CN103093720B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

本文的这些实施方式涉及有机发光二极管显示装置，其包括：显示板，该显示板被设置成包括按矩阵形式设置的多个像素，其中，多个像素中的每一个像素包括：驱动TFT、有机发光二极管、包括第一至第四TFT的控制电路、电容器。因为感测时段长得足以感测到该驱动TFT的阈值电压，所以即使有机发光二极管显示装置驱动诸如240Hz的高频，本文描述的实施方式也可以改进感测驱动TFT的阈值电压的准确度。而且，本文描述的实施方式可以利用下跌的高电位电压来补偿因补偿驱动TFT的漏极与源极之间的电流而造成的高电位电压下跌。

Description

有机发光二极管显示装置
技术领域
下面的描述涉及补偿驱动TFT的阈值电压的有机发光二极管显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，存在对用于显示图像的显示装置的增长的需求，并且，近年来，已经广泛使用了诸如液晶显示器(LCD)、等离子显示板(PDP)，以及有机发光二极管(OLED)之类的各种平板显示器。在这些平板显示器当中，有机发光二极管显示装置以低电压驱动，较薄，具有宽视角和快速响应速度。在有机发光二极管显示装置当中，有源矩阵型有机发光二极管显示装置因它们具有按矩阵形式设置的、用于显示图像的多个像素而被宽泛地使用。
有源矩阵型有机发光二极管显示装置的显示板包括按矩阵设置的多个像素。各个像素包括：响应于来自扫描线的扫描信号提供来自数据线的数据电压的扫描TFT(薄膜晶体管)，和响应于提供给栅极的数据电压来控制向有机发光二极管提供的电流的量的驱动TFT。在这点上，驱动TFT的漏极与源极之间的、向有机发光二极管提供的电流Ids可以用方程1表示：
[方程1]
Ids＝k′·(Vgs-Vth)2
在方程1中，k'指示根据驱动TFT的结构和物理特性确定的比例因子，Vgs指示驱动TFT的栅极与源极之间的电压差，而Vth指示驱动TFT的阈值电压。
同时，由于因驱动TFT的劣化而造成的阈值电压偏移，这些像素中每一个像素的驱动TFT的阈值电压Vth具有不同值。驱动TFT的漏极与源极之间的电流Ids取决于驱动TFT的阈值电压Vth。由此，即使将相同的数据电压提供给这些像素中的每一个，每一个像素的驱动TFT的漏极与源极之间的电流Ids也会改变。因此，即使将相同的数据电压提供给这些像素中的每一个像素，也产生从这些像素中的每一个像素的有机发光二极管发射的光的亮度改变的问题。为解决这个问题，已经提出了用于补偿这些像素中的每一个像素的驱动TFT的阈值电压的各种类型的像素结构。
然而，近来，有机发光二极管显示装置用高频驱动，以便实现3D图像或改进图像质量。因为用于感测阈值电压的时段因高频驱动而缩短，所以感测阈值电压的准确度降低。
而且，近来，有机发光二极管显示装置具有大尺寸和高分辨率。由于大尺寸和高分辨率，线电阻因为线的长度变长而增加。最终，会出现RC延迟。用于感测阈值电压的时段因RC延迟而缩短。因此，感测阈值电压的准确度降低。
发明内容
本申请的实施方式的一个目的是，提供一种改进感测驱动TFT的阈值电压的准确度的有机发光二极管显示装置。
为了实现这些目的和其它优点并且根据基于本发明的一个方面的目的，提供了一种有机发光二极管显示装置，其包括：显示板，该显示板被设置成包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、控制线、发射线，以及按矩阵形式设置的多个像素，其中，多个像素中的每一个像素包括：驱动TFT，该驱动TFT被设置成具有耦接至第一节点的栅极和耦接至第二节点的源极；有机发光二极管，该有机发光二极管被设置成，具有耦接至驱动TFT的漏极的阳极，以及耦接至提供第一电平电压的第一电平电压提供源的阴极；第一TFT，该第一TFT被设置成响应于第一扫描线的第一扫描信号向第一节点提供数据线的数据电压；第二TFT，该第二TFT被设置成响应于第二扫描线的第二扫描信号向第一节点提供基准电压；第三TFT，该第三TFT被设置成响应于发射线的发射信号向第二节点提供比第一电平电压高的第二电平电压；第四TFT，该第四TFT被设置成响应于控制线的控制信号将第二节点耦接至第三节点；第一电容器，该第一电容器耦接在第一节点与第三节点之间；第二电容器，该第二电容器耦接在第三节点与提供第二电平电压的第二电压提供源之间。
在本发明内容部分和下面的详细描述中描述的特征和优点不是旨在进行限制。对于本领域普通技术人员来说，考虑到附图、说明书和权利要求书，许多附加特征和优点将是清楚的。
附图说明
图1例示了根据本发明一示例性实施方式的显示板的像素的等效电路图；
图2例示了示出输入至图1的像素的信号的波形图；
图3例示了示出节点的电压变化的表；
图4例示了示出根据驱动TFT的阈值电压变化的补偿误差的图形；
图5例示了示意性地示出根据本发明一示例性实施方式的有机发光二极管显示装置的框图。
具体实施方式
下面，将参照附图对本发明进行更全面的描述，附图中示出了本发明的示例实施方式。然而，本发明可以按许多不同形式具体实施，并且不应视为受限于本文阐述的实施方式。贯穿本说明书，相同标号指定相同部件。在下面的描述中，如果判定对与本发明有关的已知功能或构造的详细描述使得本发明的主旨不清楚，则省略该详细描述。
图1例示了根据本发明一示例性实施方式的显示板的像素的等效电路图。参照图1，该显示板的像素包括：驱动TFT(薄膜晶体管)DT、有机发光二极管OLED、控制电路以及电容器。
驱动TFT DT控制源极与漏极之间的电流Ids的量，以根据施加至栅极的电压的量进行改变。该驱动TFT DT的栅极耦接至第一节点N1，其源极耦接至第二节点N2，而其漏极耦接至有机发光二极管OLED的阳极。
有机发光二极管OLED的阳极耦接至驱动TFT DT的漏极，其阴极耦接至第一电平电压提供源。有机发光二极管OLED根据驱动TFT Td的漏极与源极之间的电流Ids发射光。
控制电路包括：第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3，以及第四TFT T4。第一TFT T1响应于第一扫描线SL1的第一扫描信号SCAN1，向第一节点N1提供数据线DL的数据电压DATA。数据电压DATA表示OLED的预期强度电平。第一TFTT1的栅极耦接至扫描线SL1，其源极耦接至数据线DL，而其漏极耦接至第一节点N1。
第二TFT T2响应于第二扫描线SL2的第二扫描信号SCAN2，初始化第一节点N1的电压，作为来自基准电压提供源REF_S的基准电压。第二TFT T2的栅极耦接至第二扫描线SL2，其源极耦接至第一节点N1，而其漏极耦接至基准电压提供源REF_S。
第三TFT T3响应于发射线EML的发射信号EM，向第二节点N2提供来自第二电平电压提供源的第二电平电压。第三TFT T3的栅极耦接至发射线EML，其源极耦接至第二电平电压提供源，而其漏极耦接至第二节点N2。
第四TFT T4响应于控制线MGL的控制信号MG，连接第三节点N3与第二节点N2。第四TFT T4的栅极耦接至控制线MGL，其源极耦接至第二节点N2，而其漏极耦接至第三节点N3。
第一电容器C1耦接在第一节点N1与第三节点N3之间。第二电容器C2耦接在第三节点N3与第二电平电压提供源之间。
第一节点N1是驱动TFT Td的栅极、第一TFT T1的漏极以及第一电容器C1的一电极之间的接触点。第二节点N2是驱动TFT Td的源极、第三TFT T3的漏极以及第四TFT T4的源极之间的接触点。第三节点N3是第四TFT T4的漏极、第一电容器C1的另一电极以及第二电容器C2的一电极之间的接触点。第二电容器的另一电极耦接至第二电平电压提供源。
根据该示例性实施方式的像素的第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驱动TFTTd中的每一个都可以由薄膜晶体管组成。第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驱动TFT Td的半导体层皆可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)以及氧化物半导体中的任一种组成。而且，集中于第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驱动TFT Td皆被实现为P型的示例，对示例性实施方式进行了描述。在其它实施例中，这些TFT中的一个或更多个可以利用N型来实现。
第一电平电压提供源可以被设置成低电位电压提供源VSS_S，而第二电平电压提供源可以被设置成高电位电压提供源VDD_S。低电位电压提供源VSS_S提供低电位电压VSS，而高电位电压提供源VDD_S提供比低电位电压VSS高的高电位电压VDD。低的提供电压VSS和高的提供电压VDD可以根据驱动TFT DT和有机发光二极管OLED的特性来设置。基准电压REF是用于初始化第一节点N1的电压。该基准电压REF可以被设置成比高电位电压VDD减去驱动TFT DT的阈值电压所得的电压低的电压。而且，基准电压REF可以被设置成比低电位电压VSS高的电压。
图2例示了示出输入至图1的像素的信号的波形图。图2例示了向显示板的像素输入的第一扫描信号SCAN1、第二扫描信号SCAN2、控制信号MG、发射信号EM。而且，图2例示了数据线DL的数据电压DATA。
参照图2，第一扫描信号SCAN1、第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM是用于控制第一至第四TFT(T1、T2、T3、T4)的信号。第一扫描信号SCAN1、第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM的每一个周期都可以是一个帧时段。一个帧时段指示将数据电压提供给显示板的所有像素的时段。第一扫描信号SCAN1、第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM中的每一个在第一逻辑电平电压与第二逻辑电平电压之间摆动。在图2中，第一逻辑电平电压可以是选通高电压VGH，而第二电平电压可以是比选通高电压低的选通低电压。
一个帧时段包括第一至第四时段t1、t2、t3、t4。第一时段t1是用于初始化第一节点N1、第二节点N2以及第三节点N3的时段。第二时段t2是用于感测驱动TFT DT的阈值电压的时段。第三时段t3是用于将数据电压提供给第一节点N1的时段。第四时段t4是用于使有机发光二极管OLED发射的时段。
第一扫描信号SCAN1在第一时段t1期间，按选通高电压VGH生成。而且，第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM在第一时段t1期间，按选通低电压VGL生成。第一扫描信号SCAN1和发射信号EM在第二时段t2期间，按选通高电压VGH生成。而且，第二扫描信号SCAN2和控制信号MG在第二时段t2期间，按选通低电压VGL生成。第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM在第三时段t3期间，按选通高电压VGH生成。而且，第一扫描信号SCAN1在第三时段t3期间，按选通低电压VGL生成。第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2在第四时段t4期间，按选通高电压VGH生成。而且，控制信号MG和发射信号EM在第四时段t4期间，按选通低电压VGL生成。尤其是，在第四时段t4期间，在发射信号EM从选通高电压VGH变换成选通低电压VGL之后，控制信号MG从选通高电压VGH变换成选通低电压VGL。
数据电压DATA的周期是一个水平时段。因此，提供数据电压DATA的第三时段t3可以是图2中的一个水平时段。一个水平时段指示将数据电压提供给显示板的一条水平线的像素的时段。然而，第一时段t1、第二时段t2、第三时段t3以及第四时段t4中的每一个都可以是几个水平时段、十几个或几十个水平时段，以便改进像素的画面质量，并且可以根据实验预先确定。
图3例示了示出节点的电压变化的表。下面，参照图1至图3，对根据该示例性实施方式的像素在第一至第四时段t1、t2、t3、t4期间的操作进行详细描述。在图4中，第一节点电压Vn1指示第一节点N1处的电压，第二节点电压Vn2指示第二节点N2处的电压，而第三节点电压Vn3指示第三节点N3处的电压。
第一，在第一时段t1期间，将具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1通过第一扫描线SL1提供给像素。将具有选通低电压VGL的第二扫描信号SCAN2通过第二扫描线SL2提供给像素。将具有选通低电压VGL的控制信号MG通过控制线MG提供给像素。将具有选通低电压VGL的发射信号EM通过发射线EM提供给像素。
第一TFT T1根据具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1断开。第二TFTT2响应于具有选通低电压VGL的第二扫描信号SCAN2而接通。第一节点N1因第二TFT T2接通而耦接至基准电压提供源REF_S。由此，第一节点电压Vn1被放电至基准电压REF。第三TFT T3响应于具有选通低电压VGL的发射信号EM而接通。第二节点N2因第三TFT T3接通而耦接至高电位电压提供源VDD_S。由此，第二节点电压Vn2被充电至高电位电压VDD。第四TFT T4响应于具有选通低电压VGL的控制信号而接通。第三节点N3因第四TFT T4接通而耦接至第二节点N2。由此，第三节点电压Vn3被充电至高电位电压VDD。
第二，在第二时段t2期间，将具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1通过第一扫描线SL1提供给像素。将具有选通低电压VGL的第二扫描信号SCAN2通过第二扫描线SL2提供给像素。将具有选通低电压VGL的控制信号MG通过控制线MG提供给像素。将具有选通高电压VGH的发射信号EM通过发射线EM提供给像素。
第一TFT T1根据具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1断开。第二TFTT2响应于具有选通低电压VGL的第二扫描信号SCAN2而接通。第一节点N1因第二TFT T2接通而耦接至基准电压提供源REF_S。由此，第一节点电压Vn1被放电至基准电压REF。第三TFT T3根据具有选通高电压VGH的发射信号EM断开。第二节点N2因第三TFT T3的断开而被浮置。第四TFT T4响应于具有选通低电压VGL的控制信号而接通。第三节点N3因第四TFT T4接通而耦接至第二节点N2。由此，第二节点电压Vn2和第三节点电压Vn3大致相同。
第二节点N2和第三节点N3因第二节点N2在第二时段t2期间被浮置而可以感测驱动TFT DT的阈值电压Vth。第一节点电压Vn1与第二节点电压Vn2之间的差大于在第二时段t2期间驱动TFT DT的阈值电压Vth。第一节点电压Vn1与第二节点电压Vn2之间的差指示驱动TFT DT的栅极与其源极之间的差。由此，电流流过驱动TFT DT，直到第一节点电压Vn1与第二节点电压Vn2之间的差达到驱动TFT DT的阈值电压Vth为止。因此，在第二时段t2期间，第二节点电压Vn2将降低至基准电压REF与驱动TFT DT的阈值电压Vth之间的差电压REF-Vth。而且，因为第三节点N3耦接至第二节点N2，所以在第二时段t2期间第三节点电压Vn3将降低至基准电压REF与驱动TFT DT的阈值电压Vth之间的差电压REF-Vth。
在图2中，第二时段t2可以是两个水平时段。然而，第二时段t2可以是几个水平时段、十几个或几十个水平时段。并且可以根据实验预先确定。因为感测时段长得足以感测到该驱动TFT DT的阈值电压Vth，所以本文描述的实施方式可以改进感测驱动TFT DT的阈值电压Vth的准确度，即使有机发光二极管显示装置驱动诸如240Hz的高频。
第三，在第三时段t3期间，将具有选通低电压VGL的第一扫描信号SCAN1通过第一扫描线SL1提供给像素。将具有选通高电压VGH的第二扫描信号SCAN2通过第二扫描线SL2提供给像素。将具有选通高电压VGH的控制信号MG通过控制线MG提供给像素。将具有选通高电压VGH的发射信号EM通过发射线EM提供给像素。
第一TFT T1响应于具有选通低电压VGL的第一扫描信号SCAN1而接通。第一节点N1因第一TFT T1接通而耦接至数据线DL。第二TFT T2根据具有选通高电压VGH的第二扫描信号SCAN2而断开。由此，第一节点电压Vn1被充电至数据电压DATA。第三TFT T3根据具有选通高电压VGH的发射信号EM断开。第二节点N2因第三TFT T3的断开而被浮置。第四TFT T4根据具有选通高电压VGH的控制信号断开。第三节点N3因第四TFT T4断开而不耦接至第二节点N2。由此，第三节点N3被浮置。
在第三时段t3期间第一节点N1的电压变化量通过第一电容器C1施加至第三节点N3。即，与在第三时段t3期间第一节点N1的电压变化量相对应的“REF-DATA”通过第一电容器C1施加至第三节点N3。第三节点N3位于串联耦接的第一电容器C1与第二电容器C2之间。因此，第三节点N3中的电压变化量基于如方程2所示的比率C'：
[方程2]
C ′ = CA 1 CA 1 + CA 2
在方程2中，CA1指示第一电容器C1的电容，而CA2指示第二电容器C2的电容。从而，第二节点电压Vn2在时段t3期间低于“REF-Vth-C’(REF-DATA)”。
第四，在第四时段t4期间，将具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1通过第一扫描线SL1提供给像素。将具有选通高电压VGH的第二扫描信号SCAN2通过第二扫描线SL2提供给像素。将具有选通低电压VGL的控制信号MG通过控制线MG提供给像素。将具有选通低电压VGL的发射信号EM通过发射线EM提供给像素。尤其是，在第四时段t4期间，在发射信号EM从选通高电压VGH变换成选通低电压VGL之后，控制信号MG从选通高电压VGH变换成选通低电压VGL。
第一TFT T1根据具有选通高电压VGH的第一扫描信号SCAN1断开。第二TFTT2根据具有选通高电压VGH的第二扫描信号SCAN2而断开。由此，第一节点因第一TFT T1断开和第二TFT T2断开而被浮置。第三TFT T3响应于具有选通低电压VGL的发射信号EM而接通。第二节点N2因第三TFT T3接通而耦接至高电位电压提供源VDD_S。由此，第二节点电压Vn2被充电至高电位电压VDD。第四TFT T4响应于具有选通低电压VGL的控制信号而接通。第三节点N3因第四TFT T4接通而耦接至第二节点N2。由此，第三节点电压Vn3被充电至高电位电压VDD。
在第四时段t4期间第三节点N3的电压变化量通过第一电容器C1施加至第一节点N1。即，与在第四时段t4期间第三节点N3的电压变化量相对应的“REF-Vth-C’(REF-DATA)-VDD”通过第一电容器C1施加至第一节点N1。因此，第一节点电压Vn1被改变至“DATA-{REF-Vth-C’(REF-DATA)-VDD}”。
驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids被提供给有机发光二极管OLED。驱动TFTTd的漏与源之间的电流Ids用方程3表示：
[方程3]
Ids＝k′·(Vgs-Vth)2
在方程3中，k'指示根据驱动TFT DT的结构和物理特性确定的比例因子，其根据驱动TFT Td的迁移率、沟道宽度、沟道长度等确定。Vgs指示驱动TFT Td的栅极与源极之间的电压差。Vth指示驱动TFT Td的阈值电压。在第四时段t4期间的“Vgs-Vth”如方程4所示：
[方程4]
Vgs-Vth＝[DATA-{REF-Vth-C′(REF-DATA)-VDD}-VDD]-Vth
在方程4中，驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids如方程5所示导出：
[方程5]
Ids＝k′[(C′-1)·(REF-DATA)]2
如方程5中所示，在第四时段t4期间提供给有机发光二极管OLED的、驱动TFTTd的漏与源之间的电流Ids仅仅取决于比例因子k'、第一电容器C1的电容、第二电容器C2的电容、数据电压DATA以及基准电压REF。驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids不取决于驱动TFT Td的阈值电压Vth。因此，驱动TFT Td的阈值电压Vth被补偿。
另外，高电位电压提供源VDD_S向显示板的所有像素提供高电位电压VDD。然而，因为根据从高电位电压提供源VDD_S至低电位电压提供源VSS_S的电流路径存在的每一个像素的驱动TFT DT和有机发光二极管显示器OLED起电阻的作用，所以高电位电压VDD下跌。因为在第四时段t4期间施加在驱动TFT DT的栅极的高电位电压VDD和施加在驱动TFT DT的源极的高电位电压VDD是下跌的电压，所以驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids不取决于高电位电压VDD。因此，高电位电压VDD中的任何下跌也被补偿。
图4例示了示出根据驱动TFT的阈值电压变化的补偿误差的图形。参照图4，驱动TFT DT的阈值变化“Vth变化[V]”在水平轴上示出，驱动TFT Td的漏与源之间的电流“像素电流[μA]”在左侧垂直轴上示出，而驱动TFT Td的漏与源之间的电流的误差“误差(％)”在右侧垂直轴上示出。
每一个像素的驱动TFT DT的阈值电压偏移可能因驱动TFT DT的劣化而造成。由此，有机发光二极管显示装置通过感测驱动TFT DT的阈值电压Vth来补偿驱动TFT DT的阈值电压Vth。然而，在感测驱动TFT Td的阈值电压Vth的准确度较低时，驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids可能具有误差。
如图4所示，当阈值电压变化“Vth变化[V]”为-1.0V至1.0V时，驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids大约为1.26μA至1.36μA，而驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids的误差“误差(％)”大约为-5％to+2.5％。即，本文描述的实施方式可以将驱动TFT Td的漏与源之间的电流Ids的误差“误差(％)”减小到-5％to+2.5％。
图5例示了示意性地示出根据本发明一示例性实施方式的有机发光二极管显示装置的框图。参照图5，根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示装置包括：显示板10、数据驱动电路20、选通驱动电路30、定时控制器40以及主机系统50。
显示板10具有彼此交叉的数据线DL和第一扫描线SL1。而且，显示板10具有第二扫描线SL2、控制线MGL以及与第一扫描线SL1并行的发射线EML。该显示板10包括像素阵列，该像素阵列具有按矩阵形式设置的像素P。显示板10的每一个像素P的详细描述先前参照图1-图4进行了描述。
该数据驱动电路20包括多个源驱动器IC。这些源驱动器IC接收来自定时控制器40的数字视频数据。该源驱动器IC响应于来自定时控制器40的源定时控制信号，将该数字视频数据转换成伽玛修正电压，以生成数据电压。接着，源驱动器IC与来自选通驱动电路30的第一扫描信号同步地向显示板10的数据线DL提供数据电压。
选通驱动电路30包括：第一扫描信号输出单元(未示出)、第二扫描信号输出单元(未示出)、控制信号输出单元(未示出)以及发射信号输出单元(未示出)。第一扫描信号输出单元顺序地向显示板10的第一扫描线SL1提供第一扫描信号SCAN1。第二扫描信号输出单元顺序地向显示板10的第二扫描线SL2提供第二扫描信号SCAN2。控制信号输出单元顺序地向显示板10的控制线MGL提供控制信号MG。发射信号输出单元顺序地向显示板10的发射线EML提供发射信号EM。第一扫描信号SCAN1、第二扫描信号SCAN2、控制信号MG以及发射信号EM的详细描述先前参照图1-图4进行了描述。
定时控制器40经由诸如LVDS(低电压差分信号)接口、TMDS(最小化传输差分信号)接口等的接口接收来自主机系统50的数字视频数据。定时控制器40将从主机系统50输入的数字视频数据发送至数据驱动电路20。
定时控制器40接收来自主机系统50的诸如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号、主时钟等的定时信号。定时控制器40基于来自主机系统50的定时信号，生成用于控制数据驱动电路20和选通驱动电路30的操作定时的定时控制信号。该定时控制信号包括：用于控制选通驱动电路30的操作定时的选通定时控制信号，和用于控制数据驱动电路20的操作定时的数据定时信号。
因为感测时段长得足以感测到驱动TFT DT的阈值电压Vth，所以本文描述的实施方式也可以改进感测驱动TFT DT的阈值电压Vth的准确度，即使有机发光二极管显示装置驱动诸如240Hz的高频。而且，本文描述的实施方式可以利用下跌的高电位电压VDD来补偿因补偿驱动TFT DT的漏极与源极之间的电流Ids而造成的高电位电压VDD的下跌。
尽管已经参照本申请的许多例示性实施方式对本申请的实施方式进行了描述，但应当明白，本领域技术人员可以想出落入本公开的原理的范围内的、本申请的许多其它修改例和实施方式。更具体地说，在本公开、附图以及所附权利要求书的范围内，主体组合排布(arrangement)的组成部分和/或排布中的各种变型和修改都是可以的。除了在该组成部分和/或排布中的变型例和修改例以外，本领域技术人员还将清楚另选的用途。
相关申请的交叉引用
本申请要求保护2011年11月8日提交的韩国专利申请No.10-2011-0115577的优先权，其全部内容通过引用而并入。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：
显示板，该显示板被设置成包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、控制线、发射线以及按矩阵形式设置的多个像素，
其中，所述多个像素中的每一个像素包括：
驱动TFT，该驱动TFT被设置成具有耦接至第一节点的栅极和耦接至第二节点的源极；
有机发光二极管，该有机发光二极管被设置成具有耦接至所述驱动TFT的漏极的阳极、以及耦接至提供第一电平电压的第一电平电压提供源的阴极；
第一TFT，该第一TFT被设置成响应于所述第一扫描线的第一扫描信号，向所述第一节点提供所述数据线的数据电压；
第二TFT，该第二TFT被设置成响应于所述第二扫描线的第二扫描信号，向所述第一节点提供基准电压；
第三TFT，该第三TFT被设置成响应于所述发射线的发射信号，向所述第二节点提供比所述第一电平电压高的第二电平电压；
第四TFT，该第四TFT被设置成响应于所述控制线的控制信号，将所述第二节点耦接至第三节点；
第一电容器，该第一电容器耦接在所述第一节点与所述第三节点之间；
第二电容器，该第二电容器耦接在所述第三节点与提供所述第二电平电压的第二电压提供源之间，以及
其中，在用于使所述有机发光二极管发射的第四时段期间，在将所述发射信号从第一逻辑电平电压变换成第二逻辑电平电压之后，将所述控制信号从所述第一逻辑电平电压变换成所述第二逻辑电平电压。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，在将所述基准电压提供给所述第一节点且将所述第二电平电压提供给所述第二节点和所述第三节点以初始化的第一时段期间，所述第一扫描信号被生成为所述第一逻辑电平电压，而所述第二扫描信号、所述控制信号以及所述发射信号被生成为所述第二逻辑电平电压。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，在用于感测所述驱动TFT的阈值电压的第二时段期间，所述第一扫描信号和所述发射信号被生成为所述第一逻辑电平电压，而所述第二扫描信号和所述控制信号被生成为所述第二逻辑电平电压。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，在用于向所述像素提供数据电压的第三时段期间，所述第二扫描信号、所述控制信号以及所述发射信号按所述第一逻辑电平电压生成，而所述第一扫描信号按所述第二逻辑电平电压生成。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，在用于使所述有机发光二极管发射的所述第四时段期间，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号被生成为所述第一逻辑电平电压。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一逻辑电平电压高于所述第二逻辑电平电压。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一TFT至所述第四TFT中的每一个TFT是P型晶体管。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一TFT的栅极耦接至所述第一扫描线，所述第一TFT的源极耦接至所述数据线，而所述第一TFT的漏极耦接至所述第一节点，
所述第二TFT的栅极耦接至所述第二扫描线，所述第二TFT的源极耦接至所述第一节点，而所述第二TFT的漏极耦接至提供所述基准电压的基准电压提供源，
所述第三TFT的栅极耦接至所述发射线，所述第三TFT的源极耦接至所述第二电平电压提供源，而所述第三TFT的漏极耦接至所述第二节点，
所述第四TFT的栅极耦接至所述控制线，所述第四TFT的源极耦接至所述第二节点，而所述第四TFT的漏极耦接至所述第三节点。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述基准电压低于所述第二电平电压与所述驱动TFT的阈值电压之间的差电压，而大于所述第一逻辑电平电压。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电平电压是低电位电压，而所述第二电平电压是高电位电压。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101360767B1 (ko) 2012-08-17 2014-02-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법
KR20140081262A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP6138244B2 (ja) * 2013-04-23 2017-05-31 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動電流検出方法
KR20140140810A (ko) * 2013-05-30 2014-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2015034861A (ja) 2013-08-08 2015-02-19 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
TW201506874A (zh) * 2013-08-14 2015-02-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd 有機發光二極體之畫素驅動電路
KR102049793B1 (ko) * 2013-11-15 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101603300B1 (ko) * 2013-11-25 2016-03-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 표시패널
KR102241440B1 (ko) * 2013-12-20 2021-04-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN103646630B (zh) * 2013-12-23 2015-12-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种oled像素驱动电路、显示面板及驱动方法
KR102101182B1 (ko) * 2013-12-23 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103985350B (zh) * 2014-04-29 2016-09-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、显示面板、显示装置和驱动方法
CN104008726B (zh) * 2014-05-20 2016-05-04 华南理工大学 有源有机电致发光显示器的像素电路及其驱动方法
CN104103238B (zh) * 2014-06-17 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CN104200771B (zh) * 2014-09-12 2017-03-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 像素电路、阵列基板及显示装置
CN104318897B (zh) 2014-11-13 2017-06-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN104409043B (zh) * 2014-12-05 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路和像素驱动方法、显示装置
KR102294133B1 (ko) * 2015-06-15 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치의 스캔 드라이버, 유기발광 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 디스플레이 시스템
CN105206225B (zh) * 2015-10-12 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Oled栅极驱动电路架构
CN105139807B (zh) * 2015-10-22 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路、显示装置及其驱动方法
TWI569248B (zh) * 2016-02-18 2017-02-01 友達光電股份有限公司 畫素電路以及驅動方法
KR102555297B1 (ko) * 2016-04-29 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치
CN105788529A (zh) 2016-05-10 2016-07-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其驱动方法
CN106952615B (zh) * 2017-05-18 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
WO2019014935A1 (en) * 2017-07-21 2019-01-24 Huawei Technologies Co., Ltd. ADVANCED PIXEL CIRCUIT FOR DISPLAY
CN108206008B (zh) * 2018-01-11 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法、电致发光显示面板及显示装置
TWI682381B (zh) * 2018-10-17 2020-01-11 友達光電股份有限公司 畫素電路、顯示裝置及畫素電路驅動方法
CN113096594A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 深圳市柔宇科技有限公司 像素电路、阵列基板与显示终端
CN112071269A (zh) * 2020-09-24 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 像素单元驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置
KR20220076872A (ko) * 2020-12-01 2022-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN113936599A (zh) * 2021-10-28 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法和显示装置
CN114882838A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 天宜微电子(北京)有限公司 像素电路、显示装置及其驱动方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023515A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置
CN1835058A (zh) * 2005-03-16 2006-09-20 三星电子株式会社 显示装置及其驱动方法
CN101086817A (zh) * 2006-05-23 2007-12-12 索尼株式会社 图像显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109952B2 (en) * 2002-06-11 2006-09-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Light emitting display, light emitting display panel, and driving method thereof
KR100490622B1 (ko) * 2003-01-21 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 구동방법과 픽셀회로
KR100502912B1 (ko) * 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
TWI273541B (en) * 2003-09-08 2007-02-11 Tpo Displays Corp Circuit and method for driving active matrix OLED pixel with threshold voltage compensation
KR100515305B1 (ko) * 2003-10-29 2005-09-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
TWI288377B (en) * 2004-09-01 2007-10-11 Au Optronics Corp Organic light emitting display and display unit thereof
KR100604058B1 (ko) * 2004-09-24 2006-07-24 삼성에스디아이 주식회사 직류/직류 변환기와 이를 이용한 발광 표시장치 및 그의구동방법
US7573444B2 (en) * 2004-12-24 2009-08-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light emitting display
KR100627417B1 (ko) 2005-08-26 2006-09-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2008003544A (ja) * 2006-05-23 2008-01-10 Sony Corp 画像表示装置
KR100873076B1 (ko) * 2007-03-14 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그의구동방법
TWI444967B (zh) * 2007-06-15 2014-07-11 Panasonic Corp Image display device
KR100893482B1 (ko) * 2007-08-23 2009-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP5412770B2 (ja) * 2008-09-04 2014-02-12 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法、発光装置および電子機器
KR101058115B1 (ko) * 2009-11-16 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로, 유기 전계 발광 표시 장치
KR101155898B1 (ko) * 2010-05-12 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 구동 방법
KR101692367B1 (ko) * 2010-07-22 2017-01-04 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101689323B1 (ko) * 2010-08-10 2016-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101383976B1 (ko) * 2010-09-06 2014-04-10 파나소닉 주식회사 표시 장치 및 그 제어 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023515A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置
CN1835058A (zh) * 2005-03-16 2006-09-20 三星电子株式会社 显示装置及其驱动方法
CN101086817A (zh) * 2006-05-23 2007-12-12 索尼株式会社 图像显示装置

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Publication number Publication date
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