CN108877611B - 像素驱动电路感测方法及像素驱动电路 - Google Patents

像素驱动电路感测方法及像素驱动电路 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。该像素驱动电路感测方法在重新写入阶段中使公共电压先为一低于第一电位的第二电位而后切换为第一电位并写入第二节点，在公共电压为第二电位时感测线上的电压会由于过驱动充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压切换至第一电位对感测线进行正确的电位写入，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。

Description

像素驱动电路感测方法及像素驱动电路
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路感测方法及像素驱动电路。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最具有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光能效高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。同时，由于OLED显示装置的工艺和材料特性，显示时会出现显示不良(Mura)，需要通过电学的方式实时对其感测以便于进行补偿。
请参阅图1，为现有的一种像素驱动电路的电路图，该像素驱动电路包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、电容C10、有机发光二极管D10、开关K10、感测线100、模数转换器ADC、扫描线WR、数据线DATA及感测控制线RD。所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描线WR，以接收扫描信号，源极电性连接数据线DATA，以接收数据信号，漏极电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极。所述第二薄膜晶体管T20的漏极接入电源正电压VDD，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极。所述第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接感测控制线RD，以接收感测信号，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极，漏极电性连接感测线100。所述电容C10的第一端电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，第二端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。有机发光二极管D10的阴极接入电源负电压VSS。开关K10为单刀双掷开关，其动触点4电性连接感测线100，第一静触点5接入公共电压VCM，第二静触点6电性连接模数转换器ADC。该像素驱动电路的工作过程包括显示阶段及帧消隐(Blank)阶段，在显示阶段，扫描线WR传输具有高电平脉冲的扫描信号，控制第一薄膜晶体管T10导通后截止，数据线DATA将显示电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，驱动有机发光二极管D10发光。请参阅图2，消隐阶段包括初始阶段t10、充电阶段t20、感测阶段t30及重新写入阶段t40。在初始阶段t10，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K10将其动触点4与第一静触点5导通，数据线DATA将参考电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，公共电压VCM写入第二薄膜晶体管T20的源极，该参考电位大于公共电压VCM。在充电阶段t20，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K1将其动触点4与第一静触点5及第二静触点6均断开，此时第二薄膜晶体管T20的源极电压也即感测线100上的电压不断上升直至第二薄膜晶体管T20的源极电压以及感测线100上的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管T20阈值电压的差值。在感测阶段t30，扫描线WR传输低电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10截止，感测控制线RD传输低电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30截止，开关K1将其动触点4与第二静触点6导通，模数转换器ADC对感测线100上的电压进行感测并产生对应的数据后锁存。在重新写入阶段t40，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T10导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T30导通，开关K1将其动触点4与第一静触点5导通，数据线DATA将显示电位写入第二薄膜晶体管T20的栅极，公共电压VCM写入感测线100，而此时由于感测线100上的电位相对于公共电压VCM已经抬升，公共电压VCM写入感测线100会需要较长时间将感测线100放电，使得重新写入阶段t40的时长较长，现有的OLED显示装置中帧消隐阶段的总时长很短(对于4K显示装置而言，帧消隐阶段的总时长为0.68ms)，初始阶段t10的时长由于已经很短无法进行压缩，而感测阶段t30的时长受限于模数转换器ADC的特性也无法改变，重新写入阶段t40的时长增加使得充电阶段t20的时长被严重压缩，导致感测线100充电不充分，感测结果不准确。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素驱动电路感测方法，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
本发明的目的还在于提供一种像素驱动电路，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
为实现上述目的，本发明提供一种像素驱动电路感测方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一像素驱动电路；所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、电容、有机发光二极管、开关、感测线、感测模块、数据线、扫描线及感测控制线；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线，源极电性连接数据线，漏极电性连接第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，漏极接入电源正电压，源极电性连接第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接感测控制线，源极电性连接第二节点，漏极电性连接感测线；所述电容的第一端及第二端分别电性连接第一节点及第二节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接第二节点，阴极接入电源负电压；所述开关为单刀双掷开关，其动触点电性连接感测线，第一静触点接入公共电压，第二静触点电性连接感测模块；
步骤S2、进入初始阶段；
扫描线传输扫描信号控制第一薄膜晶体管导通，感测控制线传输感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关将其动触点与第一静触点导通，数据线将参考电位写入第一节点，公共电压为一第一电位写入感测线及第二节点；所述参考电位大于第一电位；
步骤S3、进入充电阶段；
扫描线传输扫描信号控制第一薄膜晶体管导通，感测控制线传输感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关将其动触点与第一静触点及第二静触点均断开，数据线将参考电位写入第一节点，电源正电压为第二节点及感测线进行充电，使第二节点及感测线上的电压不断上升直至第二节点及感测线的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管阈值电压的差值；
步骤S4、进入感测阶段；
扫描线传输扫描信号控制第一薄膜晶体管截止，感测控制线传输感测信号控制第三薄膜晶体管截止，开关将其动触点与第二静触点导通，感测模块对感测线上的电压进行感测；
步骤S5、进入重新写入阶段；
扫描线传输扫描信号控制第一薄膜晶体管导通，感测控制线传输感测信号控制第三薄膜晶体管导通，开关将其动触点与第一静触点导通，数据线将显示电位写入第一节点，公共电压先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线及第二节点，将感测线及第二节点的电位下拉至第一电位；所述第二电位小于第一电位。
所述步骤S5中，所述公共电压由第二电位切换为第一电位的具体方式为：所述公共电压先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位；多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
所述像素驱动电路还包括与开关的第一静触点电性连接的电压调制模块；所述公共电压由所述电压调制模块提供。
所述电压调制模块改变公共电压的电位时，任意两个相邻的公共电压电位变化时刻之间的时间间隔为纳秒级别。
所述像素驱动电路还包括电路板，所述电压调制模块设于所述电路板上。
所述步骤S2、步骤S3及步骤S5中，扫描线传输高电位的扫描信号，感测控制线传输高电位的感测信号；
所述步骤S4中，扫描线传输低电位的扫描信号，感测控制线传输低电位的感测信号。
所述第一电位为4V，第二电位为1V。
所述感测模块为模数转换器；
所述步骤S4中，模数转换器对感测线上的电压进行感测后还对感测线上的电压进行模数转换处理产生对应的数据并进行锁存。
所述步骤S3及步骤S4中，所述公共电压均为第一电位。
本发明还提供一种像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、电容、有机发光二极管、开关、感测线、感测模块、数据线、扫描线、感测控制线及电压调制模块；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线，源极电性连接数据线，漏极电性连接第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，漏极接入电源正电压，源极电性连接第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接感测控制线，源极电性连接第二节点，漏极电性连接感测线；所述电容的第一端及第二端分别电性连接第一节点及第二节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接第二节点，阴极接入电源负电压；所述开关为单刀双掷开关，其动触点电性连接感测线，第一静触点电性连接电压调制模块，第二静触点电性连接感测模块；
所述电压调制模块用于向第一静触点输出公共电压；在重新写入阶段，电压调制模块使公共电压先为一第二电位并由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位；所述第二电位小于第一电位，多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
本发明的有益效果：本发明提供的一种像素驱动电路感测方法在重新写入阶段中使公共电压先为一低于第一电位的第二电位而后切换为第一电位并写入第二节点，在公共电压为第二电位时感测线上的电压会由于过驱动充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压切换至第一电位对感测线进行正确的电位写入，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。本发明的像素驱动电路能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种像素驱动电路的电路图；
图2为图1所示的像素驱动的电路在帧消隐阶段的时序图；
图3为本发明的像素驱动电路感测方法的流程图；
图4为本发明的像素驱动电路感测方法的第一实施例的像素驱动电路的电路图；
图5为本发明的像素驱动电路感测方法的第一实施例的时序图；
图6为本发明的像素驱动电路感测方法的第二实施例的像素驱动电路的电路图暨本发明的像素驱动电路的电路图；
图7为本发明的像素驱动电路感测方法的第二实施例的时序图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3至图5，本发明的像素驱动电路感测方法的第一实施例包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图4，提供一像素驱动电路。所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、电容C1、有机发光二极管D1、开关K1、感测线10、感测模块20、数据线Data、扫描线WR及感测控制线RD。所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接扫描线WR，源极电性连接数据线Data，漏极电性连接第一节点G。所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接第一节点G，漏极接入电源正电压VDD，源极电性连接第二节点S。所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接感测控制线RD，源极电性连接第二节点S，漏极电性连接感测线10。所述电容C1的第一端及第二端分别电性连接第一节点G及第二节点S。所述有机发光二极管D1的阳极电性连接第二节点S，阴极接入电源负电压VSS。所述开关K1为单刀双掷开关，其动触点1电性连接感测线10，第一静触点2接入公共电压Vcm，第二静触点3电性连接感测模块20。
具体地，请参阅图4，所述感测模块20为模数转换器ADC。
步骤S2、进入初始阶段t1。
扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2导通，数据线Data经导通的第一薄膜晶体管T1将参考电位写入第一节点G，公共电压Vcm为一第一电位写入感测线10并经导通的第三薄膜晶体管T3写入第二节点S，完成第一节点G及第二节点S电位的初始化。所述参考电位大于第一电位。
具体地，请参阅图5，所述步骤S2中，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通。
优选地，所述第一电位为4V。
优选地，扫描信号及感测信号的高电位均为25V。
步骤S3、进入充电阶段t2。
扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2及第二静触点3均断开，数据线Data将参考电位写入第一节点G，此时第二薄膜晶体管T2导通，电源正电压VDD为第二节点S进行充电，并经导通的第三薄膜晶体管T3为感测线10进行充电，使第二节点S及感测线10上的电压不断上升直至第二节点S及感测线10的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管T2阈值电压的差值，完成充电。
具体地，请参阅图5，所述步骤S3中，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通。
具体地，请参阅图5，所述步骤S3中，所述公共电压Vcm保持第一电位。
步骤S4、进入感测阶段t3。
扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1截止，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3截止，开关K1将其动触点1与第二静触点3导通，感测模块20对感测线10上的电压进行感测。
具体地，请参阅图5，所述步骤S4中，扫描线WR传输低电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T1截止，感测控制线RD传输低电位的感测信号控制第三薄膜晶体管T3截止。
优选地，扫描信号及感测信号的低电位均为-5V。
具体地，请参阅图5，所述步骤S4中，所述公共电压Vcm保持第一电位。
具体地，所述步骤S4中，模数转换器ADC对感测线10上的电压进行感测后还对感测线10上的电压进行模数转换处理产生对应的数据并进行锁存。
步骤S5、进入重新写入阶段t4。
扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2导通，数据线Data将显示电位经导通的第一薄膜晶体管T1写入第一节点G，公共电压Vcm先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线10，并经导通的第三薄膜晶体管T3写入第二节点S，此过程公共电压Vcm对感测线10上的电压进行放电，将感测线10及第二节点S的电位下拉至第一电位。所述第二电位小于第一电位。
具体地，请参阅图5，步骤S5中，扫描线WR传输高电位的扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输高电位的感测信号控制第二薄膜晶体管T2导通。
具体地，请参阅图5，在本发明的第一实施例中，所述步骤S5中，公共电压Vcm先为第二电位而后直接切换为第一电位。
优选地，所述第二电位为1V。
需要说明的是，本发明的第一实施例中，在重新写入阶段t4，使公共电压Vcm先为小于第一电位的第二电位，此时感测线10上的电压会由于过驱动(Over Drive)充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压Vcm由第二电位直接切换至第一电位，对感测线10及第二节点S进行正确的电位写入，相较于现有技术，感测线10放电至第一电位的时间大大缩短，能够有效降低重新写入阶段t4的时长，在初始阶段t1、充电阶段t2、感测阶段t3、重新写入阶段t4的总时长有限的前提下，有利于增加充电阶段t2的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
请参阅图3、图6及图7，本发明的像素驱动电路感测方法的第二实施例与上述第一实施例的区别在于：请参阅图7，所述步骤S5中，所述公共电压Vcm由第二电位切换为第一电位的具体方式为：所述公共电压Vcm先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位。多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
具体地，请参阅图6，在本发明的第二实施例中，所述像素驱动电路还包括与开关K1的第一静触点2电性连接的电压调制模块30以及电路板(PCB)40。所述公共电压Vcm由所述电压调制模块30提供。该电压调制模块30设置在电路板40上。
进一步地，所述电压调制模块30改变公共电压Vcm的电位时，任意两个相邻的公共电压Vcm电位变化时刻之间的时间间隔为纳秒级别，也即所述电压调整模块30能够对公共电压Vcm进行纳秒级别的电位切换，进而在本发明的第二实施例中，所述第二电位及每一中间电位的时长均为纳秒级别。
优选地，请参阅图7，多个中间电位的时长依次减小，且第一个中间电位的时长小于第二电位的时长。
需要说明的是，本发明的第二实施例中，利用能够进行纳秒级别电位切换的电压调制模块30向开关K1的第一静触点2提供公共电压Vcm，在重新写入阶段t4，使公共电压Vcm先为小于第一电位的第二电位，而后公共电压Vcm先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位，对感测线10及第二节点S进行正确的电位写入，在每一次公共电压Vcm的电位小于第一电位时，感测线10上的电压均会由于过驱动充电而被迅速拉低，使得感测线10上的电压被迅速拉低至第一电位，相较于现有技术，感测线10放电至第一电位的时间大大缩短，能够有效降低重新写入阶段t4的时长，在初始阶段t1、充电阶段t2、感测阶段t3、重新写入阶段t4的总时长有限的前提下，有利于增加充电阶段t2的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
请参阅图6，基于同一发明构思，本发明还提供一种像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、电容C1、有机发光二极管D1、开关K1、感测线10、感测模块20、数据线Data、扫描线WR、感测控制线RD及电压调制模块30。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接扫描线WR，源极电性连接数据线Data，漏极电性连接第一节点G。所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接第一节点G，漏极接入电源正电压VDD，源极电性连接第二节点S。所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接感测控制线RD，源极电性连接第二节点S，漏极电性连接感测线10。所述电容C1的第一端及第二端分别电性连接第一节点G及第二节点S。所述有机发光二极管D1的阳极电性连接第二节点S，阴极接入电源负电压VSS。所述开关K1为单刀双掷开关，其动触点1电性连接感测线10，第一静触点2电性连接电压调制模块30，第二静触点3电性连接感测模块20。
所述电压调制模块30用于向第一静触点2输出公共电压Vcm。在重新写入阶段，电压调制模块30使公共电压Vcm先为一第二电位并由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位。所述第二电位小于第一电位，多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
具体地，请参阅图6，所述像素驱动电路还包电路板40。所述电压调制模块30设置在电路板40上。
具体地，所述电压调制模块30改变公共电压Vcm的电位时，任意两个相邻的公共电压Vcm电位变化时刻之间的时间间隔为纳秒级别，也即所述电压调整模块30能够对公共电压Vcm进行纳秒级别的电位切换，进而在重新写入阶段，所述第二电位及每一中间电位的时长均为纳秒级别。
具体地，请结合图6及图7，本发明的像素驱动电路的工作过程如下：
首先，进入初始阶段t1。扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2导通，数据线Data经导通的第一薄膜晶体管T1将参考电位写入第一节点G，公共电压Vcm为一第一电位写入感测线10并经导通的第三薄膜晶体管T3写入第二节点S，完成第一节点G及第二节点S电位的初始化。所述参考电位大于第一电位。
接着，进入充电阶段t2。扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2及第二静触点3均断开，数据线Data将参考电位写入第一节点G，此时第二薄膜晶体管T2导通，电源正电压VDD为第二节点S进行充电，并经导通的第三薄膜晶体管T3为感测线10进行充电，使第二节点S及感测线10上的电压不断上升直至第二节点S及感测线10的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管T2阈值电压的差值，完成充电。
之后，进入感测阶段t3。扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1截止，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3截止，开关K1将其动触点1与第二静触点3导通，感测模块20对感测线10上的电压进行感测。
而后，进入重新写入阶段t4。扫描线WR传输扫描信号控制第一薄膜晶体管T1导通，感测控制线RD传输感测信号控制第三薄膜晶体管T3导通，开关K1将其动触点1与第一静触点2导通，数据线Data将显示电位经导通的第一薄膜晶体管T1写入第一节点G，公共电压Vcm先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线10，并经导通的第三薄膜晶体管T3写入第二节点S，此过程公共电压Vcm对感测线10上的电压进行放电，将感测线10及第二节点S的电位下拉至第一电位。所述第二电位小于第一电位。
需要说明的是，本发明的像素驱动电路在工作时利用能够进行纳秒级别电位切换的电压调制模块30向开关K1的第一静触点2提供公共电压Vcm，在重新写入阶段t4，使公共电压Vcm先为小于第一电位的第二电位，而后公共电压Vcm先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位，对感测线10及第二节点S进行正确的电位写入，在每一次公共电压Vcm的电位小于第一电位时，感测线10上的电压均会由于过驱动充电而被迅速拉低，使得感测线10上的电压被迅速拉低至第一电位，相较于现有技术，感测线10放电至第一电位的时间大大缩短，能够有效降低重新写入阶段t4的时长，在初始阶段t1、充电阶段t2、感测阶段t3、重新写入阶段t4的总时长有限的前提下，有利于增加充电阶段t2的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
综上所述，本发明的像素驱动电路感测方法在重新写入阶段中使公共电压先为一低于第一电位的第二电位而后切换为第一电位并写入第二节点，在公共电压为第二电位时感测线上的电压会由于过驱动充电而被迅速拉低至接近第一电位，而后公共电压切换至第一电位对感测线进行正确的电位写入，能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。本发明的像素驱动电路能够有效降低重新写入阶段的时长，有利于增加充电阶段的时长，提升对像素驱动电路感测的准确性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种像素驱动电路感测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一像素驱动电路；所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)、有机发光二极管(D1)、开关(K1)、感测线(10)、感测模块(20)、数据线(Data)、扫描线(WR)及感测控制线(RD)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(WR)，源极电性连接数据线(Data)，漏极电性连接第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(G)，漏极接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接感测控制线(RD)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接感测线(10)；所述电容(C1)的第一端及第二端分别电性连接第一节点(G)及第二节点(S)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S)，阴极接入电源负电压(VSS)；所述开关(K1)为单刀双掷开关，其动触点(1)电性连接感测线(10)，第一静触点(2)接入公共电压(Vcm)，第二静触点(3)电性连接感测模块(20)；
步骤S2、进入初始阶段(t1)；
扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通，数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G)，公共电压(Vcm)为一第一电位写入感测线(10)及第二节点(S)；所述参考电位大于第一电位；
步骤S3、进入充电阶段(t2)；
扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)及第二静触点(3)均断开，数据线(Data)将参考电位写入第一节点(G)，电源正电压(VDD)为第二节点(S)及感测线(10)进行充电，使第二节点(S)及感测线(10)上的电压不断上升直至第二节点(S)及感测线(10)的电压等于参考电位与第二薄膜晶体管(T2)阈值电压的差值；
步骤S4、进入感测阶段(t3)；
扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)截止，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)截止，开关(K1)将其动触点(1)与第二静触点(3)导通，感测模块(20)对感测线(10)上的电压进行感测；
步骤S5、进入重新写入阶段(t4)；
扫描线(WR)传输扫描信号控制第一薄膜晶体管(T1)导通，感测控制线(RD)传输感测信号控制第三薄膜晶体管(T3)导通，开关(K1)将其动触点(1)与第一静触点(2)导通，数据线(Data)将显示电位写入第一节点(G)，公共电压(Vcm)先为一第二电位而后切换为第一电位并写入感测线(10)及第二节点(S)，将感测线(10)及第二节点(S)的电位下拉至第一电位；所述第二电位小于第一电位；
所述步骤S5中，所述公共电压(Vcm)由第二电位切换为第一电位的具体方式为：所述公共电压(Vcm)先由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位；多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述像素驱动电路还包括与开关(K1)的第一静触点(2)电性连接的电压调制模块(30)；所述公共电压(Vcm)由所述电压调制模块(30)提供。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述电压调制模块(30)改变公共电压(Vcm)的电位时，任意两个相邻的公共电压(Vcm)电位变化时刻之间的时间间隔为纳秒级别。
4.如权利要求2所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述像素驱动电路还包括电路板(40)，所述电压调制模块(30)设于所述电路板(40)上。
5.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述步骤S2、步骤S3及步骤S5中，扫描线(WR)传输高电位的扫描信号，感测控制线(RD)传输高电位的感测信号；
所述步骤S4中，扫描线(WR)传输低电位的扫描信号，感测控制线(RD)传输低电位的感测信号。
6.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述第一电位为4V，第二电位为1V。
7.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述感测模块(20)为模数转换器(ADC)；
所述步骤S4中，模数转换器(ADC)对感测线(10)上的电压进行感测后还对感测线(10)上的电压进行模数转换处理产生对应的数据并进行锁存。
8.如权利要求1所述的像素驱动电路感测方法，其特征在于，所述步骤S3及步骤S4中，所述公共电压(Vcm)均为第一电位。
9.一种像素驱动电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、电容(C1)、有机发光二极管(D1)、开关(K1)、感测线(10)、感测模块(20)、数据线(Data)、扫描线(WR)、感测控制线(RD)及电压调制模块(30)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(WR)，源极电性连接数据线(Data)，漏极电性连接第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(G)，漏极接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接感测控制线(RD)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接感测线(10)；所述电容(C1)的第一端及第二端分别电性连接第一节点(G)及第二节点(S)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S)，阴极接入电源负电压(VSS)；所述开关(K1)为单刀双掷开关，其动触点(1)电性连接感测线(10)，第一静触点(2)电性连接电压调制模块(30)，第二静触点(3)电性连接感测模块(20)；
所述电压调制模块(30)用于向第一静触点(2)输出公共电压(Vcm)；在重新写入阶段，电压调制模块(30)使公共电压(Vcm)先为一第二电位并由第二电位依次切换为多个中间电位，而后由最后一个中间电位切换为第一电位；所述第二电位小于第一电位，多个中间电位中奇数位的中间电位大于第一电位，偶数位的中间电位小于第一电位，多个中间电位与第一电位的差值的绝对值依次减小，且第一个中间电位与第一电位的差值小于第一电位与第二电位的差值。
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