CN113035101A - 显示面板、器件性能测试方法和显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供的显示面板、器件性能测试方法和显示设备，涉及测试技术领域。其中，显示区域包括显示区驱动晶体管和显示区发光器件，测试区域包括与显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管和与显示区发光器件对应设置的测试区发光器件。测试区驱动晶体管包括第一高电位端、第一低电位端和第一栅极端。测试区发光器件包括第一阳极和第一阴极，第一阳极与第一低电位端电连接。第一高电位端、第一低电位端、第一栅极端、第一阳极和第一阴极中的至少一个与信号探测设备电连接，信号探测设备用于采集电连接位置的测试信号。基于上述设置，可以改善现有技术中难以对显示区驱动晶体管和显示区发光器件进行有效测试的问题。

Description

显示面板、器件性能测试方法和显示设备

技术领域

本申请涉及测试技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、器件性能测试方法和显示设备。

背景技术

对于包括有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)和晶体管器件的显示面板，在有机电致发光器件基于晶体管器件的驱动进行发光显示的过程中，有机电致发光器件和晶体管器件的器件性能会发生变化，从而影响显示器件的寿命。因而，需要对有机电致发光器件和晶体管器件的器件性能进行测试，但是，基于现有的测试技术，难以有效地对有机电致发光器件和晶体管器件的器件性能进行测试。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种显示面板、器件性能测试方法和显示设备，以改善现有技术中难以对显示区驱动晶体管和显示区发光器件进行有效测试的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种显示面板，所述显示面板包括显示区域和测试区域，所述显示区域包括显示区驱动晶体管和显示区发光器件，所述显示区发光器件基于所述显示区驱动晶体管的驱动进行发光显示，所述测试区域包括：

与所述显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管，所述测试区驱动晶体管包括第一高电位端、第一低电位端和第一栅极端，所述第一高电位端与高电平信号源电连接，所述第一栅极端与栅极驱动信号源电连接；

与所述显示区发光器件对应设置的测试区发光器件，所述测试区发光器件包括第一阳极和第一阴极，所述第一阳极与所述第一低电位端电连接，所述第一阴极与低电平信号源电连接；

其中，在对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试时，所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个与信号探测设备电连接，所述信号探测设备用于采集电连接位置的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述测试区域还包括：

测试焊盘，所述测试焊盘与所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个电连接；

其中，在对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试时，所述信号探测设备与所述测试焊盘电连接。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述显示区发光器件包括多个第一发光器件，所述多个第一发光器件中存在至少两种颜色不同的发光器件，所述显示区驱动晶体管包括多个第一驱动晶体管，每一个所述第一驱动晶体管用于对所述多个第一发光器件中的其中一个进行驱动；

其中，所述测试区发光器件包括多个第二发光器件，所述多个第二发光器件中存在与所述第一发光器件的至少两种颜色对应的发光器件，所述测试区驱动晶体管包括多个第二驱动晶体管，每一个所述第二驱动晶体管用于对所述多个第二发光器件中的其中一个进行驱动。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述显示面板还包括阳极初始化信号源，所述测试区域还包括：

测试区开关晶体管，所述测试区开关晶体管与所述测试区驱动晶体管的极性相反，且所述测试区开关晶体管包括第二高电位端、第二低电位端和第二栅极端，所述第二高电位端与所述阳极初始化信号源电连接，所述第二低电位端与所述第一低电位端电连接，所述第二栅极端与所述第一栅极端电连接；

其中，所述测试区驱动晶体基于所述栅极驱动信号源提供的信号关断、所述测试区开关晶体管基于所述栅极驱动信号源提供的信号导通之后，通过所述阳极初始化信号源提供的信号对所述第一阳极进行初始化处理。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述测试区开关晶体管和所述测试区驱动晶体管分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域的N型MOS管和P型MOS管，或者，所述测试区开关晶体管和所述测试区驱动晶体管分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域的P型MOS管和N型MOS管；

其中，所述N型MOS管的漏极作为高电位端，所述N型MOS管的源极作为低电位端，所述P型MOS管的源极作为高电位端，所述P型MOS管的漏极作为低电位端。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述显示区域还包括用于控制所述显示区驱动晶体管的第一像素驱动电路；

其中，所述测试区域还包括用于控制所述测试区驱动晶体管的第二像素驱动电路，所述第二像素驱动电路与所述第一像素驱动电路的电路结构相同。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述显示面板中，所述显示面板还包括数据信号源、第一扫描信号源、第二扫描信号源、控制信号源和初始化信号源，所述第二像素驱动电路包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、第七开关晶体管、第八开关晶体管和存储电容；

所述第一开关晶体管的高电位端与所述数据信号源电连接，所述第一开关晶体管的低电位端与所述第一高电位端电连接，所述第一开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第二开关晶体管的高电位端与所述高电平信号源电连接，所述第二开关晶体管的低电位端与所述第一高电位端电连接，所述第二开关晶体管的栅极端与所述控制信号源电连接，以使所述第一高电位端通过所述第二开关晶体管与所述高电平信号源电连接；

所述第三开关晶体管的高电位端与所述第一栅极端电连接，所述第三开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第四开关晶体管的高电位端与所述第三开关晶体管的低电位端电连接，所述第四开关晶体管的低电位端与所述第一低电位端电连接，所述第四开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第五开关晶体管的高电位端与所述第一低电位端电连接，所述第五开关晶体管的低电位端与所述第一阳极电连接，所述第五开关晶体管的栅极端与所述控制信号源电连接；

所述第六开关晶体管的高电位端与所述第一栅极端电连接，所述第六开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述第七开关晶体管的高电位端与所述第六开关晶体管的低电位端电连接，所述第七开关晶体管的低电位端与所述初始化信号源电连接，所述第七开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述第八开关晶体管的高电位端与所述初始化信号源电连接，所述第八开关晶体管的低电位端与所述第一阳极电连接，所述第八开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述存储电容的一端与所述高电平信号源电连接，所述存储电容的另一端与所述第一栅极端电连接。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种器件性能测试方法，用于对上述的显示面板中的测试区驱动晶体管和测试区发光器件进行测试，所述器件性能测试方法应用于包括驱动控制器和信号探测设备的器件性能测试系统，且所述器件性能测试方法包括：

所述驱动控制器控制所述高电平信号源向所述第一高电位端提供高电平电压，控制所述低电平信号源向所述第一阴极提供低电平电压，并控制所述栅极驱动信号源向所述第一栅极端提供灰阶电压，以使所述测试区驱动晶体管导通后向所述测试区发光器件提供灰阶电流；

所述信号探测设备采集所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述器件性能测试方法中，所述显示面板还包括阳极初始化信号源，所述测试区域还包括测试区开关晶体管，在执行所述控制所述栅极驱动信号源向所述第一栅极端提供灰阶电压的步骤之前，所述器件性能测试方法还包括：

所述驱动控制器控制所述测试区驱动晶体管关断，并控制所述测试区开关晶体管导通；

所述驱动控制器控制阳极初始化信号源通过导通后的所述测试区开关晶体管向所述第一阳极提供阳极初始化信号，以对所述第一阳极进行初始化处理。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种显示设备，所述显示设备包括上述的显示面板。

本申请提供的显示面板、器件性能测试方法和显示设备，通过在显示面板上设置显示区域和测试区域，且在测试区域中设置与显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管和与显示区发光器件对应设置的测试区发光器件，并将测试区驱动晶体管和测试区发光器件电连接，使得测试区发光器件能够基于测试区驱动晶体管的驱动而发光显示，从而模拟出显示区驱动晶体管和显示区发光器件的工作状态。基于此，可以通过对测试区驱动晶体管和测试区发光器件在一起工作时进行测试，得到测试信号，从而实现对显示区驱动晶体管和显示区发光器件的测试，进而改善现有技术中难以对显示区驱动晶体管和显示区发光器件进行有效测试的问题。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本申请实施例提供的显示面板的结构框图。

图2为本申请实施例提供的测试区域的电路结构示意图之一。

图3为本申请实施例提供的测试区域的电路结构示意图之二。

图4为本申请实施例提供的测试区域的电路结构示意图之三。

图5为图4所示的电路的驱动信号时序示意图。

图6为本申请实施例提供的第二发光器件的封装示意图。

图7为图3所示的电路的驱动信号时序示意图。

图标：100-显示面板；110-显示区域；130-测试区域；DT1-测试区驱动晶体管；P1-第一高电位端；P2-第一低电位端；G1-第一栅极端；D1-测试区发光器件；An1-第一阳极；Ca1-第一阴极；VDD-高电平信号源；VSS-低电平信号源；VG-栅极驱动信号源；ST11-测试区开关晶体管；VD-阳极初始化信号源；VDATA-数据信号源；Vscan1-第一扫描信号源；Vscan2-第二扫描信号源：VEM-控制信号源；VREF-初始化信号源；ST21-第一开关晶体管；ST22-第二开关晶体管；ST23-第三开关晶体管；ST24-第四开关晶体管；ST25-第五开关晶体管；ST26-第六开关晶体管；ST27-第七开关晶体管；ST28-第八开关晶体管；C1-存储电容。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1和图2所示，本申请实施例提供了一种显示面板100。其中，所述显示面板100可以包括显示区域110和测试区域130。

详细地，所述显示区域110包括显示区驱动晶体管和显示区发光器件，所述显示区发光器件基于所述显示区驱动晶体管的驱动进行发光显示。所述测试区域130包括测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1，所述测试区驱动晶体管DT1与所述显示区驱动晶体管对应设置，所述测试区发光器件D1与所述显示区发光器件对应设置。

所述测试区驱动晶体管DT1包括第一高电位端P1、第一低电位端P2和第一栅极端G1，所述第一高电位端P1与高电平信号源VDD电连接，所述第一栅极端G1与栅极驱动信号源VG电连接。所述测试区发光器件D1包括第一阳极An1和第一阴极Ca1，所述第一阳极An1与所述第一低电位端P2电连接，所述第一阴极Ca1与低电平信号源VSS电连接。在对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1进行测试时，所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个与信号探测设备电连接，所述信号探测设备用于采集电连接位置的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1进行测试。

基于上述设置，通过在显示面板100上设置显示区域110和测试区域130，且在测试区域130中设置与显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管DT1和与显示区发光器件对应设置的测试区发光器件D1，并将测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1电连接，使得测试区发光器件D1能够基于测试区驱动晶体管DT1的驱动而发光显示，从而模拟出显示区驱动晶体管和显示区发光器件的工作状态。基于此，可以通过对测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1在一起工作时进行测试，得到测试信号，从而实现对显示区驱动晶体管和显示区发光器件的测试，进而改善现有技术中难以对显示区驱动晶体管和显示区发光器件进行有效测试的问题。

可以理解的是，在上述示例中，“所述测试区驱动晶体管DT1与所述显示区驱动晶体管对应设置，所述测试区发光器件D1与所述显示区发光器件对应设置”可以是指，所述测试区驱动晶体管DT1与所述显示区驱动晶体管的性能参数相同或相似，所述测试区发光器件D1与所述显示区发光器件的性能参数相同或相似，使得可以基于所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1模拟出所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的工作状态，从而基于对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的性能测试，反映出所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的器件性能。

其中，在一种可以替代的示例中，为了使得所述测试区驱动晶体管DT1与所述显示区驱动晶体管的性能参数相同或相似，所述测试区驱动晶体管DT1和所述显示区驱动晶体管可以是基于相同的制作工艺在所述显示面板100上不同区域制作形成。

对应地，为了使得所述测试区发光器件D1与所述显示区发光器件的性能参数相同或相似，所述测试区发光器件D1与所述显示区发光器件可以是基于相同的制作工艺在所述显示面板100上不同区域制作形成。

第一方面，对于所述显示区域110需要说明的是，所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的数量不受限制，可以根据实际应用需求选择。

例如，在一种可以替代的示例中，所述显示区发光器件包括多个第一发光器件，所述显示区驱动晶体管包括多个第一驱动晶体管。每一个所述第一驱动晶体管用于对所述多个第一发光器件中的其中一个进行驱动，例如，所述多个第一驱动晶体管可以与所述多个第一发光器件之间具有一一对应的关系。

可选地，在上述示例的基础上，在一种可以替代的示例中，基于一定发光显示的需求，所述多个第一发光器件中存在至少两种颜色不同的发光器件。例如，所述多个第一发光器件中可以存在三种颜色不同的发光器件，如红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件，以基于分别输出的红色光、绿色光和蓝色光混合调制出白色光。

在上述示例的基础上，对于所述显示区域110还需要说明的是，为了使得能够通过所述显示区驱动晶体管对所述所述显示区发光器件的发光显示进行较好的控制，在一种可以替代的示例中，所述显示区域110还可以包括用于控制所述显示区驱动晶体管的第一像素驱动电路。

可选地，所述第一像素驱动电路的构成不受限制，例如，所述第一像素驱动电路和所述显示区驱动晶体管可以构成2T1C电路、4T1C电路、6T1C电路和7T1C电路等。

可以理解的是，在上述示例中，“2T1C电路、4T1C电路、6T1C电路和7T1C电路”中的“T”可以是指晶体管，“C”可以是指电容。

例如，在7T1C电路中，可以包括7个晶体管和1个电容。

第二方面，对于所述测试区域130需要说明的是，所述测试区域130中用于与所述信号探测设备电连接的位置不受限制，可以根据应用中对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的测试需求进行配置。

例如，在一种可以替代的示例中，所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中存在一个，用于与所述信号探测设备电连接。

又例如，在另一种可以替代的示例中，所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的每一个，均用于与所述信号探测设备电连接。

可选地，在上述示例中，对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的测试需求可以包括，但不限于以下需求：

1.对所述测试区驱动晶体管DT1的稳定性进行测试：根据所述显示区域110中器件的实际工作过程中的灰阶电流，对所述测试区驱动晶体管DT1的三端分别施加相应的直流电压，研究在不同电压条件下的测试区驱动晶体管DT1的稳定性，其中，为减弱信号串扰，所述第一阴极Ca1给定的电压信号与所述第一低电位端P2给定的电压信号相同，以使得所述测试区发光器件D1不发光；

2.对所述测试区发光器件D1的稳定性进行测试：根据所述显示区域110中器件的实际工作过程中的灰阶电流，对所述测试区发光器件D1两端分别施加相应的直流电压/电流信号，研究所述测试区发光器件D1的启亮电压或效率，其中，为减弱信号串扰，所述测试区驱动晶体管DT1关断；

3.对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的稳定性进行测试：对所述高电平信号源VDD和所述低电平信号源VSS分别施加直流信号(如所述高电平信号源VDD提供4.6V的高电平信号，所述低电平信号源VSS提供-3V的低电平信号)，根据所述显示区域110中器件的实际灰阶电流，对所述第一栅极端G1施加相应的灰阶电压，从而测试所述测试区驱动晶体管DT1驱动所述测试区发光器件D1时的稳定性，如所述测试区发光器件D1的启亮电压或效率。

可选地，在上述示例中，所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个，与所述信号探测设备电连接的方式不受限制。

例如，在一种可以替代的示例中，为了使得所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个，便于与所述信号探测设备电连接，即提高进行测试的有效性和便利性，所述测试区域130还可以包括测试焊盘。

详细地，所述测试焊盘与所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个电连接。其中，在对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1进行测试时，所述信号探测设备与所述测试焊盘电连接。

也就是说，所述信号探测设备通过所述测试焊盘与所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个电连接。

可以理解的是，在上述示例中，所述测试焊盘可以为一个，与所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的一个电连接。所述测试焊盘也可以为多个，分别与所述述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的每一个电连接。

可以理解的是，在上述示例中，考虑到所述第一低电位端P2与所述第一阳极An1之间具有电连接关系，所述第一低电位端P2和所述第一阴极Ca1可以与同一个测试焊盘电连接。

在上述示例的基础上，对于所述测试区域130还需要说明的是，所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的数量不受限制，可以根据实际应用需求选择。

例如，在一种可以替代的示例中，如前所述，所述显示区发光器件包括多个第一发光器件，所述多个第一发光器件中存在至少两种颜色不同的发光器件，所述显示区驱动晶体管包括多个第一驱动晶体管，每一个所述第一驱动晶体管用于对所述多个第一发光器件中的其中一个进行驱动。基于此，为了能够对不同的显示区驱动晶体管和显示区发光器件的工作状态都进行模拟，并对比不同的显示区驱动晶体管和显示区发光器件之间的器件性能，所述测试区发光器件D1可以包括多个第二发光器件。

其中，所述多个第二发光器件中存在与所述第一发光器件的至少两种颜色对应的发光器件，所述测试区驱动晶体管DT1包括多个第二驱动晶体管，每一个所述第二驱动晶体管用于对所述多个第二发光器件中的其中一个进行驱动。

例如，如前所述，所述多个第一发光器件中存在红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件，对应地，所述多个第二发光器件中也存在红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。

在上述示例的基础上，对于所述测试区域130还需要说明的是，为了提高所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1对所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的工作状态的模拟效果，考虑到所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件在实际工作过程中存在初始化过程，对应地，在一种可以替代的示例中，所述显示面板100还包括阳极初始化信号源VREF，所述测试区域130还包括测试区开关晶体管ST11。

详细地，所述测试区开关晶体管ST11与所述测试区驱动晶体管DT1的极性相反，且所述测试区开关晶体管ST11包括第二高电位端、第二低电位端和第二栅极端，所述第二高电位端与所述阳极初始化信号源VREF电连接，所述第二低电位端与所述第一低电位端P2电连接，所述第二栅极端与所述第一栅极端G1电连接。

其中，在所述测试区驱动晶体管DT1基于所述栅极驱动信号源VG提供的信号关断，且所述测试区开关晶体管ST11基于所述栅极驱动信号源VG提供的信号导通之后，通过所述阳极初始化信号源VREF提供的信号对所述第一阳极An1进行初始化处理。如此，可以释放所述第一阳极An1累积的电荷，从而避免累积的电荷对所述测试区发光器件D1的性能影响，进而避免不能有效模拟出所述显示区发光器件的工作状态的问题。

可选地，在上述示例中，为了保证所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区开关晶体管ST11之间的配合，需要所述测试区开关晶体管ST11与所述测试区驱动晶体管DT1的极性相反。其中，为了使得形成所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区开关晶体管ST11的工艺更为简便，且保证静态功耗较低，所述测试区开关晶体管ST11和所述测试区驱动晶体管DT1可以分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域130的N型MOS管和P型MOS管，或者，所述测试区开关晶体管ST11和所述测试区驱动晶体管DT1分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域的P型MOS管和N型MOS管。

其中，所述N型MOS管的漏极作为高电位端，所述N型MOS管的源极作为低电位端，所述P型MOS管的源极作为高电位端，所述P型MOS管的漏极作为低电位端。

也就是说，在所述测试区驱动晶体管DT1为N型MOS管时，所述测试区开关晶体管ST11为P型MOS管。在所述测试区驱动晶体管DT1为P型MOS管时，所述测试区开关晶体管ST11为N型MOS管。

例如，在所述测试区驱动晶体管DT1为P型MOS管时，所述测试区驱动晶体管DT1的源极作为所述第一高电位端P1，所述测试区驱动晶体管DT1的漏极作为所述第一低电位端P2。在所述测试区开关晶体管ST11为N型MOS管时，所述测试区开关晶体管ST11的漏极作为所述第二高电位端，所述测试区开关晶体管ST11的源极作为所述第二低电位端。

可以理解的是，所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区开关晶体管ST11之间的配合工作可以参照后文对所述器件性能测试方法的解释说明，在此不再一一赘述。

在上述示例的基础上，对于所述测试区域130还需要说明的是，为了进一步提高所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1对所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的工作状态的模拟效果，考虑到所述显示区域110还可以包括用于控制所述显示区驱动晶体管的第一像素驱动电路，在一种可以替代的示例中，对应地，所述测试区域130还可以包括用于控制所述测试区驱动晶体管DT1的第二像素驱动电路。

其中，所述第二像素驱动电路与所述第一像素驱动电路的电路结构相同。如此，可以使得所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的工作状态与所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的工作状态之间具有较小的误差，从而提高模拟的真实性。

可以理解的是，在上述示例中，所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路的电路构成不受限制。

例如，在一种可以替代的示例中，结合图4，所述显示面板100还包括数据信号源VDATA、第一扫描信号源Vscan1、第二扫描信号源Vscan2、控制信号源VEM和初始化信号源VREF。基于此，所述第二像素驱动电路可以包括第一开关晶体管ST21、第二开关晶体管ST22、第三开关晶体管ST23、第四开关晶体管ST24、第五开关晶体管ST25、第六开关晶体管ST26、第七开关晶体管ST27、第八开关晶体管ST28和存储电容C1。

详细地，所述第一开关晶体管ST21的高电位端与所述数据信号源VDATA电连接，所述第一开关晶体管ST21的低电位端与所述第一高电位端P1电连接，所述第一开关晶体管ST21的栅极端与所述第二扫描信号源Vscan2电连接。所述第二开关晶体管ST22的高电位端与所述高电平信号源VDD电连接，所述第二开关晶体管ST22的低电位端与所述第一高电位端P1电连接，所述第二开关晶体管ST22的栅极端与所述控制信号源VEM电连接，以使所述第一高电位端P1通过所述第二开关晶体管ST22与所述高电平信号源VDD电连接。所述第三开关晶体管ST23的高电位端与所述第一栅极端G1电连接，所述第三开关晶体管ST23的栅极端与所述第二扫描信号源Vscan2电连接。所述第四开关晶体管ST24的高电位端与所述第三开关晶体管ST23的低电位端电连接，所述第四开关晶体管ST24的低电位端与所述第一低电位端P2电连接，所述第四开关晶体管ST24的栅极端与所述第二扫描信号源Vscan2电连接。所述第五开关晶体管ST25的高电位端与所述第一低电位端P2电连接，所述第五开关晶体管ST25的低电位端与所述第一阳极An1电连接，所述第五开关晶体管ST25的栅极端与所述控制信号源VEM电连接。所述第六开关晶体管ST26的高电位端与所述第一栅极端G1电连接，所述第六开关晶体管ST26的栅极端与所述第一扫描信号源Vscan1电连接。所述第七开关晶体管ST27的高电位端与所述第六开关晶体管ST26的低电位端电连接，所述第七开关晶体管ST27的低电位端与所述初始化信号源VREF电连接，所述第七开关晶体管ST27的栅极端与所述第一扫描信号源Vscan1电连接。所述第八开关晶体管ST28的高电位端与所述初始化信号源VREF电连接，所述第八开关晶体管ST28的低电位端与所述第一阳极An1电连接，所述第八开关晶体管ST28的栅极端与所述第一扫描信号源Vscan1电连接。所述存储电容C1的一端与所述高电平信号源VDD电连接，所述存储电容C1的另一端与所述第一栅极端G1电连接。

其中，在一种可以替代的示例中，在基于所述初始化信号源VREF对所述第一阳极An1进行初始化处理之后，在控制所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1进行发光显示的过程中，所述高电平信号源VDD提供高电平信号，所述低电平信号源VSS提供低电平信号，所述数据信号源VDATA、所述第一扫描信号源Vscan1、所述第二扫描信号源Vscan2和所述控制信号源VEM提供的信号之间，按照一定的时序，可以具有如图5所示的电平对应关系。

可以理解的是，在上述示例中，所述第一开关晶体管ST21、所述第二开关晶体管ST22、所述第三开关晶体管ST23、所述第四开关晶体管ST24、所述第五开关晶体管ST25、所述第六开关晶体管ST26、所述第七开关晶体管ST27和所述第八开关晶体管ST28的具体类型不受限制，例如，既可以是N型MOS管，也可以是P型MOS管。

可以理解的是，所述数据信号源VDATA、所述第一扫描信号源Vscan1、所述第二扫描信号源Vscan2、所述控制信号源VEM和所述初始化信号源VREF既可以用于向所述第二像素驱动电路提供相应的信号，也可以用于向所述第一像素驱动电路提供相应的信号。

也就是说，所述第一像素驱动电路的端口和所述第二像素电路的端口之间既可以通过相同的信号源获取信号，也可以通过不同的信号源获取信号，只要能够保证对应端口获取到的信号相同，使得所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1对所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的工作状态的模拟效果更佳。

在上述示例的基础上，对于所述测试区域130还需要说明的是，在所述多个第二发光器件中，结合图6，每一个所述第二发光器件可以具有封装区域，以对所述第二发光器件进行封装，且为了提高封装的精度，所述封装区域的尺寸可以较大，如2mm*2mm或3mm*3mm等。

其中，为了避免在封装过程中封装材料溢出，所述封装区域的边缘位置还可以设置有堤坝结构。

在上述示例的基础上，对于所述测试区域130还需要说明的是，所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1在所述测试区域130中的具体位置不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。

例如，在一种可以替代的示例中，为了便于在蒸镀形成所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的过程中进行对位，所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1可以位于所述测试区域130中的PPA(Pixel Position Accuracy，像素位置精度)TEG(Test Element Group，测试组件)区域。

本申请实施例还提供一种器件性能测试方法，可以用于对上述的显示面板100中的测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1进行测试。所述器件性能测试方法应用于器件性能测试系统，所述器件性能测试系统包括驱动控制器和信号探测设备。

其中，所述器件性能测试方法包括以下步骤：

首先，所述驱动控制器控制所述高电平信号源VDD向所述第一高电位端P1提供高电平电压，控制所述低电平信号源VSS向所述第一阴极Ca1提供低电平电压，并控制所述栅极驱动信号源VG向所述第一栅极端G1提供灰阶电压，以使所述测试区驱动晶体管DT1导通后向所述测试区发光器件D1提供灰阶电流。

其次，所述信号探测设备采集所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1进行测试。

也就是说，在所述测试区发光器件D1基于提供的灰阶电流进行发光显示的工作过程中，所述信号探测设备可以采集所述第一高电位端P1、所述第一低电位端P2、所述第一栅极端G1、所述第一阳极An1和所述第一阴极Ca1中的至少一个位置的测试信号，如电流信号和电压信号等，使得可以基于所述测试信号得到所述测试区驱动晶体管DT1和所述测试区发光器件D1的器件性能，从而反映出所述显示区驱动晶体管和所述显示区发光器件的器件性能。

可以理解的是，在上述示例的基础上，为了释放所述第一阳极An1累积的电荷，从而避免累积的电荷对所述测试区发光器件D1的性能影响，在一种可以替代的示例中，在执行上述的步骤“控制所述栅极驱动信号源VG向所述第一栅极端G1提供灰阶电压”之前，所述器件性能测试方法还可以包括以下步骤：

所述驱动控制器控制所述测试区驱动晶体管DT1关断，并控制所述测试区开关晶体管ST11导通；所述驱动控制器控制所述阳极初始化信号源VREF通过导通后的所述测试区开关晶体管ST11向所述第一阳极An1提供阳极初始化信号，以对所述第一阳极An1进行初始化处理。

例如，在一种可以替代的示例中，所述测试区驱动晶体管DT1为P型MOS管，所述测试区开关晶体管ST11为N型MOS管。如此，结合图7，在T1和T2时段，可以控制所述栅极驱动信号源VG输出高电平信号，使得所述测试区驱动晶体管DT1关断、所述测试区开关晶体管ST11导通，使得所述阳极初始化信号源VREF通输出的低电平信号(如-3V)通过导通后的所述测试区开关晶体管ST11对所述第一阳极An1对所述第一阳极An1进行初始化处理。

其中，在初始化处理完成之后，可以进入T3时段，如此，可以控制所述栅极驱动信号源VG输出低电平信号，使得所述测试区驱动晶体管DT1导通、所述测试区开关晶体管ST11关断，如此，在所述高电平信号源VDD向所述第一高电位端P1提供高电平电压、所述低电平信号源VSS向所述第一阴极Ca1提供低电平电压的基础上，可以向所述测试区发光器件D1提供灰阶电流，使得所述测试区发光器件D1进行发光显示。

可以理解的是，在一种可以替代的示例中，所述信号探测设备可以是一种示波器，所述驱动控制器可以是一种现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)。

本申请实施例还提供一种显示设备，可以包括上述的显示面板100，所述显示面板100的构成可以参照前文的解释说明，在此不再一一赘述。

可以理解的是，基于不同的需求，所述显示面板100还可以包括其它器件，例如，还可以包括用于控制所述显示面板100的控制器，如上述的驱动控制器。

也就是说，上述的驱动控制器可以是所述显示设备的一部分，也可以是所述显示设备外的其它器件。

综上所述，本申请提供的显示面板100、器件性能测试方法和显示设备，通过在显示面板100上设置显示区域110和测试区域130，且在测试区域130中设置与显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管DT1和与显示区发光器件对应设置的测试区发光器件D1，并将测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1电连接，使得测试区发光器件D1能够基于测试区驱动晶体管DT1的驱动而发光显示，从而模拟出显示区驱动晶体管和显示区发光器件的工作状态。基于此，可以通过对测试区驱动晶体管DT1和测试区发光器件D1在一起工作时进行测试，得到测试信号，从而实现对显示区驱动晶体管和显示区发光器件的测试，进而改善现有技术中难以对显示区驱动晶体管和显示区发光器件进行有效测试的问题，具有较高的实用价值。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区域和测试区域，所述显示区域包括显示区驱动晶体管和显示区发光器件，所述显示区发光器件基于所述显示区驱动晶体管的驱动进行发光显示，所述测试区域包括：

与所述显示区驱动晶体管对应设置的测试区驱动晶体管，所述测试区驱动晶体管包括第一高电位端、第一低电位端和第一栅极端，所述第一高电位端与高电平信号源电连接，所述第一栅极端与栅极驱动信号源电连接；

与所述显示区发光器件对应设置的测试区发光器件，所述测试区发光器件包括第一阳极和第一阴极，所述第一阳极与所述第一低电位端电连接，所述第一阴极与低电平信号源电连接；

其中，在对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试时，所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个与信号探测设备电连接，所述信号探测设备用于采集电连接位置的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述测试区域还包括：

测试焊盘，所述测试焊盘与所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个电连接；

其中，在对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试时，所述信号探测设备与所述测试焊盘电连接。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区发光器件包括多个第一发光器件，所述多个第一发光器件中存在至少两种颜色不同的发光器件，所述显示区驱动晶体管包括多个第一驱动晶体管，每一个所述第一驱动晶体管用于对所述多个第一发光器件中的其中一个进行驱动；

其中，所述测试区发光器件包括多个第二发光器件，所述多个第二发光器件中存在与所述第一发光器件的至少两种颜色对应的发光器件，所述测试区驱动晶体管包括多个第二驱动晶体管，每一个所述第二驱动晶体管用于对所述多个第二发光器件中的其中一个进行驱动。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阳极初始化信号源，所述测试区域还包括：

测试区开关晶体管，所述测试区开关晶体管与所述测试区驱动晶体管的极性相反，且所述测试区开关晶体管包括第二高电位端、第二低电位端和第二栅极端，所述第二高电位端与所述阳极初始化信号源电连接，所述第二低电位端与所述第一低电位端电连接，所述第二栅极端与所述第一栅极端电连接；

其中，所述测试区驱动晶体基于所述栅极驱动信号源提供的信号关断、所述测试区开关晶体管基于所述栅极驱动信号源提供的信号导通之后，通过所述阳极初始化信号源提供的信号对所述第一阳极进行初始化处理。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述测试区开关晶体管和所述测试区驱动晶体管分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域的N型MOS管和P型MOS管，或者，所述测试区开关晶体管和所述测试区驱动晶体管分别为基于互补式金氧化物半导体工艺制作在所述测试区域的P型MOS管和N型MOS管；

其中，所述N型MOS管的漏极作为高电位端，所述N型MOS管的源极作为低电位端，所述P型MOS管的源极作为高电位端，所述P型MOS管的漏极作为低电位端。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示区域还包括用于控制所述显示区驱动晶体管的第一像素驱动电路；

其中，所述测试区域还包括用于控制所述测试区驱动晶体管的第二像素驱动电路，所述第二像素驱动电路与所述第一像素驱动电路的电路结构相同。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括数据信号源、第一扫描信号源、第二扫描信号源、控制信号源和初始化信号源，所述第二像素驱动电路包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、第七开关晶体管、第八开关晶体管和存储电容；

所述第一开关晶体管的高电位端与所述数据信号源电连接，所述第一开关晶体管的低电位端与所述第一高电位端电连接，所述第一开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第二开关晶体管的高电位端与所述高电平信号源电连接，所述第二开关晶体管的低电位端与所述第一高电位端电连接，所述第二开关晶体管的栅极端与所述控制信号源电连接，以使所述第一高电位端通过所述第二开关晶体管与所述高电平信号源电连接；

所述第三开关晶体管的高电位端与所述第一栅极端电连接，所述第三开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第四开关晶体管的高电位端与所述第三开关晶体管的低电位端电连接，所述第四开关晶体管的低电位端与所述第一低电位端电连接，所述第四开关晶体管的栅极端与所述第二扫描信号源电连接；

所述第五开关晶体管的高电位端与所述第一低电位端电连接，所述第五开关晶体管的低电位端与所述第一阳极电连接，所述第五开关晶体管的栅极端与所述控制信号源电连接；

所述第六开关晶体管的高电位端与所述第一栅极端电连接，所述第六开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述第七开关晶体管的高电位端与所述第六开关晶体管的低电位端电连接，所述第七开关晶体管的低电位端与所述初始化信号源电连接，所述第七开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述第八开关晶体管的高电位端与所述初始化信号源电连接，所述第八开关晶体管的低电位端与所述第一阳极电连接，所述第八开关晶体管的栅极端与所述第一扫描信号源电连接；

所述存储电容的一端与所述高电平信号源电连接，所述存储电容的另一端与所述第一栅极端电连接。

8.一种器件性能测试方法，其特征在于，用于对权利要求1-7任意一项所述的显示面板中的测试区驱动晶体管和测试区发光器件进行测试，所述器件性能测试方法应用于包括驱动控制器和信号探测设备的器件性能测试系统，且所述器件性能测试方法包括：

所述驱动控制器控制所述高电平信号源向所述第一高电位端提供高电平电压，控制所述低电平信号源向所述第一阴极提供低电平电压，并控制所述栅极驱动信号源向所述第一栅极端提供灰阶电压，以使所述测试区驱动晶体管导通后向所述测试区发光器件提供灰阶电流；

所述信号探测设备采集所述第一高电位端、所述第一低电位端、所述第一栅极端、所述第一阳极和所述第一阴极中的至少一个的测试信号，以对所述测试区驱动晶体管和所述测试区发光器件进行测试。

9.根据权利要求8所述的器件性能测试方法，其特征在于，所述显示面板还包括阳极初始化信号源，所述测试区域还包括测试区开关晶体管，在执行所述控制所述栅极驱动信号源向所述第一栅极端提供灰阶电压的步骤之前，所述器件性能测试方法还包括：

所述驱动控制器控制所述测试区驱动晶体管关断，并控制所述测试区开关晶体管导通；

所述驱动控制器控制阳极初始化信号源通过导通后的所述测试区开关晶体管向所述第一阳极提供阳极初始化信号，以对所述第一阳极进行初始化处理。

10.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括权利要求1-7任意一项所述的显示面板。

Images