的第一结构图；
图5本发明检测电路检测部分晶体管的第二结构图；
图6本发明检测电路检测部分晶体管的第三结构图；
图7本发明检测电路检测部分晶体管的第四结构图。
具体实施方式
为了使本技术领域人员更好的理解本发明，下面结合附图和实施方法对本发明作进一步的详细描述，需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例和实施例中的特征可以相互任意组合。
如图2和3所示，本发明的检测LTPSAMOLED显示基板像素区TFT特性的电路，所述电路包括驱动晶体管DTFT(T3)、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块、检测晶体管T8和多个检测端。
其中检测晶体管T8与其他晶体管同时形成，但是在其他晶体管使用时不参与工作，且TFT结构不像电容会影响电路的性能。
其中，驱动晶体管DTFT、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块均为本领域公知技术，比如常见的7T1C、6T1C、6T2C、5T1C和4T1C等像素电路中，均包括这些部分，其具体电路构成和连接方式会有不同，但是各部分的作用基本相同，具体如下：
初始化模块用于对存储电容Cst和电致发光元件OLED的阳极进行放电，使得存储电容以及电致发光元件OLED的阳极电压复位。从而使得后续阶段中的数据信号可以被更迅速、更可靠地存储在存储电容Cst中；同时，可以使电致发光元件OLED在发光之前显示为黑态，可改善采用上述像素电路的显示装置的对比度等显示效果。
写入模块用于将接收到的数据信号对存储电容Cst进行充电，以用于后续电致发光元件OLED进行发光时，提供灰度显示数据。
发光控制模块用于将电致发光元件OLED的阳极和阴极分别接入了第一电源电压VDD(例如，高电平电压)和第二电源电压VSS(例如，低电平电压)，从而使得发光元件OLED在流经驱动晶体管DTFT的驱动电流的作用下发光。
其中，多个检测端包括第一检测端11，其设置在复位电压Vinit线上，且连接与检测晶体管T8的第一极连接。并且，除了数据线之外，在复位信号(Reset，上一级像素电路的扫描信号Gaten-1)线、发光信号(EM)线、扫描信号(Gaten)、电源Vdd线和电致发光元件OLED的阳极形成分别形成检测端。
在图中，在复位信号(Reset，上一级像素电路的扫描信号Gaten-1)线、发光信号(EM)线、扫描信号(Gaten)线上分别设置第二检测端12、第三检测端13、第四检测端14，在电源Vdd线上形成第五检测端15，在电致发光元件OLED的阳极形成第六检测端16。
其中，驱动晶体管DTFT的栅极与存储电容Cst的第二极连接，并且驱动晶体管DTFT的栅极与存储电容Cst的第二极可在复位信号的控制下释放电量。
检测晶体管T8的第一极连接第一检测端11，第二极连接驱动晶体管DTFT栅极，检测晶体管T8栅极连接第二检测端12。
其中，优选地，所述第一检测端11-第六检测端16均形成在基板最上的阳极层。更优选地，多个像素电路的第一检测端11通过在基板最上的阳极层设置的金属导线连接。具体地，通过在阳极上设计金属检测端，检测端通过光刻、刻蚀等显示阵列基板工艺，形成检测端的图案和过孔链接点，实现上述连接关系(各检测端的布局如图3所示)。
当需要测试电路中的晶体管时，可以对电路的线路进行切断，将部分晶体管从电路中断开，用剩余的电路结合检测端对保留的晶体管进行测试。
采用这样的结构，第一-第四检测端14与第一、第五和第六检测端16形成“4控制端+3输入/输出端”结构，可以通过多个检测端的配合实现对电路内部多个晶体管的特性的测试。并且，由于采用了检测晶体管T8的结构，不仅具有优化存储电容初始功能，同时在不影响电路工作状态下可作为驱动晶体管DTFT测试的栅极控制端。尤其是检测晶体管T8的第一极与复位电压Vinit连接，可以更好地泄放存储电容和驱动晶体管的电量。
需要说明的是，7T1C、6T1C、6T2C、5T1C和4T1C电路中，只要是驱动晶体管的栅极可以用复位信号放电的方案，均可以采用本发明的新增一个检测晶体管T8并将T8的栅极与复位信号连接，且第一极与该驱动晶体管栅极端连接方式实现本发明的思路。
实施例1：
下面以7T1C为例，说明本发明实施例1方案的具体电路结构和工作过程。
如图2所示，初始化模块包括第一晶体管T1和第七晶体管T7,其中，第一晶体管T1的栅极连接复位信号(Gaten-1)，第一晶体管T1的第一极连接检测晶体管T8第二极、驱动晶体管DTFT栅极和存储电容的第一极。第一晶体管T1的第二极连接复位电压Vinit。第七晶体管T7的栅极连接扫描信号Gaten，第一极连接电致发光元件OLED的阳极，第二极连接复位电压Vinit。
写入模块包括第二晶体管T2和第四晶体管T4，第二晶体管T2和第四晶体管T4的栅极均连接扫描信号Gaten,第二晶体管T2的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二极连接驱动晶体管DTFT的栅极。第四晶体管T4的第一极连接数据信号，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极。
发光控制模块包括第五晶体管T5和第六晶体管T6，其中，第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅极均连接发光信号EM，第五晶体管T5的第一极连接电源Vdd，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极。第六晶体管T6的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二极连接电致发光元件OLED的阳极。
在本方案中，存储电容Cst的第一极连接电源信号Vdd。
在像素电路进行正常显示工作时：
第一时段，上一级像素的扫描信号Gaten-1(即本级像素的复位信号)和本级的扫描信号Gaten使得第一晶体管T1和第七晶体管T7导通，使得存储电容Cst和电致发光元件OLED的阳极的与复位电压连通，电量进行释放；
第二时段，扫描信号Gaten使得第四晶体管T4、第二晶体管导通T2，数据电压通过第四晶体管T4、驱动晶体管DTFT和第二晶体管T2写入存储电容Cst；
第三时段，发光信号EM使得第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，电源Vdd通过第五晶体管、驱动晶体管DTFT、第六晶体管T6施加到电致发光元件OLED阳极，进而使得电致发光元件OLED发光。
当需要对晶体管特性进行检测时，则根据需要对电路的部分进行切断，利用剩余电路进行检测，具体如图3-6所示。
1.测试驱动晶体管DTFT、第五晶体管T5、第六晶体管T6
当需要测试驱动晶体管DTFT、第五晶体管T5或第六晶体管T6时，切断部分线路，将第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7从线路上断开，形成如图4所示的电路结构。
如测试驱动晶体管DTFT，则发光信号EM的第三检测端13和复位信号Reset的第二检测端12通入低电位，进而打开检测晶体管T8、第五晶体管T5和第六晶体管T6，第一检测端11经检测晶体管T8可作DTFT的栅极端，第五检测端15经第五晶体管T5作驱动晶体管DTFT的源极端，第六检测端16经第六晶体管T6作驱动晶体管DTFT的漏极端，探针搭接到对应检测端上上，便可以进行DTFT Id～Vd或Id～Vg的性能评价。
如需要测试第五晶体管T5或第六晶体管T6时，第一检测端11和第二检测端12保持低电位打开检测晶体管T8与驱动晶体管DTFT，第三检测端13可作第五晶体管T5/第六晶体管T6的栅极端，第五检测端15(或经第五晶体管T5)作第五晶体管T5(或第六晶体管T6)的源极端，第六检测端16(或经第六晶体管T6)作第六晶体管T6(或第五晶体管T5)漏极端，构成T5/T6特性测试通路。
2.测试第一晶体管T1、第七晶体管T7、第八晶体管T8
当需要测试第一晶体管T1、第七晶体管T7或第八晶体管T8时，切断部分线路，将第二晶体管T2至第六晶体管T6和存储电容从线路上断开，并切断第一晶体管T1、第七晶体管T7的第二极与复位电压的电连接，形成如图5所示的电路结构。
测试时，第二检测端12作为第一晶体管T1和第八晶体管T8的栅极，第四检测端14作为第七晶体管T7的栅极。第一检测端11作为第一晶体管T1、第七晶体管T7或第八晶体管T8的第一极，第六检测端16作为第二极。探针搭接到对应检测端上，便可以进行第一晶体管T1、第七晶体管T7或第八晶体管T8Id～Vd或Id～Vg的性能评价。
3.测试第二晶体管T2、第六晶体管T6、第八晶体管T8
当需要测试第二晶体管T2、第六晶体管T6或第八晶体管T8时，切断部分线路，将第一晶体管T1、驱动晶体管DTFT以及第四、五、七晶体管T4/T5/T7和存储电容从线路上断开，并切断第一晶体管T1、第七晶体管T7的第二极与复位电压的电连接，形成如图6所示的电路结构。
如测试T2，发光信号EM的第三检测端13、复位信号Reset的第二检测端12通入低电位，进而打开检测晶体管T8和第六晶体管T6，第一检测端11经检测晶体管T8可作第二晶体管T2的第一极，第六检测端16经第六晶体管T6可作第二晶体管T2漏极端，第四检测端14作第二晶体管T2的栅极端。
利用这个电路，同理可以测试第六晶体管T6，扫描信号的第四检测端14和复位信号Reset的第二检测端12保持低电位打开检测晶体管T8与第二晶体管T2，第一检测端11经检测晶体管T8、第二晶体管T2可作第六晶体管T6第一极，第六检测端16作第六晶体管T6第二极，第三检测端13可作第六晶体管T6栅极端，构成T6 TFT特性测试通路。
同理可测试检测晶体管T8，第三检测端13和第四检测端14低电平打开第二晶体管T2和第六晶体管T6，则第二检测端12作为检测晶体管T8的栅极，第一检测端11作为检测晶体管T8的第一极，第六检测端16经第六晶体管T6和第二晶体管T2作为检测晶体管T8的第二极。
探针搭接到对应检测端上，便可以进行T2/T6/T8 Id～Vd或Id～Vg的性能评价。
4.测试第四晶体管T4、第五晶体管T5
当需要测试第四晶体管T4、第五晶体管T5时，切断部分线路，将第一、第二、第六、第七晶体管T1/T2/T6/T7、检测晶体管T8、驱动驱动晶体管DTFT和存储电容从线路上断开，并且本发明中为了降低数据线上的耦合，未在数据线上设计测试输入/输出检测端，因此，本发明利用数据线作两个上下相邻像素电路(以第n行和第n+1行为例说明)的链接线，使得上下两个相邻像素组合在一起，形成如图7所示的电路结构。
如需测试第n行的第四晶体管T4，则第n行的第三检测端13、第n+1行第三检测端13、第n+1行第四检测端14低电位打开第n行的第五晶体管T5、第n+1行的第四晶体管T4和第五晶体管T5。当检测第四晶体管时，第n+1行的第五检测端15经第n+1行第五晶体管T5和第四晶体管T4作第n行第四晶体管T4的第一极，第n行的第五检测端15经第n行的第五晶体管T5可作第n行第四晶体管的第二极；第n行的第四检测端14作第n行第四晶体管T4的栅极端，探针搭接到对应Pad上，便可以进行n行T4 Id～Vd或Id～Vg的性能评价。
如需测试第n行的第五晶体管T5，则第n行第四检测端14、第n+1行第三检测端13、第四检测端14低电位打开第n行第四晶体管T4、第n+1行第五晶体管T5和第四晶体管，第n+1行第五检测端15经第n+1行第五晶体管T5和第四晶体管T4和第n行第四晶体管作第n行第五晶体管T5的第一极，第n行的第五检测端15作第n行第五晶体管T5第二极，第n行第三检测端13作第n行第五晶体管T5栅极端，构成T5 TFT特性测试通路。
表1中，对于上述测试过程进行了汇总。
Figure BDA0002293330760000091
表1
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离前述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路，所述电路包括：驱动晶体管DTFT、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块，其特征在于：还包括检测晶体管和多个检测端，其中，多个检测端包括第一检测端，其与检测晶体管的第一极连接，检测晶体管的第二极连接驱动晶体管DTFT栅极，检测晶体管栅极连接复位信号线。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：多个检测端还包括与复位信号线、发光信号线、扫描信号线、电源线、电致发光元件阳极连接的第二检测端、第三检测端、第四检测端、第五检测端和第六检测端。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：初始化模块包括第一晶体管和第七晶体管,其中，第一晶体管的栅极连接复位信号线，第一晶体管的第一极连接检测晶体管第二极、驱动晶体管DTFT栅极和存储电容的第一极；第一晶体管的第二极连接复位电压，第七晶体管的栅极连接扫描信号，第一极连接电致发光元件的阳极，第二极连接复位电压。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：写入模块包括第二晶体管和第四晶体管，第二晶体管和第四晶体管的栅极均连接扫描信号,第二晶体管的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二晶体管的第二极连接驱动晶体管DTFT的栅极；第四晶体管的第一极连接数据信号，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：发光控制模块包括第五晶体管和第六晶体管，其中，第五晶体管和第六晶体管的栅极均连接发光信号线，第五晶体管的第一极连接电源线，第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极；第六晶体管的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极，第二极连接电致发光元件的阳极。
6.一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的方法，其特征在于：采用权利要求1-5任一项所述的电路实现，所述方法包括通过切断电路上部分线路，实现断开部分晶体管，并在部分检测端对剩余电路中的晶体管进行检测。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：切断部分线路，将第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管和第七晶体管从线路上断开；
测试驱动晶体管DTFT时：检测第一检测端经检测晶体管作DTFT的栅极端，第五检测端经第五晶体管作驱动晶体管DTFT的源极端，第六检测端经第六晶体管作驱动晶体管DTFT的漏极端；
测试第五晶体管时，第三检测端作第五晶体管的栅极端，第五检测端作源极端，第六检测端经第六晶体管作第五晶体管的漏极端；
测试第六晶体管时，第三检测端作第六晶体管T6的栅极端，第五检测端经第五晶体管作源极端，第六检测端作第六晶体管漏极端。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：切断部分线路，将将第二晶体管至第六晶体管和存储电容Cst从线路上断开；
测试时，第二检测端作为第一晶体管或第八晶体管的栅极，第四检测端作为第七晶体管的栅极；第一检测端作为第一晶体管、第七晶体管或第八晶体管的第一极，第六检测端作为第一晶体管、第七晶体管或第八晶体管的第二极。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：切断部分线路，将第一晶体管、驱动晶体管DTFT以及第四晶体管、第五晶体管、第七晶体管和存储电容Cst从线路上断开，
测试第二晶体管时，第一检测端经检测晶体管作第二晶体管的第一极，第六检测端经第六晶体管作第二晶体管第二极，第四检测端作第二晶体管的栅极端；
测试第六晶体管时，第一检测端经检测晶体管、第二晶体管作第六晶体管第一极，第六检测端作第六晶体管第二极，第三检测端作第六晶体管栅极端；
测试检测晶体管时，第二检测端作为检测晶体管的栅极，第一检测端作为检测晶体管的第一极，第六检测端经第六晶体管和第二晶体管作为检测晶体管的第二极。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：切断部分线路，将第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第七晶体管、检测晶体管、驱动驱动晶体管DTFT和存储电容Cst从线路上断开，并通过数据线使得上下两个相邻像素的线路组合，
当检测第四晶体管时，下一像素的第五检测端经第五晶体管和第四晶体管作第四晶体管的第一极，第五检测端经第五晶体管作第四晶体管的第二极；第四检测端作第四晶体管的栅极；
当检测第五晶体管时，下一像素的第五检测端经第五晶体管和第四晶体管以及本像素的第四晶体管作第五晶体管的第一极，第五检测端作第四晶体管的第二极；第三检测端作第五晶体管的栅极。
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