CN109686314B - 像素电路、显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种像素电路，包括：驱动晶体管和电压控制电路；其中，所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，所述驱动晶体管的第二极与发光器件的第一端连接，所述驱动晶体管的栅极与所述电压控制电路连接；所述电压控制电路至少与对应的栅线和数据线连接，所述电压控制电路用于向驱动晶体管的栅极写入电信号，以控制驱动晶体管的栅极电压；所述电压控制电路包括：与驱动晶体管的栅极直接连接且能够向驱动晶体管的栅极写入电信号的至少一个信号写入晶体管；所述电压控制电路内的至少一个所述信号写入晶体管为氧化物薄膜晶体管。本公开还提供了一种显示基板和显示装置。

Description

像素电路、显示基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素电路、显示基板和显示装置。
背景技术
有源矩阵驱动有机发光二极管(Active Matrix Driving OLED，简称AMOLED)显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等优点，得到了显示技术开发商日益广泛的关注。
AMOLED包括呈阵列排布的多个像素单元，像素单元包括：像素电路和OLED，像素电路用于驱动OLED发光；其中，像素电路一般包括：驱动晶体管和电压控制电路，电压控制电路用于向驱动晶体管的栅极写入信号，以控制驱动晶体管的栅极电压。
在像素电路工作于输出阶段时，电压控制电路内与驱动晶体管的栅极连接且能够向驱动晶体管的栅极写入信号的信号写入晶体管会处于截止状态，以使得驱动晶体管内的栅极处于浮接(floating)状态，从而保证驱动晶体管输出恒定的驱动电流。
然而，在实际应用中发现，由于信号写入晶体管中会存在关态漏电流，因此驱动晶体管的栅极处的电压在输出阶段会发生明显变化，从而导致驱动晶体管在驱动阶段输出的驱动电流发生变化，从而影响显示效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种像素电路、显示基板和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种像素电路，包括：驱动晶体管和电压控制电路；
其中，所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，所述驱动晶体管的第二极与发光器件的第一端连接，所述驱动晶体管的栅极与所述电压控制电路连接；
所述电压控制电路至少与对应的栅线和数据线连接，所述电压控制电路用于向驱动晶体管的栅极写入电信号，以控制驱动晶体管的栅极电压；
所述电压控制电路包括：与驱动晶体管的栅极直接连接且能够向驱动晶体管的栅极写入电信号的至少一个信号写入晶体管；
所述电压控制电路内的至少一个所述信号写入晶体管为氧化物薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述电压控制电路包括：开关晶体管和第一电容；
所述开关晶体管的控制极与所述栅线连接，所述开关晶体管的第一极与所述数据线连接，所述开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一电容的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端与所述发光器件的第一端连接；
所述开关晶体管为所述信号写入晶体管。
在一些实施例中，所述电压控制电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第二电容；
所述驱动晶体管的第二极通过所述第六晶体管与所述发光器件的第一端连接；
其中，所述第一晶体管的控制极与第二控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与第二电源端连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第二晶体管的控制极与第三控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第三晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第四晶体管的控制极与第一控制信号线连接，所述第四晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第四晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第五晶体管的控制极与第四控制信号线连接，所述第五晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第六晶体管的控制极与所述第四控制信号线连接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极与发光器件的第一端连接；
所述第二电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一晶体管和所述第二晶体管均为所述信号写入晶体管。
在一些实施例中，还包括：第七晶体管；
所述第七晶体管的控制极与所述第一控制信号线连接，所述第七晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第七晶体管的第二极与所述发光器件的第一端连接。
在一些实施例中，还包括：第八晶体管；
所述第八晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第八晶体管的第一极浮接，所述第八晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
在一些实施例中，所述电压控制电路内的全部所述信号写入晶体管均为氧化物薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述像素电路内除所述信号写入晶体管之外的其他晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述氧化物薄膜晶体管中有源层的材料包括：氧化铟镓锌。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括：如上述的像素电路。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述的显示基板。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种像素电路的电路结构示意图；
图3为图2所示像素电路的工作时序图；
图4为本公开实施例提供的另一种像素电路的电路结构示意图；
图5为图4所示像素电路的工作时序图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种像素电路、显示基板和显示装置进行详细描述。
本公开中的发光器件可以是现有技术中包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)或OLED在内的电流驱动的发光器件，在本实施例中是以发光器件为OLED为例进行的描述。
另外，在本公开中涉及到的“控制极”具体是指晶体管的栅极，“第一极”具体是指晶体管的源极，相应的“第二极”具体是指晶体管的漏极。当然，本领域的技术人员应该知晓的是，该“第一极”与“第二极”可进行互换。
图1为本公开实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图，如图1所示，该像素电路包括：驱动晶体管DTFT和电压控制电路；其中，驱动晶体管DTFT的第一极与第一电源端连接，驱动晶体管DTFT的第二极与发光器件OLED的第一端连接，驱动晶体管DTFT的栅极与电压控制电路连接，发光器件OLED的第二端与第三电源端连接。
在本公开中，以第一电源端提供高电平工作电压VDD，第三电源端提供低电平工作电压VSS为例进行示例性描述。
电压控制电路至少与对应的栅线Gate和数据线Data连接，电压控制电路用于向驱动晶体管DTFT的栅极写入电信号，以控制驱动晶体管DTFT的栅极电压；电压控制电路包括：与驱动晶体管DTFT的栅极直接连接且能够向驱动晶体管DTFT的栅极写入电信号的至少一个信号写入晶体管，电压控制电路内的至少一个信号写入晶体管为氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin-Film Transistor)。氧化物薄膜晶体管电子迁移率相对较小(常见的低温多晶硅型薄膜晶体管的电子迁移率在100cm2/Vs左右，而氧化物薄膜晶体管的电子迁移率为10cm2/Vs左右)，其关态漏电流较小。
需要说明的是，氧化物薄膜晶体管一般为N型薄膜晶体管。作为一种可选方案，氧化物薄膜晶体管中有源层的材料包括：氧化铟镓锌(化学式IGZO)。当然，本公开中氧化物薄膜晶体管中有源层的材料还可以为其他氧化物半导体，此处不再一一举例。
在本公开中，当像素电路工作于输出阶段时，由于氧化物薄膜晶体管的关态漏电流较小，因此驱动晶体管DTFT的栅极处电压通过氧化物薄膜晶体管的漏电流放电而产生的电压变化相对较小，即驱动晶体管DTFT的栅极处电压在输出阶段的变化较小，因而驱动晶体管DTFT输出的驱动电流的变化较小，此时发光器件OLED能够稳定发光。
相较于现有技术，本公开的技术方案通过将电压控制电路中的至少一个信号写入晶体管设置为氧化物薄膜晶体管，可有效减小在输出阶段过程中驱动晶体管DTFT的栅极处的电压变化量，从而能使得驱动晶体管DTFT输出稳定的驱动电流，以保证发光器件OLED稳定发光。
在本公开中，由于在输出阶段过程中驱动晶体管DTFT的栅极处的电压变化量较小，因此输出阶段的持续时长可以适当延长，即本公开所提供的像素电路可适用于低频率驱动技术，此时像素电路的功耗可大大降低。
图2为本公开实施例提供的另一种像素电路的电路结构示意图，如图2所示，图2所示像素电路为基于图1所示像素电路的一种具体化方案；其中，电压控制电路包括：开关晶体管T0和第一电容C1；开关晶体管T0的控制极与栅线Gate连接，开关晶体管T0的第一极与数据线Data连接，开关晶体管T0的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极连接；第一电容C1的第一端与驱动晶体管DTFT的栅极连接，第一电容C1的第二端与发光器件OLED的第一端连接；此时，开关晶体管T0为信号写入晶体管，即该开关晶体管T0为氧化物薄膜晶体管。
为便于本领域技术人员更好的理解本公开的技术方案，下面将结合附图来对本公开的技术方案进行详细描述。在图2所示2T1C的像素电路中，假定驱动晶体管DTFT为低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)型薄膜晶体管，且LTPS型晶体管为P型晶体管。第一电源端提供高电平工作电压VDD，第三电源提供低电平工作电压VSS。
图3为图2所示像素电路的工作时序图，如图3所示，该像素电路的工作过程包括两个阶段：数据写入阶段和输出阶段。
在数据写入阶段时，栅线Gate提供的扫描信号处于高电平状态，此时开关晶体管T0导通，数据线Data中的数据信号通过开关晶体管T0写入至驱动晶体管DTFT的栅极，驱动晶体管DTFT的栅极处电压为Vdata，即节点N1处的电压为Vdata。驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs＝Vdata-Vdd。
在输出阶段时，栅线Gate提供的扫描信号处于低电平状态，此时开关晶体管T0截止，驱动晶体管DTFT的栅极(节点N1)处于浮接(Floating)状态，驱动晶体管DTFT的栅极处电压维持Vdata，驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs＝Vdata-Vdd。
此时，虽然开关晶体管T0处的漏电流会使得节点N1处的电压发生变化，但是由于开关晶体管T0为氧化物薄膜晶体管，其关态漏电流较小，因此节点N1处因漏电流所导致的电压变化量(与开关晶体管T0的材料、沟道宽长比相关)较小，驱动晶体管DTFT的栅源电压偏移量较小，驱动晶体管DTFT输出的驱动电流较为稳定。在整个输出阶段，发光器件OLED的发光亮度不会发生明显变化，以保证显示效果。
图4为本公开实施例提供的另一种像素电路的电路结构示意图，如图4所示，图4所示像素电路为基于图1所示像素电路的一种具体化方案；其中，电压控制电路包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第二电容C2；驱动晶体管DTFT的第二极通过第六晶体管T6与发光器件OLED的第一端连接。
其中，第一晶体管T1的控制极与第二控制信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与第二电源端连接，第一晶体管T1的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极连接。
第二晶体管T2的控制极与第三控制信号线S3连接，第二晶体管T2的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极连接，第二晶体管T2的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极连接。
第三晶体管T3的控制极与栅线Gate连接，第三晶体管T3的第一极与数据线Data连接，第三晶体管T3的第二极与第二电容C2的第一端连接。
第四晶体管T4的控制极与第一控制信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与第二电源端连接，第四晶体管T4的第二极与第二电容C2的第一端连接。
第五晶体管T5的控制极与第四控制信号线S4连接，第五晶体管T5的第一极与第二电源端连接，第五晶体管T5的第二极与第二电容C2的第一端连接。
第六晶体管T6的控制极与第四控制信号线S4连接，第六晶体管T6的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件OLED的第一端连接。
第二电容C2的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极连接。
在上述电路中，第一晶体管T1和第二晶体管T2直接与驱动晶体管DTFT的栅极连接且能够向驱动晶体管DTFT的栅极写入电信号，因此第一晶体管T1和第二晶体管T2均为信号写入晶体管。
在本实施例中，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一者为氧化物薄膜晶体管，可有效减小在输出阶段时驱动晶体管DTFT的栅极处电压的变化量。
优选地，第一晶体管T1和第二晶体管T2均为氧化物薄膜晶体管，此时能够尽可能的减小在输出阶段时驱动晶体管DTFT的栅极处电压的变化量。
上述第一晶体管T1～第六晶体管T6不仅能够配合实现驱动晶体管DTFT的栅极提供相应的电信号，还能够配合实现对驱动晶体管DTFT进行阈值补偿。
可选地，像素电路还包括：第七晶体管T7；第七晶体管T7的控制极与第一控制信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与第二电源端连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件OLED的第一端连接。
可选地，像素电路还包括：第八晶体管T8；第八晶体管T8的控制极与栅线Gate连接，第八晶体管T8的第一极浮接，第八晶体管T8的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极连接。
对于第七晶体管T7和第八晶体管T8所实现的功能，将在后续进行详细描述。
为便于本领域技术人员更好的理解本公开的技术方案，下面将结合附图来对本公开的技术方案进行详细描述。在图4所示9T1C的像素电路中，假定第三晶体管T3～第八晶体管T8、驱动晶体管DTFT均为低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)型薄膜晶体管，且LTPS晶体管为P型晶体管。第一电源端提供高电平工作电压VDD，第二电源端提供低电平重置电压Vref，第三电源端提供低电平工作电压VSS。
图5为图4所示像素电路的工作时序图，如图5所示，该像素电路的工作过程包括三个阶段：重置阶段、数据写入及补偿阶段和输出阶段。
在重置阶段，第一控制信号线S1提供的第一控制信号处于低电平，第二控制信号线S2提供的第二控制信号处于高电平，第三控制信号线S3提供的第三控制信号处于低电平，第四控制信号线S4提供的第四控制信号处于高电平，栅线Gate提供的扫描信号处于高电平。此时，第一晶体管T1、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第八晶体管T8截止。
此时，重置电压Vref通过第一晶体管T1、第四晶体管T4和第七晶体管T7分别写入至节点N1、节点N2和节点N4，以对节点N1、节点N2和节点N4处电压进行重置处理，以保障后续工作过程中电压的正确写入。
其中，需要说明的是，本公开中通设置第七晶体管T7，并在重置阶段将重置电压Vref写入至节点N4(发光器件OLED的第一端)，可降低发光器件OLED的第一端与第二极端之间的电压差，在低灰阶显示时可降低发光器件OLED的亮度，提高像素的对比度。
另外，由于节点N1处的电压为低电平重置电压Vref且驱动晶体管DTFT为P型晶体管，因此驱动晶体管DTFT会处于导通状态，并输出驱动电流，但是由于第六晶体管T6截止，因此该驱动电流不会流至发光器件OLED，因此发光器件OLED不会出现误发光。
在数据写入及补偿阶段，第一控制信号线S1提供的第一控制信号处于高电平，第二控制信号线S2提供的第二控制信号处于低电平，第三控制信号线S3提供的第三控制信号处于高电平，第四控制信号线S4提供的第四控制信号处于高电平，栅线Gate提供的扫描信号处于低电平。此时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第八晶体管T8导通，第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7截止。
由于第二晶体管T2导通，因此驱动晶体管DTFT输出的驱动电流可通过节点N3、第二晶体管T2向节点N1进行充电，节点N1处的电压上升，直至节点N1处的电压上升至VDD+Vth时，驱动晶体管DTFT截止，充电结束其中，Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压，Vth取值为负。
与此同时，由于第三晶体管T3导通，因此数据电压Vdata可通过第三晶体管T3写入至节点N2，第二电容C2的两端电压差(第二端与第一端的电压差)为VDD+Vth-Vdata。
在输出阶段，第一控制信号线S1提供的第一控制信号处于高电平，第二控制信号线S2提供的第二控制信号处于低电平，第三控制信号线S3提供的第三控制信号处于低电平，第四控制信号线S4提供的第四控制信号处于低电平，栅线Gate提供的扫描信号处于高电平。此时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第七晶体管T7和第八晶体管T8截止。
由于第一晶体管T1和第二晶体管T2截止，因此驱动晶体管DTFT的栅极处于浮接状态(即节点N1处于浮接状态)。
与此同时，由于第五晶体管T5导通，因此重置电压Vref通过第五晶体管T5写入至节点N2，即节点N2的电压从Vdata变为Vref，在第二电容C2的自举作用下，节点N1处的电压跳变为VDD+Vth+Vref-Vdata，驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs＝Vref+Vth-Vdata。
根据驱动晶体管DTFT的饱和驱动电流公式可得：
I＝K*(Vgs-Vth)2
＝K*(Vref+Vth-Vdata-Vth)2
＝K*(Vref-Vdata)2
其中，K为一个常量，与驱动晶体管DTFT的沟道特性相关。通过上式可知，驱动晶体管DTFT在输出阶段所输出的驱动电流与重置电压Vref和数据电压Vdata相关，而与驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth无关，从而实现了阈值补偿。
在上述输出阶段过程中，由于第一晶体管T1和第二晶体管T2的关态电流较小，因而可有效防止节点N1处电压出现较大偏移，从而保证驱动晶体管DTFT能输出稳定的驱动电流。
另外，在输出阶段的起始时刻，第二晶体管T2的控制极所连接的第三控制信号线S3中信号从高电平跳变低电平，会导致节点N1处会有正电荷流入至第二晶体管T2，从而会影响到节点N1处所得到的经过阈值补偿后的电压。为避免上述问题，本公开中设置第八晶体管T8，第八晶体管T8的控制极所连接的栅线Gate中的信号会在输出阶段的起始时刻由低电平跳变为高电平，第八晶体管T8会将自身内部的正电荷释放给节点N1，进而消除节点N1处正电荷流入第二晶体管T2所导致的电压变化。在上述过程中，节点N1处流向第二晶体管T2的正电荷的量与第二晶体管T2的电学特性相关，第八晶体管T8处流向节点N1的正电荷的量与第八晶体管T8的电学特性相关，因此可通过对第二晶体管T2和第八晶体管T8进行合理的设计，以使得节点N1处流向第二晶体管T2的正电荷的量与第八晶体管T8处流向节点N1的正电荷的量相等。
需要说明的是，图2和图4所示的具体像素电路仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制；在本公开中，电压控制电路还可以采用其他结构，此处不再一一举例描述。
另外，在图2和图4所示像素电路中，电压控制电路内的全部信号写入晶体管均为氧化物薄膜晶体管，为本公开中的一种优选实施方案，其能够尽可能的减小在输出阶段时驱动晶体管DTFT的栅极处电压的变化量，以维持驱动晶体管DTFT的稳定输出。
此外，像素电路内除信号写入晶体管之外的其他晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管的情况，为本公开中的一种优选实施方案。低温多晶硅薄膜晶体管具有高电子迁移率(100cm2/Vs左右)，其可以快速在导通/截止状态之间进行切换，以保证像素电路的响应速度；同时，基于低温多晶硅工艺所制备出的薄膜晶体管的尺寸较小，有利于像素电路的小型化，可提升像素的开口率以及有利于显示装置的高分辨率化。其中，进一步优选地，低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管，P型低温多晶硅薄膜晶体管制备工艺相对简单且良品率较高。本领域技术人员应该知晓的是，本公开中的低温多晶硅薄膜晶体管也可以选用N型低温多晶硅薄膜晶体管。
需要说明的是，当像素电路中同时包括有氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，可采用低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，简称LTPO)工艺来制备上述像素电路模，具体制备过程此处不进行详细描述。
本公开实施例还提供了一种显示基板，该显示基板包括像素电路，其中该像素电路可采用上述任一实施例所提供的像素电路，具体描述可参见前述内容。
需要说明的是，由于该显示基板中的像素电路工作于输出阶段时，该像素电路内驱动晶体管的栅极处电压不会因漏电流问题而发生明显的电压偏移，因而该像素电路可适用于低频率驱动技术；因此，当该显示基板用于显示特定画面(例如静态画面)时，可采用低频率驱动技术(例如1Hz低频驱动)进行驱动，从而能降低模组的功耗。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示基板，该显示基板采用上述实施例所提供的显示基板，具体描述可参见前述内容。
需要说明的是，本公开中的显示装置具体可以为电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：驱动晶体管和电压控制电路；
其中，所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接，所述驱动晶体管的第二极与发光器件的第一端连接，所述驱动晶体管的栅极与所述电压控制电路连接；
所述电压控制电路至少与对应的栅线和数据线连接，所述电压控制电路用于向驱动晶体管的栅极写入电信号，以控制驱动晶体管的栅极电压；
所述电压控制电路包括：与驱动晶体管的栅极直接连接且能够向驱动晶体管的栅极写入电信号的至少一个信号写入晶体管；
所述电压控制电路内的至少一个所述信号写入晶体管为氧化物薄膜晶体管；
所述电压控制电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第二电容；
所述驱动晶体管的第二极通过所述第六晶体管与所述发光器件的第一端连接；
其中，所述第一晶体管的控制极与第二控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与第二电源端连接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第二晶体管的控制极与第三控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第三晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第四晶体管的控制极与第一控制信号线连接，所述第四晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第四晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第五晶体管的控制极与第四控制信号线连接，所述第五晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二电容的第一端连接；
所述第六晶体管的控制极与所述第四控制信号线连接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极与所述发光器件的第一端连接；
所述第二电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一晶体管和所述第二晶体管均为所述信号写入晶体管；
还包括：第八晶体管；
所述第八晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第八晶体管的第一极浮接，所述第八晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：第七晶体管；
所述第七晶体管的控制极与所述第一控制信号线连接，所述第七晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第七晶体管的第二极与所述发光器件的第一端连接。
3.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，所述电压控制电路内的全部所述信号写入晶体管均为氧化物薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路内除所述信号写入晶体管之外的其他晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管中有源层的材料包括：氧化铟镓锌。
7.一种显示基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的像素电路。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求7中所述的显示基板。
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