KR20180081196A - 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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이철곤
임상욱
정창용
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Abstract

본 발명은 출력 신호를 제공하는 구동 회로부 및 상기 구동 회로부의 출력 신호를 반전시켜 주사 신호를 생성하는 인버터를 각각 포함하는 다수의 스테이지 회로들을 포함하고, 상기 인버터는, 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 트랜지스터는, P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터인 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

Description

주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치{SCAN DRIVER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명의 실시예는 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
일반적으로, 표시 장치는 데이터선들로 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부, 주사선들로 주사 신호를 공급하기 위한 주사 구동부, 주사선들 및 데이터선들에 연결되는 복수의 화소들을 포함한다.
본 발명의 실시예는 구동 회로부의 출력 신호를 반전하여 출력하는 인버터를 구비한 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 주사 구동부는, 출력 신호를 제공하는 구동 회로부 및 상기 구동 회로부의 출력 신호를 반전시켜 주사 신호를 생성하는 인버터를 각각 포함하는 다수의 스테이지 회로들을 포함하고, 상기 인버터는, 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 트랜지스터는, P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 제1 트랜지스터는, 공통 노드와 제1 구동 전원 사이에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터는, 상기 공통 노드와 제2 구동 전원 사이에 연결되며, 상기 공통 노드는, 상기 주사 신호를 출력하는 주사선과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터의 채널 폭은, 상기 제1 트랜지스터의 채널 폭보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터의 채널 길이는, 상기 제1 트랜지스터의 채널 길이보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터는, 두 개의 게이트 전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고, 상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동 회로부는, 동일한 도전형을 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는, 제1 주사선들 및 데이터선들과 연결되는 화소들, 상기 제1 주사선들로 주사 신호들을 공급하는 스테이지 회로들을 포함하는 주사 구동부 및 상기 데이터선들로 데이터 신호들을 공급하는 데이터 구동부를 포함하고, 각각의 스테이지 회로들은, 출력 신호를 제공하는 구동 회로부 및 상기 구동 회로부의 출력 신호를 반전시켜 주사 신호를 생성하는 인버터를 포함하고, 상기 인버터는, 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 트랜지스터는, P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 제1 트랜지스터는, 공통 노드와 제1 구동 전원 사이에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터는, 상기 공통 노드와 제2 구동 전원 사이에 연결되며, 상기 공통 노드는, 상기 주사 신호를 출력하는 주사선과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터의 채널 폭은, 상기 제1 트랜지스터의 채널 폭보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터의 채널 길이는, 상기 제1 트랜지스터의 채널 길이보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 트랜지스터는, 두 개의 게이트 전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 구동 회로부는, 동일한 도전형을 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소들은, 각각 적어도 하나의 폴리 실리콘 트랜지스터와 적어도 하나의 산화물 반도체 트랜지스터를 포함하고, 상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, 각각 제1 주사선을 통해 주사 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, P타입의 트랜지스터들이고, 상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, N타입의 트랜지스터들일 수 있다.
또한, 상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고, 상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치는, 상기 화소들과 연결되는 제2 주사선들을 더 포함하고, 상기 스테이지 회로들에 포함된 구동 회로부들은, 상기 제2 주사선들로 출력 신호들을 공급할 수 있다.
또한, 상기 화소들은, 각각 적어도 하나의 폴리 실리콘 트랜지스터와 적어도 하나의 산화물 반도체 트랜지스터를 포함하며, 상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, 각각 제2 주사선을 통해 상기 구동 회로부의 출력 신호를 공급받으며, 상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, 각각 제1 주사선을 통해 주사 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고, 상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, P타입의 트랜지스터들이고, 상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, N타입의 트랜지스터들일 수 있다.
이상 살펴본 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 구동 회로부의 출력 신호를 반전하여 출력하는 인버터를 구비한 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타낸 도면이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 의한 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 구동 회로부를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 화소들(PXL), 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 발광 구동부(130), 및 타이밍 제어부(160)를 포함할 수 있다.
화소들(PXL)은 제1 주사선들(S11~S1n), 발광 제어선들(E1~En) 및 데이터선들(D1~Dm)과 연결될 수 있다.
또한, 화소들(PXL)은 제1 화소 전원(ELVDD), 제2 화소 전원(ELVSS) 및 제3 화소 전원(VINT)과 연결될 수 있다.
화소들(PXL)은 제1 주사선들(S11~S1n)로부터 주사 신호들을 공급받고, 상기 주사 신호들과 동기된 데이터 신호들을 데이터선들(D1~Dm)로부터 공급받을 수 있다.
데이터 신호를 공급받은 화소들(PXL)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있으며, 이때 상기 유기 발광 다이오드는 상기 전류량에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(160)로부터의 주사 구동부 제어 신호(SCS)에 대응하여 제1 주사선들(S11~S1n)로 주사 신호들을 공급할 수 있다.
예를 들어, 주사 구동부(110)는 제1 주사선들(S11~S1n)로 주사 신호들을 순차적으로 공급할 수 있다. 제1 주사선들(S11~S1n)로 주사 신호들이 순차적으로 공급되면 화소들(PXL)이 수평라인 단위로 순차적으로 선택될 수 있다.
이때, 주사 신호는 상기 주사 신호를 공급받는 트랜지스터가 턴-온될 수 있는 전압 레벨을 가질 수 있다.
발광 구동부(130)는 타이밍 제어부(160)로부터의 발광 구동부 제어 신호(ECS)에 대응하여 발광 제어선들(E1~En)로 발광 제어 신호들을 공급할 수 있다.
예를 들어, 발광 구동부(130)는 발광 제어선들(E1~En)로 발광 제어 신호들을 순차적으로 공급할 수 있다.
이때, 발광 제어 신호는 상기 발광 제어 신호를 공급받는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있는 전압 레벨을 가질 수 있다.
데이터 구동부(120)는 데이터 구동부 제어신호(DCS)에 대응하여 데이터선들(D1~Dm)로 데이터 신호들을 공급할 수 있다.
데이터선들(D1~Dm)로 공급된 데이터 신호들은 각 주사 신호에 의하여 선택된 화소들(PXL)로 공급될 수 있다.
이를 위하여, 데이터 구동부(120)는 주사 신호들과 동기하여 데이터선들(D1~Dm)로 데이터 신호들을 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 외부로부터 공급되는 제어 신호들에 대응하여 데이터 구동부 제어 신호(DCS), 주사 구동부 제어 신호(SCS) 및 발광 구동부 제어 신호(ECS)를 생성할 수 있다.
이때, 주사 구동부 제어 신호(SCS)는 주사 구동부(110)로 공급되고, 데이터 구동부 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급되며, 발광 구동부 제어 신호(ECS)는 발광 구동부(130)로 공급될 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(160)는 외부에서 입력되는 영상 데이터를 데이터 구동부(120)의 사양에 맞는 영상 데이터(Data)로 변환하여, 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.
주사 구동부 제어 신호(SCS)는 주사 스타트 펄스 및 클럭 신호들을 포함할 수 있다. 주사 스타트 펄스는 주사 신호들의 공급 타이밍을 제어하며, 클럭신호들은 주사 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
발광 구동부 제어 신호(ECS)는 발광 스타트 펄스 및 클럭 신호들을 포함할 수 있다. 발광 스타트 펄스는 발광 제어신호의 공급 타이밍을 제어하며, 클럭 신호들은 발광 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
데이터 구동부 제어 신호(DCS)는 소스 스타트 펄스, 소스 출력 인에이블 신호, 소스 샘플링 클럭 등이 포함할 수 있다. 소스 스타트 펄스는 데이터 구동부(120)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어할 수 있다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터 구동부(120)의 샘플링 동작을 제어할 수 있다. 소스 출력 인에이블 신호는 데이터 구동부(120)의 출력 타이밍을 제어할 수 있다.
한편, 도 1에서는 각각 n개의 제1 주사선들(S11~S1n) 및 n개의 발광 제어선들(E1~En)이 도시되었지만, 이에 제한되지는 않는다. 일례로, 구동의 안정성을 위하여 더미 주사선들 및/또는 더미 발광 제어선들이 추가로 형성될 수 있다.
또한, 도 1에서는 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 발광 구동부(130) 및 타이밍 제어부(160)를 개별적으로 도시하였으나, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부는 필요에 따라 통합될 수 있다.
주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 발광 구동부(130) 및 타이밍 제어부(160)는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등과 같은 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있다.
또한, 화소들(PXL)이 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 발광 구동부(130) 및 발광 제어선들(E1~En)은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타낸 도면이다.
도 2에서는 설명의 편의를 위하여 m번째 데이터선(Dm) 및 i번째 제1 주사선(S1i)에 연결된 화소(PXL)를 도시하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 화소(PXL)는 적어도 하나의 산화물 반도체 트랜지스터 및 적어도 하나의 폴리 실리콘 트랜지스터를 포함한다.
산화물 반도체 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 액티브층이 산화물 반도체로 형성된다. 여기서, 산화물 반도체는 비정질 또는 결정질로 설정될 수 있다. 또한, 산화물 반도체 트랜지스터는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다.
산화물 반도체 트랜지스터는 저온 공정이 가능하며, 폴리 실리콘 트랜지스터에 비하여 낮은 전하 이동도를 갖는다. 이와 같은 산화물 반도체 트랜지스터는 오프 전류 특성이 우수하다.
예를 들어, 상기 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(In-Ga-Zn-O), 인듐-아연 산화물(In-Zn-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O), 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
폴리 실리콘 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 액티브층이 폴리 실리콘으로 형성된다. 일례로, 폴리 실리콘 트랜지스터는 LTPS(Low Temperature Poly-Silicon) 트랜지스터로 설정될 수 있다. 이와 같은 폴리 실리콘 트랜지스터는 P타입 트랜지스터 또는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 폴리 실리콘 트랜지스터가 P타입 트랜지스터로 형성되는 것으로 가정하기로 한다.
폴리 실리콘 트랜지스터는 높은 전하 이동도를 가지며, 이에 따라 빠른 구동 특성을 갖는다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 화소(PXL)는 화소 회로(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소 회로(PC)에 연결되고, 캐소드 전극은 제2 화소 전원(ELVSS)에 연결될 수 있다.
이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제1 화소 전원(ELVDD)은 제2 화소 전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
화소 회로(PC)는 데이터 신호에 대응하여 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 화소 회로(PC)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 제7 트랜지스터(T7), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제1 노드(N1)에 연결되고, 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극에 연결될 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하여 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 공급되는 전류량을 제어할 수 있다. 빠른 구동 속도를 확보하기 위하여, 제1 트랜지스터(T1)는 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성될 수 있다. 또한, 제1 트랜지스터(T1)는 P타입 트랜지스터로 형성될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 m번째 데이터선(Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 m번째 데이터선(Dm)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결시킨다.
제2 트랜지스터(T2)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 트랜지스터(T2)는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)가 산화물 트랜지스터로 형성되면 제1 노드(N1)와 m번째 데이터선(Dm) 사이의 불필요한 전류 흐름이 최소화될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 형태로 연결시킬 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 이 경우, 제3 트랜지스터(T3)는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)가 산화물 반도체 트랜지스터로 형성되면 제2 노드(N2)로부터 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극 쪽으로 흐르는 누설전류가 최소화되고, 이에 따라 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제2 노드(N2)와 제3 화소 전원(VINT) 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제2 노드(N2)로 제3 화소 전원(VINT)의 전압을 공급할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 이 경우, 제4 트랜지스터(T4)는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)가 산화물 반도체 트랜지스터로 형성되면 제2 노드(N2)로부터 제3 화소 전원(VINT)으로 흐르는 누설전류가 최소화되고, 이에 따라 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 제3 화소 전원(VINT) 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i+1번째 제1 주사선(S1i+1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(T5)는 i+1번째 제1 주사선(S1i+1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 제3 화소 전원(VINT)의 전압을 공급할 수 있다.
실시예에 따라, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 주사선(S1i-1) 또는 i번째 제1 주사선(S1i)에 연결될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 N타입 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)가 산화물 반도체 트랜지스터로 형성되면 발광기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로부터 제3 화소 전원(VINT)으로 흐르는 누설전류를 최소화할 수 있다.
한편, 제3 화소 전원(VINT)의 전압은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. 제3 화소 전원(VINT)의 전압이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 기생 커패시터가 방전된다. 유기 커패시터(Coled)가 방전되면 화소(PXL)의 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어선(Ei)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 P타입 트랜지스터로 형성될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어선(Ei)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(T7)는 i번째 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어 신호가 공급되지 않을 때 턴-온될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 P타입 트랜지스터로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압에 대응되는 전압을 저장할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 실시예에서는 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 및 제5 트랜지스터(T5)를 산화물 반도체 트랜지스터로 형성함으로써, 누설 전류를 최소화할 수 있고, 이에 따라 화소(PXL)가 정상 휘도로 발광할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 실시예에서는 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 공급 경로에 위치된 트랜지스터들(T1, T6, T7)을 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성할 수 있다. 이 경우, 폴리 실리콘 트랜지스터의 고속 구동 특성에 의하여 안정적으로 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급할 수 있다.
또한, 도 2에서 설명된 화소 구조는 산화물 반도체 트랜지스터와 폴리 실리콘 트랜지스터를 포함하는 하나의 예에 해당할 뿐이므로, 본 발명의 화소(PXL)가 상기 화소 구조에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 대응하여 적색, 녹색 및 청색을 포함한 다양한 광을 생성할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 대응하여 백색 광을 생성할 수도 있다. 이 경우, 별도의 컬러 필터 등을 이용하여 컬러 영상을 구현할 수 있다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 의한 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 주사 구동부(110)는 다수의 스테이지 회로들(ST1~ST1n)을 포함할 수 있다.
스테이지 회로들(ST1~ST1n)은 각각 제1 주사선들(S11~S1n)의 일단에 연결되고, 상기 제1 주사선들(S11~S1n)로 주사 신호들(Sd)을 공급할 수 있다.
또한, 각각의 스테이지 회로들(ST1~ST1n)은 구동 회로부(210) 및 인버터(220)를 포함할 수 있다.
이때, 구동 회로부들(210)은 타이밍 제어부(160)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK1, CLK2)에 대응하여 출력 신호들(So)을 출력할 수 있다.
또한, 구동 회로부들(210)은 스타트 펄스(SP) 또는 이전 구동 회로부(210)의 출력 신호(So)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 스테이지 회로(ST1)에 포함된 구동 회로부(210)는 스타트 펄스(SP)를 공급받고, 나머지 스테이지 회로들(ST2~STn)에 포함된 구동 회로부들(210)은 이전 스테이지 회로에 포함된 구동 회로부(210)의 출력 신호(So)를 공급받을 수 있다.
상술한 동작에 따라, 구동 회로부들(210)은 순차적으로 출력 신호들(So)을 출력할 수 있다.
각각의 인버터들(220)은 구동 회로부들(210)로부터 공급되는 출력 신호들(So)을 반전시켜 주사 신호들(Sd)을 생성할 수 있고, 생성된 주사 신호들(Sd)을 제1 주사선들(S11~S1n)로 출력할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다. 특히, 도 4에서는 i번째 제1 주사선(S1i)에 연결된 인버터(220)를 예시적으로 도시하였다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 인버터(220)는 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터(M1) 및 제2 트랜지스터(M2)를 포함할 수 있다.
이때, 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)는 도전형이 상이하게 설정될 수 있으며, 이 경우 인버터(220)는 CMOS 인버터로 동작할 수 있다.
제1 트랜지스터(M1)는 공통 노드(Nc)와 제1 구동 전원(VGH) 사이에 연결될 수 있다.
또한, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 구동 회로부(210)의 출력단(211)에 연결될 수 있으며, 제1 트랜지스터(M1)는 P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성될 수 있다.
제2 트랜지스터(M2)는 공통 노드(Nc)와 제2 구동 전원(VGL) 사이에 연결될 수 있다.
또한, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 구동 회로부(210)의 출력단(211)에 연결될 수 있으며, 제2 트랜지스터(M2)는 N타입의 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다.
이때, 공통 노드(Nc)는 i번째 제1 주사선(S1i)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 제1 구동 전원(VGH)은 하이 레벨의 전압을 가질 수 있으며, 제2 구동 전원(VGL)은 로우 레벨의 전압을 가질 수 있다.
인버터(220)는 구동 회로부(210)의 출력단(211)을 통해 공급되는 출력 신호(So)를 반전시켜 주사 신호(Sd)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 로우 레벨의 펄스를 포함하는 출력 신호(So)가 공급되는 경우 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온될 수 있고, 이에 따라 제1 구동 전원(VGH)의 하이 레벨 전압이 공통 노드(Nc)로 인가될 수 있다.
또한, 출력 신호(So)의 공급이 중단되는 경우 제1 트랜지스터(M1) 및 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극들로는 하이 레벨의 전압이 인가되며, 이에 따라 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온됨으로써 제2 구동 전원(VGL)의 로우 레벨 전압이 공통 노드(Nc)로 인가될 수 있다.
결국, 공통 노드(Nc)로 출력되는 주사 신호(Sd)는 하이 레벨의 펄스를 포함할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이 누설 전류를 최소화하기 위하여, 각 화소(PXL)는 적어도 하나의 N타입의 산화물 반도체 트랜지스터를 포함할 수 있다.
이 경우, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터를 턴-온시키기 위해서는 하이 레벨의 펄스를 포함하는 주사 신호가 필요하다.
본 발명의 경우, 로우 레벨의 펄스를 출력하는 구동 회로부들(210)의 출력단들(211)에 인버터들(220)을 각각 설치함으로써, 하이 레벨의 펄스를 포함하는 주사 신호를 용이하게 생성할 수 있다.
또한, 본 발명의 인버터(220)는 누설 전류가 적은 산화물 반도체 트랜지스터(M2)를 포함하므로, 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
한편, 산화물 반도체 트랜지스터는 폴리 실리콘 트랜지스터에 비하여 낮은 이동도를 가지므로, 이에 따라 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)의 특성 차이가 발생할 수 있다.
그러므로, 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)의 이동도 차이를 보상하기 위하여, 제2 트랜지스터(M2)의 채널 폭이 제1 트랜지스터(M1) 의 채널 폭보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 트랜지스터(M2)의 채널 길이가 제1 트랜지스터(M1)의 채널 길이보다 작게 설정될 수 있다.
이 경우, 제1 트랜지스터(M1)의 이동도와 제2 트랜지스터(M2)의 이동도가 동일하게 설정될 수 있으므로, 인버터(220)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 인버터(220')는 도 4에 도시된 인버터(220)와 구성이 유사하나, 제2 트랜지스터(M2')가 두 개의 게이트 전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터로 형성될 수 있다.
더블 게이트 트랜지스터는 두 개의 게이트 전극을 액티브 층의 양측에 배치시킴으로써 형성될 수 있다. 더블 게이트 트랜지스터의 경우, 게이트 전극의 수가 증가됨으로써 이동도가 증가될 수 있다.
이에 따라, 제2 트랜지스터(M2')를 더블 게이트 트랜지스터로 형성하는 경우, 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2')의 이동도 차이를 보상할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 구동 회로부를 나타낸 도면이다. 도 6에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 스테이지 회로(ST1)에 포함된 구동 회로부(210a)와 두번째 스테이지 회로(ST2)에 포함된 구동 회로부(210b)를 도시하였다.
도 6을 참조하면, 구동 회로부(210a)는 제1 구동 회로(310), 제2 구동 회로(320), 및 출력부(330)를 포함할 수 있다.
출력부(330)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 출력단(211)으로 공급되는 전압을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 출력부(330)는 제5 트랜지스터(P5) 및 제6 트랜지스터(P6)를 포함할 수 있다.
제5 트랜지스터(P5)는 제1 구동 전원(VGH)이 입력되는 제4 입력단(304)과 출력단(211) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(P5)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압에 대응하여 제4 입력단(304)과 출력단(211)의 접속을 제어할 수 있다.
제6 트랜지스터(P6)는 출력단(211)과 제3 입력단(303) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(P6)는 제2 노드(N2)에 인가되는 전압에 대응하여 출력단(211)과 제3 입력단(303)의 접속을 제어할 수 있다.
제1 구동 회로(310)는 제1 입력단(301) 내지 제3 입력단(303)으로 공급되는 신호들에 대응하여 제3 노드(N3)의 전압을 제어할 수 있다.
이를 위하여, 제1 구동 회로(310)는 제2 트랜지스터(P2) 내지 제4 트랜지스터(P4)를 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(P2)는 제1 입력단(301)과 제3 노드(N3) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제2 입력단(302)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(P2)는 제2 입력단(302)으로 공급되는 신호에 대응하여 제1 입력단(301)과 제3 노드(N3)의 접속을 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(P3)와 제4 트랜지스터(P4)는 제3 노드(N3)와 제4 입력단(304) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 실제로, 제3 트랜지스터(P3)는 제4 트랜지스터(P4)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제3 입력단(303)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(P3)는 제3 입력단(303)으로 공급되는 신호에 대응하여 제4 트랜지스터(P4)와 제3 노드(N3)의 접속을 제어할 수 있다.
제4 트랜지스터(P4)는 제3 트랜지스터(P3)와 제4 입력단(304) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(P4)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 제3 트랜지스터(P3)와 제4 입력단(304)의 접속을 제어할 수 있다.
제2 구동 회로(320)는 제2 입력단(302) 및 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 노드(N1)의 전압을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 제2 구동 회로(320)는 제1 트랜지스터(P1), 제7 트랜지스터(P7), 제8 트랜지스터(P8), 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다.
제1 커패시터(C1)는 제2 노드(N2)와 출력단(211) 사이에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 커패시터(C1)는 제6 트랜지스터(P6)의 턴-온 및 턴-오프에 대응하는 전압을 충전한다.
제2 커패시터(C2)는 제1 노드(N1)와 제4 입력단(304) 사이에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 커패시터(C2)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압을 충전할 수 있다.
제7 트랜지스터(P7)는 제1 노드(N1)와 제2 입력단(302) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(P7)는 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 노드(N1)와 제2 입력단(302)의 접속을 제어할 수 있다.
제8 트랜지스터(P8)는 제1 노드(N1)와 제2 구동 전원(VGL)이 공급되는 제5 입력단(305) 사이에 위치되며, 게이트 전극이 제2 입력단(302)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제8 트랜지스터(P8)는 제2 입력단(302)의 신호에 대응하여 제1 노드(N1)와 제5 입력단(305)의 접속을 제어할 수 있다.
제1 트랜지스터(P1)는 제3 노드(N3)와 제2 노드(N2) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제5 입력단(305)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(P1)는 턴-온 상태를 유지하면서 제3 노드(N3) 및 제2 노드(N2)의 전기적 접속을 유지할 수 있다. 추가적으로 제1 트랜지스터(P1)는 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 제3 노드(N3)의 전압 하강 폭을 제한할 수 있다. 다시 말하여, 제2 노드(N2)의 전압이 제2 구동 전원(VGL)보다 낮은 전압으로 하강하더라도 제3 노드(N3)의 전압은 제2 구동 전원(VGL)에서 제1 트랜지스터(P1)의 문턱전압을 감한 전압보다 낮아지지 않는다.
두번째 스테이지 회로(ST2)에 포함된 구동 회로부(210b)는 앞서 설명한 구동 회로부(210a)와 동일한 구성을 가질 수 있다.
또한, j(j는 홀수 또는 짝수)번째 스테이지 회로(STj)의 제2 입력단(302)은 제1 클럭 신호(CLK1)를 공급받고, 제3 입력단(303)은 제2 클럭 신호(CLK2)를 공급받을 수 있다. j+1번째 스테이지 회로(STj+1)의 제2 입력단(302)은 제2 클럭 신호(CLK2)를 공급받고, 제3 입력단(303)은 제1 클럭 신호(CLK1)를 공급받을 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치(10')는 도 1에 도시된 표시 장치(10)와 구성이 유사하나, 제2 주사선들(S21~S2n)을 추가적으로 더 포함할 수 있다.
이 경우, 화소들(PXL')은 제1 주사선들(S11~S1n), 제2 주사선들(S21~S2n), 발광 제어선들(E1~En) 및 데이터선들(D1~Dm)과 연결될 수 있다.
즉, 화소들(PXL')은 수평 라인 단위로 제1 주사선들(S11~S1n), 제2 주사선들(S21~S2n), 및 발광 제어선들(E1~En)과 연결될 수 있다. 또한, 화소들(PXL')은 수직 라인 단위로 데이터선들(D1~Dm)과 연결될 수 있다.
주사 구동부(110)는 제1 주사선들(S11~S1n)로 제1 주사 신호들을 공급하고, 제2 주사선들(S21~S2n)로 제2 주사 신호들을 공급할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소(PXL')는 도 2에 도시된 화소(PXL)와 유사하나, 제2 트랜지스터(T2')가 P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터로 형성될 수 있다.
그러므로, 제2 트랜지스터(T2')는 제3 트랜지스터(M3)의 제어 신호(예를 들어, 제1 주사 신호)를 공유할 수가 없으며, 별도의 i번째 제2 주사선(S2i)을 통해 공급되는 제어 신호(예를 들어, 제2 주사 신호)를 이용할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2')는 게이트 전극은 i번째 제2 주사선(S2i)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2')는 i번째 제2 주사선(S2i)으로 제2 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 m번째 데이터선(Dm)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결시킨다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 인버터를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 스테이지 회로들(ST1~ST1n)의 구동 회로부들(210)은 각각 제2 주사선들(S21~S2n)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 구동 회로부들(210)에서 출력되는 출력 신호들(So)은 앞서 설명한 제2 주사 신호들로 활용될 수 있다.
이에 따라, 주사 구동부(110)는 제1 주사선들(S11~S1n) 및 제2 주사선들(S21~S2n)로 각각 제1 주사 신호들(Sd)과 제2 주사 신호들(So)을 출력할 수 있다.
이 경우, 제2 주사 신호들을 생성하기 위한 별도의 주사 구동부를 설치할 필요가 없으므로, 표시 장치(10')의 데드 스페이스(dead space) 및 제조 비용 등을 줄일 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10, 10': 표시 장치
110: 주사 구동부
120: 데이터 구동부
130: 발광 구동부
160: 타이밍 제어부
PXL, PXL': 화소

Claims (20)

  1. 출력 신호를 제공하는 구동 회로부 및 상기 구동 회로부의 출력 신호를 반전시켜 주사 신호를 생성하는 인버터를 각각 포함하는 다수의 스테이지 회로들을 포함하고,
    상기 인버터는, 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 트랜지스터는, P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터이고,
    상기 제2 트랜지스터는, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터인 주사 구동부.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는, 공통 노드와 제1 구동 전원 사이에 연결되고,
    상기 제2 트랜지스터는, 상기 공통 노드와 제2 구동 전원 사이에 연결되며,
    상기 공통 노드는, 상기 주사 신호를 출력하는 주사선과 전기적으로 연결되는 주사 구동부.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 채널 폭은, 상기 제1 트랜지스터의 채널 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 주사 구동부.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 채널 길이는, 상기 제1 트랜지스터의 채널 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 주사 구동부.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는, 두 개의 게이트 전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터인 주사 구동부.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고,
    상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함하는 주사 구동부.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 구동 회로부는, 동일한 도전형을 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함하는 주사 구동부.
  8. 제1 주사선들 및 데이터선들과 연결되는 화소들;
    상기 제1 주사선들로 주사 신호들을 공급하는 스테이지 회로들을 포함하는 주사 구동부; 및
    상기 데이터선들로 데이터 신호들을 공급하는 데이터 구동부를 포함하고,
    각각의 스테이지 회로들은,
    출력 신호를 제공하는 구동 회로부; 및
    상기 구동 회로부의 출력 신호를 반전시켜 주사 신호를 생성하는 인버터를 포함하고,
    상기 인버터는, 상보적으로 동작하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 트랜지스터는, P타입의 폴리 실리콘 트랜지스터이고,
    상기 제2 트랜지스터는, N타입의 산화물 반도체 트랜지스터인 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는, 공통 노드와 제1 구동 전원 사이에 연결되고,
    상기 제2 트랜지스터는, 상기 공통 노드와 제2 구동 전원 사이에 연결되며,
    상기 공통 노드는, 상기 주사 신호를 출력하는 주사선과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 채널 폭은, 상기 제1 트랜지스터의 채널 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 채널 길이는, 상기 제1 트랜지스터의 채널 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는, 두 개의 게이트 전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터인 표시 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 구동 회로부는, 동일한 도전형을 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 화소들은, 각각 적어도 하나의 폴리 실리콘 트랜지스터와 적어도 하나의 산화물 반도체 트랜지스터를 포함하고,
    상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, 각각 제1 주사선을 통해 주사 신호를 공급받는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, P타입의 트랜지스터들이고,
    상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, N타입의 트랜지스터들인 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고,
    상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함하는 표시 장치.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 표시 장치는, 상기 화소들과 연결되는 제2 주사선들을 더 포함하고,
    상기 스테이지 회로들에 포함된 구동 회로부들은, 상기 제2 주사선들로 출력 신호들을 공급하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 화소들은, 각각 적어도 하나의 폴리 실리콘 트랜지스터와 적어도 하나의 산화물 반도체 트랜지스터를 포함하며,
    상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, 각각 제2 주사선을 통해 상기 구동 회로부의 출력 신호를 공급받으며,
    상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, 각각 제1 주사선을 통해 주사 신호를 공급받는 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 출력 신호는, 로우 레벨의 펄스를 포함하고,
    상기 주사 신호는, 하이 레벨의 펄스를 포함하는 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 화소들에 포함된 폴리 실리콘 트랜지스터들은, P타입의 트랜지스터들이고,
    상기 화소들에 포함된 산화물 반도체 트랜지스터들은, N타입의 트랜지스터들인 표시 장치.
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