JP2006023515A - 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 画素回路101は、サンプリングトランジスタ115、ドライブトランジスタ111、スイッチングトランジスタ112、第1検知トランジスタ113及び第2検知トランジスタ114とで構成されている。サンプリングトランジスタ115は信号線DTL101から入力信号をサンプリングして容量素子C111に保持する。ドライブトランジスタ111は、容量素子C111に保持された信号電位に応じて電気光学素子117を電流駆動する。第1及び第2検知トランジスタ113,114は、電気光学素子117の電流駆動に先だってドライブトランジスタ111の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に検知した電位を容量素子C111に保持する。
【選択図】図6
Description
ここでIdsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流を表わしている。又μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、Vthはトランジスタの閾電圧を表わしている。式(1)から明らかな様に、飽和領域ではトランジスタのドレイン電流Idsはゲート・ソース間電圧Vgsによって制御される。図9に示したドライブトランジスタ111は、Vgsが一定に保持される為、ドライブトランジスタ111は定電流源として動作し、発光素子117を一定の輝度で発光させることができる。
Claims (4)
- 走査線と信号線とが交差する部分に配された画素回路であって、
電気光学素子と、第1及び第2の容量素子と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第1検知トランジスタ及び第2検知トランジスタからなる5個のNチャネル薄膜トランジスタとを備え、
該ドライブトランジスタは、そのゲートが入力ノードにつながり、そのソースが出力ノードにつながり、そのドレインが所定のレベルの電源電位に接続し、
該電気光学素子は、そのアノードが出力ノードに接続可能であり、そのカソードが所定のカソード電位に接続し、
該スイッチングトランジスタは、該出力ノードと該電気光学素子のアノードとの間に挿入されており、
該サンプリングトランジスタは、該入力ノードと該信号線との間に接続し、
該第1の容量素子及び第2の容量素子は、該入力ノードと該電源電位との間で直列に接続され、
該第1検知トランジスタは、該入力ノードと該電源電位との間に接続し、
該第2検知トランジスタは、該出力ノードと該第1の容量素子及び第2の容量素子の間に位置する中間ノードとの間に接続し、
前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングして該第1の容量素子に保持し、
前記スイッチングトランジスタは走査線によって選択された時導通して該ドライブトランジスタの出力ノードを該電気光学素子のアノードに接続し、
前記ドライブトランジスタは、該第1の容量素子に保持された信号電位に応じて該電気光学素子を電流駆動し、
前記第1及び第2検知トランジスタは走査線によって選択された時動作し、該電気光学素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該第1の容量素子に保持することを特徴とする画素回路。 - 前記信号線から供給される入力信号の最低レベルは、前記電源電位の所定のレベルに一致する様に設定されていることを特徴とする請求項1記載の画素回路。
- 行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分にマトリクス状に配された画素とからなるアクティブマトリクス装置であって、
各画素は、負荷素子と、第1及び第2の容量素子と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第1検知トランジスタ及び第2検知トランジスタからなる5個のNチャネル薄膜トランジスタとを備え、
該ドライブトランジスタは、そのゲートが入力ノードにつながり、そのソースが出力ノードにつながり、そのドレインが所定のレベルの電源電位に接続し、
該負荷素子は、そのアノードが出力ノードに接続可能であり、そのカソードが所定のカソード電位に接続し、
該スイッチングトランジスタは、該出力ノードと該負荷素子のアノードとの間に挿入されており、
該サンプリングトランジスタは、該入力ノードと該信号線との間に接続し、
該第1の容量素子及び第2の容量素子は、該入力ノードと該電源電位との間で直列に接続され、
該第1検知トランジスタは、該入力ノードと該電源電位との間に接続し、
該第2検知トランジスタは、該出力ノードと該第1の容量素子及び第2の容量素子の間に位置する中間ノードとの間に接続し、
前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングして該第1の容量素子に保持し、
前記スイッチングトランジスタは走査線によって選択された時導通して該ドライブトランジスタの出力ノードを該負荷素子のアノードに接続し、
前記ドライブトランジスタは、該第1の容量素子に保持された信号電位に応じて該負荷素子を電流駆動し、
前記第1及び第2検知トランジスタは走査線によって選択された時動作し、該負荷素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該第1の容量素子に保持することを特徴とするアクティブマトリクス装置。 - 行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分にマトリクス状に配された画素とからなる表示装置であって、
各画素は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、第1及び第2の容量素子と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第1検知トランジスタ及び第2検知トランジスタからなる5個のNチャネル薄膜トランジスタとを備え、
該ドライブトランジスタは、そのゲートが入力ノードにつながり、そのソースが出力ノードにつながり、そのドレインが所定のレベルの電源電位に接続し、
該有機エレクトロルミネッセンス素子は、そのアノードが出力ノードに接続可能であり、そのカソードが所定のカソード電位に接続し、
該スイッチングトランジスタは、該出力ノードと該有機エレクトロルミネッセンス素子のアノードとの間に挿入されており、
該サンプリングトランジスタは、該入力ノードと該信号線との間に接続し、
該第1の容量素子及び第2の容量素子は、該入力ノードと該電源電位との間で直列に接続され、
該第1検知トランジスタは、該入力ノードと該電源電位との間に接続し、
該第2検知トランジスタは、該出力ノードと該第1の容量素子及び第2の容量素子の間に位置する中間ノードとの間に接続し、
前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングして該第1の容量素子に保持し、
前記スイッチングトランジスタは走査線によって選択された時導通して該ドライブトランジスタの出力ノードを該有機エレクトロルミネッセンス素子のアノードに接続し、
前記ドライブトランジスタは、該第1の容量素子に保持された信号電位に応じて該有機エレクトロルミネッセンス素子を電流駆動し、
前記第1及び第2検知トランジスタは走査線によって選択された時動作し、該有機エレクトロルミネッセンス素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該第1の容量素子に保持することを特徴とする表示装置。
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