JP6006930B2 - 薄膜トランジスタ回路基板、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
トップゲート型TFTのボトムゲート型TFT用ゲートメタルはバックライトに対する斜光層として働く。
Claims (3)
- トップゲート型薄膜トランジスタと、ボトムゲート型薄膜トランジスタとを含み、該ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート電極と該トップゲート型薄膜トランジスタの遮光層が同じ導電層であり、該トップゲート型薄膜トランジスタのゲート電極と該ボトムゲート型薄膜トランジスタの遮光層が同じ導電層であり、かつ該トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は該ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とは異なり、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタの遮光層は、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのソース−ドレイン領域と膜厚方向に重ならないことを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板。
- 前記トップゲート型薄膜トランジスタの遮光層は、外部に電気的に接続されており、電位が固定されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ回路基板。
- 前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さy(nm)と、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート電極の厚さx(nm)は、下記式(1)で表される関係を満足する請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ回路基板。
y≧7×10−4x 2 +0.4x+130…(1)
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