CN113593470A - 发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板 - Google Patents

发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供的发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板,包括发光器件、驱动晶体管、数据信号写入晶体管以及第一侦测模块。采用第一侦测模块侦测数据信号写入晶体管的阈值电压,并采用外部补偿的方式对数据信号写入晶体管的阈值电压进行有效补偿,从而改善发光器件驱动电路的电流均一性,进而改善显示器件的光学特性。

Description

发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板。
背景技术
目前,微观发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)显示器件具有反应快、高色域、高分辨率、低能耗等优点,但其技术难点多且技术复杂,特别是巨量转移技术和发光二极管(Light Emitting Diode,LED)颗粒微型化技术。而迷你发光二极管(miniLight Emitting Diode,mini-LED)显示器件作为Micro-LED与背板结合的产物,具有高对比度、高显色性等可以与有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件相媲美的特定,且成本还低于OLED显示器件。另外,与Micro-LED显示器件和OLED显示器件相比,mini-LED显示器件更易实施。因此,mini-LED显示器件已成为各大面板厂商的布局热点。
其中,市场对于其中mini-LED显示器件产品规格中分区的规格要求越来越高。而随着分区数的增加,mini-LED显示器件的部分组件会工作在晶体管的饱和区域。而晶体管存在阈值电压漂移的问题,从而会影响到晶体管的栅极电压,进而会影响到mini-LED显示器件的光学特性。
因此,如何对像素驱动电路中晶体管的阈值电压进行补偿,防止其影响mini-LED显示器件的光学特性是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板,能够解决现有的发光器件驱动电路的晶体管存在的阈值电压漂移的技术问题。
本申请实施例提供一种发光器件驱动电路,包括:
发光器件,所述发光器件串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路;
驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极以及所述驱动晶体管的漏极串接于所述发光回路,所述驱动晶体管的栅极电性连接于第一节点;
数据信号写入晶体管,所述数据信号写入晶体管的栅极接入扫描信号,所述数据信号写入晶体管的源极接入数据信号,所述数据信号写入晶体管的漏极电性连接于所述第一节点;以及
第一侦测模块,所述第一侦测模块接入第一控制信号,并电性连接于所述第一节点,所述第一侦测模块用于在所述第一控制信号的控制下,对所述第一节点的电压进行侦测,以获取所述数据信号写入晶体管的阈值电压,并基于所述数据信号写入晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述第一侦测模块包括第一晶体管以及第一侦测单元;
所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号,所述第一晶体管的源极电性连接于所述第一节点,所述第一晶体管的漏极电性连接于所述第一侦测单元;所述第一侦测单元用于对所述第一节点的电压进行侦测,以获取所述数据信号写入晶体管的阈值电压,并基于所述数据信号写入晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述发光器件驱动电路还包括存储电容;
所述存储电容的一端与所述第一节点电性连接,所述存储电容的另一端接入所述第二电源信号。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述发光器件驱动电路还包括第二侦测模块,所述第二侦测模块接入第二控制信号,并电性连接于所述驱动晶体管的漏极,所述第二侦测模块用于在所述第二控制信号的控制下,对所述驱动晶体管的漏极进行侦测,以获取所述驱动晶体管的阈值电压,并基于所述驱动晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述第二侦测模块包括第二晶体管以及第二侦测单元;
所述第二晶体管的栅极接入所述第二控制信号,所述第二晶体管的源极电性连接于所述驱动晶体管的漏极,所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第二侦测单元,所述第二侦测单元用于获取所述驱动晶体管的阈值电压,并基于所述驱动晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述发光器件驱动电路还包括发光控制模块,所述发光控制模块接入发光控制信号,并串接于所述发光回路,所述发光控制模块用于基于所述发光控制信号控制所述发光回路导通或者截止。
在本申请所述的发光器件驱动电路中,所述发光控制模块包括发光控制晶体管;
所述发光控制晶体管的栅极接入所述发光控制信号,所述发光控制晶体管的源极电性连接于所述第一电源信号,所述发光控制晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的源极。
在本申请所述的像素驱动电路中,所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
本申请实施例还提供一种背光模组,包括:
数据线,所述数据线用于提供数据信号;
扫描线,所述扫描线用于提供扫描信号;
发光控制信号线,所述发光控制信号线用于提供发光控制信号;以及
如以上所述的发光器件驱动电路,所述发光器件驱动电路与所述数据线、所述扫描线以及所述发光控制信号线连接
本申请实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素单元,每一所述像素单元均以上所述的发光器件驱动电路。
在本申请实施例提供的发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板中,包括发光器件、驱动晶体管、第一侦测模块以及数据信号写入晶体管。采用第一侦测模块侦测第一节点的电压,并由第一节点的电压计算出数据信号写入晶体管的阈值电压。依据数据信号写入晶体管的阈值电压采用外部补偿的方式对数据信号进行调整,以对数据信号写入晶体管的阈值电压进行有效补偿,从而改善发光器件驱动电路的电流均一性,进而改善显示器件的光学特性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的第一电路示意图。
图3为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的第二电路示意图。
图4为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的时序图。
图5为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的结构示意图。
图6为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的电路示意图。
图7为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的时序图。
图8为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的结构示意图。
图9为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的电路示意图。
图10为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的时序图。
图11为本申请实施例提供的发光器件驱动电路在图10所示的驱动时序下的初始化阶段的通路示意图。
图12为本申请实施例提供的像素驱动电路在图10所示的驱动时序下的阈值电压侦测阶段的通路示意图。
图13为本申请实施例提供的像素驱动电路在图10所示的驱动时序下的阈值电压补偿阶段的通路示意图。
图14为本申请实施例提供的背光模组的结构示意图。
图15为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。此外本申请实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管和/或N型晶体管两种,其中,P型晶体管在栅极为低电平时导通,在栅极为高电平时截止,N型晶体管为在栅极为高电平时导通,在栅极为低电平时截止。
请参阅图1,图1为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的结构示意图。如图1所示,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10包括发光器件D、驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2以及第一侦测模块101。需要说明的是,发光器件D可以为迷你发光二极管、微型发光二极管或有机发光二极管。
其中,发光器件D串接于第一电源信号VLED与第二电源信号VSS构成的发光回路。驱动晶体管T1的源极以及驱动晶体管T1的漏极串接于发光回路。驱动晶体管T1的栅极电性连接于第一节点P。数据信号写入晶体管T2的栅极接入扫描信号scan,数据信号写入晶体管T2的源极接入数据信号data,数据信号写入晶体管T2的漏极电性连接于第一节点P。第一侦测模块101接入第一控制信号Rb,并电性连接于第一节点P。
需要说明的是,本申请实施例只需保证发光器件D串接于发光回路即可,图1所示的发光器件驱动电路10仅仅示意出发光器件D的一种具体位置。也即,发光器件D可以串接在发光回路上的任意位置。
具体的,驱动晶体管T1用于控制流经发光回路的电流。第一侦测模块101用于在第一控制信号Rb的控制下,对第一节点P的电压进行侦测,以获取数据信号写入晶体管T2的阈值电压,并基于数据信号写入晶体管的阈值电压T2对数据信号data进行调整。数据信号写入晶体管T2用于在扫描信号scan的控制下,将数据信号data写入驱动晶体管T1的栅极。
本申请实施例提供的发光器件驱动电路10,通过第一侦测模块101侦测第一节点P的电位,计算出数据信号写入晶体管T2的阈值电压,且将数据信号写入晶体管T2的阈值电压添加到数据信号data中,从而对数据信号写入晶体管T2的阈值电压进行补偿。
在一些实施例中,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10包括存储电容C。存储电容C的一端与第一节点P电性连接。存储电容C的另一端接入第二电源信号VSS。存储电容C用于存储第一节点P的电位。
需要说明的是,本申请实施例的存储电容C可以一端电性连接于第一节点P,另一端电性连接于发光器件D的阳极端。其中,当存储电容C电性连接于第一节点P,并接入第二电源信号VSS,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10稳定性更好。
请参阅图2,图2为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的第一电路示意图。结合图1、图2所示,第一侦测模块101包括第一晶体管T3以及第一侦测单元Sen。第一晶体管T3的栅极接入第一控制信号Rb。第一晶体管T3的源极电性连接于第一节点P。第一晶体管T3的漏极电性连接于第一侦测单元Sen,第一侦测单元Sen用于对第一节点P的电压进行侦测,以获取数据信号写入晶体管T2的阈值电压,并基于数据信号写入晶体管T2的阈值电压对数据信号data进行调整。
需要说明的是,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10通过控制第一晶体管T3打开的时间节点,经第一侦测单元Sen可以侦测到第一节点P的电压。而本申请实施例提供的发光器件驱动电路10工作在晶体管的饱和区域,第一节点P的电压与数据信号写入晶体管T2的栅极电压以及数据信号写入晶体管T2的阈值电压有关。因此通过第一节点P的电压和扫描信号scan的电压就可以得到数据信号写入晶体管T2的阈值电压。而将数据信号写入晶体管T2的阈值电压添加到数据信号data中,对数据信号写入晶体管T2的阈值电压进行补偿,可以防止数据信号写入晶体管T2的阈值电压漂移对驱动晶体管T1的栅极电压值产生影响,从而改善发光器件驱动电路10的电流均一性,进而改善显示器件的光学特性。
需要说明的是,第一电源信号VLED和第二电源信号VSS均用于输出一预设电压值。此外,在本申请实施例中,第一电源信号VLED的电位大于第二电源信号VSS的电位。具体的,第二电源信号VSS的电位可以为接地端的电位。当然,可以理解地,第二电源信号VSS的电位还可以为其它。
需要说明的是,驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2以及第一晶体管T3可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。进一步的,可以设置本申请实施例提供的发光器件驱动电路10中的晶体管为同一种类型的晶体管,从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对发光器件驱动电路10造成的影响。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的第二电路示意图。结合图1、图3所示,在一些实施例中,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10包括存储电容C。存储电容C的一端与第一节点P电性连接。存储电容C的另一端接入第二电源信号VSS。存储电容C用于存储第一节点P的电位。
请参阅图4,图4为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的时序图。第一控制信号Rb以及扫描信号scan相组合先后对应于初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3;其中,也即,在一帧时间内,本申请实施例提供的发光器件驱动电路30的驱动控制时序包括初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3。
需要说明的是,发光器件D在阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3发光。
具体的,在初始化阶段t1,扫描信号scan为低电位,第一控制信号Rb为高电位。
具体的,在阈值电压侦测阶段t2,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为高电位。
具体的,在阈值电压补偿阶段t3,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为低电位。
具体的,第一电源信号VLED和第二电源信号VSS均为直流电压源。
请参阅图5,图5为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的结构示意图。本实施例所述的发光驱动电路20与上述实施例所述的发光驱动电路10的区别在于:
本实施例提供的发光器件驱动电路20还包括第二侦测模块102。第二侦测模块102接入第二控制信号S_g,并电性连接于驱动晶体管T1的漏极。
需要说明的是,第二侦测模块102用于在第二控制信号S_g的控制下,对驱动晶体管T1的漏极进行侦测,以获取驱动晶体管T1的阈值电压,并基于驱动晶体管T1的阈值电压对数据信号data进行调整。
具体的,第二侦测模块102电性连接于第二节点Q。发光器件的阳极端电性连接于第二节点Q。驱动晶体管T1的漏极电性连接于第二节点Q。
本申请实施例提供的发光器件驱动电路20,通过第二侦测模块102侦测第二节点Q的电位,计算出驱动晶体管T1的阈值电压,并基于驱动晶体管T1的阈值电压对数据信号data进行调整,从而对驱动晶体管T1的阈值电压进行补偿。
请参阅图6,图6为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的电路示意图。结合图5、图6所示,第二侦测模块102包括第二晶体管T4以及第二侦测单元S_d。第二晶体管T4的栅极接入第二控制信号S_g。第二晶体管T4的源极电性连接于驱动晶体管T1的漏极。第二晶体管T4的漏极电性连接于第二侦测单元S_d。
具体的,第二晶体管T4的源极电性连接于第二节点Q。发光器件的阳极端电性连接于第二节点Q。驱动晶体管T1的漏极电性连接于第二节点Q。第二节点Q的电压就为驱动晶体管T1的漏极电压。
需要说明的是,本申请实施例提供的发光器件驱动电路10通过控制第二晶体管T4打开的时间节点,经第二侦测单元S_d可以侦测到第二节点Q的电压。第二节点Q的电压与驱动晶体管T1的阈值电压有关。因此通过第二节点Q的电压就可以得到驱动晶体管T1的阈值电压。而基于驱动晶体管T1的阈值电压对数据信号data进行调整,可以对驱动晶体管T1的阈值电压进行补偿,防止驱动晶体管T1的阈值电压漂移对驱动晶体管T1的栅极电压值产生影响,从而改善发光器件驱动电路20的电流均一性,进而改善显示器件的光学特性。
需要说明的是,驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2、第一晶体管T3以及第二晶体管T4可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。进一步的,可以设置本申请实施例提供的发光器件驱动电路20中的晶体管为同一种类型的晶体管,从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对发光器件驱动电路20造成的影响。
请参阅图7,图7为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第二种实施方式的时序图。第一控制信号Rb、第二控制信号S_g以及扫描信号scan相组合先后对应于初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3;其中,也即,在一帧时间内,本申请实施例提供的发光器件驱动电路30的驱动控制时序包括初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3。
需要说明的是,发光器件D在阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3发光。
具体的,在初始化阶段t1,扫描信号scan为低电位,第一控制信号Rb为高电位、第二控制信号S_g为高电位。
具体的,在阈值电压侦测阶段t2,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为高电位、第二控制信号S_g为高电位。
具体的,在阈值电压补偿阶段t3,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为低电位、第二控制信号S_g为低电位。
具体的,第一电源信号VLED和第二电源信号VSS均为直流电压源。
请参阅图8,图8为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的结构示意图。本实施例所述的发光驱动电路30与上述实施例所述的发光驱动电路20的区别在于:本实施例提供的发光器件驱动电路30还包括发光控制模块103。发光控制模块103接入发光控制信号EM,并串接于发光回路。
需要说明的是,发光控制模块103用于基于发光控制信号EM控制发光回路导通或者截止。其中,本申请实施例只需保证发光控制模块103串接于发光回路即可,图7所示的发光器件驱动电路10仅仅示意出发光控制模块103的一种具体位置。也即,发光控制模块103可以串接在发光回路上的任意位置。
请参阅图9,图9为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的电路示意图。结合图8、图9所示,发光控制模块103包括发光控制晶体管T5。发光控制晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM。发光控制晶体管T5的源极接入第一电源信号VLED。发光控制晶体管T5的漏极电性连接于驱动晶体管T1的源极。发光控制模块103还可以采用多个晶体管串联形成。
需要说明的是,驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2、第一晶体管T3、第二晶体管T4以及发光控制晶体管T5可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。进一步的,可以设置本申请实施例提供的发光器件驱动电路30中的晶体管为同一种类型的晶体管,从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对发光器件驱动电路30造成的影响。
请参阅图10,图10为本申请实施例提供的发光器件驱动电路的第三种实施方式的时序图。第一控制信号Rb、第二控制信号S_g、发光控制信号EM以及扫描信号scan、相组合先后对应于初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3;其中,也即,在一帧时间内,本申请实施例提供的发光器件驱动电路30的驱动控制时序包括初始化阶段t1、阈值电压侦测阶段t2以及阈值电压补偿阶段t3。
需要说明的是,发光器件D在阈值电压补偿阶段t3发光。
具体的,在初始化阶段t1,发光控制信号EM为低电位,扫描信号scan为低电位,第一控制信号Rb为高电位,第二控制信号S_g为高电位。
具体的,在阈值电压侦测阶段t2,发光控制信号EM为低电位,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为高电位,第二控制信号S_g为高电位。
具体的,在阈值电压补偿阶段t3,发光控制信号EM为高电位,扫描信号scan为高电位,第一控制信号Rb为低电位,第二控制信号S_g为低电位。
具体的,第一电源信号VLED和第二电源信号VSS均为直流电压源。
具体的,请参阅图10和图11,图11为本申请实施例提供的发光器件驱动电路在图10所示的驱动时序下的初始化阶段的通路示意图。
在初始化阶段t1,第一控制信号Rb为高电位,第一晶体管T3在第一控制信号Rb的高电位控制下打开,以实现对第一晶体管T3的初始化。对第二控制信号S_g为高电位,第二晶体管T4在第二控制信号S_g的高电位控制下打开,以实现对第二晶体管T4的初始化。
与此同时,在初始化阶段t1,由于发光控制信号EM和扫描信号scan均为低电位,使得第一晶体管T3和发光控制晶体管T5关闭,进而使得驱动晶体管T1关闭。
具体的,请参阅图10和图12,图12为本申请实施例提供的发光器件驱动电路在图10所示的驱动时序下的阈值电压侦测阶段的通路示意图。
在阈值电压侦测阶段t2,扫描信号scan为高电位,数据信号写入晶体管T2在扫描信号scan的高电位控制下打开,以使数据信号data的电压输送到第一节点P。而由于数据信号写入晶体管T2工作在晶体管的饱和区域,因此,第一节点P的电压等于扫描信号scan的电压与数据信号写入晶体管T2的阈值电压的差值。
进一步地,计算第一节点P的电压的公式为:
Vp=Vscan-Vth3,其中,Vp为第一节点P在阈值电压侦测阶段t2时的电压,Vscan为扫描信号scan在阈值电压侦测阶段t2时的电压,Vth3为数据信号写入晶体管T2的阈值电压。
此时,第一控制信号Rb为高电位,第一晶体管T3在第一控制信号Rb的高电位控制下打开,第一侦测单元Sen可以侦测到第一节点P的电压,从而可以获得第一晶体管T3的阈值电压。
与此同时,在阈值电压侦测阶段t2,第一节点P的电压为扫描信号scan的电压与数据信号写入晶体管T2的阈值电压的差值。扫描信号scan为高电位,因此第一节点P的电压也为高电位,驱动晶体管T1打开。而发光控制信号EM为低电位,发光控制晶体管T5在发光控制信号EM的低电位控制下关闭,第二节点Q的电压等于驱动晶体管T1的阈值电压。第二控制信号S_g为高电位,第二晶体管T4在第二控制信号S_g的高电位控制下打开,第二侦测单元S_d可以侦测到第二节点Q的电压,从而可以获得驱动晶体管T1的阈值电压。
具体的,请参阅图10和图13,图13为本申请实施例提供的发光器件驱动电路在图10所示的驱动时序下的阈值电压补偿阶段的通路示意图。
在阈值电压补偿阶段t3,将侦测到的驱动晶体管T1的阈值电压和数据信号写入晶体管T2的阈值电压均添加至数据信号data,以对数据信号写入晶体管T2和驱动晶体管T1实现阈值电压补偿。与此同时,扫描信号scan为高电位,数据信号写入晶体管T2在扫描信号scan的高电位控制下打开,以使数据信号data的电压输送到驱动晶体管T1的栅极。数据信号data为高电位,以使驱动晶体管T1打开。此时,发光控制信号EM为高电位,晶体管T5在发光控制信号EM的高电位控制下打开,从而使发光器件D发光。
请参阅图14,图14为本申请实施例提供的背光模组的结构示意图。本申请实施例还提供一种背光模组100,其包括数据线40、扫描线50、发光控制信号线60以及以上所述的发光器件驱动电路30。其中,数据线40用于提供数据信号。扫描线50用于提供扫描信号。发光控制信号线60用于提供发光控制信号。发光器件驱动电路30与数据线40、扫描线50以及发光控制信号线60连接。发光器件驱动电路30具体可参照以上对该发光器件驱动电路的描述,在此不做赘述。
请参阅图15,图15为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。本申请实施例还提供一种显示面板200,包括多个呈阵列排布的像素单元2000,每一像素单元2000均包括以上所述的发光器件驱动电路30,具体可参照以上对该发光器件驱动电路30的描述,在此不做赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种发光器件驱动电路,其特征在于,包括:
发光器件,所述发光器件串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路;
驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极以及所述驱动晶体管的漏极串接于所述发光回路,所述驱动晶体管的栅极电性连接于第一节点;
数据信号写入晶体管,所述数据信号写入晶体管的栅极接入扫描信号,所述数据信号写入晶体管的源极接入数据信号,所述数据信号写入晶体管的漏极电性连接于所述第一节点;以及
第一侦测模块,所述第一侦测模块接入第一控制信号,并电性连接于所述第一节点,所述第一侦测模块用于在所述第一控制信号的控制下,对所述第一节点的电压进行侦测,以获取所述数据信号写入晶体管的阈值电压,并基于所述数据信号写入晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
2.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述第一侦测模块包括第一晶体管以及第一侦测单元;
所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号,所述第一晶体管的源极电性连接于所述第一节点,所述第一晶体管的漏极电性连接于所述第一侦测单元;所述第一侦测单元用于对所述第一节点的电压进行侦测,以获取所述数据信号写入晶体管的阈值电压,并基于所述数据信号写入晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
3.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述发光器件驱动电路还包括存储电容;
所述存储电容的一端与所述第一节点电性连接,所述存储电容的另一端接入所述第二电源信号。
4.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述发光器件驱动电路还包括第二侦测模块,所述第二侦测模块接入第二控制信号,并电性连接于所述驱动晶体管的漏极,所述第二侦测模块用于在所述第二控制信号的控制下,对所述驱动晶体管的漏极进行侦测,以获取所述驱动晶体管的阈值电压,并基于所述驱动晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
5.根据权利要求4所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述第二侦测模块包括第二晶体管以及第二侦测单元;
所述第二晶体管的栅极接入所述第二控制信号,所述第二晶体管的源极电性连接于所述驱动晶体管的漏极,所述第二晶体管的漏极电性连接于所述第二侦测单元,所述第二侦测单元用于获取所述驱动晶体管的阈值电压,并基于所述驱动晶体管的阈值电压对所述数据信号进行调整。
6.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述发光器件驱动电路还包括发光控制模块,所述发光控制模块接入发光控制信号,并串接于所述发光回路,所述发光控制模块用于基于所述发光控制信号控制所述发光回路导通或者截止。
7.根据权利要求6所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述发光控制模块包括发光控制晶体管;
所述发光控制晶体管的栅极接入所述发光控制信号,所述发光控制晶体管的源极接入所述第一电源信号,且所述发光控制晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的源极。
8.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
9.一种背光模组,其特征在于,包括:
数据线,所述数据线用于提供数据信号;
扫描线,所述扫描线用于提供扫描信号;
发光控制信号线,所述发光控制信号线用于提供发光控制信号;以及
如权利要求1-8任一项所述的发光器件驱动电路,所述发光器件驱动电路与所述数据线、所述扫描线以及所述发光控制信号线连接。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素单元,每一所述像素单元均包括权利要求1-8任一项所述的发光器件驱动电路。
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