JP2022043138A - 有機電界発光表示装置の画素 - Google Patents

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Ji-Hyun Ka
漢 成 ▲裴▼
Han Sung Bae
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Won-Kyu Kwak
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Abstract

【課題】本発明は、所望する輝度の映像を表示することができるようにした画素に関する。【解決手段】実施例では、有機発光ダイオードと、ゲート電極である第１ノードの電圧に応じて駆動電流の供給経路を流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、第１ノードと第１トランジスタの第１電極との間に接続され、第１走査線に第１走査信号が供給されるときにターンオンされる第２トランジスタと、第１ノードに接続されるストレージキャパシタと、データ線と第２ノードの間に接続され、第２走査線に第２走査信号が供給されるときにターンオンされる第３トランジスタと、第２ノードに接続され、第１発光制御線に第１発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第４トランジスタと、を備え、前記第１トランジスタのゲート電極には酸化物半導体薄膜トランジスタが接続され、駆動電流の供給経路中にはＬＴＰＳ薄膜トランジスタが配置される。【選択図】図９

Description

本発明の実施例は、画素及びステージ回路並びにこれを有する有機電界発光表示装置に
関し、特には所望する輝度の映像を表示できるようにした画素、及びステージ回路、並び
にこれを有する有機電界発光表示装置に関する。
情報化技術が発達するにつれて、ユーザーと情報の間の連結媒体である表示装置の重要
性が浮き彫りになっている。これに応じて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉ
ｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）などの表示装置（Ｄｉｓｐ
ｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）の使用が増えている。
表示装置のうち有機電界発光表示装置は、電子と正孔の再結合により光を発生させる有
機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用
いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有するととも
に低い消費電力で駆動されるメリットがある。
有機電界発光表示装置は、データ線及び走査線に接続される画素を備える。通常、画素
は有機発光ダイオード、及び有機発光ダイオードに流れる電流の量を制御するための駆動
トランジスタを含む。駆動トランジスタは、データ信号に応じて、第１駆動電源から有機
発光ダイオードを経由して第２駆動電源に流れる電流の量を制御する。このとき、有機発
光ダイオードは、駆動トランジスタからの電流の量に応じて所定輝度の光を生成する。
最近では、第２駆動電源の電圧を低く設定して高輝度を実現する方法や、有機電界発光
表示装置を低周波で駆動して消費電力を最小化する方法が用いられている。しかし、第２
駆動電源を低く設定したり、有機電界発光表示装置が低周波で駆動されると、駆動トラン
ジスタのゲート電極から所定のリーク電流が発生する。この場合、データ信号の電圧が一
フレームの間保持されず、これにより、所望する輝度の映像が表示されない。
韓国特許第10-1101070号公報
したがって、本発明は、リーク電流を最小化して所望する輝度の映像を表示できるよう
にした画素及びステージ回路並びにこれを有する有機電界発光表示装置を提供するもので
ある。
本発明の実施例による画素は、有機発光ダイオードと、第１電極が第１ノードに接続さ
れるとともに、第２電極が上記有機発光ダイオードのアノード電極に接続され、上記第１
ノードに接続された第１駆動電源から上記有機発光ダイオードを経由して第２駆動電源に
流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、データ線と上記第１ノードの間に
接続され、ｉ（ｉは自然数）番目の第１走査線に走査信号が供給されるときにターンオン
される第２トランジスタと、上記第１トランジスタのゲート電極と第２電極の間に接続さ
れ、ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第３トランジス
タと、上記第１トランジスタのゲート電極と初期化電源の間に接続され、ｉ番目の第３走
査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第４トランジスタと、を備え、上記
第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、上記第３トランジスタ及
び上記第４トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定される。
また、上記第２トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定される。
また、上記第２トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定される。
また、上記ｉ番目の第１走査線と上記ｉ番目の第２走査線は同じ走査線である。
また、上記初期化電源と上記有機発光ダイオードのアノード電極の間に接続され、上記
第ｉ番目の第１走査線に走査信号が供給されるときターンオンされる第５トランジスタを
さらに備え、上記第５トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定される。
また、上記初期化電源と、上記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、
上記第ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジ
スタをさらに備え、上記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定さ
れる。
また、上記第１トランジスタの第２電極と、上記有機発光ダイオードのアノード電極と
の間に接続されるとともに、発光制御線に発光制御信号が供給されるときにターンオフさ
れる第６トランジスタと、上記第１ノードと上記第１駆動電源の間に接続され、上記発光
制御信号が供給されるときにターンオフされる第７トランジスタをさらに備え、上記第６
トランジスタ及び上記第７トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定される
。
本発明による他の実施例による画素は、有機発光ダイオードと、第１ノードの電圧に応
じて、第１電極に接続された第１駆動電源から上記有機発光ダイオードを経由して第２駆
動電源に流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、上記第１ノードと上記第
１トランジスタの第２電極との間に接続され、ｉ番目の第１走査線に走査信号が供給され
るときにターンオンされる第２トランジスタと、上記第１ノードと第２ノードの間に接続
されるストレージキャパシタと、データ線と上記第２ノードの間に接続され、ｉ番目の第
２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第３トランジスタと、上記第２
ノードと初期化電源の間に接続され、反転発光制御線に反転発光制御信号が供給されると
きにターンオフされる第４トランジスタと、を備え、上記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰ
Ｓ薄膜トランジスタに設定され、上記第３トランジスタ及び上記第４トランジスタは、Ｎ
型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定される。
また、上記第２トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定される。
また、上記第２トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定される。
また、上記ｉ番目の第１走査線と上記ｉ番目の第２走査線は同じ走査線である。
また、上記初期化電源と上記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、上
記第ｉ番目の第１走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジス
タをさらに備え、上記第５トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定される。
また、上記初期化電源と上記有機発光ダイオードのアノード電極の間に接続され、上記
第ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときターンオンされる第５トランジスタを
さらに備え、上記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定される。
また、上記第１トランジスタの第２電極と上記有機発光ダイオードのアノード電極の間
に接続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第６トラン
ジスタをさらに備え、上記第６トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され
、上記発光制御信号と上記反転発光制御信号は互いに反転された信号に設定される。
本発明の実施例によるステージ回路は、第１電源と上記第１電源より低い電圧に設定さ
れる第２電源との間に、直列に接続される第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３ト
ランジスタ、及び第４トランジスタと、上記第１電源と上記第２電源の間に、直列に接続
される第５トランジスタ、第６トランジスタ、第７トランジスタ、及び第８トランジスタ
と、上記第１電源と上記第２電源の間に、直列に接続される第９トランジスタ及び第１０
トランジスタと、を備え、上記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定
され、ゲート電極に前段ステージの出力信号またはスタートパルスの供給を受け、上記第
２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に第１クロッ
ク信号の供給を受け、上記第３トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設
定され、ゲート電極に上記第１クロック信号と同じ周期を有し、反転された位相を有する
第２クロック信号の供給を受け、上記第４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トラン
ジスタに設定され、ゲート電極に上記前段ステージの出力信号または上記スタートパルス
の供給を受け、上記第５トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲ
ート電極が出力端子と接続され、上記第６トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジス
タに設定され、ゲート電極に上記第２クロック信号の供給を受け、上記第７トランジスタ
は、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に第１クロック信号の供
給を受け、上記第８トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲ
ート電極が上記出力端子と接続され、上記第９トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トラン
ジスタに設定され、ゲート電極が第１ノードと接続され、上記第１０トランジスタは、Ｎ
型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が上記第１ノードと接続され、
上記第２トランジスタ及び上記第３トランジスタの共通ノード、及び、上記第６トランジ
スタ及び上記第７トランジスタの共通ノードは、上記第１ノードと電気的に接続される。
本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、走査線、発光制御線、及びデータ線と
接続されるように位置する画素と、上記走査線及び上記発光制御線を駆動するための走査
駆動部と、上記データ線を駆動するためのデータ駆動部と、を備え、上記画素のうちｉ（
ｉは自然数）番目の水平ラインに位置した少なくとも１つの画素は、有機発光ダイオード
と、第１電極が第１ノードに接続され、第２電極が上記有機発光ダイオードのアノード電
極に接続されるとともに、上記第１ノードに接続された第１駆動電源から上記有機発光ダ
イオードを経由して第２駆動電源に流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと
、データ線と上記第１ノードの間に接続され、ｉ番目の第１走査線に走査信号が供給され
るときターンオンされる第２トランジスタと、上記第１トランジスタのゲート電極と第２
電極の間に接続され、ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされ
る第３トランジスタと、上記第１トランジスタのゲート電極と初期化電源の間に接続され
、ｉ番目の第３走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第４トランジスタ
と、を備え、上記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、上記第
３トランジスタ及び上記第４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定
される。
また、上記画素は、上記初期化電源と上記有機発光ダイオードのアノード電極との間に
接続され、上記第ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第
５トランジスタをさらに備え、上記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジス
タに設定される。
また、上記画素は、上記第１トランジスタの第２電極と上記有機発光ダイオードのアノ
ード電極との間に接続され、ｉ番目の発光制御線に発光制御信号が供給されるときターン
オフされる第６トランジスタと、上記第１ノードと上記第１駆動電源の間に接続され、上
記発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第７トランジスタをさらに備え、上
記第６トランジスタ及び上記第７トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定
される。
また、上記走査駆動部は、上記走査線、発光制御線を駆動するためのステージ回路を備
え、上記ステージ回路のうち少なくとも１つは、第１電源と上記第１電源より低い電圧に
設定される第２電源との間に、直列に接続される第１１トランジスタ、第１２トランジス
タ、第１３トランジスタ、及び第１４トランジスタと、上記第１電源と上記第２電源の間
に、直列に接続される第１５トランジスタ、第１６トランジスタ、第１７トランジスタ、
及び第１８トランジスタと、上記第１電源と上記第２電源の間に、直列に接続される第１
９トランジスタ及び第２０トランジスタと、を備え、上記第１１トランジスタは、Ｐ型Ｌ
ＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に前段ステージの出力信号またはスター
トパルスの供給を受け、上記第１２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設
定され、ゲート電極に第１クロック信号の供給を受け、上記第１３トランジスタは、Ｎ型
酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に上記第１クロック信号と同じ周
期を有し、反転された位相を有する第２クロック信号の供給を受け、上記第１４トランジ
スタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に上記前段ステージ
の出力信号または上記スタートパルスの供給を受け、上記第１５トランジスタは、Ｐ型Ｌ
ＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が出力端子と接続され、上記第１６トラ
ンジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に上記第２クロック
信号の供給を受け、上記第１７トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設
定され、ゲート電極に第１クロック信号の供給を受け、上記第１８トランジスタは、Ｎ型
酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が上記出力端子と接続され、上記
第１９トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が第１ノ
ードと接続され、上記第２０トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定さ
れ、ゲート電極が上記第１ノードと接続され、上記第１２トランジスタ及び上記第１３ト
ランジスタの共通ノード、及び、上記第１６トランジスタ及び上記第１７トランジスタの
共通ノードは、上記第１ノードと電気的に接続される。
本発明の実施例によれば、画素は、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びＬＴＰＳ薄膜ト
ランジスタを含む。ここで、オフ特性の良い酸化物半導体薄膜トランジスタは、電流のリ
ーク経路に位置することで、リーク電流を最小化して所望する輝度の映像を表示すること
ができる。
また、駆動特性の良いＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、有機発光ダイオードに電流を供給
する電流供給経路に位置する。この場合、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタの速い駆動特性によ
って安定的に有機発光ダイオードに電流を供給することができる。
また、本発明の実施例によれば、ステージの回路は、酸化物半導体薄膜トランジスタ及
びＬＴＰＳ薄膜トランジスタを含む。この場合、ステージ回路はリーク電流が最小化する
とともに速い駆動速度を有することができる。
本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す図である。 本発明の実施例による画素を示す図である。 図２に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。 図２に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。 本発明の他の実施例による画素を示す図である。 本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。 図５に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。 本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。 図７に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。 本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。 図９に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。 本発明の実施例によるステージ回路を示す図である。
以下では、添付の図面を参照して本発明の実施例及びその他に当業者が本発明の内容を
容易に理解するために必要な事項について詳細に記載する。ただし、本発明は、請求の範
囲に記載の範囲内で様々な異なる形態で実現されることができるため、以下に説明する実
施例は、表現有無に関わらず、例示的なものに過ぎない。
即ち、本発明は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形
態で実現されてもよく、以下の説明において、ある部分が他の部分と接続されているとい
うときは、直接接続されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで電気的に接
続されている場合も含む。また、図面における同じ構成要素に対しては、たとえ他の図面
上に示されているとしても、できる限り同じ参照番号及び符号で示していることに留意す
べきである。
図１は、本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す図である。
図１を参照すると、本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１１～Ｓ
１ｎ、Ｓ２１～Ｓ２ｎ、Ｓ３１～Ｓ３ｎ、発光制御線Ｅ１～Ｅｎ、及びデータ線Ｄ１～Ｄ
ｍと接続されるように位置する画素１４０と、走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎ、Ｓ２１～Ｓ２ｎ、
Ｓ３１～Ｓ３ｎ及び発光制御線Ｅ１～Ｅｎを駆動するための走査駆動部１１０と、データ
線Ｄ１～Ｄｍを駆動するためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０及びデータ駆動
部１２０を制御するためのタイミング制御部１５０と、を備える。
タイミング制御部１５０は、外部から供給される同期信号に応じて、データ駆動制御信
号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部１５０で生成された
データ駆動制御信号ＤＣＳはデータ駆動部１２０に供給され、走査駆動制御信号ＳＣＳは
走査駆動部１１０に供給される。そして、タイミング制御部１５０は、外部から供給され
るデータＤａｔａを、再整列してデータ駆動部１２０に供給する。
走査駆動制御信号ＳＣＳにはスタートパルス及びクロック信号が含まれる。スタートパ
ルスは、走査信号及び発光制御信号の最初のタイミングを制御する。クロック信号はスタ
ートパルスをシフトさせるために使用される。
データ駆動制御信号ＤＣＳには、ソーススタートパルス及びクロック信号が含まれる。
ソーススタートパルスは、データのサンプリングの開始時点を制御する。クロック信号は
、サンプリング動作を制御するために使用される。
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受
ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は、第１走査線Ｓ１１～
Ｓ１ｎ、第２走査線Ｓ２１～Ｓ２ｎ、及び第３走査線Ｓ３１～Ｓ３ｎに、走査信号を供給
する。例えば、走査駆動部１１０は、第１走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎに第１走査信号を順に供
給し、第２走査線Ｓ２１～Ｓ２ｎに第２走査信号を順に供給し、第３走査線Ｓ３１～Ｓ３
ｎに第３走査信号を順に供給するのであってもよい。第１走査信号、第２走査信号及び第
３走査信号が順に供給されると、画素１４０が、水平ライン単位で選択される。
走査駆動部１１０は、第ｉ（ｉは自然数）番目の第１走査線Ｓ１ｉに供給される第１走
査信号と時間的に重なるように、第ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに、第２走査信号を供給す
る。ここで、第１走査信号及び第２走査信号は、互いに反対の極性の信号に設定されても
よい。例えば、第１走査信号はロー電圧に設定され、第２走査信号はハイ電圧に設定され
ることができる。また、走査駆動部１１０は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに供給される第
２走査信号より先に、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号を供給する。ここで、第
３走査信号はハイ電圧に設定される。このようなｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉは、ｉ－１番
目の第２走査線Ｓ２ｉ－１で代替しうる。
また、第１走査信号、第２走査信号、及び第３走査信号はゲートオン電圧に設定される
。この場合、画素１４０に含まれ、第１走査信号の供給を受けるトランジスタは、第１走
査信号が供給されるときに、ターンオン状態に設定される。同様に、画素１４０に含まれ
、第２走査信号の供給を受けるトランジスタは、第２走査信号が供給されるときに、ター
ンオン状態に設定される。また、画素１４０に含まれ、第３走査信号の供給を受けるトラ
ンジスタは、第３走査信号が供給されるときに、ターンオン状態に設定される。
走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は、発光制御線Ｅ１～Ｅｎに
発光制御信号を供給する。例えば、走査駆動部１１０は、発光制御線Ｅ１～Ｅｎに、発光
制御信号を順に供給することができる。このような発光制御信号は、画素１４０の発光時
間を制御するために使用される。このため、発光制御信号のパルスは、走査信号のパルス
より広い幅に設定されてもよい。例えば、走査駆動部１１０は、ｉ番目の発光制御線Ｅｉ
に供給される発光制御信号と時間的に重なるように、ｉ－１番目の第１走査線Ｓ１ｉ－１
及びｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに走査信号を供給してもよい。特には、発光制御線信号の
パルスの開始後に、ｉ－１番目の第１走査線Ｓ１ｉ－１に走査信号のパルスを供給し、さ
らにｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉへの走査信号のパルスが終了した後に、発光制御線信号の
パルスが終了するようにすることができる。
走査駆動部１１０は薄膜成膜工程により基板に実装されてもよい。また、走査駆動部１
１０は、画素部１３０を挟んで両側に位置してもよい。
また、図１には、走査駆動部１１０が走査信号及び発光制御信号を供給するものとして
示されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、走査信号及び発光制御信号は、
それぞれ相異なる駆動部によって供給されてもよい。
また、発光制御信号は、画素１４０に含まれたトランジスタをターンオフできるゲート
オフ電圧（例えば、ハイ電圧）に設定されてもよい。この場合、画素１４０に含まれてお
り発光制御信号の供給を受けるトランジスタは、発光制御信号が供給されるときにターン
オフされ、それ以外のときにはターンオン状態になるように設定される。
データ駆動部１２０は、データ駆動制御信号ＤＣＳに応じて、データ線Ｄ１～Ｄｍにデ
ータ信号を供給する。データ線Ｄ１～Ｄｍに供給されたデータ信号は、第１走査信号（ま
たは第２走査信号）によって選択された画素１４０に供給される。このため、データ駆動
部１２０は、第１走査信号（または第２走査信号）と同期するようにしてデータ線Ｄ１～
Ｄｍにデータ信号を供給することができる。
画素部１３０に備えられる画素１４０は、いずれも、走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎ、Ｓ２１～
Ｓ２ｎ、Ｓ３１～Ｓ３ｎ、発光制御線Ｅ１～Ｅｎ、及びデータ線Ｄ１～Ｄｍと接続される
。各画素１４０は、外部から、第１駆動電源ＥＬＶＤＤ、第２駆動電源ＥＬＶＳＳ、及び
初期化電源Ｖｉｎｔの供給を受ける。
画素１４０のそれぞれは、図１には示さない駆動トランジスタ及び有機発光ダイオード
を備える。駆動トランジスタは、データ信号に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機
発光ダイオードを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流の量を制御する。ここで
、データ信号が供給される前に、駆動トランジスタのゲート電極は、初期化電源Ｖｉｎｔ
の電圧によって初期化されてもよい。
一方、図１には、それぞれｎ個の走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎ、Ｓ２１～Ｓ２ｎ、Ｓ３１～Ｓ
３ｎ及びｎ個の発光制御線Ｅ１～Ｅｎが示されているが、本発明はこれに限定されない。
例えば、画素１４０の回路構造に応じて、現在の水平ライン（自段）に位置した画素は、
これより前の水平ライン（前段またはさらに前の段）に位置した走査線と、さらに接続さ
れてもよい。このため、画素部１３０には、不図示のダミー走査線及び／またはダミー発
光制御線がさらに形成されてもよい。
また、図１には、第１走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎ、第２走査線Ｓ２１～Ｓ２ｎ、及び第３走
査線Ｓ３１～Ｓ３ｎが示されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、画素１４
０の回路構造に応じて、(i)第１走査線Ｓ１１～Ｓ１ｎ、(ii)第２走査線Ｓ２１～Ｓ２ｎ
、及び(iii)第３走査線Ｓ３１～Ｓ３ｎの３種のうちの、何れか一種のみ、または何れか
２種のみが含まれてもよい。
さらに、図１には、発光制御線Ｅ１～Ｅｎが示されているが、本発明はこれに限定され
ない。例えば、画素１４０の回路構造に応じて、不図示の反転発光制御線がさらに形成さ
れてもよい。反転発光制御線は、発光制御信号を反転した反転発光制御信号の供給を受け
ることができる。
図２は本発明の実施例による画素を示す図である。図２では、説明の便宜のため、ｉ番
目の水平ラインに位置し、第ｍデータ線Ｄｍと接続された画素を図示する。
図２を参照すると、本発明の実施例による画素１４０は、酸化物半導体薄膜トランジス
タ及びＬＴＰＳ（低温ポリシリコン；Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタを含む。
酸化物半導体薄膜トランジスタはゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む。
酸化物半導体薄膜トランジスタは、酸化物半導体で形成されたアクティブ層を備える。こ
こで、酸化物半導体は、非晶質または結晶の酸化物の半導体であってもよい。酸化物半導
体薄膜トランジスタはＮ型トランジスタからなっている。
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む。ＬＴ
ＰＳ薄膜トランジスタは、ポリシリコンで形成されたアクティブ層を備える。このような
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、Ｐ型薄膜トランジスタまたはＮ型薄膜トランジスタからな
ってもよい。本発明の実施例では、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタがＰ型トランジスタからな
っていると仮定する。
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタは、高い電子移動度を有するため、速い駆動特性を有する。
酸化物半導体薄膜トランジスタは低温工程が可能で、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに比べ
て低い電荷移動度を有する。このような酸化物半導体薄膜トランジスタは、オフ電流特性
に優れる。
本発明の実施例による画素１４０は、画素回路１４２及び有機発光ダイオードＯＬＥＤ
を備える。
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、アノード電極が画素回路１４２に接続され、カソード
電極が第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは
、画素回路１４２から供給される電流の量に応じて、所定輝度の光を生成する。
画素回路１４２は、データ信号に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流の量を制御する。このため
、画素回路１４２は、第１トランジスタ（駆動トランジスタ）Ｍ１（Ｌ）、第２トランジ
スタＭ２（Ｌ）、第３トランジスタＭ３（Ｏ）、第４トランジスタＭ４（Ｏ）、第５トラ
ンジスタＭ５（Ｌ）、第６トランジスタＭ６（Ｌ）、第７トランジスタＭ７（Ｌ）、及び
ストレージキャパシタＣｓｔを備える。図２及びその他の回路図、及び本段落以降の説明
において、薄膜トランジスタを示す参照符号に「（Ｌ）」または「（Ｏ）」が含まれてい
る。これは、好ましい一典型例において、「（Ｌ）」を参照符号に含む薄膜トランジスタ
がＬＴＰＳ薄膜トランジスタであること、及び、「（Ｏ）」参照符号に含む薄膜トランジ
スタがＬＴＰＳ薄膜トランジスタであることを示す。但し、以下に説明するように、各画
素における、少なくとも一つの薄膜トランジスタについて、種別を、典型例のものから変
更可能である。
第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第１電極が第１ノードＮ１に接続され、第２電極が第
６トランジスタＭ６（Ｌ）の第１電極に接続される。また、第１トランジスタＭ１（Ｌ）
のゲート電極は第２ノードＮ２に接続される。この第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、スト
レージキャパシタＣｓｔに保存された電圧に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発
光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに供給される電流の量を制御す
る。速い駆動速度を確保するために、第１トランジスタＭ１（Ｌ）はＬＴＰＳ薄膜トラン
ジスタで形成される。第１トランジスタＭ１（Ｌ）はＰ型トランジスタで形成される。
第２トランジスタＭ２（Ｌ）は、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１の間に接続される。ま
た、第２トランジスタＭ２（Ｌ）のゲート電極は、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに接続され
る。この第２トランジスタＭ２（Ｌ）は、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供
給されるときにターンオンされ、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１を電気的に接続させる。
第２トランジスタＭ２（Ｌ）はＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成されてもよい。第２トラ
ンジスタＭ２（Ｌ）はＰ型トランジスタで形成される。
第３トランジスタＭ３（Ｏ）は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第２電極と、第２ノー
ドＮ２との間に接続される。また、第３トランジスタＭ３（Ｏ）のゲート電極は、ｉ番目
の第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第３トランジスタＭ３（Ｏ）は、ｉ番目の第２走
査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるときにターンオンされて、第１トランジスタＭ１
（Ｌ）をダイオードの形態に接続させる。
第３トランジスタＭ３（Ｏ）は酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。また、こ
のことと関連して、第１トランジスタＭ１（Ｌ）及び第２トランジスタＭ２（Ｌ）がＰ型
トランジスタで形成される本実施形態において、第３トランジスタＭ３（Ｏ）はＮ型トラ
ンジスタで形成される。第３トランジスタＭ３（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで
形成されると、第２ノードＮ２から第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第２電極の側に流れ出
るリーク電流が最小化されるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
第４トランジスタＭ４（Ｏ）は、第２ノードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔの間に接続され
る。また、第４トランジスタＭ４（Ｏ）のゲート電極は、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉに接
続される。この第４トランジスタＭ４（Ｏ）は、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信
号が供給されるときにターンオンされて、第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧を
供給する。
第４トランジスタＭ４（Ｏ）は酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。また、こ
のことと関連して、本実施形態において、第４トランジスタＭ４（Ｏ）はＮ型トランジス
タで形成される。第４トランジスタＭ４（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成さ
れると、第２ノードＮ２から初期化電源Ｖｉｎｔに流れるリーク電流が最小化されるため
、所望する輝度の映像を表示することができる。
第５トランジスタＭ５（Ｌ）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極と、初期
化電源Ｖｉｎｔとの間に接続される。また、第５トランジスタＭ５（Ｌ）のゲート電極は
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに接続される。この第５トランジスタＭ５（Ｌ）は、ｉ番目の
第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されるときにターンオンされて、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤのアノード電極に、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧を供給する。第５トランジス
タＭ５（Ｌ）はＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成されてもよい。第５トランジスタＭ５（
Ｌ）はＰ型トランジスタで形成される。
一方、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧は、データ信号より低い電圧に設定されてもよい。初
期化電源Ｖｉｎｔの電圧が、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に供給されると
、有機発光ダイオードＯＬＥＤの寄生キャパシタ（以下、「有機キャパシタＣｏｌｅｄ」
とする）が放電される。有機キャパシタＣｏｌｅｄが放電されると、画素１４０のブラッ
ク表現能力が向上する。
詳しく説明すると、有機キャパシタＣｏｌｅｄは、現在のフレームより前のフレーム期
間にて画素回路１４２から供給される電流に応じて、所定の電圧を保存する。有機キャパ
シタＣｏｌｅｄに所定の電圧が保存されると、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、低い電流
でも容易に発光しうる。
一方、現在のフレーム期間にて、画素回路１４２にブラックデータ信号が供給されうる
。ブラックデータ信号が供給されると、理想的には、画素回路１４２は有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤに電流を供給してはならない。しかし、ブラックデータ信号が供給されても、
第１トランジスタＭ１（Ｌ）から所定のリーク電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給
されることがある。このとき、有機キャパシタＣｏｌｅｄに電荷及び電圧が保存された状
態であれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤは微細に発光することがあり、これにより、ブ
ラック表現能力が低下する。
しかし、本発明のように、初期化電源Ｖｉｎｔによって有機キャパシタＣｏｌｅｄが放
電された状態であると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）からリーク電流が供給されても、有
機発光ダイオードＯＬＥＤは非発光状態に設定される。即ち、第１トランジスタＭ１（Ｌ
）からのリーク電流は、有機キャパシタＣｏｌｅｄを先に充電するため、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤは、非発光状態を保持することができる。
第６トランジスタＭ６（Ｌ）は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）の第２電極と、有機発光
ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に接続される。また、第６トランジスタＭ６（
Ｌ）のゲート電極は発光制御線Ｅｉに接続される。この第６トランジスタＭ６（Ｌ）は、
発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されるときにターンオフされ、発光制御信号が供給
されないときにはターンオンされたままとなっている。第６トランジスタＭ６（Ｌ）は、
ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成されてもよい。第６トランジスタＭ６（Ｌ）はＰ型トラ
ンジスタで形成される。
第７トランジスタＭ７（Ｌ）は、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１ノードＮ１の間に接続
される。また、第７トランジスタＭ７（Ｌ）のゲート電極は発光制御線Ｅｉに接続される
。この第７トランジスタＭ７（Ｌ）は、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されるとき
にターンオフされ、発光制御信号が供給されないときにはターンオンされたままとなって
いる。第７トランジスタＭ７（Ｌ）はＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成されてもよい。第
７トランジスタＭ７（Ｌ）はＰ型トランジスタで形成される。
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＮ２の間に接続
される。このストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号及び第１トランジスタＭ１（Ｌ
）のしきい値電圧に対応する電圧を保存する。
一方、上述した本発明の実施例では、第２ノードＮ２と接続された第３トランジスタＭ
３（Ｏ）及び第４トランジスタＭ４（Ｏ）を酸化物半導体薄膜トランジスタで形成する。
このように、第３トランジスタＭ３（Ｏ）及び第４トランジスタＭ４（Ｏ）が酸化物半導
体薄膜トランジスタで形成されると、第２ノードＮ２からのリーク電流が最小化されるた
め、所望する輝度の映像を表示することができる。
また、上述した本発明の実施例では、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するた
めの電流供給経路に位置したトランジスタＭ７（Ｌ）、Ｍ１（Ｌ）、Ｍ６（Ｌ）を、ＬＴ
ＰＳ薄膜トランジスタで形成する。このように電流供給経路に位置したトランジスタＭ７
（Ｌ）、Ｍ１（Ｌ）、Ｍ６（Ｌ）をＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成すると、速い駆動特
性によって、安定的に有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給することができる。
図３ａは、図２に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。
図３ａを参照すると、まず、発光制御線Ｅｉに発光制御信号（ハイ電圧）が供給され、
これにより、Ｐ型で形成された第６トランジスタＭ６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（
Ｌ）がターンオフされる。第６トランジスタＭ６（Ｌ）がターンオフされると、第１トラ
ンジスタＭ１（Ｌ）と有機発光ダイオードＯＬＥＤの電気的接続が遮断される。第７トラ
ンジスタＭ７（Ｌ）がターンオフされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１ノードＮ１の
電気的接続が遮断される。したがって、発光制御信号が供給される期間中、画素１４０は
非発光状態に設定される。
その後、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉに、第３走査信号（ハイ電圧）が供給される。ｉ番
目の第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号が供給されると、Ｎ型で形成された第４トランジス
タＭ４（Ｏ）がターンオンされる。第４トランジスタＭ４（Ｏ）がターンオンされると、
初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が、第２ノードＮ２に供給される。
第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給された後、ｉ番目の第１走査線Ｓ１
ｉに第１走査信号（ロー電圧）が供給され、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号（
ハイ電圧）が供給される。
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されると、Ｐ型で形成された第２トラ
ンジスタＭ２（Ｌ）及び第５トランジスタＭ５（Ｌ）がターンオンされる。
第５トランジスタＭ５（Ｌ）がターンオンされると、有機発光ダイオードＯＬＥＤのア
ノード電極に、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。有機発光ダイオードＯＬＥＤの
アノード電極に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給されると、有機キャパシタＣｏｌｅｄが
放電される。
第２トランジスタＭ２（Ｌ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が
電気的に接続される。そうすると、データ線Ｄｍからのデータ信号が第１ノードＮ１に供
給される。
ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、Ｎ型で形成された第３トラ
ンジスタＭ３（Ｏ）がターンオンされる。第３トランジスタＭ３（Ｏ）がターンオンされ
ると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がダイオードの形態に接続される。すると、第２ノー
ドＮ２が、データ信号より低い初期化電源Ｖｉｎｔの電圧に初期化されていたため、第１
トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされる。
第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされると、第１ノードＮ１に供給されたデー
タ信号が、ダイオードの形態に接続された第１トランジスタＭ１（Ｌ）を経由して、第２
ノードＮ２に供給される。このとき、第２ノードＮ２は、データ信号及び第１トランジス
タＭ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧に設定される。ストレージキャパシタＣｓｔ
は、第２ノードＮ２に印加された電圧を保存する。
ストレージキャパシタＣｓｔに第２ノードＮ２の電圧が保存された後、発光制御線Ｅｉ
への発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断さ
れると、第６トランジスタＭ６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターンオンされ
る。
第６トランジスタＭ６（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）と有
機発光ダイオードＯＬＥＤが電気的に接続される。第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターン
オンされると、第１駆動電源ＥＬＶＤＤと第１ノードＮ１が電気的に接続される。このよ
うに電気的に接続されたとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）は、第２ノードＮ２の電圧に
応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電
源ＥＬＶＳＳに流れる電流の量を制御する。
一方、第２ノードＮ２は、酸化物半導体薄膜トランジスタである第３トランジスタＭ３
（Ｏ）及び第４トランジスタＭ４（Ｏ）と接続されるため、リーク電流が最小化される。
したがって、第２ノードＮ２は、一フレーム期間中、所望する電圧を保持することができ
、これにより、画素１４０は、一フレーム期間中、データ信号に応じて所望する輝度の光
を生成することができる。
一方、本発明の実施例では、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉは、ｉ－１番目の第２走査線Ｓ
２ｉ－１で代替されてもよい。この場合、図３ｂに示されたように、ｉ－１番目の第２走
査線Ｓ２ｉ－１に供給される第２走査信号が、第４トランジスタＭ４（Ｏ）に供給される
。この場合も、動作の過程は上述と同様であるため、詳細な説明は省略する。
図４は本発明の他の実施例による画素を示す図である。図４を説明するにおいて、図２
と同様の構成に対しては同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図４を参照すると、本発明の他の実施例による画素１４０は、画素回路１４２’及び有
機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、そのアノード電極は画素回路１４２’に接続され、カ
ソード電極が第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤは、画素回路１４２’から供給される電流の量に応じて所定輝度の光を生成する。
画素回路１４２’は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）、第２トランジスタＭ２（Ｌ）、第
３トランジスタＭ３（Ｏ）、第４トランジスタＭ４（Ｏ）、第５トランジスタＭ５（Ｏ）
、第６トランジスタＭ６（Ｌ）、第７トランジスタＭ７（Ｌ）、及びストレージキャパシ
タＣｓｔを備える。
このような本発明の他の実施例による画素回路１４２’の構成は、第５トランジスタＭ
５（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成され、これに伴い、第５トランジスタＭ
５（Ｏ）のゲート電極が、下記のように、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続されることを
除き、図２の画素回路１４２の構成と同様である。
第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、図２の画素回路１４２と同様に、有機発光ダイオード
ＯＬＥＤのアノード電極と、初期化電源Ｖｉｎｔとの間に接続される。しかし、第５トラ
ンジスタＭ５（Ｏ）のゲート電極は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第５
トランジスタＭ５（Ｏ）は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるとき
にターンオンされて、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に、初期化電源Ｖｉｎ
ｔの電圧を供給する。このため、第５トランジスタＭ５（Ｏ）はＮ型トランジスタで形成
される。
一方、第５トランジスタＭ５（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、
発光期間中、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極から初期化電源Ｖｉｎｔに供給
されるリーク電流を、最小化することができる。このように、有機発光ダイオードＯＬＥ
Ｄのアノード電極から初期化電源Ｖｉｎｔに供給されるリーク電流が、最小化されると、
有機発光ダイオードＯＬＥＤにて、所望する輝度の光を生成することができる。
なお、第５トランジスタＭ５（Ｏ）は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供
給されるときにターンオンされるということを除き、実質的な動作過程は、図２と同様で
ある。したがって、駆動方法に関する詳細な説明は省略する。
図５は、本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。図５を説明するにおい
て、図４と同様の構成に対しては同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図５を参照すると、本発明のさらに他の実施例による画素１４０は、画素回路１４２”
及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、そのアノード電極が画素回路１４２”に接続され、カ
ソード電極が第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤは、画素回路１４２”から供給される電流の量に応じて所定輝度の光を生成する。
画素回路１４２”は、第１トランジスタＭ１（Ｌ）、第２トランジスタＭ２（Ｏ）、第
３トランジスタＭ３（Ｏ）、第４トランジスタＭ４（Ｏ）、第５トランジスタＭ５（Ｏ）
、第６トランジスタＭ６（Ｌ）、第７トランジスタＭ７（Ｌ）、及びストレージキャパシ
タＣｓｔを備える。
このような、本発明のさらに他の実施例による画素回路１４２”の構成は、第２トラン
ジスタＭ２（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されること、及びこれに伴い、
下記のように、第２トランジスタＭ２（Ｏ）のゲート電極がｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに
接続される点を除き、図４の画素回路１４２’と同様である。
第２トランジスタＭ２（Ｏ）は、図４の画素回路１４２’並びに図２の画素回路１４２
と同様に、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１の間に接続される。しかし、第２トランジスタ
Ｍ２（Ｏ）のゲート電極はｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第２トランジス
タＭ２（Ｏ）は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるときにターンオ
ンされて、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１を電気的に接続させる。このため、第２トラン
ジスタＭ２（Ｏ）はＮ型トランジスタで形成される。
一方、第２トランジスタＭ２（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、
第１ノードＮ１とデータ線Ｄｍの間の、所望しない電流の流れが、最小化される。そのた
め、有機発光ダイオードＯＬＥＤにて、所望する輝度の光を生成することができる。
また、第２トランジスタＭ２（Ｏ）がＮ型トランジスタで形成される場合、第１走査線
Ｓ１を省略してもよい。
図６は、図５に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。図６を説明する
際、図２と同様の駆動方法については簡単に説明する。
図６を参照すると、まず、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給され、第６トランジス
タＭ６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターンオフされる。第６トランジスタＭ
６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターンオフされると、画素１４０は非発光状
態に設定される。
その後、ｉ番目の第３走査線Ｓ３ｉに第３走査信号が供給される。ｉ番目の第３走査線
Ｓ３ｉに第３走査信号が供給されると、第４トランジスタＭ４（Ｏ）がターンオンされる
。第４トランジスタＭ４（Ｏ）がターンオンされると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が第２
ノードＮ２に供給される。
第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給された後、ｉ番目の第２走査線Ｓ２
ｉに第２走査信号が供給される。
ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ２（Ｏ
）、第３トランジスタＭ３（Ｏ）、及び第５トランジスタＭ５（Ｏ）がターンオンされる
。
第５トランジスタＭ５（Ｏ）がターンオンされると、有機発光ダイオードＯＬＥＤのア
ノード電極に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。
第２トランジスタＭ２（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第１ノードＮ１が
電気的に接続される。そうすると、データ線Ｄｍからのデータ信号が第１ノードＮ１に供
給される。
第３トランジスタＭ３（Ｏ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がダ
イオードの形態に接続される。このとき、第２ノードＮ２が、データ信号より低い初期化
電源Ｖｉｎｔの電圧に初期化されていたため、第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオン
される。
第１トランジスタＭ１（Ｌ）がターンオンされると、第１ノードＮ１に供給されたデー
タ信号が、ダイオードの形態に接続された第１トランジスタＭ１（Ｌ）を経由して、第２
ノードＮ２に供給される。すると、第２ノードＮ２は、データ信号及び第１トランジスタ
Ｍ１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧に設定される。ストレージキャパシタＣｓｔは
第２ノードＮ２に印加された電圧を保存する。
ストレージキャパシタＣｓｔに第２ノードＮ２の電圧が保存された後、発光制御線Ｅｉ
への発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断さ
れると、第６トランジスタＭ６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターンオンされ
る。
第６トランジスタＭ６（Ｌ）及び第７トランジスタＭ７（Ｌ）がターンオンされると、
第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶ
ＳＳにまで繋がる、電流供給経路が形成される。このとき、第１トランジスタＭ１（Ｌ）
は、第２ノードＮ２の電圧に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流の量を制御する。
一方、上述した本発明の実施例では、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するた
めの電流供給経路に位置したトランジスタＭ７（Ｌ）、Ｍ１（Ｌ）、Ｍ６（Ｌ）を、ＬＴ
ＰＳ薄膜トランジスタで形成する。このように、電流供給経路に位置したトランジスタＭ
７（Ｌ）、Ｍ１（Ｌ）、Ｍ６（Ｌ）をＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成すると、速い駆動
特性によって安定的に有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給することができる。
また、本発明の実施例では、電流供給経路に位置しないトランジスタＭ２（Ｏ）、Ｍ３
（Ｏ）、Ｍ４（Ｏ）、Ｍ５（Ｏ）を、いずれも、酸化物半導体薄膜トランジスタで形成す
る。このように、電流供給経路に位置しないトランジスタＭ２（Ｏ）、Ｍ３（Ｏ）、Ｍ４
（Ｏ）、Ｍ５（Ｏ）を、いずれも酸化物半導体薄膜トランジスタで形成すると、リーク電
流が最小化されるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
図７は、本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。図７では、説明の便宜
上、ｉ番目の水平ラインに位置し、第ｍデータ線Ｄｍと接続された画素を図示する。
図７を参照すると、本発明のさらに他の実施例による画素１４０は、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤ及び画素回路１４４を備える。
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４４に接続され、カソード電
極は第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、
画素回路１４４から供給される電流量に応じて所定輝度の光を生成する。
画素回路１４４は、データ信号に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流の量を制御する。このため
、画素回路１４４は、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）、第２トランジスタＭ１２（Ｌ）、
第３トランジスタＭ１３（Ｏ）、第４トランジスタＭ１４（Ｏ）、第５トランジスタＭ１
５（Ｌ）、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）、及びストレージキャパシタＣｓｔを備える。
第１トランジスタＭ１１（Ｌ）は、その第１電極が第１駆動電源ＥＬＶＤＤに接続され
、第２電極が第６トランジスタＭ１６（Ｌ）の第１電極に接続される。また、第１トラン
ジスタＭ１１（Ｌ）のゲート電極は、第１ノードＮ１に接続される。この第１トランジス
タＭ１１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて、第１駆動電源ＥＬＶＤＤから有機発
光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに供給される電流の量を制御す
る。速い駆動速度を確保するために、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）はＰ型ＬＴＰＳ薄膜
トランジスタで形成される。
第２トランジスタＭ１２（Ｌ）は、第１ノードＮ１と、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）
の第２電極との間に接続される。また、第２トランジスタＭ１２（Ｌ）のゲート電極は、
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに接続される。この第２トランジスタＭ１２（Ｌ）は、ｉ番目
の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されるときにターンオンされる。第２トランジ
スタＭ１２（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）がダイオードの
形態に接続される。第２トランジスタＭ１２（Ｌ）はＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形
成される。
第３トランジスタＭ１３（Ｏ）は、データ線Ｄｍと第２ノードＮ２の間に接続される。
また、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）のゲート電極はｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続さ
れる。この第３トランジスタＭ１３（Ｏ）は、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号
が供給されるときにターンオンされる。第３トランジスタＭ１３（Ｏ）がターンオンされ
ると、データ線Ｄｍと第２ノードＮ２が電気的に接続される。
第３トランジスタＭ１３（Ｏ）は酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。このよ
うな実施形態において、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）はＮ型トランジスタで形成される
。第３トランジスタＭ１３（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、第２
ノードＮ２とデータ線Ｄｍの間のリーク電流が最小化されるため、所望する輝度の映像を
表示することができる。
第４トランジスタＭ１４（Ｏ）は、第２ノードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔの間に接続さ
れる。また、第４トランジスタＭ１４（Ｏ）のゲート電極は、反転発光制御線／Ｅｉに接
続される。この第４トランジスタＭ１４（Ｏ）は、反転発光制御線／Ｅｉに反転発光制御
信号が供給されるときにターンオフされ、反転発光制御信号が供給されないときにはター
ンオンされたままとなっている。反転発光制御信号の供給が中段・停止されることで第４
トランジスタＭ１４（Ｏ）がターンオンされると、第２ノードＮ２に初期化電源Ｖｉｎｔ
の電圧が供給される。
第４トランジスタＭ１４（Ｏ）は酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される。このよ
うな実施形態において、第４トランジスタＭ１４（Ｏ）はＮ型トランジスタで形成される
。第４トランジスタＭ１４（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、第２
ノードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔの間のリーク電流が最小化されるため、所望する輝度の
映像を表示することができる。
また、反転発光制御線／Ｅｉに供給される反転発光制御信号は、発光制御線Ｅｉに供給
される発光制御信号を反転した信号に設定される。例えば、発光制御信号がハイ電圧に設
定されている場合、反転発光制御信号はロー電圧に設定されることができる。
第５トランジスタＭ１５（Ｌ）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極と、初
期化電源Ｖｉｎｔとの間に接続される。また、第５トランジスタＭ１５（Ｌ）のゲート電
極は、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに接続される。この第５トランジスタＭ１５（Ｌ）は、
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されるときにターンオンされる。第５ト
ランジスタＭ１５（Ｌ）がターンオンされると、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード
電極に、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。このような第５トランジスタＭ１５（
Ｌ）はＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成される。
第６トランジスタＭ１６（Ｌ）は、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）の第２電極と、有機
発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に接続される。また、第６トランジスタＭ
１６（Ｌ）のゲート電極は、発光制御線Ｅｉに接続される。この第６トランジスタＭ１６
（Ｌ）は、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されるときにターンオフされ、発光制御
信号が供給されないときにはターンオンされたままとなっている。第６トランジスタＭ１
６（Ｌ）はＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成される。
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に接続される。
このストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号及び第１トランジスタＭ１１（Ｌ）のし
きい値電圧に対応する電圧を保存する。
一方、上述した本発明の実施例では、いずれも第２ノードＮ２に接続されている第３ト
ランジスタＭ１３（Ｏ）及び第４トランジスタＭ１４（Ｏ）を、酸化物半導体薄膜トラン
ジスタで形成する。このように、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）及び第４トランジスタＭ
１４（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、リーク電流による第２ノー
ドＮ２の電圧変動が最小化されるため、所望する輝度の映像を表示することができる。
また、上述した本発明の実施例では、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するた
めの電流供給経路に位置したトランジスタＭ１１（Ｌ）、Ｍ１６（Ｌ）を、ＬＴＰＳ薄膜
トランジスタで形成する。このように、電流供給経路に位置したトランジスタＭ１１（Ｌ
）、Ｍ１６（Ｌ）を、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成すると、速い駆動特性によって、
安定的に有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給することができる。
図８は、図７に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。
図８を参照すると、まず、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給され、ｉ番
目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給される。
ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉに第１走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ１２（
Ｌ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｌ）がターンオンされる。
第５トランジスタＭ１５（Ｌ）がターンオンされると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が、
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に供給される。有機発光ダイオードＯＬＥＤ
のアノード電極に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給されると、有機キャパシタＣｏｌｅｄ
が放電される。
第２トランジスタＭ１２（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）
がダイオードの形態に接続される。このとき、第１ノードＮ１は、第６トランジスタＭ１
６（Ｌ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｌ）を経由して、初期化電源Ｖｉｎｔと電気的に
接続される。これにより、第１ノードＮ１は初期化電源Ｖｉｎｔの電圧に初期化される。
ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、第３トランジスタＭ１３（
Ｏ）がターンオンされる。第３トランジスタＭ１３（Ｏ）がターンオンされると、データ
線Ｄｍと第２ノードＮ２が電気的に接続される。
第１走査信号及び第２走査信号の供給の開始後、第１走査信号及び第２走査信号の供給
期間と少なくとも一部が重なる期間中、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給され、反転
発光制御線／Ｅｉに反転発光制御信号が供給される。図８に示す一具体例によると、第１
走査信号及び第２走査信号、並びに、発光制御線信号及び反転発光制御信号は、いずれも
パルス幅が同一である。
発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されると、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がター
ンオフされる。第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がターンオフされると、ダイオードの形態
に接続された第１トランジスタＭ１１（Ｌ）によって、第１ノードＮ１には、第１駆動電
源ＥＬＶＤＤから第１トランジスタＭ１１（Ｌ）のしきい値電圧の絶対値を引いた電圧が
印加される。
反転発光制御線／Ｅｉに反転発光制御信号が供給されると、第４トランジスタＭ１４（
Ｏ）がターンオフされる。第４トランジスタＭ１４（Ｏ）がターンオフされると、第２ノ
ードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔとの間の電気的接続が遮断される。このとき、第３トラン
ジスタＭ１３（Ｏ）がターンオン状態を保持するため、第２ノードＮ２にはデータ信号の
電圧が印加される。
このとき、ストレージキャパシタＣｓｔには、第２ノードＮ２と第１ノードＮ１との差
電圧に対応する電圧が充電される。即ち、ストレージキャパシタＣｓｔには、データ信号
及び第１トランジスタＭ１１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧が保存される。
ストレージキャパシタＣｓｔに所定の電圧が充電された後、ｉ番目の第１走査線Ｓ１ｉ
への第１走査信号の供給が中断されるとともに、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉへの第２走査
信号の供給が中断される。第１走査信号の供給が中断される。すると、第２トランジスタ
Ｍ１２（Ｌ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｌ）がターンオフされる。第２走査信号の供
給が中断されると、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）がターンオフされる。
その後、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断され、反転発光制御線／Ｅｉへ
の反転発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断
されると、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がターンオンされる。第６トランジスタＭ１６
（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）と有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤが電気的に接続される。
反転発光制御線／Ｅｉへの反転発光制御信号の供給が中断されると、初期化電源Ｖｉｎ
ｔの電圧が第２ノードＮ２に供給される。ここで、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧は、データ
信号の電圧範囲内の特定の電圧に設定されてもよい。
例えば、初期化電源Ｖｉｎｔは、ブラックデータ信号と同一であるか、または、これよ
り高く、その他の階調を有するデータ信号より低い電圧に設定されるのであってもよい。
第２ノードＮ２にブラックデータ信号が印加されていた場合、初期化電源Ｖｉｎｔの電
圧が供給されると、第２ノードＮ２の電圧は、同一の電圧のままに保持されるか、または
、所定の電圧だけ上昇するのでありうる。このとき、第１ノードＮ１の電圧は、第２ノー
ドＮ２の電圧の変更に応じて所定の電圧だけ上昇するか、これより前の期間の電圧のまま
に保持される。例えば、第１ノードＮ１は、第１駆動電源ＥＬＶＳＳから第１トランジス
タＭ１１（Ｌ）のしきい値電圧の絶対値を引いた電圧に保持されてもよい。この場合、第
１トランジスタＭ１１（Ｌ）はターンオフ状態を保持する。
第２ノードＮ２に、ブラックを除いた他の階調に対応するデータ信号が印加されていた
場合、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給されると、第２ノードＮ２の電圧は所定の電圧だ
け下降する。このとき、第１ノードＮ１の電圧は、第２ノードＮ２の電圧変更に応じて所
定の電圧だけ下降する。第１ノードＮ１の電圧が下降すると、第１トランジスタＭ１１（
Ｌ）がターンオンされる。このとき、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）は、第１ノードＮ１
に対応する電流を、有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給する。
一方、第２ノードＮ２の電圧の下降幅は、データ信号によって決まる。即ち、第１ノー
ドＮ１の電圧の下降幅はデータ信号によって決まるため、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）
は、データ信号に応じて電流の量を制御することができる。
図９は本発明のさらに他の実施例による画素を示す図である。図９を説明するにおいて
、図７と同じ構成に対しては同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図９を参照すると、本発明のさらに他の実施例による画素１４０は、画素回路１４４’
及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを備える。
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、そのアノード電極は画素回路１４４’に接続され、カ
ソード電極が第２駆動電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤは、画素回路１４４’から供給される電流の量に応じて所定輝度の光を生成する。
画素回路１４４’は、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）、第２トランジスタＭ１２（Ｏ）
、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）、第４トランジスタＭ１４（Ｏ）、第５トランジスタＭ
１５（Ｏ）、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）、及びストレージキャパシタＣｓｔを備える
。
このような本発明のさらに他の実施例による画素回路１４４’は、第２トランジスタＭ
１２（Ｏ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成さ
れ、これに伴い、第２トランジスタＭ１２（Ｏ）のゲート電極、及び第５トランジスタＭ
５（Ｏ）のゲート電極が、下記のように、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続されることを
除き、図７の画素回路１４４の構成と同様である。
第２トランジスタＭ１２（Ｏ）は、第１ノードＮ１と、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）
の第２電極との間に接続される。また、第２トランジスタＭ１２（Ｏ）のゲート電極はｉ
番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第２トランジスタＭ１２（Ｏ）は、ｉ番目の
第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるときにターンオンされる。第２トランジス
タＭ１２（Ｏ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）がダイオードの形
態に接続される。この第２トランジスタＭ１２（Ｏ）はＮ型酸化物半導体薄膜トランジス
タで形成される。
第２トランジスタＭ１２（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、第１
ノードＮ１から第１トランジスタＭ１１（Ｌ）の第２電極に流れるリーク電流が最小化で
きるため、有機発光ダイオードＯＬＥＤで所望する輝度の光を生成することができる。
第５トランジスタＭ１５（Ｏ）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極と初期
化電源Ｖｉｎｔの間に接続される。また、第５トランジスタＭ１５（Ｏ）のゲート電極は
ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに接続される。この第５トランジスタＭ１５（Ｏ）は、ｉ番目
の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されるときにターンオンされる。第５トランジ
スタＭ１５（Ｏ）がターンオンされると、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に
初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給される。この第５トランジスタＭ１５（Ｏ）はＮ型酸化
物半導体薄膜トランジスタで形成される。
第５トランジスタＭ１５（Ｏ）が酸化物半導体薄膜トランジスタで形成されると、有機
発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極から初期化電源Ｖｉｎｔに流れるリーク電流を最
小化できるため、有機発光ダイオードＯＬＥＤで所望する輝度の光を生成することができ
る。
また、第２トランジスタＭ１２（Ｏ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｏ）がＮ型トラン
ジスタで形成されると、第１走査線Ｓ１は省略してもよい。この場合、画素１４０は、発
光制御線Ｅｉ及び反転発光制御線／Ｅｉの他は、第２走査線Ｓ２のみによって駆動するこ
とができる。
図１０は、図９に示された画素の駆動方法の実施例を示す波形図である。図１０を説明
するにおいて、図７と同じ駆動方法については簡単に説明する。
図１０を参照すると、まず、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給される。
ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉに第２走査信号が供給されると、第２トランジスタＭ１２（Ｏ
）、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）、及び第５トランジスタＭ１５（Ｏ）がターンオンさ
れる。
第５トランジスタＭ１５（Ｏ）がターンオンされると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が有
機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に供給される。有機発光ダイオードＯＬＥＤの
アノード電極に初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が供給されると、有機キャパシタＣｏｌｅｄが
放電される。
第２トランジスタＭ１２（Ｏ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）
がダイオード形態に接続される。このとき、第１ノードＮ１は、第６トランジスタＭ１６
（Ｌ）及び第５トランジスタＭ１５（Ｏ）を経由して初期化電源Ｖｉｎｔと電気的に接続
される。これにより、第１ノードＮ１は初期化電源Ｖｉｎｔの電圧に初期化される。
第３トランジスタＭ１３（Ｏ）がターンオンされると、データ線Ｄｍと第２ノードＮ２
が電気的に接続される。
第２走査信号の供給の開始後、第２走査信号の供給期間と少なくとも一部の期間が重な
る期間中、発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給され、反転発光制御線／Ｅｉに反転発光
制御信号が供給される。図１０に示す一具体例によると、第２走査信号、並びに、発光制
御線Ｅｉ及び反転発光制御信号／Ｅｉは、いずれもパルス幅が同一である。
発光制御線Ｅｉに発光制御信号が供給されると、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がター
ンオフされる。第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がターンオフされると、ダイオードの形態
に接続された第１トランジスタＭ１１（Ｌ）によって、第１ノードＮ１には、第１駆動電
源ＥＬＶＤＤから第１トランジスタＭ１１（Ｌ）のしきい値電圧の絶対値を引いた電圧が
印加される。
反転発光制御線／Ｅｉに反転発光制御信号が供給されると、第４トランジスタＭ１４（
Ｏ）がターンオフされる。第４トランジスタＭ１４（Ｏ）がターンオフされると、第２ノ
ードＮ２と初期化電源Ｖｉｎｔの電気的接続が遮断される。このとき、第３トランジスタ
Ｍ１３（Ｏ）がターンオン状態を保持するため、第２ノードＮ２にはデータ信号の電圧が
印加される。
このとき、ストレージキャパシタＣｓｔには、第２ノードＮ２と第１ノードＮ１との差
電圧に対応する電圧が充電される。即ち、ストレージキャパシタＣｓｔには、データ信号
及び第１トランジスタＭ１１（Ｌ）のしきい値電圧に対応する電圧が保存される。
ストレージキャパシタＣｓｔに所定の電圧が充電された後、ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉ
への第２走査信号の供給が中断される。ｉ番目の第２走査線Ｓ２ｉへの第２走査信号の供
給が中断されると、第２トランジスタＭ１２（Ｏ）、第３トランジスタＭ１３（Ｏ）、及
び第５トランジスタＭ１５（Ｏ）がターンオフされる。
その後、発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断され、反転発光制御線／Ｅｉへ
の反転発光制御信号の供給が中断される。発光制御線Ｅｉへの発光制御信号の供給が中断
されると、第６トランジスタＭ１６（Ｌ）がターンオンされる。第６トランジスタＭ１６
（Ｌ）がターンオンされると、第１トランジスタＭ１１（Ｌ）と有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤが電気的に接続される。反転発光制御線／Ｅｉへの反転発光制御信号の供給が中断さ
れると、初期化電源Ｖｉｎｔの電圧が第２ノードＮ２に供給される。
このとき、第２ノードＮ２の電圧変化に応じて、第１ノードＮ１の電圧が変更される。
第１トランジスタＭ１１（Ｌ）は、第１ノードＮ１の電圧に応じて、第１駆動電源ＥＬＶ
ＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２駆動電源ＥＬＶＳＳに流れる電流の
量を制御する。
一方、本発明の走査駆動部１１０は、第１走査信号、第２走査信号、及び発光制御信号
のうちの少なくとも１つを生成するために複数のステージ回路を備える。
図１１は、本発明の実施例によるステージ回路を示す図である。
図１１を参照すると、本発明の実施例によるステージ回路は、酸化物半導体薄膜トラン
ジスタ及びＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ）薄
膜トランジスタを含む。
例えば、本発明の実施例によるステージ回路は、ＬＴＰＳ薄膜トランジスタで形成され
る第１トランジスタＴ１（Ｌ）、第２トランジスタＴ２（Ｌ）、第５トランジスタＴ５（
Ｌ）、第６トランジスタＴ６（Ｌ）、及び第９トランジスタＴ９（Ｌ）を備える。また、
本発明の実施例によるステージ回路は、酸化物半導体薄膜トランジスタで形成される第３
トランジスタＴ３（Ｏ）、第４トランジスタＴ４（Ｏ）、第７トランジスタＴ７（Ｏ）、
第８トランジスタＴ８（Ｏ）、及び第１０トランジスタＴ１０（Ｏ）を備える。
第１トランジスタＴ１（Ｌ）、第２トランジスタＴ２（Ｌ）、第３トランジスタＴ３（
Ｏ）、及び第４トランジスタＴ４（Ｏ）は、第１電源ＶＤＤから第２電源ＶＳＳの間に直
列に、この順に接続される。ここで、第１電源ＶＤＤはハイ電圧に設定され、第２電源Ｖ
ＳＳはロー電圧に設定されてもよい。
第１トランジスタＴ１（Ｌ）のゲート電極は、スタートパルスＦＬＭまたは前段ステー
ジの出力信号の供給を受ける。この第１トランジスタＴ１（Ｌ）は、Ｐ型トランジスタで
形成され、スタートパルスＦＬＭまたは前段ステージの出力信号（ハイ電圧）が供給され
ないときにはターンオンされる。
第２トランジスタＴ２（Ｌ）のゲート電極は、第１クロック信号ＣＬＫ１の供給を受け
る。この第２トランジスタＴ２（Ｌ）はＰ型トランジスタで形成され、第１クロック信号
ＣＬＫ１がロー電圧に設定されるときにターンオンされる。
第３トランジスタＴ３（Ｏ）のゲート電極は、第２クロック信号ＣＬＫ２の供給を受け
る。この第３トランジスタＴ３（Ｏ）は、Ｎ型トランジスタで形成され、第２クロック信
号ＣＬＫ２がハイ電圧に設定されるときにターンオンされる。
ここで、第１クロック信号ＣＬＫ１及び第２クロック信号ＣＬＫ２は同じ周期を有し、
位相が反転された信号に設定されてもよい。
第４トランジスタＴ４（Ｏ）のゲート電極は、スタートパルスＦＬＭまたは前段ステー
ジの出力信号の供給を受ける。この第４トランジスタＴ４（Ｏ）は、Ｎ型トランジスタで
形成され、スタートパルスＦＬＭまたは前段ステージの出力信号（ハイ電圧）が供給され
るときにターンオンされる。
また、第２トランジスタＴ２（Ｌ）及び第３トランジスタＴ３（Ｏ）の間の共通ノード
は、第１ノードＮ１と電気的に接続される。
第５トランジスタＴ５（Ｌ）、第６トランジスタＴ６（Ｌ）、第７トランジスタＴ７（
Ｏ）、及び第８トランジスタＴ８（Ｏ）は、第１電源ＶＤＤから第２電源ＶＳＳの間に直
列に、この順で接続される。
第５トランジスタＴ５（Ｌ）のゲート電極は、出力端子と電気的に接続される。この第
５トランジスタＴ５（Ｌ）は、Ｐ型トランジスタで形成され、出力端子の電圧に応じてタ
ーンオンまたはターンオフされる。
第６トランジスタＴ６（Ｌ）のゲート電極は、第２クロック信号ＣＬＫ２の供給を受け
る。この第６トランジスタＴ６（Ｌ）はＰ型トランジスタで形成され、第２クロック信号
ＣＬＫ２がロー電圧に設定されるときターンオンされる。
第７トランジスタＴ７（Ｏ）のゲート電極は、第１クロック信号ＣＬＫ１の供給を受け
る。この第７トランジスタＴ７（Ｏ）は、Ｎ型トランジスタで形成され、第１クロック信
号ＣＬＫ１がハイ電圧に設定されるときターンオンされる。
第８トランジスタＴ８（Ｏ）のゲート電極は、出力端子と電気的に接続される。この第
８トランジスタＴ８（Ｏ）は、Ｎ型トランジスタで形成され、出力端子の電圧に応じてタ
ーンオンまたはターンオフされる。
また、第６トランジスタＴ６（Ｌ）及び第７トランジスタＴ７（Ｏ）の共通ノードは、
第１ノードＮ１と電気的に接続される。
第９トランジスタＴ９（Ｌ）及び第１０トランジスタＴ１０（Ｏ）は、第１電源ＶＤＤ
と第２電源ＶＳＳの間に直列接続される。
第９トランジスタＴ９（Ｌ）のゲート電極は、第１ノードＮ１に接続される。この第９
トランジスタＴ９（Ｌ）は、Ｐ型トランジスタで形成され、第１ノードＮ１の電圧に応じ
てターンオンまたはターンオフされる。
第１０トランジスタＴ１０（Ｏ）のゲート電極は、第１ノードＮ１に接続される。この
第１０トランジスタＴ１０（Ｏ）は、Ｎ型トランジスタで形成され、第１ノードＮ１の電
圧に応じてターンオンまたはターンオフされる。
また、第９トランジスタＴ９（Ｌ）及び第１０トランジスタＴ１０（Ｏ）の共通ノード
は、出力端子と電気的に接続される。
このようなステージ回路はＰ型トランジスタ及びＮ型トランジスタを含むもので、公知
であって使用されている回路である。したがって、動作過程に対する詳細な説明は省略す
る。
ただし、本願発明のステージ回路は、Ｐ型トランジスタをＬＴＰＳ薄膜トランジスタで
形成し、Ｎ型トランジスタを酸化物半導体薄膜トランジスタで形成することを特徴とする
。このようにＬＴＰＳ薄膜トランジスタ及び酸化物半導体薄膜トランジスタを用いてステ
ージ回路を実現すると、リーク電流を最小化するとともに、速い駆動速度を確保すること
ができる。
本発明の技術思想は上記好ましい実施例を参照して具体的に述べたが、上記した実施例
はその説明のためのものであり、制限するためのものではないことに注意すべきである。
また、本発明の技術分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で
多様な変形例が可能であることが理解できるだろう。
上述した発明の権利範囲は添付の特許請求の範囲により定められるものであって、明細
書の本文の記載に拘束されず、請求の範囲の均等な範囲に属する変形や変更はすべて本発
明の範囲に属する。
１１０ 走査駆動部
１２０ データ駆動部
１３０ 画素部
１４０ 画素
１５０ タイミング制御部
１４２、１４４ 画素回路

Claims (19)

  1. 有機発光ダイオードと、
    第１電極が第１ノードに接続され、第２電極が上記有機発光ダイオードのアノード電極
    に接続されるとともに、前記第１ノードに接続された第１駆動電源から前記有機発光ダイ
    オードを経由して第２駆動電源に流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、
    データ線と前記第１ノードの間に接続され、ｉ（ｉは自然数）番目の第１走査線に走査
    信号が供給されるときにターンオンされる第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲート電極と第２電極の間に接続され、ｉ番目の第２走査線に
    走査信号が供給されるときにターンオンされる第３トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲート電極と初期化電源の間に接続され、ｉ番目の第３走査線
    に走査信号が供給されるときにターンオンされる第４トランジスタと、を備え、
    前記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、
    前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタ
    に設定されることを特徴とする画素。
  2. 前記第２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定されることを特徴とす
    る請求項１に記載の画素。
  3. 前記第２トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定されることを特徴
    とする請求項１に記載の画素。
  4. 前記ｉ番目の第１走査線と前記ｉ番目の第２走査線は、同じ走査線であることを特徴と
    する請求項３に記載の画素。
  5. 前記初期化電源と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第ｉ
    番目の第１走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジスタをさ
    らに備え、
    前記第５トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定されることを特徴とする
    請求項１に記載の画素。
  6. 前記初期化電源と、前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第
    ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジスタを
    さらに備え、
    前記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定されることを特徴と
    する請求項１に記載の画素。
  7. 前記第１トランジスタの第２電極と、前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に
    接続されるとともに、発光制御線に発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第
    ６トランジスタと、
    前記第１ノードと前記第１駆動電源の間に接続され、前記発光制御信号が供給されると
    きにターンオフされる第７トランジスタをさらに備え、
    前記第６トランジスタ及び前記第７トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに
    設定されることを特徴とする請求項１に記載の画素。
  8. 有機発光ダイオードと、
    第１ノードの電圧に応じて、第１電極に接続された第１駆動電源から前記有機発光ダイ
    オードを経由して第２駆動電源に流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、
    前記第１ノードと前記第１トランジスタの第２電極との間に接続され、ｉ番目の第１走
    査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第２トランジスタと、
    前記第１ノードと第２ノードの間に接続されるストレージキャパシタと、
    データ線と前記第２ノードの間に接続され、ｉ番目の第２走査線に走査信号が供給され
    るときにターンオンされる第３トランジスタと、
    前記第２ノードと初期化電源の間に接続され、反転発光制御線に反転発光制御信号が供
    給されるときにターンオフされる第４トランジスタと、を備え、
    前記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、
    前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジス
    タに設定されることを特徴とする画素。
  9. 前記第２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定されることを特徴とす
    る請求項８に記載の画素。
  10. 前記第２トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定されることを特徴
    とする請求項８に記載の画素。
  11. 前記ｉ番目の第１走査線と前記ｉ番目の第２走査線は、同じ走査線であることを特徴と
    する請求項１０に記載の画素。
  12. 前記初期化電源と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第ｉ
    番目の第１走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジスタをさ
    らに備え、
    前記第５トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定されることを特徴とする
    請求項８に記載の画素。
  13. 前記初期化電源と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第ｉ
    番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジスタをさ
    らに備え、
    前記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定されることを特徴と
    する請求項８に記載の画素。
  14. 前記第１トランジスタの第２電極と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接
    続され、発光制御線に発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第６トランジス
    タをさらに備え、
    前記第６トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、
    前記発光制御信号と前記反転発光制御信号は、互いに反転された信号に設定されること
    を特徴とする請求項８に記載の画素。
  15. 第１電源と前記第１電源より低い電圧に設定される第２電源との間に、直列に接続され
    る第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、及び第４トランジスタと、
    前記第１電源と前記第２電源の間に、直列に接続される第５トランジスタ、第６トラン
    ジスタ、第７トランジスタ、及び第８トランジスタと、
    前記第１電源と前記第２電源の間に、直列に接続される第９トランジスタ及び第１０ト
    ランジスタと、を備え、
    前記第１トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に前
    段ステージの出力信号またはスタートパルスの供給を受け、
    前記第２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に第
    １クロック信号の供給を受け、
    前記第３トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極
    に、前記第１クロック信号と同じ周期を有するとともに反転された位相を有する第２クロ
    ック信号の供給を受け、
    前記第４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極
    に、前記前段ステージの出力信号または前記スタートパルスの供給を受け、
    前記第５トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が出
    力端子と接続され、
    前記第６トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に前
    記第２クロック信号の供給を受け、
    前記第７トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極
    に第１クロック信号の供給を受け、
    前記第８トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極
    が前記出力端子と接続され、
    前記第９トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が第
    １ノードと接続され、
    前記第１０トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極が前記第１ノードと接続され、
    前記第２トランジスタ及び前記第３トランジスタの共通ノード、及び、前記第６トラン
    ジスタ及び前記第７トランジスタの共通ノードは、前記第１ノードと電気的に接続される
    ことを特徴とするステージ回路。
  16. 走査線、発光制御線、及びデータ線と接続されるように位置する画素と、
    前記走査線及び前記発光制御線を駆動するための走査駆動部と、
    前記データ線を駆動するためのデータ駆動部と、を備え、
    前記画素のうちｉ（ｉは自然数）番目の水平ラインに位置した少なくとも１つの画素は
    、
    有機発光ダイオードと、
    第１電極が第１ノードに接続され、第２電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極
    に接続されるとともに、前記第１ノードに接続された第１駆動電源から前記有機発光ダイ
    オードを経由して第２駆動電源に流れる電流の量を制御するための第１トランジスタと、
    データ線と前記第１ノードの間に接続され、ｉ番目の第１走査線に走査信号が供給され
    るときにターンオンされる第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲート電極と第２電極の間に接続され、ｉ番目の第２走査線に
    走査信号が供給されるときにターンオンされる第３トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲート電極と初期化電源の間に接続され、ｉ番目の第３走査線
    に走査信号が供給されるときにターンオンされる第４トランジスタと、を備え、
    前記第１トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、
    前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジス
    タに設定されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
  17. 前記画素は、
    前記初期化電源と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接続され、前記第ｉ
    番目の第２走査線に走査信号が供給されるときにターンオンされる第５トランジスタをさ
    らに備え、
    前記第５トランジスタはＮ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定されることを特徴と
    する請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
  18. 前記画素は、
    前記第１トランジスタの第２電極と前記有機発光ダイオードのアノード電極との間に接
    続され、ｉ番目の発光制御線に発光制御信号が供給されるときにターンオフされる第６ト
    ランジスタと、
    前記第１ノードと前記第１駆動電源の間に接続され、前記発光制御信号が供給されると
    きにターンオフされる第７トランジスタをさらに備え、
    前記第６トランジスタ及び前記第７トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに
    設定されることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
  19. 前記走査駆動部は、前記走査線及び前記発光制御線を駆動するためのステージ回路を備
    え、
    前記ステージ回路のうち少なくとも１つは、
    第１電源と前記第１電源より低い電圧に設定される第２電源との間に、直列に接続され
    る第１１トランジスタ、第１２トランジスタ、第１３トランジスタ、及び第１４トランジ
    スタと、
    前記第１電源と前記第２電源の間に、直列に接続される第１５トランジスタ、第１６ト
    ランジスタ、第１７トランジスタ、及び第１８トランジスタと、
    前記第１電源と前記第２電源の間に、直列に接続される第１９トランジスタ及び第２０
    トランジスタと、を備え、
    前記第１１トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に
    前段ステージの出力信号またはスタートパルスの供給を受け、
    前記第１２トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に
    第１クロック信号の供給を受け、
    前記第１３トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極に前記第１クロック信号と同じ周期を有し、反転された位相を有する第２クロック信号
    の供給を受け、
    前記第１４トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極に前記前段ステージの出力信号または前記スタートパルスの供給を受け、
    前記第１５トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が
    出力端子と接続され、
    前記第１６トランジスタはＰ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極に前
    記第２クロック信号の供給を受け、
    前記第１７トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極に第１クロック信号の供給を受け、
    前記第１８トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極が前記出力端子と接続され、
    前記第１９トランジスタは、Ｐ型ＬＴＰＳ薄膜トランジスタに設定され、ゲート電極が
    第１ノードと接続され、
    前記第２０トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体薄膜トランジスタに設定され、ゲート電
    極が前記第１ノードと接続され、
    前記第１２トランジスタ及び前記第１３トランジスタの共通ノード、及び、前記第１６
    トランジスタ及び前記第１７トランジスタの共通ノードは、前記第１ノードと電気的に接
    続されることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。

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