CN107274829A - 一种有机电致发光显示面板及显示设备 - Google Patents

一种有机电致发光显示面板及显示设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光显示面板及显示设备，通过第二电源信号线连接初始化晶体管和控制晶体管，并在第一扫描信号线导通初始化晶体管时和发光控制线导通控制晶体管时，对第二电源信号线加载不同的电信号，以在初始化阶段实现对驱动晶体管的栅极复位，以及在发光阶段对驱动晶体管的源极加载电源电压实现发光显示。这样可以省去现有的两条复位信号线，有利于简化电路布图，易于实现高分辨率显示。并且，将第二电源信号线与数据信号线设置为平行，可以节省出与数据信号线垂直的拉线空间，以设置第一电源信号线以及存储电容的第一端，这有利于紧凑的电路布图设计，易于实现高分辨率显示，进而有利于实现虚拟现实显示要求的高PPI。

Description

一种有机电致发光显示面板及显示设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种有机电致发光显示面板及显示设备。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)是当今显示面板研究领域的热点之一，与液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED显示面板具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机显示领域，OLED显示面板已经开始取代传统的LCD显示面板。
与LCD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制其发光。一般通过OLED显示器中像素驱动电路的驱动晶体管来驱动OLED发光。其中，驱动晶体管工作时，由于驱动晶体管内部存在缺陷态以及驱动晶体管大部分时间处于工作状态，因此在驱动晶体管的源极长时间处于同一偏压下时，其阈值电压漂移以及迁移率变化会逐渐加重，导致驱动晶体管的特性漂移，从而导致显示异常，进而影响显示器的稳定性。
因此，在OLED显示面板中一般采用具有对驱动晶体管的阈值电压Vth进行补偿的像素电路来驱动OLED发光。为实现阈值电压补偿功能，如图1a所示的电路结构和如图1b所示对应的时序图，像素电路多采用7T1C的结构(即包括7个开关晶体管和1个电容)，其中需要两条复位信号线分别提供初始化信号端VINT和参考信号端VREF加载的电压信号。在如今显示分辨率(PPI)提高到600+的情况下，复杂的像素电路已经开始挑战阵列(Array)工艺的极限。尤其对于虚拟现实(VR)显示等要求高PPI(一般超过超高清QHD要求)的产品，目前的OLED显示面板中信号线过于复杂，不利于高PPI的实现。
发明内容
本发明实施例提供一种有机电致发光显示面板及显示设备，用以解决现有技术中存在的信号线过于复杂的问题。
本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板，包括：
平行设置的第一扫描信号线、第二扫描信号线、发光控制线和第一电源信号线；
平行设置且跨越所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述发光控制线和所述第一电源信号线的数据信号线和第二电源信号线；
开关晶体管；所述开关晶体管的栅极与所述第二扫描信号线相连，源极与所述数据信号线相连；
驱动晶体管；所述驱动晶体管的源极与所述开关晶体管的漏极相连；
有机发光二极管；所述有机发光二极管与所述驱动晶体管的漏极相连；
初始化晶体管；所述初始化晶体管的栅极与所述第一扫描信号线相连，源极与所述第二电源信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的栅极相连；
控制晶体管；所述控制晶体管的栅极与所述发光控制线相连，源极与所述第二电源信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的源极相连；
存储电容；所述存储电容的第一端与所述第一电源信号线相连，第二端与所述驱动晶体管的栅极相连；其中，
在一帧时间内，所述初始化晶体管和所述控制晶体管导通时所述第二电源信号线加载不同的电信号。
本发明实施例提供的一种显示设备，包括：本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种有机电致发光显示面板及显示设备，通过第二电源信号线连接初始化晶体管和控制晶体管，并在第一扫描信号线导通初始化晶体管时和发光控制线导通控制晶体管时，对第二电源信号线加载不同的电信号，以在初始化晶体管导通时的初始化阶段实现对驱动晶体管的栅极复位，以及在控制晶体管导通时的发光阶段对驱动晶体管的源极加载电源电压实现发光显示。这样可以省去现有的两条复位信号线，有利于简化有机电致发光显示面板的电路布图复杂程度，易于实现高分辨率显示。并且，将第二电源信号线与数据信号线设置为平行，可以节省出与数据信号线垂直的拉线空间，以设置跨越第二电源信号线和数据信号线的第一电源信号线以及存储电容的第一端，这有利于紧凑的电路布图设计，易于实现高分辨率显示，进而有利于实现虚拟现实显示要求的高PPI。
附图说明
图1a为现有技术中的像素电路的电路示意图；
图1b为图1a所示的电路对应的时序图；
图2a为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的电路示意图之一；
图2b为图2a所示的电路对应的结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的电路示意图之二；
图3b为图3a所示的电路对应的结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的电路示意图之三；
图4b为图4a所示的电路对应的结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板的电路示意图之四；
图5b为图5a所示的电路对应的结构示意图之一；
图6为图5a所示的电路对应的结构示意图之二；
图7a至图7d分别图6所示的结构对应的各膜层制作后的示意图；
图8a和图8b分别为本发明实施例提供的有机电致发光显示面板对应的时序图；
图9为本发明实施例提供的显示设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的有机电致发光显示面板及显示设备的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在具体实施时，本发明实施例提供了一种有机电致发光显示面板，如图2a所示的电路示意图和对应的如图2b所示的结构示意图，包括：
平行设置的第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光控制线EMIT和第一电源信号线PVDD1；
平行设置且跨越第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光控制线EMIT和第一电源信号线PVDD1的数据信号线DATA和第二电源信号线PVDD2；
开关晶体管M1；开关晶体管M1的栅极与第二扫描信号线S2相连，源极与数据信号线DATA相连；
驱动晶体管DTFT；驱动晶体管DTFT的源极与开关晶体管M1的漏极相连；
有机发光二极管OLED；有机发光二极管OLED与驱动晶体管DTFT的漏极相连；
初始化晶体管M2；初始化晶体管M2的栅极与第一扫描信号线S1相连，源极与第二电源信号线PVDD2相连，漏极与驱动晶体管DTFT的栅极相连；
控制晶体管M3；控制晶体管M3的栅极与发光控制线EMIT相连，源极与第二电源信号线PVDD2相连，漏极与驱动晶体管DTFT的源极相连；
存储电容C；存储电容C的第一端d1与第一电源信号线PVDD1相连，第二端d2与驱动晶体管DTFT的栅极相连；其中，
在一帧时间内，初始化晶体管M2和控制晶体管M3导通时第二电源信号线PVDD2加载不同的电信号。
值得注意的是，本领域技术人员可以理解在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中提到的信号线相互“平行设置”并不是完美地平行设置，而是指信号线之间大致平行不交叉。
具体地，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，由于通过第二电源信号线PVDD2连接初始化晶体管M2和控制晶体管M3，替代复位信号线的作用，这样可以省去现有的两条复位信号线，有利于简化有机电致发光显示面板的电路布图复杂程度，易于实现高分辨率显示。并且，将第二电源信号线PVDD2与数据信号线DATA设置为平行，第二电源信号线PVDD2与数据信号线DATA一般如图2b所示为纵向拉线，可以节省出与数据信号线DATA垂直的拉线空间即横向拉线空间，以设置跨越第二电源信号线PVDD2和数据信号线DATA的第一电源信号线PVDD1以及存储电容C的第一端d1，即第一电源信号线PVDD1、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2和发光控制线EMIT一般如图2b所示为横向拉线，这有利于紧凑的电路布图设计，易于实现高分辨率显示，进而有利于实现虚拟现实显示要求的高PPI。
具体地，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，在第一扫描信号线S1导通初始化晶体管M2时和发光控制线EMIT导通控制晶体管M3时，需要对第二电源信号线PVDD2加载不同的电信号，以在初始化晶体管M2导通时的初始化阶段(此时控制晶体管M3截止)实现对驱动晶体管DTFT的栅极初始化复位，以及在控制晶体管M3导通时的发光阶段(此时初始化晶体管M2截止)对驱动晶体管DTFT的源极加载电源电压实现发光显示。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图2a所示的电路示意图和对应的如图2b所示的结构示意图，初始化晶体管M2可以设置为双栅极结构，这样可以减少在初始化晶体管M2截止时的漏电流，以有利于减少在发光阶段初始化晶体管M2的漏电流对驱动晶体管DTFT的干扰，进而影响驱动晶体管DTFT的驱动电流。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图3a所示的电路示意图和对应的如图3b所示的结构示意图，还可以包括：补偿晶体管M4；补偿晶体管M4的栅极与第二扫描信号线S2相连，源极与驱动晶体管DTFT的栅极相连，漏极与驱动晶体管DTFT的漏极相连。具体地，补偿晶体管M4在第二扫描信号线S2的控制下处于导通状态时，将驱动晶体管DTFT的漏极与栅极导通。即在第二扫描信号线S2导通开关晶体管M1时，补偿晶体管M4也处于导通状态，数据信号线DATA加载的数据信号通过导通的开关晶体管M1加载至驱动晶体管DTFT的源极，而驱动晶体管DTFT的源极和栅极电压为Vdata-|Vth|，即将驱动晶体管DTFT的阈值电压在数据写入阶段补偿到栅极，可以消除之后发光阶段从驱动晶体管DTFT输入至有机发光二极管OLED的驱动电流中|Vth|的影响，即消除驱动晶体管阈值电压漂移对发光的影响，使有机电致发光显示面板具有阈值电压补偿功能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图3a所示的电路示意图和对应的如图3b所示的结构示意图，补偿晶体管M4为双栅极结构。这样可以减少在补偿晶体管M4截止时的漏电流，以有利于减少在发光阶段补偿晶体管M4的漏电流对驱动晶体管DTFT的干扰，进而影响驱动晶体管DTFT的驱动电流。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图4a所示的电路示意图和对应的如图4b所示的结构示意图，还可以包括：发光控制晶体管M5；发光控制晶体管M5的栅极与发光控制线EMIT相连，源极与驱动晶体管DTFT的漏极相连，漏极与有机发光二极管OLED相连。具体地，发光控制晶体管M5在发光控制线EMIT的控制下处于导通状态时，将驱动晶体管DTFT的漏极与有机发光二极管OLED导通。即发光控制晶体管M5在初始化阶段和数据写入阶段均处于截止状态，可以避免在两这个阶段有驱动电流驱动发光。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图5a所示的电路示意图和对应的如图5b所示的结构示意图，还可以包括：阳极复位晶体管M6；阳极复位晶体管M6的栅极与第一扫描信号线S1相连，源极与第二电源信号线PVDD2相连，漏极与有机发光二极管OLED相连。具体地，阳极复位晶体管M6在第一扫描信号线S1的控制下处于导通状态时，将有机发光二极管OLED与第二电源信号线PVDD2导通。即在第一扫描信号线S1导通初始化晶体管M2时，阳极复位晶体管M6也处于导通状态，第二电源信号线PVDD2此时的电压通过初始化晶体管M2和阳极复位晶体管M6分别对驱动晶体管DTFT的栅极和有机发光二极管OLED进行初始化复位。基于此，此时第二电源信号线PVDD2加载的电压应和发光阶段加载的电源电压不同，为避免此时有机发光二极管OLED被驱动发光，此时第二电源信号线PVDD2加载的电压应和有机发光二极管OLED的另一端相同，即一般为PVEE相同为低电平。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，第一电源信号线PVDD1和第二电源信号线PVDD2属于相同的信号线，即两者虽然连接的晶体管不同且拉线方向不同，但两者一般会加载相同的电信号，并且，为了稳定在电源信号线上加载的电源电压，一般会将两者电连接，以减少电源信号线的接触电阻和信号时延情况。基于此如图5a所示的电路示意图和对应的如图6所示的结构示意图，由于第一电源信号线PVDD1与第二电源信号线PVDD2的拉线方向不同，一般设置于不同的金属层，为保证两者电连接，第一电源信号线PVDD1与第二电源信号线PVDD2需要通过连接孔A相连。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，连接孔A需要设置在第一电源信号线PVDD1与第二电源信号线PVDD2交叠的区域。并且，连接孔A的孔径越大，越可以降低两者之间的接触电阻。而在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中存储电容C是由两个具有设定交叠面积的电极端构成。基于此，如图5a所示的电路示意图和对应的如图6所示的结构示意图，连接孔A具体可以设置于存储电容C所在区域内，即在每个像素电路中设置连接孔A可以最大限度的降低接触电阻。
进一步地，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，还可以通过设置多个连接孔A以降低接触电阻，例如优选地，如图5a所示的电路示意图和对应的如图6所示的结构示意图，连接孔A可以为两个。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图2b、图3b、图4b、图5b和图6所示，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光控制线EMIT和存储电容C的第二端d2之间没有交叠区域，因此可以设置于同一第一金属层；第一电源信号线PVDD1和存储电容C的第一端d1之间具有连接关系，因此可以设置于第二金属层；数据信号线DATA和第二电源信号线PVDD2平行，因此可以设置于第三金属层；且为了满足各金属层包含的部件之间的连接关系，第一金属层、第二金属层和第三金属层需要依次层叠设置，且之间设置相应的绝缘层，在需要连接的区域进行打孔处理。值得注意的是，在图2b、图3b、图4b、图5b和图6中各膜层所包含的部件采用相同的填充图案，不同膜层采用不同的填充图案以示区分。
进一步地，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，如图2b、图3b、图4b、图5b和图6所示，各晶体管的源极、漏极和沟道区域会设置于半导体层，在源极和漏极会进行相应的掺杂工艺，半导体层一般采用低温多晶硅，根据工艺需要，半导体层一般位于第一金属层之下。
并且，值得注意的是，在图2b、图3b、图4b、图5b和图6所示的结构示意图中均未示出有机发光二极管OLED，但示出了与有机发光二极管OLED的阳极连接的部分P。
具体地，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板，以图6所示的结构为例，在制作的过程中，需要首先制作如图7a所示的半导体层，半导体层包含了各晶体管的沟道区域。在半导体层上制作栅绝缘层之后，如图7b所示，制作第一金属层，第一金属层包含了第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光控制线EMIT和存储电容C的第二端d2，其中与半导体层的交叠区域构成了各晶体管的栅极。在第一金属层上制作第一层间介质层后，如图7c所示，制作第二金属层，第二金属层包含了相互连接的第一电源信号线PVDD1和存储电容C的第一端d1，第一端d1和第二端d2的交叠区域构成了存储电容C，并且，在存储电容C的第一端d1图案中包含了露出存储电容C第二端d2的过孔B。在第二金属层上制作第二层间介质层后，如图7d所示，制作第三金属层，第三金属层包含了数据信号线DATA和第二电源信号线PVDD2和连接线Line；第二电源信号线PVDD2会与半导体层中的初始化晶体管M2的源极通过过孔D1相连、与控制晶体管M3的源极通过过孔D2相连，与阳极复位晶体管M6的源极通过过孔D3相连，第二电源信号线PVDD2还会与第二金属层中的第一电源信号线PVDD1通过两个连接孔A相连；数据信号线DATA会与开关晶体管M1的源极通过过孔D4相连；连接线Line会与存储电容C的第二端d2通过过孔D5相连，连接线Line还会与初始化晶体管M2的漏极和补偿晶体管M4的源极通过过孔D6相连。
较佳地，在具体实施时，本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中提到的各晶体管可以全部采用N型晶体管设计，或者，晶体管也可以全部采用P型晶体管设计，这样可以简化有机电致发光显示面板的制作工艺流程。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，N型晶体管在高电位作用下导通，在低电位作用下截止；P型晶体管在高电位作用下截止，在低电位作用下导通。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，上述各晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal Oxide Scmiconductor)，在此不作限定。在具体实施中，这些晶体管的源极和漏极可以互换，不做具体区分。在描述具体实施例是以晶体管都为薄膜晶体管为例进行说明的。
下面以图5a所示的有机电致发光显示面板的结构为例，结合图8a所示的电路时序图对本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中单个像素电路的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电位，0表示低电位。需要说明的是，1和0是逻辑电位，其仅是为了更好的解释本发明实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电压。具体地，主要选取如图5a所示的输入输出时序图中的初始化阶段a、数据写入阶段b和发光阶段c三个阶段。
在初始化阶段a，EMIT＝1，S1＝0，S2＝1，PVDD1＝PVDD2＝0。
由于S1＝0，因此初始化开关晶体管M3和阳极复位晶体管M6导通以将第二电源信号线PVDD2的低电位提供给驱动晶体管DTFT的栅极和有机发光二极管OLED，使驱动晶体管DTFT和有机发光二极管OLED初始化复位。由于EMIT＝1，因此控制晶体管M3和发光控制晶体管M5截止。由于S2＝1，因此，开关晶体管M1和补偿晶体管M4截止。
在数据写入阶段b，EMIT＝1，S1＝1，S2＝0，PVDD1＝PVDD2＝0。
由于S1＝1，因此初始化开关晶体管M3和阳极复位晶体管M6截止。由于EMIT＝1，因此控制晶体管M3和发光控制晶体管M5截止。由于S2＝0，因此，开关晶体管M1导通以将数据信号线DATA的数据信号提供给驱动晶体管DTFT的源极，补偿晶体管M4导通以将驱动晶体管DTFT的栅极和漏极导通，使其电位变为VDATA-|Vth|。
在发光阶段c，EMIT＝0，S1＝1，S2＝1，PVDD1＝PVDD2＝1。
由于S1＝1，因此初始化开关晶体管M3和阳极复位晶体管M6截止。由于S2＝1，因此开关晶体管M1和补偿晶体管M4截止。由于EMIT＝1，因此控制晶体管M3导通以将第二电源信号线PVDD2的高电位提供给驱动晶体管的源极，此时驱动晶体管的Vsg＝PVDD-VDATA+|Vth|，I＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(PVDD-VDATA)2。发光控制晶体管M5导通，以使驱动晶体管DTFT的驱动电流驱动有机发光二极管OLED工作发光。
通过上述单个像素电路的时序介绍可以看出，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板中，通过第二电源信号线PVDD2连接初始化晶体管M2和控制晶体管M3，并在第一扫描信号线S1导通初始化晶体管M2时和发光控制线EMIT导通控制晶体管M3时，对第二电源信号线PVDD2加载不同的电信号，以在初始化晶体管M2导通时的初始化阶段a实现对驱动晶体管DTFT的栅极复位，以及在控制晶体管M3导通时的发光阶段c对驱动晶体管DTFT的源极加载高电位实现发光显示。
进一步地，当本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板应用于虚拟现实显示设备时，需要进行全面版显示，即有机电致发光显示面板中的所有有机发光二极管同时发光显示，这就需要对各行像素电路进行初始化复位和数据写入后，同时进入发光显示。具体地，可以采用如图8b所示的时序图，在各信号线S1、S2、S3……Sn-1、Sn加载低电位进行初始化和数据写入后，各发光控制线EMIT1、EMIT2……EMITn加载低电位使各行像素电路进入发光阶段，但是在全部像素电路均完成初始化和数据写入，进入到发光阶段之后，第二电源信号线PVDD2才从低电位变为高电位，以实现全面版的发光显示。
在VR显示时global显示是一个必须的显示模式，目前global显示中常用的方式是利用PVDD拉低，之后全部数据写入后再拉高；或者，PVEE拉高之后全部数据写入后再拉低的方式实现，上图中利用PVDD拉低的电位给像素做初始化复位，等到全部像素都正常写完数据在将PVDD拉高来实现global显示，这样既节省了VREF走线，同时有实现了正常的显示。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示设备，如图9所示，包括本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板。该显示设备可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示设备的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示设备的实施可以参见上述有机电致发光显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
较佳地，本发明实施例提供的上述显示设备具体可以为虚拟现实设备。
本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板及显示设备，通过第二电源信号线连接初始化晶体管和控制晶体管，并在第一扫描信号线导通初始化晶体管时和发光控制线导通控制晶体管时，对第二电源信号线加载不同的电信号，以在初始化晶体管导通时的初始化阶段实现对驱动晶体管的栅极复位，以及在控制晶体管导通时的发光阶段对驱动晶体管的源极加载电源电压实现发光显示。这样可以省去现有的两条复位信号线，有利于简化有机电致发光显示面板的电路布图复杂程度，易于实现高分辨率显示。并且，将第二电源信号线与数据信号线设置为平行，可以节省出与数据信号线垂直的拉线空间，以设置跨越第二电源信号线和数据信号线的第一电源信号线以及存储电容的第一端，这有利于紧凑的电路布图设计，易于实现高分辨率显示，进而有利于实现虚拟现实显示要求的高PPI。进一步地，第一电源信号线与第二电源信号线可以通过连接孔连接，并且，连接孔可以设置于存储电容所在区域，这样可以降低接触电阻。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种有机电致发光显示面板，其特征在于，包括：
平行设置的第一扫描信号线、第二扫描信号线、发光控制线和第一电源信号线；
平行设置且跨越所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述发光控制线和所述第一电源信号线的数据信号线和第二电源信号线；
开关晶体管；所述开关晶体管的栅极与所述第二扫描信号线相连，源极与所述数据信号线相连；
驱动晶体管；所述驱动晶体管的源极与所述开关晶体管的漏极相连；
有机发光二极管；所述有机发光二极管与所述驱动晶体管的漏极相连；
初始化晶体管；所述初始化晶体管的栅极与所述第一扫描信号线相连，源极与所述第二电源信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的栅极相连；
控制晶体管；所述控制晶体管的栅极与所述发光控制线相连，源极与所述第二电源信号线相连，漏极与所述驱动晶体管的源极相连；
存储电容；所述存储电容的第一端与所述第一电源信号线相连，第二端与所述驱动晶体管的栅极相连；其中，
在一帧时间内，所述初始化晶体管和所述控制晶体管导通时所述第二电源信号线加载不同的电信号。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述初始化晶体管为双栅极结构。
3.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，还包括：补偿晶体管；所述补偿晶体管的栅极与所述第二扫描信号线相连，源极与所述驱动晶体管的栅极相连，漏极与所述驱动晶体管的漏极相连。
4.如权利要求3所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管为双栅极结构。
5.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，还包括：发光控制晶体管；所述发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线相连，源极与所述驱动晶体管的漏极相连，漏极与所述有机发光二极管相连。
6.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，还包括：阳极复位晶体管；所述阳极复位晶体管的栅极与所述第一扫描信号线相连，源极与所述第二电源信号线相连，漏极与所述有机发光二极管相连。
7.如权利要求1-6任一项所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述第一电源信号线与所述第二电源信号线通过连接孔相连。
8.如权利要求7所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述连接孔设置于所述存储电容所在区域内。
9.如权利要求7所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述连接孔为两个。
10.如权利要求1-6任一项所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述发光控制线和所述存储电容的第二端设置于同一第一金属层；
所述第一电源信号线和所述存储电容的第一端设置于第二金属层；
所述数据信号线和所述第二电源信号线设置于第三金属层；
所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层依次层叠设置。
11.如权利要求10所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，各晶体管的沟道区域设置于半导体层，所述半导体层位于所述第一金属层之下。
12.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的有机电致发光显示面板。
13.如权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备为虚拟现实设备。
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