CN107705737B - 短路不良的检测方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种短路不良的检测方法和装置。所述短路不良的检测方法包括：在检测阶段包括的第一时间段，向外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的检测时间段，向外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制外部补偿控制晶体管关断；在检测时间段，将阳极层与检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良。本发明能准确进行暗点显示不良，从而能够准确定位短路不良位置。

Description

短路不良的检测方法和装置

技术领域

本发明涉及显示不良检测技术领域，尤其涉及一种短路不良的检测方法和装置。

背景技术

制作OLED(有机发光二极管)屏幕是非常复杂的，每一层都需要耗费很大的人力物力。通常先在Array(阵列)工艺段完成Array基板的制作，在制作阵列基板上，先在衬底基板上依次制作栅金属层、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏金属层、钝化层、OLED发光层、阳极层。在做完由ITO(氧化铟锡)制成的阳极层后会进行Array Test(阵列测试)，其实就是个选择的过程，对于性能好的glass(玻璃)留下并送往下一阶段，对于不符合要求的玻璃在这一阶段就把它筛选掉。然而在目前的阵列测试中很难检测出不良点，因为显示面板设计采用的是全面板电源线(VDD mesh)的设计，电源电压输入端给入正的大电压这会使得阵列检测时与检测仪器端的导电电极层(所述导电电极层与待测基板之间设置有液晶层)产生电压差形成电容，使得原本应该是暗点的不良在设备上也显示为亮点。如何规避全面板电源线结构产生的line(线)charging(充电)影响是技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种短路不良的检测方法和装置，解决现有技术中由于显示面板设计采用的是全面板电源线的设计，电源电压输入端给入正的大电压这会使得阵列检测时与检测仪器端的导电电极层产生电压差形成电容，使得原本应该是暗点的不良在设备上也显示为亮点，从而导致短路不良检测结果不准确的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种短路不良的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；一检测阶段包括依次设置的第一时间段和检测时间段，所述短路不良的检测方法包括：

在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

在该检测阶段包括的检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良。

实施时，所述第一预定电压差值小于或等于1V。

实施时，所述预定电极电压为负电压，所述预定电源电压也为负电压，所述预定外部补偿电压为正电压，所述预定数据写入控制电压为正电压，所述预定数据电压为负电压。

实施时，本发明所述的短路不良的检测方法还包括：在该检测阶段包括的检测时间段，当判断到一所述外部补偿像素驱动电路中存在短路不良时，所述短路不良的检测方法还包括：

在该检测时间段，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压，当该电压与所述预定数据电压之间的电压差值的绝对值小于第二预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的存储电容的第一端与该存储电容的第二端之间短路；

所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值大于所述第二预定电压差值；

所述预定数据电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值大于所述第二预定电压差值。

实施时，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极和该驱动晶体管的源极之间短路。

实施时，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值小于第四预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的外部补偿控制晶体管的栅极和该外部补偿控制晶体管的源极之间短路。

实施时，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的数据写入晶体管的栅极和该数据写入晶体管的漏极之间短路。

实施时，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

本发明还提供了一种短路不良的检测装置，用于检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述短路不良的检测装置包括外部检测仪器；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；在一检测阶段包括的检测时间段，所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，所述短路不良的检测装置还包括：

电压提供单元，用于在一检测阶段向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压，并用于在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通，还用于在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；以及，

短路不良判定单元，用于在该检测阶段包括的检测时间段根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良；

所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值。

实施时，本发明所述的短路不良的检测装置还包括电压检测单元以及不良种类判定单元；

所述短路不良判定单元还用于当判断到相应的外部补偿像素驱动电路存在短路不良时，向所述电压检测单元发送电压检测控制信号；

所述电压检测单元与所述短路不良判定单元连接，用于在接收到所述电压检测控制信号后检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

所述不良种类判定单元与所述电压检测单元连接，用于根据该阳极的电压判断该外部补偿像素驱动电路中的短路不良种类。

与现有技术相比，本发明所述的短路不良的检测方法和装置通过将向电源电压输入端提供的预定电源电压与外部检测仪器包括的导电电极层接入的预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值，也即使得预定电源电压与预定电极电压之间的差值不大，这样不会发生由于预定电源电压与预定电极电压之间差值过大，从而导致对液晶旋转造成影响，从而使得无法准确显示暗点的问题；并本发明实施例所述的短路不良的检测方法和装置能准确进行暗点显示不良，从而能够准确定位短路不良位置。

附图说明

图1是本发明实施例所述的短路不良的检测方法的流程图；

图2是本发明实施例所述的短路不良的检测方法应用于的待测基板包括的外部补偿像素驱动电路的电路图；

图3是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供的信号的时序图；

图4是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供如图3所示的信号，不存在短路不良时的阳极的电压示意图；

图5是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供如图3所示的信号，存在存储电容的第一端和该存储电容的第二端之间短路不良时的阳极的电压示意图；

图6是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供如图3所示的信号，存在驱动晶体管的栅极和该驱动晶体管的源极之间短路不良时的阳极的电压示意图；

图7是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供如图3所示的信号，存在外部补偿晶体管的栅极和该外部补偿晶体管的源极之间短路不良时的阳极的电压示意图；

图8是本发明实施例所述的短路不良的检测方法中为各信号线和各信号端提供如图3所示的信号，存在数据线和数据写入控制端之间短路不良时的阳极的电压示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例所述的短路不良的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；一检测阶段包括依次设置的第一时间段和检测时间段，如图1所示，本发明所述的短路不良的检测方法包括：

St1：在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

St2:在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

St3：在该检测阶段包括的检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良。

本发明实施例所述的短路不良的检测方法通过将向电源电压输入端提供的预定电源电压与外部检测仪器包括的导电电极层接入的预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值，也即使得预定电源电压与预定电极电压之间的差值不大，这样不会发生由于预定电源电压与预定电极电压之间差值过大，从而导致对液晶旋转造成影响，从而使得无法准确显示暗点的问题；并本发明实施例所述的短路不良的检测方法在一检测阶段的第一时间段，向外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制外部补偿控制晶体管导通，从而使得预定外部补偿电压写入阳极，从而使得在第一时间段，阳极的电压是被设定的；在该检测阶段的检测时间段向外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿控制晶体管关断，并在该检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良，以能准确进行暗点显示不良，从而能够准确定位短路不良位置。

本发明实施例涉及显示领域特别是OLED显示面板中，针对Array(阵列)工艺段进行的良率控制，如果Array工艺段将不能用的glass(玻璃)检测出来，那么就不需要耗费巨大的人力物力进行下面的工艺步骤，可以大大降低制造成本。

根据一种具体实施方式，所述第一预定电压差值可以小于或等于1V。所述第一预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如可以为1V，也可以为0.8V，但不以此为限。

一般情况下，所述预定电极电压为负电压，例如，所述预定电极电压可以为-5V，但不以此为限；此时，所述预定电源电压可以为-5V，也可以为-5.5V，但不以此为限。

具体的，所述预定电极电压可以为负电压，所述预定电源电压也可以为负电压，所述预定外部补偿电压可以为正电压，所述预定数据写入控制电压可以为正电压，所述预定数据电压可以为负电压。

在实际操作时，当所述外部补偿像素驱动电路不存在短路不良时，在一检测阶段，向所述数据写入控制端提供的预定数据写入控制电压能够控制数据写入晶体管导通，向所述数据线提供的预定数据电压通过导通的数据写入晶体管写入驱动晶体管的栅极，以使得驱动晶体管关断，为所述外部补偿线提供的预定外部补偿电压为正电压，当外部补偿控制晶体管导通时，所述预定外部补偿电压写入阳极，所述预定外部补偿电压为正电压。

如图2所示，所述外部补偿像素驱动电路包括：数据写入晶体管T1，栅极与数据写入控制晶体管G1连接，源极与数据线Data连接；驱动晶体管T3，栅极G3与所述数据写入控制晶体管T1的漏极连接，漏极与电源电压输入端ELVDD连接，源极S与有机发光二极管(图2中未示出)的阳极Anode连接；存储电容Cst，第一端与所述驱动晶体管T3的栅极G连接，第二端与所述驱动晶体管T3的源极S连接；以及，外部补偿控制晶体管T2，栅极与外部补偿控制端G2连接，源极与所述驱动晶体管T3的源极S连接，漏极与外部补偿线Sense连接。

在实际操作时，所述阳极Anode可以由ITO(氧化铟锡)制成。

在具体实施时，图2中的所有晶体管都为n型晶体管，但是在实际操作时，以上晶体管可以被替换为p型晶体管，但是各以上晶体管的栅极接入的控制信号需要相应改变，在此对以上晶体管的类型不作限定。

具体的，本发明实施例所述的短路不良的检测方法还可以包括：在该检测阶段包括的检测时间段，当判断到一所述外部补偿像素驱动电路中存在短路不良时，所述短路不良的检测方法还包括：

在该检测时间段，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压，当该电压与所述预定数据电压之间的电压差值的绝对值小于第二预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的存储电容的第一端与该存储电容的第二端之间短路；

所述预定数据电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值大于所述第二预定电压差值；

所述预定数据电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值大于所述第二预定电压差值。

在实际操作时，当所述存储电容的第一端和所述存储电容第二端短路时，相当于驱动晶体管的栅极和该驱动晶体管的源极短接在一起，那么在检测阶段，预定数据电压会传输到阳极Anode上，因为数据线到阳极Anode之间线上电阻的存在，所以在经过预定检测时间后，最终检测得到的阳极Anode的稳定的电压会稍大于所述预定数据电压，此时液晶层相应的位置表现为暗点。也即，检测到的阳极的电压与预定数据电压的差值的绝对值小于第二预定电压差值，所述第二预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如，所述第二预定电压差值可以为1.5V，但不以此为限。为了防止存储电容的两端短路不良会被误判为其他类型的短路不良，需要将预定电源电压设置为与预定数据电压相差较大，将第二外部补偿控制电压设置为与预定数据电压相差较大。

具体的，本发明实施例所述的短路不良的检测方法还可以包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极和该驱动晶体管的源极之间短路。

当所述驱动晶体管的漏极和该驱动晶体管的源极之间短路时，预定电源电压始终施加于所述阳极上，所以检测到的所述阳极的电压为-5V，此时液晶层相应的位置表现为暗点。所述第三预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如，所述第三预定电压差值可以为0.3V，但不以此为限。

具体的，本发明实施例所述的短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值小于第四预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的外部补偿控制晶体管的栅极和该外部补偿控制晶体管的源极之间短路。

在该检测时间段，当所述外部补偿控制晶体管的栅极和该外部补偿控制晶体管的源极之间短路时，阳极上的电压会跟随外部补偿控制端的电压的变化而变化，经过预定检测时间之后，检测到的阳极的电压为预定外部补偿控制电压。所述第四预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如，所述第四预定电压差值可以为0.2V，但不以此为限。

具体的，本发明实施例所述的短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的数据写入晶体管的栅极和该数据写入晶体管的漏极之间短路。

当数据写入晶体管的栅极和该数据写入晶体管的漏极之间短路时，数据写入晶体管处于关断状态，在检测时间段外部补偿控制晶体管打开而使得预定外部补偿电压写入阳极(也即存储电容的第二端)时，存储电容的第二端的电位由于存储电容的自举作用而升高，从而使得驱动晶体管导通，阳极上的电压被置位预定电源电压。所述第五预定电压差值的取值可以根据实际情况选取，例如，所述第五预定电压差值可以为0.2V，但不以此为限。

在实际操作时，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

在实际操作时，当外部补偿控制晶体管为n型晶体管时，所述第三外部补偿控制电压可以为负电压，在第一时间段之前设置的置位时间段，先通过向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断，从而为进入第一时间段做准备。

下面通过一具体实施例来说明本发明实施例所述的短路不良的检测方法。

如图3所示，在一检测阶段，为图2中的电源电压输入端ELVDD提供-5V，为图2中的外部补偿线Sense提供7V，为图2中的数据线Data提供的数据电压Vdata为-10V，为图2中的G1提供3V；

在该检测阶段包括的置位时间段t0，为G2提供-15V，以使得外部补偿控制晶体管T2断开；

在该检测阶段包括的第一时间段t1，为G2提供15V，以使得T2导通；

在该检测阶段包括的检测时间段t2，为G2提供-6V，以使得T2断开。

在如图3所示的实施例汇总，为ELVDD提供-5V的直流电压，这样ELVDD与外部检测仪器包括的导电电极层之间的电容电压差基本可以忽略其对液晶旋转的影响。

在实际操作时，当与一外部补偿像素驱动电路对应的像素正常时，T1导通，-10V写入T3的栅极G3，在第一时间段t1，T2导通，7V写入T3的源极，驱动晶体管T3在检测时间段t2会一直关断，所以当G2的电压从15V变为-6V后，阳极Anode的电压会由于存储电容Cst耦合的影响降低0.8V，如图4所示，在16ms时(此时处于一检测阶段的检测时间段)，阳极Anode的电压VA变为6.2V左右，液晶层与该外部补偿像素驱动电路对应处正常点亮。

当在一外部补偿像素驱动电路中，当Cst的第一端与Cst的第二端之间短路时，相当于T3的栅极与T3的源极短接在一起，那么如图5所示，在16ms时(此时处于一检测阶段的检测时间段)，为Data提供的-10V会传输至阳极Anode，因为Data到Anode之间线上电阻的存在，所以最终稳定时，Anode的电压VA为-9.3V，液晶层与该外部补偿像素驱动电路对应处表现为暗点。

在一外部补偿像素驱动电路中，当T3的漏极和T3的源极之间短路时，为ELVDD提供的-5V电压始终加在Anode上，所以如图6所示，在16ms时(此时处于一检测阶段的检测时间段)，阳极Anode的电压VA为-5V，液晶层与该外部补偿像素驱动电路对应处表现为暗点。

在一外部补偿像素驱动电路中，当T2的栅极和T2的源极之间短路时，Anode上的电压会跟随G2的电压的变化而变化，所以，如图7所示，在16ms时(此时处于一检测阶段的检测时间段)，Anode的电压VA为-6V，液晶层与该外部补偿像素驱动电路对应处表现为暗点。

在一外部补偿像素驱动电路中，当Data与G1之间短路时，控制T1的栅极的电压因为线电阻分压使得T1处于关断状态，在第一时间段，T2打开，从而将7V电压写入Anode时，Cst两端发生自举从而使得T3的栅极电压升高，T3的栅极和-5V之间的压差大于T3的阈值电压，使得T3导通，从而如图8所示，在16ms时(此时处于一检测阶段的检测时间段)，Anode上的电压VA被置为-5V，液晶层与该外部补偿像素驱动电路对应处表现为暗点。

本发明实施例利用输入信号波形设计，消除了VDD(电源电压)mesh(网状)结构中由于电源电压过大造成的line(线)charging(充电)进而影响AT(Array Test，阵列测试)不良检出率。本发明实施例设置了一种波形就可以检查出四种常见的像素defect(缺陷)，降低了生产成本。

本发明实施例所述的短路不良的检测装置，用于检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述短路不良的检测装置包括外部检测仪器；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；在一检测阶段包括的检测时间段，所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，所述短路不良的检测装置还包括：

电压提供单元，用于在一检测阶段向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压，并用于在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通，还用于在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；以及，

短路不良判定单元，用于在该检测阶段包括的检测时间段根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良；

所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值。

本发明实施例所述的短路不良的检测装置通过将向电源电压输入端提供的预定电源电压与外部检测仪器包括的导电电极层接入的预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值，也即使得预定电源电压与预定电极电压之间的差值不大，这样不会发生由于预定电源电压与预定电极电压之间差值过大，从而导致对液晶旋转造成影响，从而使得无法准确显示暗点的问题；并本发明实施例所述的短路不良的检测方法在一检测阶段的第一时间段，向外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制外部补偿控制晶体管导通，从而使得预定外部补偿电压写入阳极，从而使得在第一时间段，阳极的电压是被设定的；在该检测阶段的检测时间段向外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿控制晶体管关断，并在该检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良，以能准确进行暗点显示不良，从而能够准确定位短路不良位置。

具体的，本发明实施例所述的短路不良的检测装置还可以包括电压检测单元以及不良种类判定单元；

所述短路不良判定单元还用于当判断到相应的外部补偿像素驱动电路存在短路不良时，向所述电压检测单元发送电压检测控制信号；

所述电压检测单元与所述短路不良判定单元连接，用于在接收到所述电压检测控制信号后检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

所述不良种类判定单元与所述电压检测单元连接，用于根据该阳极的电压判断该外部补偿像素驱动电路中的短路不良种类。

本发明实施例所述的短路不良的检测装置通过增加电压检测单元和不良种类判定单元来在存在短路不良的前提下确定短路不良种类。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种短路不良的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；其特征在于，一检测阶段包括依次设置的第一时间段和检测时间段，所述短路不良的检测方法包括：

在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

在该检测阶段包括的检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良。

2.如权利要求1所述短路不良的检测方法，其特征在于，所述第一预定电压差值小于或等于1V。

3.如权利要求1所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述预定电极电压为负电压，所述预定电源电压也为负电压，所述预定外部补偿电压为正电压，所述预定数据写入控制电压为正电压，所述预定数据电压为负电压。

4.如权利要求1所述的短路不良的检测方法，其特征在于，预定数据电压与预定电源电压之间的差值的绝对值大于第二预定电压差值；预定数据电压与第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值大于第二预定电压差值；

在该检测阶段包括的检测时间段，当判断到一所述外部补偿像素驱动电路中存在短路不良时，所述短路不良的检测方法还包括：

在该检测时间段，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压，当所述与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定数据电压之间的电压差值的绝对值小于第二预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的存储电容的第一端与该存储电容的第二端之间短路。

5.如权利要求4所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极和该驱动晶体管的源极之间短路。

6.如权利要求5所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值小于第四预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的外部补偿控制晶体管的栅极和该外部补偿控制晶体管的源极之间短路。

7.如权利要求6所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的数据写入晶体管的栅极和该数据写入晶体管的漏极之间短路。

8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的短路不良的检测方法，其特征在于，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。

9.一种短路不良的检测装置，用于检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述短路不良的检测装置包括外部检测仪器；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；在一检测阶段包括的检测时间段，所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，其特征在于，所述短路不良的检测装置还包括：

电压提供单元，用于在一检测阶段向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压，并用于在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通，还用于在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；以及，

短路不良判定单元，用于在该检测阶段包括的检测时间段根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良；

所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值。

10.如权利要求9所述的短路不良的检测装置，其特征在于，还包括电压检测单元以及不良种类判定单元；

所述短路不良判定单元还用于当判断到相应的外部补偿像素驱动电路存在短路不良时，向所述电压检测单元发送电压检测控制信号；

所述电压检测单元与所述短路不良判定单元连接，用于在接收到所述电压检测控制信号后检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压；

所述不良种类判定单元与所述电压检测单元连接，用于根据该阳极的电压判断该外部补偿像素驱动电路中的短路不良种类。

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