CN108281116A - 扫描驱动器和包括该扫描驱动器的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种扫描驱动器和包括该扫描驱动器的显示装置。所述扫描驱动器包括多个级电路，所述多个级电路中的每个包括提供输出信号的驱动电路单元以及使驱动电路单元的输出信号反相并产生扫描信号的反相器，其中，反相器包括互补操作的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管是P型多晶硅晶体管，第二晶体管是N型氧化物半导体晶体管。所述显示装置可包括扫描驱动器。

Description

扫描驱动器和包括该扫描驱动器的显示装置
本申请要求于2017年1月5日提交的第10-2017-0001849号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述的一样。
技术领域
示例性实施例涉及一种扫描驱动器和一种包括该扫描驱动器的显示装置。
背景技术
根据信息技术的发展，作为用户和信息之间的连接媒介的显示装置的重要性已经提高了。对此，诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置的使用已经增加了。
通常，显示装置包括用于向数据线供应数据信号的数据驱动器、用于向扫描线供应扫描信号的扫描驱动器以及连接到扫描线和数据线的多个像素。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，其可包含不构成本领域的普通技术人员在本国中已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种扫描驱动器和包括该扫描驱动器的显示装置，所述扫描驱动器包括输出输出信号的驱动电路单元和将输出信号反相的反相器。
另外的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地通过本公开将是明显的，或者可以通过本发明构思的实施而获知。
根据示例性实施例，扫描驱动器包括：多个级电路，多个级电路中的每个包括提供输出信号的驱动电路单元以及使驱动电路单元的输出信号反相并产生扫描信号的反相器，其中反相器包括互补操作的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管为P型多晶硅晶体管，第二晶体管为N型氧化物半导体晶体管。
第一晶体管可连接在共节点和第一驱动电源之间，第二晶体管可连接在共节点和第二驱动电源之间，共节点可与输出扫描信号的扫描线电连接。
第二晶体管的沟道宽度可以比第一晶体管的沟道宽度大。
第二晶体管的沟道长度可以比第一晶体管的沟道长度小。
第二晶体管可以为包括两个栅电极的双栅晶体管。
输出信号可以包括低电平脉冲，扫描信号可以包括高电平脉冲。
驱动电路单元可以包括具有相同的导电类型的多个晶体管。
本公开的另一示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：像素，与第一扫描线和数据线连接；扫描驱动器，包括向第一扫描线提供扫描信号的级电路；以及数据驱动器，被构造为向数据线提供数据信号，其中，级电路中的每个包括被构造为提供输出信号的驱动电路单元以及被构造为使驱动电路单元的输出信号反相并产生扫描信号的反相器，反相器包括互补操作的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管为P型多晶硅晶体管，第二晶体管为N型氧化物半导体晶体管。
第一晶体管可连接在共节点和第一驱动电源之间，第二晶体管可连接在共节点和第二驱动电源之间，共节点可与输出扫描信号的第一扫描线电连接。
第二晶体管的沟道宽度可以比第一晶体管的沟道宽度大。
第二晶体管的沟道长度可以比第一晶体管的沟道长度小。
第二晶体管可以为包括两个栅电极的双栅晶体管。
驱动电路单元可以包括具有相同的导电类型的多个晶体管。
像素中的每个可以包括一个或更多个多晶硅晶体管和一个或更多个氧化物半导体晶体管，包括在像素中的氧化物半导体晶体管中的每个可以通过第一扫描线接收扫描信号。
包括在像素中的多晶硅晶体管可以为P型晶体管，包括在像素中的氧化物半导体晶体管可以为N型晶体管。
输出信号可以包括低电平脉冲，扫描信号可以包括高电平脉冲。
显示装置还可以包括与所述像素连接的第二扫描线，并且包括在级电路中的驱动电路单元可以向第二扫描线提供输出信号。
像素中的每个可以包括一个或更多个多晶硅晶体管和一个或更多个氧化物半导体晶体管，包括在像素中的多晶硅晶体管中的每个可以通过第二扫描线接收驱动电路单元的输出信号，并且包括在像素中的氧化物半导体晶体管中的每个可以通过第一扫描线接收扫描信号。
输出信号可以包括低电平脉冲，扫描信号可以包括高电平脉冲。
包括在像素中的多晶硅晶体管可以为P型晶体管，包括在像素中的氧化物半导体晶体管可以为N型晶体管。
如上面所描述的，根据本发明的示例性实施例，能够提供包括使驱动电路单元的输出信号反相并输出反相信号的反相器的扫描驱动器，以及包括该扫描驱动器的显示装置。
前述的一般描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的图。
图2是示出了根据本公开的示例性实施例的像素的图。
图3是详细地示出了根据本公开的示例性实施例的扫描驱动器的图。
图4是示出了根据本公开的示例性实施例的反相器的图。
图5是示出了根据本公开的另一示例性实施例的反相器的图。
图6是示出了根据本公开的示例性实施例的驱动电路单元的图。
图7是示出了根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的图。
图8是示出了根据本公开的另一示例性实施例的像素的图。
图9是示出了根据本公开的另一示例性实施例的扫描驱动器的图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐释了许多具体细节，以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实施各个示例性实施例。在其它情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例不清楚，以框图的形式示出公知的结构和装置。
在附图中，为了清楚和描述性的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可以理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的附图标记始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和全部组合。
尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述性的目的，这里可使用诸如“在…之下”、“在……下方”、“下”、“在…上方”、“上”等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，如此，相应地解释这里使用的空间相关描述语。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
图1是示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的显示装置10可包括像素PXL、扫描驱动器110、数据驱动器120、发射驱动器130和时序控制器160。
像素PXL可与第一扫描线S11至S1n、发射控制线E1至En和数据线D1至Dm连接。
此外，像素PXL可与第一像素电源ELVDD、第二像素电源ELVSS和第三像素电源VINT连接。
像素PXL可从第一扫描线S11至S1n接收扫描信号，并且可以从数据线D1至Dm接收与扫描信号同步的数据信号。
接收数据信号的像素PXL可控制从第一像素电源ELVDD经由有机发光二极管(未示出)流到第二像素电源ELVSS的电流的量，在这种情况下，有机发光二极管可以产生具有与电流的电平对应的亮度的光。
扫描驱动器110可以响应于来自时序控制器160的扫描驱动器控制信号SCS来向第一扫描线S11至S1n供应扫描信号。
例如，扫描驱动器110可向第一扫描线S11至S1n顺序地供应扫描信号。当向第一扫描线S11至S1n顺序地供应扫描信号时，可以以水平线为单位顺序地选择像素PXL。
在这种情况下，扫描信号可具有可以导通接收扫描信号的晶体管的电压电平。
发射驱动器130可响应于来自时序控制器160的发射驱动器控制信号ECS来向发射控制线E1至En供应发射控制信号。
例如，发射驱动器130可以向发射控制线E1至En顺序地供应发射控制信号。
在这种情况下，发射控制信号可具有可以截止接收发射控制信号的晶体管的电压电平。
数据驱动器120可响应于数据驱动器控制信号DCS来向数据线D1至Dm供应数据信号。
可以将向数据线D1至Dm供应的数据信号供应到由对应的扫描信号选择的像素PXL。
为此，数据驱动器120可以供应数据信号到数据线D1至Dm，同时使数据信号与扫描信号同步。
时序控制器160可响应于从外部供应的控制信号来产生数据驱动器控制信号DCS、扫描驱动器控制信号SCS和发射驱动器控制信号ECS。
在这种情况下，可以向扫描驱动器110供应扫描驱动器控制信号SCS，可以向数据驱动器120供应数据驱动器控制信号DCS，并可以向发射驱动器130供应发射驱动器控制信号ECS。
此外，时序控制器160可将从外部输入的图像数据转变成满足数据驱动器120的规格的图像数据Data，并且可向数据驱动器120供应图像数据Data。
扫描驱动器控制信号SCS可包括扫描起始脉冲和时钟信号。扫描起始脉冲可控制扫描信号的供应时序，时钟信号可用于使扫描起始脉冲移位。
发射驱动器控制信号ECS可包括发射起始脉冲和时钟信号。发射起始脉冲可控制发射控制信号的供应时序，时钟信号可用于使发射起始脉冲移位。
数据驱动器控制信号DCS可包括源起始脉冲、源输出使能信号、源采样时钟等。源起始脉冲可控制数据驱动器120的数据采样起始时间。源采样时钟可基于上升沿或下降沿来控制数据驱动器120的采样操作。源输出使能信号可以控制数据驱动器120的输出时序。
同时，图1示出了n条第一扫描线S11至S1n和n条发射控制线E1至En，但本公开不限于此。例如，为了驱动的稳定性，可以另外形成虚设扫描线和/或虚设发射控制线。
此外，图1单独示出了扫描驱动器110、数据驱动器120、发射驱动器130和时序控制器160，但这些元件的至少一部分必要时可进行结合。
可以通过诸如玻璃覆晶、塑料覆晶、载带封装和薄膜覆晶的各种方法来安装扫描驱动器110、数据驱动器120、发射驱动器130和时序控制器160。
此外，当像素PXL具有其中不必使用发射控制信号的结构时，可以省略发射驱动器130和发射控制线E1至En。
图2是示出了根据本公开的示例性实施例的像素的图。
为了便于描述，图2示出了连接到第m条数据线Dm和第i条第一扫描线S1i的像素PXL。
参照图2，根据本公开的示例性实施例的像素PXL可包括至少一个氧化物半导体晶体管和至少一个多晶硅晶体管。
氧化物半导体晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和由氧化物半导体形成的有源层。这里，氧化物半导体可被设定为是非晶的或结晶的。此外，氧化物半导体晶体管可由N型晶体管形成。
可对氧化物半导体晶体管执行低温工艺，并且氧化物半导体晶体管具有比多晶硅晶体管的电荷迁移率低的电荷迁移率。氧化物半导体晶体管具有优异的截止电流特性。
例如，氧化物半导体可包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物及其复合氧化物中的任意一种，其复合氧化物包括氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(In-Ga-Zn-O)、氧化铟锌(In-Zn-O)、氧化锌锡(Zn-Sn-O)、氧化铟镓(In-Ga-O)、氧化铟锡(In-Sn-O)、氧化铟锆(In-Zr-O)、氧化铟锆锌(In-Zr-Zn-O)、氧化铟锆锡(In-Zr-Sn-O)、氧化铟锆镓(In-Zr-Ga-O)、氧化铟铝(In-Al-O)、氧化铟锌铝(In-Zn-Al-O)、氧化铟锡铝(In-Sn-Al-O)、氧化铟铝镓(In-Al-Ga-O)、氧化铟钽(In-Ta-O)、氧化铟钽锌(In-Ta-Zn-O)、氧化铟钽锡(In-Ta-Sn-O)、氧化铟钽镓(In-Ta-Ga-O)、氧化铟锗(In-Ge-O)、氧化铟锗锌(In-Ge-Zn-O)、氧化铟锗锡(In-Ge-Sn-O)、氧化铟锗镓(In-Ge-Ga-O)、氧化钛铟锌(Ti-In-Zn-O)和氧化铪铟锌(Hf-In-Zn-O)。
多晶硅晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和由多晶硅形成的有源层。例如，多晶硅晶体管可设定有低温多晶硅。多晶硅晶体管可由P型晶体管或N型晶体管来形成。在本公开的示例性实施例中，假设多晶硅晶体管由P型晶体管形成。
多晶硅晶体管具有高电荷迁移率，从而具有快速的驱动特性。
参照图2，根据本公开的示例性实施例的像素PXL可包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。
有机发光二极管OLED的阳电极可连接到像素电路PC，其阴电极可连接到第二像素电源ELVSS。
有机发光二极管OLED可响应于从像素电路PC供应的电流的量来产生具有预定亮度的光。
第一像素电源ELVDD可设定有比第二像素电源ELVSS的电压高的电压，使得电流可以流向有机发光二极管OLED。
像素电路PC可响应于数据信号来控制从第一像素电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流到第二像素电源ELVSS的电流的量。为此，像素电路PC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容器Cst。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极可连接到第一节点N1，第一晶体管T1的第二电极可连接到第六晶体管T6的第一电极。此外，第一晶体管T1的栅电极可连接到第二节点N2。第一晶体管T1可响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从第一像素电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流到第二像素电源ELVSS的电流的量。为了保证快速的驱动速度，第一晶体管T1可由多晶硅晶体管形成。此外，第一晶体管T1可由P型晶体管形成。
第二晶体管T2可连接在第m条数据线Dm和第一节点N1之间。此外，第二晶体管T2的栅电极可连接到第i条第一扫描线S1i。第二晶体管T2可在向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号时导通，以电连接第m条数据线Dm和第一节点N1。
第二晶体管T2可由氧化物半导体晶体管形成。在这种情况下，第二晶体管T2可由N型晶体管形成。当第二晶体管T2由氧化物晶体管形成时，可使第一节点N1和第m条数据线Dm之间流动的非必要电流最小化。
第三晶体管T3可连接在第一晶体管T1的第二电极和第二节点N2之间。另外，第三晶体管T3的栅电极可连接到第i条第一扫描线S1i。第三晶体管T3可在向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号时导通，从而以二极管形式电连接第一晶体管T1。
第三晶体管T3可由氧化物半导体晶体管形成。在这种情况下，第三晶体管T3可由N型晶体管形成。当第三晶体管T3由氧化物半导体晶体管形成时，使从第二节点N2流向第一晶体管T1的第二电极的漏电流最小化，从而显示期望亮度的图像。
第四晶体管T4可连接在第二节点N2和第三像素电源VINT之间。另外，第四晶体管T4的栅电极可连接到第i-1条第一扫描线S1i-1。第四晶体管T4可在向第i-1条第一扫描线S1i-1供应扫描信号时导通，以将第三像素电源VINT的电压供应到第二节点N2。
第四晶体管T4可由氧化物半导体晶体管形成。在这种情况下，第四晶体管T4可由N型晶体管形成。当第四晶体管T4由氧化物半导体晶体管形成时，使从第二节点N2流向第三像素电源VINT的漏电流最小化，从而显示期望亮度的图像。
第五晶体管T5可连接在有机发光二极管OLED的阳电极和第三像素电源VINT之间。此外，第五晶体管T5的栅电极可连接到第i+1条第一扫描线S1i+1。第五晶体管T5可以在向第i+1条第一扫描线S1i+1供应扫描信号时导通，以将第三像素电源VINT的电压供应到有机发光二极管OLED的阳电极。
根据示例性实施例，第五晶体管T5的栅电极可连接到第i-1条第一扫描线S1i-1或第i条第一扫描线S1i。
第五晶体管T5可由氧化物半导体晶体管形成。第五晶体管T5可由N型晶体管形成。当第五晶体管T5由氧化物半导体晶体管形成时，可使发射阶段期间从有机发光二极管OLED的阳电极流向第三像素电源VINT的漏电流最小化。
同时，第三像素电源VINT的电压可设定有比数据信号的电压低的电压。当第三像素电源VINT的电压供应到有机发光二极管OLED的阳电极时，使有机发光二极管OLED的寄生电容器放电。当使有机电容器(Coled)放电时，可以改善像素PXL的黑色表现性能。
第六晶体管T6可连接在第一晶体管T1的第二电极和有机发光二极管OLED的阳电极之间。此外，第六晶体管T6的栅电极可连接到第i条发射控制线Ei。第六晶体管T6可在向第i条发射控制线Ei供应发射控制信号时截止，并且可在不供应发射控制信号时导通。
第六晶体管T6可由多晶硅晶体管形成。第六晶体管T6可由P型晶体管形成。
第七晶体管T7可连接在第一像素电源ELVDD和第一节点N1之间。此外，第七晶体管T7的栅电极可连接到第i条发射控制线Ei。第七晶体管T7可在向第i条发射控制线Ei供应发射控制信号时导通，并且可在不供应发射控制信号时截止。
第七晶体管T7可由多晶硅晶体管形成。第七晶体管T7可由P型晶体管形成。
存储电容器Cst可连接在第一像素电源ELVDD和第二节点N2之间。存储电容器Cst可存储数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。
同时，在本公开的示例性实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5由氧化物半导体晶体管形成，使得能够使漏电流最小化，因此像素PXL可以以正常的亮度发光。
此外，在本公开的示例性实施例中，设置在有机发光二极管OLED的电流供应路径中的晶体管T1、T6和T7可由多晶硅晶体管形成。在这种情况下，通过多晶硅晶体管的高速驱动特性，能够将电流稳定地供应到有机发光二极管OLED。
此外，参照图2描述的像素结构简单地对应于包括氧化物半导体晶体管和多晶硅晶体管的一个示例，使得本发明的像素PXL不限于所述的像素结构。
在本公开中，有机发光二极管OLED可响应于从驱动晶体管供应的电流的量来产生包括红光、绿光或蓝光的各种光，但有机发光二极管OLED不限于此。例如，有机发光二极管OLED可响应于从驱动晶体管供应的电流的量来产生白光。在这种情况下，能够通过使用单独的滤色器等来实现彩色图像。
图3是详细地示出了根据本公开的示例性实施例的扫描驱动器的图。
参照图3，扫描驱动器110可包括多个级电路ST1至STn。
级电路ST1至STn可分别连接到第一扫描线S11至S1n的一端，并且可向第一扫描线S11至S1n供应扫描信号Sd。
此外，级电路ST1至STn中的每个可包括驱动电路单元210和反相器220。
在这种情况下，驱动电路单元210可响应于从时序控制器160供应的时钟信号CLK1和CLK2来输出输出信号So。
此外，驱动电路单元210可接收起始脉冲SP或前一驱动电路单元210的输出信号So。
例如，包括在第一级电路ST1中的驱动电路单元210可接收起始脉冲SP，包括在其余级电路ST2至STn中的驱动电路单元210可接收前一级电路的驱动电路单元210的输出信号So。
根据前述的操作，驱动电路单元210可顺序地输出输出信号So。
反相器220中的每个可使从驱动电路单元210供应的输出信号So反相并可产生扫描信号Sd，并且可将所产生的扫描信号Sd输出到第一扫描线S11至S1n。
图4是示出了根据本公开的示例性实施例的反相器的图。具体地，图4示出了连接到第i条第一扫描线S1i的反相器220的示例。
参照图4，根据本公开的示例性实施例的反相器220可包括互补操作的第一晶体管M1和第二晶体管M2。
在这种情况下，可以对第一晶体管M1和第二晶体管M2的导电类型进行不同地设定，并且在这种情况下，反相器220可以作为CMOS反相器来操作。
第一晶体管M1可连接在共节点Nc和第一驱动电源VGH之间。
此外，第一晶体管M1的栅电极可连接到驱动电路单元210的输出端子211，并且第一晶体管M1可由P型多晶硅晶体管来形成。
第二晶体管M2可连接在共节点Nc和第二驱动电源VGL之间。
此外，第二晶体管M2的栅电极可连接到驱动电路单元210的输出端子211，第二晶体管M2可由N型氧化物半导体晶体管来形成。
在这种情况下，共节点Nc可以与第i条第一扫描线S1i电连接。
此外，第一驱动电源VGH可具有高电平的电压，第二驱动电源VGL可具有低电平的电压。
反相器220可使通过驱动电路单元210的输出端子211供应的输出信号So反相，并可产生扫描信号Sd。
例如，当供应包括低电平的脉冲的输出信号So时，第一晶体管M1可导通，因此，可以将第一驱动电源VGH的高电平电压施加到共节点Nc。
此外，当停止输出信号So的供应时，高电平电压被施加到第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅电极，因此，第二晶体管M2可导通，并且第二驱动电源VGL的低电平电压可被施加到共节点Nc。
因此，输出到共节点Nc的扫描信号Sd可包括高电平脉冲。
如上面所描述的，为了使漏电流最小化，每个像素PXL可包括一个或更多个N型氧化物半导体晶体管。
在这种情况下，为了使N型氧化物半导体晶体管导通，需要包括高电平脉冲的扫描信号。
在本发明的一个示例性实施例中，反相器220分别安装在驱动电路单元210的输出低电平脉冲的输出端子211中，从而易于产生包括高电平脉冲的扫描信号。
此外，本发明的反相器220包括具有小的漏电流的氧化物半导体晶体管M2，从而降低功耗。
同时，氧化物半导体晶体管具有比多晶硅晶体管的迁移率低的迁移率，使得会在第一晶体管M1和第二晶体管M2之间产生特性差异。
因此，为了补偿第一晶体管M1和第二晶体管M2之间的迁移率的差异，第二晶体管M2的沟道宽度可被设定为比第一晶体管M1的沟道宽度大。
此外，第二晶体管M2的沟道长度可被设定为比第一晶体管M1的沟道长度小。
在这种情况下，可以将第一晶体管M1的迁移率与第二晶体管M2的迁移率进行相等地设定，使得反相器220的可靠性可得到改善。
图5是示出了根据本公开的另一示例性实施例的反相器的图。
参照图5，根据本公开的另一示例性实施例的反相器220'具有与图4中所示的反相器220的构造相似的构造，但是第二晶体管M2'可由包括两个栅电极的双栅晶体管来形成。
双栅晶体管可通过在有源层的两侧处设置两个栅电极来形成。在双栅晶体管的情况下，当栅电极的数量增加时，迁移率可以提高。
因此，当第二晶体管M2'由双栅晶体管形成时，能够补偿第一晶体管M1和第二晶体管M2'之间的迁移率差异。
图6是示出了根据本公开的示例性实施例的驱动电路单元的图。为了便于描述，图6示出了包括在第一级电路ST1中的驱动电路单元210a和包括在第二级电路ST2中的驱动电路单元210b。
参照图6，驱动电路单元210a可包括第一驱动电路310、第二驱动电路320和输出单元330。
输出单元330可响应于第一节点N1和第二节点N2的电压来控制供应到输出端子211的电压。为此，输出单元330可包括第五晶体管P5和第六晶体管P6。
第五晶体管P5可连接在输入有第一驱动电源VGH的第四输入端子304和输出端子211之间，并且其栅电极可连接到第一节点N1。第五晶体管P5可响应于施加到第一节点N1的电压来控制第四输入端子304和输出端子211的连接。
第六晶体管P6可连接在输出端子211与第三输入端子303之间，并且其栅电极可连接到第二节点N2。第六晶体管P6可响应于施加到第二节点N2的电压来控制输出端子211和第三输入端子303的连接。
第一驱动电路310可响应于供应到第一输入端子301至第三输入端子303的信号来控制第三节点N3的电压。
为此，第一驱动电路310可包括第二晶体管P2、第三晶体管P3和第四晶体管P4。
第二晶体管P2可连接在第一输入端子301和第三节点N3之间，并且其栅电极可连接到第二输入端子302。第二晶体管P2可响应于供应到第二输入端子302的信号来控制第一输入端子301和第三节点N3的连接。
第三晶体管P3和第四晶体管P4可串联连接在第三节点N3和第四输入端子304之间。在一个示例中，第三晶体管P3可连接在第四晶体管P4和第三节点N3之间，并且其栅电极可连接到第三输入端子303。第三晶体管P3可响应于供应到第三输入端子303的信号来控制第四晶体管P4和第三节点N3的连接。
第四晶体管P4可连接在第三晶体管P3和第四输入端子304之间，并且其栅电极可连接到第一节点N1。第四晶体管P4可响应于施加到第一节点N1的电压来控制第三晶体管P3和第四输入端子304的连接。
第二驱动电路320可响应于第二输入端子302和第三节点N3的电压来控制第一节点N1的电压。为此，第二驱动电路320可包括第一晶体管P1、第七晶体管P7、第八晶体管P8、第一电容器C1和第二电容器C2。
第一电容器C1可连接在第二节点N2和输出端子211之间。第一电容器C1充入与第六晶体管P6的导通和截止对应的电压。
第二电容器C2可连接在第一节点N1和第四输入端子304之间。第二电容器C2可充入施加到第一节点N1的电压。
第七晶体管P7可连接在第一节点N1和第二输入端子302之间，并且其栅电极可连接到第三节点N3。第七晶体管P7可响应于施加到第三节点N3的电压来控制第一节点N1和第二输入端子302的连接。
第八晶体管P8可设置在第一节点N1和供应有第二驱动电源VGL的第五输入端子305之间，并且其栅电极可连接到第二输入端子302。第八晶体管P8可响应于供应到第二输入端子302的信号来控制第一节点N1和第五输入端子305的连接。第一晶体管P1至第八晶体管P8可以具有相同的导电类型。
第一晶体管P1可连接在第三节点N3和第二节点N2之间，并且其栅电极可连接到第五输入端子305。第一晶体管P1在维持导通状态时可维持第三节点N3和第二节点N2的电连接。此外，第一晶体管P1可响应于第二节点N2的电压来限制第三节点N3的电压降宽度。也就是说，即使第二节点N2的电压下降到比第二驱动电源VGL的电压低的电压，第三节点N3的电压也不降低到低于通过从第二驱动电源VGL减去第一晶体管P1的阈值电压而获得的电压。
包括在第二级电路ST2中的驱动电路单元210b可具有与前面提到的驱动电路单元210a的构造相同的构造。
此外，第j(j为奇数或偶数)级电路STj的第二输入端子302可接收第一时钟信号CLK1，并且其第三输入端子303可接收第二时钟信号CLK2。第j+1级电路STj+1的第二输入端子302可接收第二时钟信号CLK2，并且其第三输入端子303可接收第一时钟信号CLK1。
图7是示出了根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的图。
参照图7，根据本公开的另一示例性实施例的显示装置10'具有与图1中所示的显示装置10的构造相似的构造，但显示装置10'还可以包括第二扫描线S21至S2n。
在这种情况下，像素PXL'可与第一扫描线S11至S1n、第二扫描线S21至S2n、发射控制线E1至En和数据线D1至Dm连接。
即，像素PXL'可以以水平线为单位与第一扫描线S11至S1n、第二扫描线S21至S2n和发射控制线E1至En连接。此外，像素PXL'可以以竖直线为单位与数据线D1至Dm连接。
扫描驱动器110可向第一扫描线S11至S1n供应第一扫描信号，并向第二扫描线S21至S2n供应第二扫描信号。
图8是示出了根据本公开的另一示例性实施例的像素的图。
参照图8，根据本公开的另一示例性实施例的像素PXL'与图2中所示的像素PXL相似，但第二晶体管T2'可由P型多晶硅晶体管来形成。
因此，第二晶体管T2'可以不共享第三晶体管T3的控制信号(例如，第一扫描信号)，并且可使用通过单独的第i条第二扫描线S2i供应的控制信号(例如，第二扫描信号)。
第二晶体管T2'的栅电极可连接到第i条第二扫描线S2i。第二晶体管T2'可在向第i条第二扫描线S2i供应第二扫描信号时导通，以电连接第m条数据线Dm和第一节点N1。
图9是示出了根据本公开的另一示例性实施例的扫描驱动器的图。
参照图9，级电路ST1至STn的驱动电路单元210可分别连接到第二扫描线S21至S2n。
因此，从驱动电路单元210输出的输出信号So可用作如前所述的第二扫描信号。
因此，扫描驱动器110'可分别向第一扫描线S11至S1n和第二扫描线S21至S2n输出第一扫描信号Sd和第二扫描信号So。
在这种情况下，不必安装用于产生第二扫描信号的单独的扫描驱动器，使得能够减少显示装置10'的无效空间和制造成本。
虽然这里已经描述了特定示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是所给出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (20)

1.一种扫描驱动器，所述扫描驱动器包括：
多个级电路，其中，所述多个级电路中的每个包括提供输出信号的驱动电路单元以及使所述输出信号反相并产生扫描信号的反相器，
其中：
所述反相器包括第一晶体管和第二晶体管，
所述第一晶体管和所述第二晶体管被构造为互补操作，
所述第一晶体管是P型多晶硅晶体管，并且
所述第二晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
2.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中：
所述第一晶体管连接在共节点和第一驱动电源之间，
所述第二晶体管连接在所述共节点和第二驱动电源之间，并且
所述共节点与扫描线电连接以输出所述扫描信号。
3.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中，所述第二晶体管的沟道宽度比所述第一晶体管的沟道宽度大。
4.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中，所述第二晶体管的沟道长度比所述第一晶体管的沟道长度小。
5.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中，所述第二晶体管为包括两个栅电极的双栅晶体管。
6.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中：
所述输出信号包括低电平脉冲，并且
所述扫描信号包括高电平脉冲。
7.根据权利要求1所述的扫描驱动器，其中：
所述驱动电路单元包括多个晶体管，并且
所述多个晶体管具有相同的导电类型。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素、多条第一扫描线和多条数据线，其中，所述多个像素与所述多条第一扫描线和所述多条数据线连接；
扫描驱动器，其中，所述扫描驱动器包括向所述多条第一扫描线供应多个扫描信号的多个级电路；以及
数据驱动器，被构造为向所述多条数据线供应多个数据信号，
其中，所述多个级电路中的每个包括：驱动电路单元，被构造为提供输出信号；以及反相器，被构造为使所述输出信号反相并产生所述多个扫描信号中的一个扫描信号，
其中：
所述反相器包括第一晶体管和第二晶体管，
所述第一晶体管和所述第二晶体管被构造为互补操作，
所述第一晶体管是P型多晶硅晶体管，并且
所述第二晶体管是N型氧化物半导体晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括共节点、第一驱动电源和第二驱动电源，其中，对于每个级电路：
所述第一晶体管连接在所述共节点和所述第一驱动电源之间，
所述第二晶体管连接在所述共节点和所述第二驱动电源之间，并且
所述共节点与所述多条第一扫描线中的一条第一扫描线电连接，以输出所述多个扫描信号中的一个扫描信号。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的沟道宽度比所述第一晶体管的沟道宽度大。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的沟道长度比所述第一晶体管的沟道长度小。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二晶体管为包括两个栅电极的双栅晶体管。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其中：
所述驱动电路单元包括多个晶体管，并且
所述多个晶体管具有相同的导电类型。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中：
所述多个像素中的每个包括一个或更多个多晶硅晶体管和一个或更多个氧化物半导体晶体管，并且
所述一个或更多个氧化物半导体晶体管中的每个通过所述多条第一扫描线中的一条第一扫描线来接收所述多个扫描信号中的一个扫描信号。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中：
所述一个或更多个多晶硅晶体管为P型晶体管，并且
所述一个或更多个氧化物半导体晶体管为N型晶体管。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中：
所述输出信号包括低电平脉冲，并且
所述多个扫描信号中的每个扫描信号包括高电平脉冲。
17.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多条第二扫描线，与所述多个像素连接，并且
其中，所述多个驱动电路单元向所述多条第二扫描线供应所述多个输出信号。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：
所述多个像素中的每个包括一个或更多个多晶硅晶体管和一个或更多个氧化物半导体晶体管；
所述一个或更多个多晶硅晶体管中的每个通过所述多条第二扫描线中的一条第二扫描线接收所述输出信号，以及
所述一个或更多个氧化物半导体晶体管中的每个通过所述多条第一扫描线中的一条第一扫描线接收所述多个扫描信号中的一个扫描信号。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中：
所述输出信号包括低电平脉冲，并且
所述多个扫描信号中的每个包括高电平脉冲。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中：
所述一个或更多个多晶硅晶体管为P型晶体管，并且
所述一个或更多个氧化物半导体晶体管为N型晶体管。
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