KR102555297B1 - 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치 - Google Patents

게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1 내지 제(n+1)(여기서, n은 1이상의 정수)게이트 라인에 스캔 신호를 순차로 공급하고, 제1 내지 제(n+1)에미션 라인에 에미션 신호를 순차로 공급하되 제(n+1)게이트 라인에 스캔 신호를 공급할 때 제n에미션 라인에 에미션 신호를 공급하는 게이트 구동부 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공한다.
이를 통해, 본 발명은 종래 대비 1수평 기간(H)이 단축됨에 따라 유기 발광 다이오드 표시 장치의 고속 구동을 구현할 수 있고, 화질 열화 없이 대면적 및 고해상도의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 구현할 수 있다.

Description

게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치{Gate Driver And Organic Light Emitting Diode Display Device Including The Same}
본 발명은 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 1수평 기간(H)을 단축시킴으로써 고속 구동할 수 있는 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Device), 유기 발광 다이오드 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Device)와 같은 여러 가지 평판 표시 장치(Flat Display Device)가 활용되고 있다.
이 중, 유기 발광 다이오드 표시 장치는 스스로 발광하는 자발광 소자를 이용함으로써 응답 속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
이러한 유기 발광 다이오드 표시장치는, 전류의 양을 제어하며 유기 발광 다이오드의 휘도를 제어하는 전류 구동 방식이 일반적으로 이용되고 있다.
최근, 데이터 집적 회로의 수를 줄이기 위해 데이터 집적 회로에서 출력된 데이터 전압을 시분할 방식으로 스위칭하여 출력하는 "데이터 MUX 구동 기술"이 소개된바 있다.
이와 같은 데이터 MUX 구동 기술이 적용된 유기 발광 다이오드 표시장치는 각 화소의 초기화 기간 전에 R, G, B 데이터 라인에 순차적으로 데이터 전압을 차징시키는 기간을 갖는다.
그리고, 이 기간에 데이터 전압이 각 데이터 라인에 차징되면, 각 데이터 라인은 차징된 데이터 전압을 유지하며 플로팅 상태를 유지한다.
그리고, 플로팅 상태로 유지된 데이터 전압은 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 샘플링 기간에 각 화소에 공급된다.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 파형도 이다.
도면에 도시한 바와 같이, 먼저, 제1스위칭 신호(SS1) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제2 및 제3스위칭 신호(SS2, SS3)와 제n스캔 신호(Scan(n))는 하이 상태로 출력된다(①).
그러면, 제1스위치는 제1스위칭 신호에 의해 턴-온되어 R 데이터 라인에 데이터 전압이 공급된다.
다음, 제2스위칭 신호(SS2) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 및 제3스위칭 신호(SS1, SS3)와, 제n스캔 신호(Scan(n))는 하이 상태로 출력된다(②).
그러면, 제2스위치는 제2스위칭 신호(SS2)에 의해 턴-온되어 G 데이터 라인에 데이터 전압이 공급된다.
다음, 제3스위칭 신호(SS3) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 및 제2스위칭 신호(SS1, SS2)와 제n스캔 신호(Scan(n))는 하이 상태로 출력된다(③).
그러면, 제3스위치는 제3스위칭 신호(SS3)에 의해 턴-온되어 B 데이터 라인에 데이터 전압이 공급된다.
다음, 제n스캔 신호(Scan(n)) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 내지 제3스위칭 신호(SS1~SS3)는 하이 상태로 출력된다(④).
그러면, 각 화소는 초기화가 되며, 각 데이터 라인은 차징된 데이터 전압을 유지하며 플로팅 상태를 유지하게 된다.
다음, 제n스캔 신호(Scan(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 내지 제3스위칭 신호(SS1~SS3)와 제n에미션 신호(Em(n))는 하이 상태로 출력된다(⑤).
그러면, 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하게 된다.
다음, 제1 내지 제3스위칭 신호(SS1~SS3)와 제n스캔 신호(Scan(n))와 제n에미션 신호(Em(n))는 모두 하이 상태로 출력되고, 이후 제n에미션 신호(Em(n))만 로우 상태로 출력된다(⑥).
그러면, 각 화소의 유기 발광 다이오드에 공급된 구동 전류에 따라 각 화소는 발광하게 된다
이와 같이, 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치는, 1 수평 기간(H) 동안 일 화소 열에 순차로 데이터 전압을 공급하여 각 데이터 라인에 데이터 전압이 충전되는 시간을 충분히 확보한 후, 스캔 신호 및 에미션 신호를 공급하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하고 있다.
그러나, 1 수평 기간(H) 동안 일 화소 열에 데이터 전압을 공급한 이후, 스캔 신호 및 에미션 신호를 함께 공급하게 되면, 그만큼 1수평 기간(H)이 길어지게 됨으로써, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 고속 구동을 구현할 수 없게 되고, 고속 구동을 구현하더라도 화질 열화와 같은 문제점이 발생하게 된다.
이와 같은 문제점은 모든 데이터 라인에 동시에 데이터 전압이 공급되는 방식 보다, R, G, B 데이터 라인에 순차적으로 데이터 전압이 공급되는 데이터 MUX 구동 기술이 적용된 유기 발광 다이오드 표시장치의 경우 더 크게 발생 된다.
그리고, 유기 발광 다이오드 표시 장치가 대면적 및 고해상도로 구현될수록 1수평 기간(H) 및 1 프레임이 더욱더 길어지기 때문에, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 대면적 및 고해상도를 구현하는데 한계가 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 1수평 기간(H)을 단축시킴으로써 고속 구동할 수 있는 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공 한다.
또한, 화질 열화 없이 유기 발광 다이오드 표시 장치의 대면적 및 고해상도를 구현할 수 있는 게이트 구동부 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공 한다.
종래의 유기 발광 다이오드 표시장치는 데이터 구동부가 1 수평 기간(H) 동안 일 화소 열에 데이터 전압을 공급한 이후, 게이트 구동부가 스캔 신호 및 에미션 신호를 함께 공급하였다.
이에 따라, 1수평 기간(H)이 길어지게 됨으로써, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 고속 구동을 구현할 수 없게 되고, 고속 구동을 구현하더라도 화질 열화와 같은 문제점이 발생하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 게이트 구동부는 제1 내지 제(n+1)(여기서, n은 1이상의 정수)게이트 라인에 스캔 신호를 순차로 공급한다. 그리고, 제1 내지 제(n+1)에미션 라인에 에미션 신호를 순차로 공급하되 제(n+1)게이트 라인에 스캔 신호를 공급할 때 제n에미션 라인에 에미션 신호를 공급한다.
이 때, 스캔 신호는 로우 상태이고, 상기 에미션 신호는 하이 상태이며, 스캔 신호 및 에미션 신호는 일부 중첩될 수 있다.
또한, 게이트 구동부는, 제1 내지 제(n+1)게이트 라인 및 에미션 라인에 스캔 신호 및 에미션 신호를 각각 공급하는 제1 내지 제(n+1)스테이지를 포함한다.
이 때, 각 스테이지는, 스캔 신호를 생성하는 제1회로부 및 에미션 신호를 생성하는 제2회로부를 포함한다. 그리고, 제n스테이지의 제2회로부는, 제(n+1)스테이지의 제1회로부에서 생성하는 상기 스캔 신호를 인가 받아 상기 에미션 신호를 생성한다.
또한, 데이터 구동부는 다수의 채널 라인에 데이터 전압을 공급하며, 스위칭부는 데이터 전압을 스캔 신호에 각각 대응하여 m번째 데이터라인, (m+1)번째 데이터 라인 및 (m+2)번째 데이터 라인에 순차로 공급한다.
이를 통해, 본 발명은 종래 대비 1수평 기간(H)이 단축됨에 따라 유기 발광 다이오드 표시 장치의 고속 구동을 구현할 수 있고, 화질 열화 없이 대면적 및 고해상도의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 발명은, 일 화소 열에 1수평 기간(H) 동안 데이터 전압 공급과 함께 스캔 신호를 공급한 후, 상기 일 화소 열에 다음 수평 기간(H) 동안 에미션 신호를 공급함에 따라, 종래 대비 1수평 기간(H)이 단축됨에 따라 유기 발광 다이오드 표시 장치의 고속 구동을 구현할 수 있다.
또한, 화질 열화 없이 대면적 및 고해상도의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 파형도 이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 스위칭부의 구체적인 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 일 화소의 회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 파형도 이다.
도 6은 도 2의 게이트 구동부의 블록도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 타이밍 제어부(170), 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(140) 및 스위칭부(150)를 포함한다.
구체적으로, 표시 패널(110)은 일 방향으로 나란히 배치되는 제1 내지 제(n+1)(여기서, n은 1이상의 정수)게이트 라인(GL) 및 에미션 라인(EL)과, 이들 라인들(GL, EL)과 교차되는 다수의 데이터 라인(DL)과, 상기 다수의 데이터 라인(DL) 중 제m(여기서, m은 1 및 3n+1)데이터라인(DL), 제(m+1)데이터 라인(DL) 및 제(m+2)데이터 라인(DL)을 연결하는 다수의 채널 라인(CL)을 포함한다.
여기서, 각 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)의 교차 지점 마다 화소(P)가 배치된다.
또한, 타이밍 제어부(170)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 표시 패널(110)의 크기 및 해상도 등에 알맞게 정렬하여 데이터 구동부(140)에 공급하고, 스위칭 신호(SS)를 스위칭부(150)에 공급한다.
또한, 타이밍 제어부(170)는 외부로부터 입력되는 동기 신호들 예를 들어, 도트 클럭(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 등을 이용하여 다수의 게이트 제어신호(GCS)와 다수의 데이터 제어 신호(DCS)를 생성하고, 이들을 게이트 구동부(130)와 데이터 구동부(140)에 각각 공급한다.
또한, 게이트 구동부(130)는 각 게이트 라인(GL)에 스캔 신호를 순차로 공급하고, 각 에미션 라인(EL)에 에미션 신호를 순차로 공급한다.
여기서, 게이트 구동부(130)는 게이트 인 패널(Gate In Panel) 방식으로 표시 패널(110)에 내장될 수 있다.
또한, 데이터 구동부(140)는 다수의 채널 라인(CL)에 데이터 전압을 공급하고, 스위칭부(150)는 데이터 전압을 제m데이터라인(DL), 제(m+1)데이터 라인(DL) 및 제(m+2)데이터 라인(DL)에 순차로 공급한다.
여기서, 스위칭부(150)는 게이트 구동부(130)와 마찬가지로 표시 패널(110)에 내장될 수 있다.
한편, 본 발명의 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입으로 구성될 수 있으며, 본 발명의 실시 예에서는 설명의 편의를 위해 P 타입으로 구성된 트랜지스터로 설명한다.
따라서, 하이 상태의 신호는 트랜지스터를 턴-오프 시키고, 로우 상태의 신호는 트랜지스터를 턴-온 시킨다.
도 3은 도 2의 스위칭부의 구체적인 회로도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 스위칭부(150)는, 타이밍 제어부(170)에서 공급된 제1 내지 제3스위칭 신호(SS1~SS3)에 의해 순차적으로 턴-온되는 제1 내지 제3스위치(SW1~SW3)를 포함한다.
한편, 데이터 구동부(140)는, 타이밍 제어부(170)의 데이터 제어 신호(DCS)에 의해 다수의 채널라인(CL)에 데이터 전압(Vdata)을 공급하며, 각 채널라인(CL)에 공급된 데이터 전압(Vdata)은 다시 스위칭부(150)에 의해 스위칭되어 각 데이터라인(DLm, DL(m+1), DL(m+2))에 공급된다.
구체적으로, 먼저, 제1스위치(SW1)는 제1스위칭 신호(SS1)에 의해 턴-온 되어 제m데이터라인(DLm)에 데이터 전압(Vdata)을 공급하고, 다음, 제2스위치(SW2)는 제2스위칭 신호(SS2)에 의해 턴-온 되어 제(m+1)데이터 라인(DL(m+1))에 데이터 전압(Vdata)을 공급하고, 다음, 제3스위치(SW3)는 제3스위칭 신호(SS3)에 의해 턴-온 되어 제(m+2)데이터 라인(DL(m+2))에 데이터 전압(Vdata)을 공급한다.
한편, 이와 같은 제1 내지 제3스위치(SW1~SW3)는 트랜지스터로 구현될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 일 화소의 회로도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 일 화소(P)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하는 화소 구동부를 포함한다.
구체적으로, 화소 구동부는, 제1 내지 제5트랜지스터(T1~T5)와, 구동 트랜지스터(DT)와 커패시터(C)를 포함한다.
여기서, 화소 구동부에는 데이터 전압(Vdata)과, 기준 전압(Vref)과, 저전위 전압(Vss) 및 고전위 전압(Vdd)과, 제1 내지 제5트랜지스터(T1~T5)를 제어하는 다수의 스캔 신호(Scan) 및 에미션 신호(Em)가 공급된다.
이 때, 저전위 전압(Vss)은 기저 전압으로 설정될 수 있으며, 고전위 전압(Vdd)은 저전위 전압(Vss)보다 상대적으로 높은 전위를 갖는다.
또한, 기준 전압(Vref)은 고전위 전압(Vdd)과 저전위 전압(Vss) 사이의 전위를 갖는다.
또한, 제1트랜지스터(T1)는, 스캔 신호(Scan)에 응답하여 데이터 전압(Vdata)을 제1트랜지스터(T1)와 제2트랜지스터(T2)의 출력단이 공통으로 접속되는 노드인 제1노드(N1)에 공급한다.
또한, 제2트랜지스터(T2)는, 에미션 신호(Em)에 응답하여 기준 전압(Vref)을 제1노드(N1)에 공급한다.
또한, 제3트랜지스터(T3)는, 스캔 신호(Scan)에 응답하여 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(d)과, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(g)과 접속된 노드인 제2노드(N2)를 서로 연결한다.
또한, 제4트랜지스터(T4)는, 에미션 신호(Em)에 응답하여 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(d)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 접속된 노드인 제3노드(N3)를 서로 연결한다.
또한, 제5트랜지스터(T5)는 에미션 신호(Em)에 응답하여 기준 전압(Vref)을 제3노드(N3)에 공급한다.
또한, 구동 트랜지스터(DT)는 소스 전극(s)에 고전위 구동 전압(Vdd)이 공급되며, 제2노드(N2)의 전위에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어함으로써, 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광량을 조절한다.
또한, 커패시터(C)는 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결되며, 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소 구동부에 접속된 애노드 전극과, 저전위 전압(VSS)이 공급되는 캐소드 전극과, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기층으로 구성된다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 파형도 이다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명이 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 방법을 설명하겠다.
도면에 도시한 바와 같이, 먼저, 제1스위칭 신호(SS1), 제n스캔 신호(Scan(n)) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제2 및 제3스위칭 신호(SS2, SS3)는 하이 상태로 출력된다(①).
그러면, 제1스위치(SW1)는 제1스위칭 신호(SS1)에 의해 턴-온되어 제m데이터 라인(DL(m))에 데이터 전압(Vdata)이 공급된다.
다음, 제2스위칭 신호(SS2), 제n스캔 신호(Scan(n)) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 및 제3스위칭 신호(SS1, SS3)는 하이 상태로 출력된다(②).
그러면, 제2스위치(SW1)는 제2스위칭 신호(SS2)에 의해 턴-온되어 제(m+1)데이터 라인(DL(m+1))에 데이터 전압(Vdata)이 공급된다.
다음, 제3스위칭 신호(SS3), 제n스캔 신호(Scan(n)) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 및 제2스위칭 신호(SS1, SS2)는 하이 상태로 출력된다(③).
그러면, 제3스위치(SW3)는 제3스위칭 신호(SS3)에 의해 턴-온되어 제(m+2)데이터 라인(DL(m+2))에 데이터 전압(Vdata)이 공급된다.
한편, 전술한 ① 내지 ③ 과정에서, 로우 상태인 제n스캔 신호(Scan(n))에 의해 제1, 제3 및 제5트랜지스터(T1, T3, T5)는 턴-온 되고, 제2 및 제4트랜지스터(T2, T4)는 로우 상태인 제n에미션 신호(Em(n))에 의해 턴-오프 된다.
이 때, 제1노드(N1)는 제1트랜지스터(T1)를 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)으로 초기화되고, 제2 및 제3노드(N2, N3)는 기준 전압(Vref)으로 초기화된다.
다음, 제n스캔 신호(Scan(n))는 로우 상태로 출력되고, 제1 내지 제3스위칭 신호(SS1~SS3) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 하이 상태로 출력된다(④).
그러면, 로우 상태인 제n스캔 신호(Scan(n))에 의해 제1, 제3 및 제5트랜지스터(T1, T3, T5)는 턴-온되고, 하이 상태인 제n에미션 신호(Em(n))에 의해 제2 및 제4트랜지스터(T2, T4)는 턴-오프 된다.
이에 따라, 데이터 전압(Vdata)이 제1트랜지스터(T1)를 통해 제1노드(N1)에 공급되고, 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류가 제3트랜지스터(T3)를 통해 제2노드(N2)에 유입되면서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)을 센싱하게 된다.
이때, 제2노드(N2)의 전압 레벨은 기준 전압(Vref)에서 고전위 전압(Vdd) 및 문턱 전압(Vth)의 합(Vdd+Vth)으로 수렴하게 된다.
이와 같이, 전술한 ① 내지 ④과정을 거쳐, 1 수평 기간(H)이 종료하게 된다.
다음, 1수평 기간(Horizontal scanning period; H)이 종료된 후, 제n스캔 신호(Scan(n)) 및 제n에미션 신호(Em(n))는 각각 하이 상태로 출력된다(⑤).
그러면, 하이 상태인 제n스캔 신호(Scan(n))에 의해 제1, 제3 및 제5트랜지스터(T1, T3, T5)는 턴-오프되고, 하이 상태인 제n에미션 신호(Em(n))에 의해 제2 및 제4트랜지스터(T2, T4)는 턴-오프 된다.
이에 따라, 기준 전압(Vref)이 제2트랜지스터(T2)를 통해 제1노드(N1)에 공급되고, 제1노드(N1)의 전압이 데이터 전압(Vdata)에서 기준 전압(Vref)으로 변화되면, 커패시터(C)의 커플링 현상에 의해 제2노드(N2)의 전압은 "Vdd+Vth"에서 "Vdd+Vth+{C/(C+Cd)}*(Vref-Vdata)"가 된다.
여기서, "C"는 스토리지 커패시터(C)의 정전용량을 나타내고, "Cd"는 구동 트랜지스터(DT)의 기생 용량을 나타낸다.
다음, 제n스캔 신호(Scan(n))는 하이 상태로 출력되고, 제n에미션 신호(Em(n))는 로우 상태로 출력된다(⑥).
그러면, 하이 상태인 제n스캔 신호(Scan(n))에 의해 제1, 제3 및 제5트랜지스터(T1, T3, T5)는 턴-오프되고, 로우 상태인 제n에미션 신호(Em(n))에 의해 제2 및 제4트랜지스터(T2, T4)는 턴-온 된다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)가 ⑤과정에서 커플링된 제2노드(N2)의 전압에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급하게 되고, 유기 발광 다이오드(OLED)는 공급된 구동 전류에 따라 발광하여 계조를 표현하게 된다.
이를 종합해 보면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)의 게이트 구동부(130)는, 각 게이트 라인(GL)에 스캔 신호를 순차로 공급하고, 각 에미션 라인(EL)에 에미션 신호를 순차로 공급하되 제(n+1)게이트 라인(GL))에 스캔 신호를 공급할 때 제n에미션 라인(EL)에 에미션 신호를 공급한다.
이와 같이, 본 발명은, 일 화소(P) 열에 1수평 기간(H) 동안 데이터 전압(Vdata) 공급과 함께 스캔 신호를 공급한 후, 상기 일 화소(P) 열에 다음 수평 기간(H) 동안 에미션 신호를 공급함에 따라, 종래 대비 1수평 기간(H)을 단축시킬 수 있고, 이를 통해 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)의 구속 구동을 구현할 수 있게 된다.
한편, 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)가 대면적 및 고해상도로 구현될수록 1수평 기간(H) 및 1 프레임이 더욱더 길어지기 때문에, 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)의 대면적 및 고해상도를 구현하는데 한계가 있다.
여기서, 본 발명은, 전술한 바와 같이 1수평 기간(H)이 단축됨에 따라, 화질 열화 없이 대면적 및 고해상도의 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)를 구현할 수 있게 된다.
도 6은 도 2의 게이트 구동부의 블록도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 게이트 구동부(130)는, 제1 내지 제(n+1)게이트 라인(GL) 및 에미션 라인(EL)에 스캔 신호(Scan1~Scan(n+1)) 및 에미션 신호(Em1~Em(n+1))를 각각 순차적으로 공급하는 제1 내지 제(n+1)스테이지(ST1~ST(n+1))를 포함한다.
또한, 각 스테이지(ST1~ST(n+1))는, 스캔 신호(Scan1~Scan(n+1))를 생성하는 제1회로부(S1~S(n+1)) 및 에미션 신호(Em1~Em(n+1))를 생성하는 제2회로부(E1~E(n+1))를 포함한다.
여기서, 각 스테이지(ST1~ST(n+1))는 고전위 전압(Vdd)과, 저전위 전압(Vss)과, 스타트 전압(Vst)과, 순차적으로 출력되는 제1 내지 제4게이트 클록(GC1~GC4)과, 순차적으로 출력되는 제1 내지 제4에미션 클록(EC1~EC4)을 기반으로 구동한다.
또한, 스캔 신호(Scan1~Scan(n+1)) 및 에미션 신호(Em1~Em(n+1))는 서로 반대되는 레벨이다. 예를 들면, 스캔 신호(Scan1~Scan(n+1))가 로우 상태이면 에미션 신호(Em1~Em(n+1))는 하이 상태일 수 있다.
구체적으로, 먼저, 제1스테이지(ST1)의 제1회로부(S1)는, 이전 단의 스테이지가 없기 때문에, 스타트 전압(Vst)을 공급 받아 개시되며, 제1 내지 제4게이트 클록(GC1~GC4) 중 어느 하나 예를 들면, 제1게이트 클록(GC1)에 대응하는 제1스캔 신호(Scan1)를 생성한다.
이 때, 제1스테이지(ST1)의 제1회로부(S1)에서 생성된 제1스캔 신호(Scan1)는 제1게이트 라인(GL)으로 공급됨과 동시에 제2스테이지(ST2)의 제1회로부(S2)에 공급된다.
다음, 제2스테이지(ST2)의 제1회로부(S2)는, 제1스캔 신호(Scan1)를 공급 받아 개시되며, 제1 내지 제4게이트 클록(GC1~GC4) 중 어느 하나 예를 들면, 제2게이트 클록(GC2)에 대응하는 제2스캔 신호(Scan2)를 생성한다.
이 때, 제2스테이지(ST2)의 제1회로부(S1)에서 생성된 제2스캔 신호(Scan2)는 제2게이트 라인(GL)으로 공급됨과 동시에 제1스테이지(ST1)의 제2회로부(E1) 및 제(n+1)스테이지(ST(n+1))의 제1회로부(S(n+1))에 공급된다.
또한, 제1스테이지(ST1)의 제2회로부(E1)는, 제2스캔 신호(Scan2)를 공급 받아 개시되며, 제1 내지 제4에미션 클록(EC1~EC4) 중 어느 하나 예를 들면, 제1에미션 클록(EC1)에 대응하는 제1에미션 신호(Em1)를 생성한다.
이 때, 제1스테이지(ST1)의 제2회로부(E1)에서 생성된 제1에미션 신호(Em1)는 제1에미션 라인(EL)으로 공급한다.
다음, 제(n+1)스테이지(ST(n+1))의 제1회로부(S(n+1))는, 제2스캔 신호(Scan2)를 공급 받아 개시되며, 제1 내지 제4게이트 클록(GC1~GC4) 중 어느 하나 예를 들면, 제3게이트 클록(GC3)에 대응하는 제(n+1)스캔 신호(Scan(n+1))를 생성한다.
이 때, 제(n+1)스테이지(ST(n+1))의 제1회로부(S(n+1))에서 생성된 제(n+1)스캔 신호(Scan(n+1))는 제(n+1)게이트 라인(GL)으로 공급됨과 동시에 제2스테이지(ST2)의 제2회로부(E2)에 공급된다.
또한, 제2스테이지(ST2)의 제2회로부(E2)는, 제(n+1)스캔 신호(Scan(n+1))를 공급 받아 개시되며, 제1 내지 제4에미션 클록(EC1~EC4) 중 어느 하나 예를 들면, 제2에미션 클록(EC2)에 대응하는 제2에미션 신호(Em2)를 생성한다.
이 때, 제2스테이지(ST2)의 제2회로부(E2)에서 생성된 제2에미션 신호(Em2)는 제2에미션 라인(EL)으로 공급한다.
한편, 제(n+1)스테이지(ST(n+1))는 다음 단의 스테이지 없기 때문에, 별도의 더미 스테이지를 구성하여 제(n+1)스테이지(ST(n+1))의 제2회로부(E(n+1))에 개시 신호를 공급해줄 수 있다.
이를 종합해 보면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)의 게이트 구동부(130)는, 각 게이트 라인(GL)에 스캔 신호를 순차로 공급하고, 각 에미션 라인(EL)에 에미션 신호를 순차로 공급하되 제(n+1)게이트 라인(GL))에 스캔 신호를 공급할 때 제n에미션 라인(EL)에 에미션 신호를 공급한다.
이와 같이, 본 발명은, 일 화소(P) 열에 1수평 기간(H) 동안 데이터 전압(Vdata) 공급과 함께 스캔 신호를 공급한 후, 상기 일 화소(P) 열에 다음 수평 기간(H) 동안 에미션 신호를 공급함에 따라, 종래 대비 1수평 기간(H)을 단축시킬 수 있고, 이를 통해 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)의 구속 구동을 구현할 수 있게 된다.
또한, 본 발명은, 전술한 바와 같이 1수평 기간(H)이 단축됨에 따라, 화질 열화 없이 대면적 및 고해상도의 유기 발광 다이오드 표시 장치(100)를 구현할 수 있게 된다.
한편, 도 6과 달리 게이트 구동부(130)의 각 스테이지는 종래와 같이 순차적으로 스캔신호 및 에미션 신호를 함께 출력하고, 종래의 제(n+1)에미션 라인(EL)에 공급되었던 에미션 신호를 제n에미션 라인(EL)으로 공급하더라도 위와 동일한 효과를 달성할 수 있다.
전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.
110 : 표시 패널
130 : 게이트 구동부
140 : 데이터 구동부
150 : 스위칭부
170 : 타이밍 제어부

Claims (10)

  1. 제1 내지 제(n+1)(여기서, n은 1이상의 정수)게이트 라인 및 에미션 라인과, 다수의 데이터 라인 중 제m(여기서, m은 1 및 3n+1)데이터라인, 제(m+1)데이터 라인 및 제(m+2)데이터 라인의 교차 지점마다 배치된 화소에 각 게이트 라인을 통해 스캔 신호를 순차로 공급하고,
    제1 내지 제(n+1) 에미션 라인에 에미션 신호를 순차로 공급하되 상기 제(n+1)게이트 라인에 스캔 신호를 공급할 때 상기 제n에미션 라인에 에미션 신호를 공급하고,
    상기 제m데이터라인, 상기 제(m+1)데이터 라인 및 상기 제(m+2)데이터 라인은 스위칭부와 연결되고, 상기 스위칭부는 다수의 채널 라인을 통해 데이터 구동부와 연결되고,
    상기 데이터 구동부로부터 상기 다수의 채널 라인에 데이터 전압이 공급되고, 상기 스위칭부에 의해 상기 데이터 전압이 상기 스캔 신호에 대응하여 상기 제m데이터라인, 상기 제(m+1)데이터 라인 및 상기 제(m+2)데이터 라인에 순차로 공급된 후 상기 에미션 신호가 공급되는,
    게이트 구동부.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 신호 및 에미션 신호는 서로 반대되는 레벨인
    게이트 구동부.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 신호 및 에미션 신호는 일부 중첩되는
    게이트 구동부.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제(n+1)게이트 라인 및 에미션 라인에 스캔 신호 및 에미션 신호를 각각 공급하는 제1 내지 제(n+1)스테이지를 포함하고,
    상기 각 스테이지는, 상기 스캔 신호를 생성하는 제1회로부 및 상기 에미션 신호를 생성하는 제2회로부를 포함하는
    게이트 구동부.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제n스테이지의 상기 제2회로부는, 상기 제(n+1)스테이지의 상기 제1회로부에서 생성하는 상기 스캔 신호를 인가 받아 상기 에미션 신호를 생성하는
    게이트 구동부.
  6. 제1 내지 제(n+1)(여기서, n은 1이상의 정수)게이트 라인 및 에미션 라인과, 이들 라인들과 교차되는 다수의 데이터 라인과, 상기 다수의 데이터 라인 중 제m(여기서, m은 1 및 3n+1)데이터라인, 제(m+1)데이터 라인 및 제(m+2)데이터 라인을 연결하는 다수의 채널 라인을 포함하는 표시 패널;
    상기 제1 내지 제(n+1)게이트 라인 및 에미션 라인과 상기 다수의 데이터 라인의 교차 지점마다 배치된 화소에 상기 각 게이트 라인을 통해 스캔 신호를 순차로 공급하고, 상기 각 에미션 라인에 에미션 신호를 순차로 공급하되 상기 제(n+1)게이트 라인에 스캔 신호를 공급할 때 상기 제n에미션 라인에 에미션 신호를 공급하는 게이트 구동부;
    상기 다수의 채널 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 데이터 전압을 상기 스캔 신호에 각각 대응하여 상기 m번째 데이터 라인, (m+1)번째 데이터 라인 및 (m+2)번째 데이터 라인에 순차로 공급하는 스위칭부
    를 포함하고,
    상기 데이터 구동부로부터 상기 다수의 채널 라인에 데이터 전압이 공급되고, 상기 스위칭부에 의해 상기 데이터 전압이 상기 스캔 신호에 대응하여 상기 제m데이터라인, 상기 제(m+1)데이터 라인 및 상기 제(m+2)데이터 라인에 순차로 공급된 후 상기 에미션 신호가 공급되는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 스캔 신호 및 에미션 신호는 서로 반대되는 레벨인
    유기 발광 다이오드 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 스캔 신호 및 에미션 신호는 일부 중첩되는
    유기 발광 다이오드 표시장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는, 상기 제1 내지 제(n+1)게이트 라인 및 에미션 라인에 스캔 신호 및 에미션 신호를 각각 공급하는 제1 내지 제(n+1)스테이지를 포함하고,
    상기 각 스테이지는, 상기 스캔 신호를 생성하는 제1회로부 및 상기 에미션 신호를 생성하는 제2회로부를 포함하는
    유기 발광 다이오드 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제n스테이지의 상기 제2회로부는, 상기 제(n+1)스테이지의 상기 제1회로부에서 생성하는 상기 스캔 신호를 인가 받아 상기 에미션 신호를 생성하는
    유기 발광 다이오드 표시 장치.






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