CN107424549A - 阈值电压漂移的检测方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阈值电压漂移的检测方法和装置。所述阈值电压漂移的检测方法包括：在第一时间段，向外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在第二时间段，向外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；在第二时间段，经过预定检测时间后，根据液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值。本发明可以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压漂移程度是否过大，以准确检测阈值电压漂移，并准确定位阈值电压漂移位置。

Description

阈值电压漂移的检测方法和装置

技术领域

本发明涉及阈值电压漂移检测技术领域，尤其涉及一种阈值电压漂移的检测方法和装置。

背景技术

制作OLED(有机发光二极管)屏幕是非常复杂的，每一层都需要耗费很大的人力物力。通常先在Array(阵列)工艺段完成Array基板的制作，在制作阵列基板上，先在衬底基板上依次制作栅金属层、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏金属层、钝化层、OLED发光层、阳极层。在做完由ITO(氧化铟锡)制成的阳极层后会进行Array Test(阵列测试)，其实就是个选择的过程，对于性能好的glass(玻璃)留下并送往下一阶段，对于不符合要求的玻璃在这一阶段就把它筛选掉。然而在目前的阵列测试中很难检测出不良点，因为显示面板设计采用的是全面板电源线(VDD mesh)的设计，电源电压输入端给入正的大电压这会使得阵列检测时与检测仪器端的导电电极层(所述导电电极层与待测基板之间设置有液晶层)产生电压差形成电容，使得原本应该是暗点的不良在设备上也显示为亮点。如何规避全面板电源线结构产生的line(线)charging(充电)影响以准确检测驱动晶体管的阈值漂移是技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种阈值电压漂移的检测方法和装置，解决现有技术中由于显示面板设计采用的是全面板电源线的设计，电源电压输入端给入正的大电压这会使得阵列检测时与检测仪器端的导电电极层产生电压差形成电容，使得原本应该是暗点的不良在设备上也显示为亮点，从而导致阈值电压漂移检测结果不准确的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种阈值电压漂移的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压漂移，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；一检测阶段包括依次设置的第一时间段和第二时间段，所述阈值电压漂移的检测方法包括：

在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的第二时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

在该检测阶段包括的第二时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，经过预定检测时间后，根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值；

所述标准阈值电压为该驱动晶体管未发生阈值电压漂移时的阈值电压。

实施时，所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压大于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在亮点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值。

实施时，所述预定电源电压与所述预定数据电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压小于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在暗点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于或等于预定阈值电压差值。

实施时，所述预定电极电压为负电压，所述预定电源电压也为负电压，所述预定外部补偿电压为正电压，所述预定数据电压为负电压。

实施时，本发明所述的阈值电压漂移的检测方法还包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测到的该阳极的电压大于所述预定电源电压，并检测到的该阳极的电压与所述预定电源电压的差值大于第二预定电压差值而小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于或等于所述预定阈值电压差值。

实施时，所述阈值电压漂移的检测方法还包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压小于所述预定外部补偿电压，并该预定外部补偿电压与检测到的该阳极的电压之间的电压差值大于第四预定电压差值而小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于所述预定阈值电压差值。

实施时，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，本发明所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

本发明还提供了一种阈值电压漂移的检测装置，用于检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在阈值电压漂移，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述阈值电压漂移的检测装置包括外部检测仪器；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；在一检测阶段包括的第二时间段，所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，所述阈值电压漂移的检测装置还包括电压提供单元和阈值电压漂移判定单元：

所述电压提供单元用于在一检测阶段向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以能够控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压，并用于在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；所述电压提供单元还用于在该检测阶段包括的第二时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断，并在经过预定检测时间后，向阈值电压漂移判定单元发送判定控制信号；

所述阈值电压漂移判定单元用于在该检测阶段包括的第二时间段，在接收到所述判定控制信号后，根据所述液晶层的亮度以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值；

所述标准阈值电压为该驱动晶体管未发生阈值电压漂移时的阈值电压。

实施时，所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压大于所述预定电源电压；

所述阈值电压漂移判定单元具体用于在该检测阶段包括的检测时间段，在接收到所述判定控制信号后，当所述液晶层上存在亮点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值。

实施时，所述预定电源电压与所述预定数据电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压小于所述预定电源电压；

所述阈值电压漂移判定单元具体用于在该检测阶段包括的检测时间段，在接收到所述判定控制信号后，当所述液晶层上存在暗点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于或等于预定阈值电压差值。

与现有技术相比，本发明所述的阈值电压漂移的检测方法和装置通过将向电源电压输入端提供的预定电源电压与外部检测仪器包括的导电电极层接入的预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值，也即使得预定电源电压与预定电极电压之间的差值不大，这样不会发生由于预定电源电压与预定电极电压之间差值过大，从而导致对液晶旋转造成影响，从而使得无法准确显示暗点的问题；并本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法和装置可以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压漂移程度是否过大，以能准确检测阈值电压漂移，并能准确定位阈值电压漂移位置。

附图说明

图1是本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法的流程图；

图2是本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法应用于的待测基板包括的外部补偿像素驱动电路的电路图；

图3是在检测驱动晶体管阈值电压是否正漂时为各信号线和各信号端分别提供的电压的时序图；

图4是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图3所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压未发生漂移时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图；

图5是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图3所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压为1V时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图。

图6是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图3所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压为1.2V时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图；

图7是在检测驱动晶体管阈值电压是否负漂时为各信号线和各信号端分别提供的电压的时序图；

图8是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图7所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压未发生漂移时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图；

图9是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图7所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压为-0.8V时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图。

图10是为与外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端分别提供如图7所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压为-1V时的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在阈值电压漂移，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；一检测阶段包括依次设置的第一时间段和第二时间段，如图1所示，本发明所述的阈值电压漂移的检测方法包括：

St1：在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

St2:在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的第二时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

St3：在该检测阶段包括的第二时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，经过预定检测时间后，根据所述液晶层的亮度以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值；

所述标准阈值电压为该驱动晶体管未发生阈值电压漂移时的阈值电压。

在实际操作时，由于外部补偿像素驱动电路中的存储电容的存在，因此在检测阶段包括的第二时间段(所述第二时间段也即检测时间段)，需要经过预定检测时间，与外部补偿像素驱动电路连接的阳极上的电压才能与第一时间段相比体现出来差别。在具体实施时，所述预定检测时间可以根据实际情况选定，例如，所述预定检测时间可以为8ms(毫秒)，但不以此为限。

本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法通过将向电源电压输入端提供的预定电源电压与外部检测仪器包括的导电电极层接入的预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值，也即使得预定电源电压与预定电极电压之间的差值不大，这样不会发生由于预定电源电压与预定电极电压之间差值过大，从而导致对液晶旋转造成影响，从而使得无法准确显示暗点的问题；并本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法在一检测阶段向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通；并本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法在一检测阶段的第一时间段，向外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制外部补偿控制晶体管导通，从而使得预定外部补偿电压写入阳极，从而使得在第一时间段，阳极的电压是被设定的；在该检测阶段的第二时间段向外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿控制晶体管关断，并在该第二时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层的亮度以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压漂移程度是否过大，以能准确检测阈值电压漂移，并能准确定位阈值电压漂移位置。

在具体实施时，所述第二时间段即为检测时间段。

在实际操作时，所述标准阈值电压例如可以为0V，但不以此为限，在实际操作时，所述标准阈值电压的电压值也可以为正，具体取值根据外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的具体选取而定。

在实际操作时，所述待测基板的最上层为阳极层，在进行上述测试后，若不存在短路不良，还需要在所述待测基板上制作像素界定层和ITO(氧化铟锡)阴极层。

本发明实施例涉及显示领域特别是OLED显示面板中，针对Array(阵列)工艺段进行的良率控制，如果Array工艺段将不能用的glass(玻璃)检测出来，那么就不需要耗费巨大的人力物力进行下面的工艺步骤，可以大大降低制造成本。

根据一种具体实施方式，所述第一预定电压差值可以小于或等于1V。所述第一预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如可以为1V，也可以为0.8V，但不以此为限。

一般情况下，所述预定电极电压为负电压，例如，所述预定电极电压可以为-5V，但不以此为限；此时，所述预定电源电压可以为-5V，也可以为-5.5V，但不以此为限。

具体的，所述预定电极电压可以为负电压，所述预定电源电压也可以为负电压，所述预定外部补偿电压可以为正电压，所述预定数据写入控制电压可以为正电压，所述预定数据电压可以为负电压。

如图2所示，所述外部补偿像素驱动电路包括：数据写入晶体管T1，栅极与数据写入晶体管G1连接，源极与数据线Data连接；驱动晶体管T3，栅极G3与所述数据写入晶体管T1的漏极连接，漏极与电源电压输入端ELVDD连接，源极S与有机发光二极管(图2中未示出)的阳极Anode连接；存储电容Cst，第一端与所述驱动晶体管T3的栅极G连接，第二端与所述驱动晶体管T3的源极S连接；以及，外部补偿控制晶体管T2，栅极与外部补偿控制端G2连接，源极与所述驱动晶体管T3的源极S连接，漏极与外部补偿线Sense连接。

在实际操作时，所述阳极Anode可以由ITO(氧化铟锡)制成。

在具体实施时，图2中的所有晶体管都为n型晶体管，但是在实际操作时，以上晶体管可以被替换为p型晶体管，但是各以上晶体管的栅极接入的控制信号需要相应改变，在此对以上晶体管的类型不作限定。

根据一种具体实施方式，所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压大于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在亮点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值。

所述驱动晶体管的阈值电压发生正漂指的是该阈值电压正向漂移，此时该驱动晶体管的阈值电压比该驱动晶体管的标准阈值电压大。

当所述驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于所述预定阈值电压差值)小于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管不导通，在外部补偿控制端的电压由高变低后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压会因为存储电容的耦合影响而降低，但是经过预定检测时间后，该阳极的电压仍保持为正电压，则液晶层上相应点表现为亮点，具体将在下面通过具体实施例结合附图说明。

当所述驱动晶体管的阈值电压未漂移，或者，所述驱动晶体管的阈值电压发生正漂，驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于预定阈值电压差值，或者所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于所述预定阈值电压差值)大于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管导通，因此经过预定检测时间后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压为所述预定电源电压，所述预定电源电压为正值，则液晶层上相应点表现为暗点。

当所述驱动晶体管的阈值电压发生正漂，驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值等于预定阈值电压差值时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于所述预定阈值电压差值)等于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管处于临界饱和状态，经过预定检测时间后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压为负值，液晶层上相应点表现为暗点。

根据另一种具体实施方式，所述预定电源电压与所述预定数据电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压小于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在暗点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于或等于预定阈值电压差值。

所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂指的是该阈值电压负向漂移，此时该驱动晶体管的阈值电压比该驱动晶体管的标准阈值电压小。

当所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于-Vthr，Vthr为预定阈值电压差值)大于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管导通，因此经过预定检测时间后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压为预定电源电源电压，所述预定电源电压为负值，则液晶层上相应点表现为暗点。

当所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值等于预定阈值电压差值时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于-Vthr，Vthr为预定阈值电压差值)等于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管处于临界饱和状态，因此经过预定检测时间后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压为预定电源电源电压，所述预定电源电压为负值，则液晶层上相应点表现为暗点。

当所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移，或者，所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于预定阈值电压差值，或者所述驱动晶体管的阈值电压发生正漂时，

在一检测阶段的第一时间段，外部补偿控制晶体管导通，从而与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压被置为预定外部补偿电压；

在一检测阶段的第二时间段(也即检测时间段)，外部补偿控制晶体管关断，驱动晶体管的栅源电压(该栅源电压在所述第二时间段等于所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值，也即等于-Vthr，Vthr为预定阈值电压差值)小于所述驱动晶体管的阈值电压，驱动晶体管不导通，在外部补偿控制端的电压由高变低后，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压会因为存储电容的耦合影响而降低，但是经过预定检测时间后，该阳极的电压仍保持为正电压，则液晶层上相应点表现为亮点。

在实际操作时，本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法还可以包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测到的该阳极的电压大于所述预定电源电压，并检测到的该阳极的电压与所述预定电源电压的差值大于第二预定电压差值而小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于或等于所述预定阈值电压差值。

在具体实施时，当驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于或等于所述预定阈值电压差值时，在第二时间段，经过预定检测时间后，检测到的该阳极的电压与所述预定电源电压之间应有一定差值，但是差值不大，并检测到的该阳极的电压一般情况下大于所述预定电源电压；在实际操作时，所述第二预定电压差值的取值和所述第三预定电压差值的取值可以根据实际情况选定，例如，所述第二预定电压差值可以为0.2V，所述第三预定电压差值可以为3V，但不以此为限。

在实际操作时，本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法还可以包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压小于所述预定外部补偿电压，并该预定外部补偿电压与检测到的该阳极的电压之间的电压差值大于第四预定电压差值而小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于所述预定阈值电压差值。

在具体实施时，当驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于所述预定阈值电压差值时，在第二时间段，经过预定检测时间后，检测到的该阳极的电压与所述预定外部补偿电压之间应有一定差值，但是差值不大，并检测到的该阳极的电压一般情况下小于所述预定外部补偿电压；在实际操作时，所述第四预定电压差值的取值和所述第五预定电压差值的取值可以根据实际情况选定，例如，所述第二预定电压差值可以为0.1V，所述第三预定电压差值可以为6V，但不以此为限。

在实际操作时，一检测阶段还可以包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

在实际操作时，当外部补偿控制晶体管为n型晶体管时，所述第三外部补偿控制电压可以为负电压，在第一时间段之前设置的置位时间段，先通过向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断，从而为进入第一时间段做准备。

下面通过具体实施例来说明本发明实施例所述的阈值电压漂移的检测方法。

如图3所示，在一检测阶段，为图2中的电源电压输入端ELVDD提供-5V，为图2中的外部补偿线Sense提供7V，为图2中的数据线Data提供的数据电压Vdata为-4V，为图2中的G1提供10V；

在该检测阶段包括的置位时间段t0，为G2提供-15V，以使得外部补偿控制晶体管T2断开；

在该检测阶段包括的第一时间段t1，为G2提供15V，以使得T2导通；

在该检测阶段包括的第二时间段t2，为G2提供-6V，以使得T2断开。

在如图3所示的实施例中，为ELVDD提供-5V的直流电压，这样ELVDD与外部检测仪器包括的导电电极层之间的电容电压差基本可以忽略其对液晶旋转的影响。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图3所示的电压时，

当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压未发生漂移时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图4所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于1V，T3的栅源电压大于T3的阈值电压，T3导通，经过预定检测时间后，检测到的Anode的阳极的电压为-5V(检测Anode的电压VA的位置为图4中的虚线位置，也即在15.77ms(毫秒)处)，此时液晶层上的相应点表现为暗点。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图3所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压发生正漂，并且T3的阈值电压为1V时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图5所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于1V，T3的栅源电压等于T3的阈值电压，T3处于临界饱和状态，经过预定检测时间后，检测到的Anode的阳极的电压约为-2.4V(检测Anode的电压VA的位置为图5中的虚线位置，也即在15.77ms(毫秒)处)，此时液晶层上的相应点表现为暗点。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图3所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压发生正漂，并且T3的阈值电压为1.2V时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图6所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于1V，T3的栅源电压小于T3的阈值电压，T3关断，Anode处于浮空状态，在G2点电压由15V变为-6V后，Anode的电压VA会因为存储电容Cs的耦合作用降低，但经过预定检测时间后，Anode的电压VA仍为正值(在图6中，在虚线所示的检测位置，Anode的电压VA约为3V)，此时液晶层上的相应点表现为亮点。

如图7所示，在一检测阶段，为图2中的电源电压输入端ELVDD提供-5V，为图2中的外部补偿线Sense提供7V，为图2中的数据线Data提供的数据电压Vdata为-6V，为图2中的G1提供10V；

在该检测阶段包括的置位时间段t0，为G2提供-15V，以使得外部补偿控制晶体管T2断开；

在该检测阶段包括的第一时间段t1，为G2提供15V，以使得T2导通；

在该检测阶段包括的第二时间段t2，为G2提供-6V，以使得T2断开。

在如图7所示的实施例中，为ELVDD提供-5V的直流电压，这样ELVDD与外部检测仪器包括的导电电极层之间的电容电压差基本可以忽略其对液晶旋转的影响。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图7所示的电压时，

当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压未发生漂移时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图8所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于-1V，T3的栅源电压小于T3的阈值电压，T3关断，Anode处于浮空状态，在G2点电压由15V变为-6V后，Anode的电压VA会因为存储电容Cs的耦合作用降低，经过预定检测时间后，Anode的电压VA会降低1V而变为6V左右(在图8中，在虚线所示的检测位置(也即在15.77ms)，Anode的电压VA约为3V)，此时液晶层上的相应点表现为亮点。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图7所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压发生负漂，并且T3的阈值电压为-0.8V时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图9所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于-1V，T3的栅源电压小于T3的阈值电压，Anode处于浮空状态，在G2点电压由15V变为-6V后，Anode的电压VA会因为存储电容Cs的耦合作用降低，经过预定检测时间后，Anode的电压VA为5V左右(在图9中，在虚线所示的检测位置(也即在15.77ms)，Anode的电压VA约为3V)，此时液晶层上的相应点表现为亮点。

在实际操作时，当一外部补偿像素驱动电路连接的各信号线和各信号端被提供如图7所示的电压时，当该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管T3的阈值电压发生正漂，并且T3的阈值电压为-1V时(在本实施例中，T3的标准阈值电压为0V，预定阈值电压差值等于1V)，

在一检测阶段，T1导通，-4V写入T3的栅极G3；

如图10所示，在该检测阶段包括的第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，则在t1，与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极Anode的电压VA一直保持为7V；

在该检测阶段包括的第二时间段t2(也即检测时间段)，T3的栅源电压等于-1V，T3的栅源电压等于T3的阈值电压，T3处于临界饱和状态，经过预定检测时间后，Anode的电压VA接近-3V，此时液晶层上的相应点表现为暗点。

本发明以上进行对驱动晶体管的阈值电压的漂移的检测可以是在已经检测完外部补偿像素驱动电路中不存在检测不良的前提下完成的。

本发明设计的检测负漂的如图7所示的波形还可以检测驱动晶体管T3的栅极与该驱动晶体管T3的源极之间是否短路，并可以检测T3的漏极与T3的源极之间是否短路；

在实际操作时，当T3的栅极与T3的源极之间短路时，在第二时间段t2经过预定检测时间之后，Anode的电压最终为-6V，液晶层相应点表现为暗点；

当T3的源极和T3的漏极之间短路时，在第二时间段t2经过预定检测时间之后，Anode的电压最终为-5V，液晶层相应点表现为暗点；在实际操作时，可以在第二时间段t2通过检测Anode的电压来判断T3的源漏短路还是T3的栅源短路。

本发明利用输入信号波形设计，消除了VDD mesh(全面板电源线)结构中因为电源电压过大造成的line(线)charging(充电)，进而影响AT(Array test，阵列测试)不良检出率的问题。本发明实施例设置了两种波形，两种波形中只有数据线上的数据电压不同，即可检测出驱动晶体管的阈值电压正漂和负漂的情况，极大降低了生产成本。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阈值电压漂移的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压漂移，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；其特征在于，一检测阶段包括依次设置的第一时间段和第二时间段，所述阈值电压漂移的检测方法包括：

在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的第二时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

在该检测阶段包括的第二时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，经过预定检测时间后，根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值；

所述标准阈值电压为该驱动晶体管未发生阈值电压漂移时的阈值电压。

2.如权利要求1所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压大于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在亮点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值。

3.如权利要求1所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，所述预定电源电压与所述预定数据电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压小于所述预定电源电压；

所述根据所述液晶层的亮度，以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值步骤包括：当所述液晶层上存在暗点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于或等于预定阈值电压差值。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，所述预定电极电压为负电压，所述预定电源电压也为负电压，所述预定外部补偿电压为正电压，所述预定数据电压为负电压。

5.如权利要求4所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，还包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测到的该阳极的电压大于所述预定电源电压，并检测到的该阳极的电压与所述预定电源电压的差值大于第二预定电压差值而小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于或等于所述预定阈值电压差值。

6.如权利要求5所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，所述阈值电压漂移的检测方法还包括：在该检测阶段包括的第二时间段，经过预定检测时间后，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压小于所述预定外部补偿电压，并该预定外部补偿电压与检测到的该阳极的电压之间的电压差值大于第四预定电压差值而小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值小于所述预定阈值电压差值。

7.如权利要求1至3中任一权利要求所述的阈值电压漂移的检测方法，其特征在于，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述阈值电压漂移的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

8.一种阈值电压漂移的检测装置，用于检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在阈值电压漂移，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述阈值电压漂移的检测装置包括外部检测仪器；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；在一检测阶段包括的第二时间段，所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，其特征在于，所述阈值电压漂移的检测装置还包括电压提供单元和阈值电压漂移判定单元：

所述电压提供单元用于在一检测阶段向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，以能够控制所述外部补偿像素驱动电路包括的数据写入晶体管导通，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压，并用于在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；所述电压提供单元还用于在该检测阶段包括的第二时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断，并在经过预定检测时间后，向阈值电压漂移判定单元发送判定控制信号；

所述阈值电压漂移判定单元用于在该检测阶段包括的第二时间段，在接收到所述判定控制信号后，根据所述液晶层的亮度以判断相应的外部补偿像素驱动电路包括的驱动晶体管的阈值电压与标准阈值电压之间的电压差值的绝对值是否大于预定阈值电压差值；

所述标准阈值电压为该驱动晶体管未发生阈值电压漂移时的阈值电压。

9.如权利要求8所述的阈值电压漂移的检测装置，其特征在于，所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压大于所述预定电源电压；

所述阈值电压漂移判定单元具体用于在该检测阶段包括的检测时间段，在接收到所述判定控制信号后，当所述液晶层上存在亮点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生正漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于预定阈值电压差值。

10.如权利要求8所述的阈值电压漂移的检测装置，其特征在于，所述预定电源电压与所述预定数据电压之间的电压差值等于所述预定阈值电压差值；所述预定数据电压小于所述预定电源电压；

所述阈值电压漂移判定单元具体用于在该检测阶段包括的检测时间段，在接收到所述判定控制信号后，当所述液晶层上存在暗点时，判断到相应的外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的阈值电压发生负漂，并该驱动晶体管的阈值电压与该驱动晶体管的标准阈值电压之间的电压差值的绝对值大于或等于预定阈值电压差值。