KR102514242B1 - 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치 - Google Patents

픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102514242B1
KR102514242B1 KR1020180071086A KR20180071086A KR102514242B1 KR 102514242 B1 KR102514242 B1 KR 102514242B1 KR 1020180071086 A KR1020180071086 A KR 1020180071086A KR 20180071086 A KR20180071086 A KR 20180071086A KR 102514242 B1 KR102514242 B1 KR 102514242B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
node
electrode connected
gate electrode
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020180071086A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190143308A (ko
Inventor
국승희
김시우
김원석
김정문
장영신
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180071086A priority Critical patent/KR102514242B1/ko
Priority to US16/251,781 priority patent/US10692440B2/en
Priority to CN201910513118.7A priority patent/CN110634446B/zh
Publication of KR20190143308A publication Critical patent/KR20190143308A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102514242B1 publication Critical patent/KR102514242B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00—Details of flat display driving waveforms
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 픽셀은, 유기발광 다이오드; 제1 전극은 제1 구동전원에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드에 접속되며, 게이트 전극은 발광 제어라인에 접속되는 제1 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제3 노드에 접속되는 제2 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 접속되는 제3 트랜지스터; 상기 제1 노드와 데이터 라인 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되는 제4 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제5 트랜지스터; 초기화 전원과 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제6 트랜지스터; 제1 전극은 상기 초기화 전원에 접속되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 접속되며, 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되는 제7 트랜지스터; 및 상기 제1 구동전원 및 상기 제3 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.

Description

픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치 {PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 이용하여 영상을 표시한다. 이러한, 유기전계발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.
유기전계발광 표시장치는 복수의 데이터 라인 및 복수의 스캔 라인에 접속되는 복수의 픽셀을 구비하며, 각각의 픽셀은 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드로 흐르는 전류량을 제어하기 위한 구동 트랜지스터를 포함한다.
구동전압을 낮게 설정하여 고휘도를 구현하거나, 유기전계발광 표시장치를 저 주사율로 구동하여 소비전력을 최소화하는 방법이 사용되고 있다.
그러나, 저온폴리실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon; LTPS) 방식의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 경우, 픽셀에서의 누설전류로 인해 저 주사율로 구동이 어렵다는 한계가 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 과제 중 하나는, 소비전력을 최소화할 수 있는 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 픽셀은, 유기발광 다이오드; 제1 전극은 제1 구동전원에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드에 접속되며, 게이트 전극은 발광 제어라인에 접속되는 제1 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제3 노드에 접속되는 제2 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 접속되는 제3 트랜지스터; 상기 제1 노드와 데이터 라인 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되는 제4 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제5 트랜지스터; 초기화 전원과 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제6 트랜지스터; 제1 전극은 상기 초기화 전원에 접속되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 접속되며, 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되는 제7 트랜지스터; 및 상기 제1 구동전원 및 상기 제3 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는, 복수의 데이터 라인 및 복수의 스캔 라인과 복수의 픽셀이 배치되어 구성되는 유기전계발광 표시패널; 상기 복수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급하여 상기 복수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동부; 상기 복수의 스캔 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급하여 상기 복수의 스캔 라인을 순차적으로 구동하는 스캔 구동부; 및 상기 데이터 구동부 및 상기 스캔 구동부로 제어신호를 공급하여 상기 데이터 구동부 및 상기 스캔 구동부를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 복수의 픽셀 각각은, 유기발광 다이오드; 제1 전극은 제1 구동전원에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드에 접속되며, 게이트 전극은 발광 제어라인에 접속되는 제1 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제3 노드에 접속되는 제2 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 접속되는 제3 트랜지스터; 상기 제1 노드와 데이터 라인 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되는 제4 트랜지스터; 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제5 트랜지스터; 초기화 전원과 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제6 트랜지스터; 제1 전극은 상기 초기화 전원에 접속되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 접속되며, 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되는 제7 트랜지스터; 및 상기 제1 구동전원 및 상기 제3 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 소비전력을 최소화할 수 있는 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀의 구동방법 실시예를 나타내는 파형도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 구조를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 픽셀의 구동방법 실시예를 나타내는 파형도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(100)는 유기전계발광 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 스캔 구동부(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.
유기전계발광 표시패널(110)은 복수의 데이터 라인(DL) 및 복수의 스캔 라인(SL)과 복수의 픽셀(P)이 배치되어 구성될 수 있다.
유기전계발광 표시패널(110)에 배치되는 복수의 픽셀(P)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다.
일 예에 따르면, 각각의 픽셀(P)은 유기발광 다이오드(OLED)와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 픽셀의 구조 및 구동방법은 도 2 내지 도 5를 참조하여 보다 구체적으로 후술하기로 한다.
데이터 구동부(120)는 복수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급하여 복수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.
일 예에 따르면, 데이터 구동부(120)는 적어도 하나의 소스 구동부 집적회로(Source Driver Integrated Circuit; SDIC)를 포함하여 복수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.
스캔 구동부(130)는 복수의 스캔 라인(SL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급하여 복수의 스캔 라인(SL)을 순차적으로 구동할 수 있다.
일 예에 따르면, 스캔 구동부(130)는 적어도 하나의 게이트 구동부 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit; GDIC)를 포함할 수 있으며, 게이트 구동부 집적회로(GDIC)는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기전계발광 표시패널(110)에 배치될 수 있다. 여기서, GIP는 저온폴리실리콘(LTPS) 방식으로 구현될 수 있으며, 이에 따라 높은 전자 이동도를 가지고 빠른 구동 특성을 가질 수 있다.
제어부(140)는 데이터 구동부(120) 및 스캔 구동부(130)로 제어신호를 공급하여, 데이터 구동부(120) 및 스캔 구동부(130)를 제어할 수 있다.
구체적으로, 제어부(140)는 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(Data Enable; DE) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예를 들어, 호스트 시스템)로부터 수신할 수 있다.
또한, 제어부(140)는 수신한 타이밍 신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 스캔 구동제어신호(SCS)를 생성하고, 데이터 구동제어신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급하고, 스캔 구동제어신호(SCS)는 스캔 구동부(130)로 공급할 수 있다. 또한, 제어부(140)는 외부로부터 공급되는 영상 데이터(Data)를 재정렬하여 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.
상술한 스캔 구동부(130)는, 제어부(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 복수의 스캔 라인(SL)으로 순차적으로 공급할 수 있다.
데이터 구동부(120)는, 스캔 구동부(130)에 의해 임의의 스캔 라인이 구동되면, 제어부(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 복수의 데이터 라인(DL)으로 공급할 수 있다.
도 1에서는 데이터 구동부(120)가 유기전계발광 표시패널(110)의 일측(예를 들어, 상측 또는 하측)에 위치한 것으로 도시되어 있으나 반드시 이로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 유기전계발광 표시패널(110)의 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서 데이터 구동부(120)는 유기전계발광 표시패널(110)의 양측(예를 들어, 상측 및 하측)에 모두 위치할 수도 있다.
또한, 도 1에서는 스캔 구동부(130)가 유기전계발광 표시패널(110)의 일측(예를 들어, 좌측 또는 우측)에 위치한 것으로 도시되어 있으나 반드시 이로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 유기전계발광 표시패널(110)의 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서 스캔 구동부(130)는 유기전계발광 표시패널(110)의 양측(예를 들어, 좌측 및 우측)에 모두 위치할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 구조를 도시하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀은 유기발광 다이오드(OLED) 및 픽셀 회로(20)를 포함한다.
유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 픽셀 회로(20)에 접속되며, 픽셀 회로(20)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
픽셀 회로(20)는 데이터 신호(Data)에 대응하여 제1 구동전원(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 구동전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 여기서, 픽셀 회로(20)는 제1 트랜지스터 내지 제7 트랜지스터(M1(O) 내지 M7(O)) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(M1(O))의 제1 전극은 제1 구동전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 또한, 제1 트랜지스터(M1(O))의 게이트 전극은 발광 제어 라인에 접속되어, 발광 제어신호(EM(n))가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어신호(EM(n))가 공급되지 않을 때 턴-온된다.
제2 트랜지스터(M2)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 또한, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다.
제3 트랜지스터(M3(O))는 제2 노드(N2)와 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 또한, 제3 트랜지스터(M3(O))의 게이트 전극은 발광 제어 라인에 접속되어, 발광 제어신호(EM(n))가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어신호(EM(n))가 공급되지 않을 때 턴-온된다.
제4 트랜지스터(M4(O))는 제1 노드(N1)와 데이터 라인 사이에 접속된다. 또한, 제4 트랜지스터(M4(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제4 트랜지스터(M4(O))가 턴-온되면 데이터 라인과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속된다.
제5 트랜지스터(M5(O))는 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 접속된다. 또한, 제5 트랜지스터(M5(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제5 트랜지스터(M5(O))가 턴-온되면 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 접속된다.
제6 트랜지스터(M6(O))는 초기화 전원(Vint)과 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 또한, 제6 트랜지스터(M6(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)이 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급된다.
제7 트랜지스터(M7(O))의 제1 전극은 초기화 전원(Vint)에 접속되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 제7 트랜지스터(M7(O))의 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되어, 제2 스캔 신호(Oxide(n-1))가 공급될 때 턴-온된다. 제7 트랜지스터(M7(O))가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)이 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극으로 공급된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 구동전원(ELVDD)과 제3 노드(N3) 사이에 접속된다.
상술한 제1 트랜지스터(M1(O)), 제3 트랜지스터(M3(O)) 내지 제7 트랜지스터(M7(O))는 P타입 또는 N타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성할 수 있다.
이와 같이, 제1 트랜지스터(M1(O)), 제3 트랜지스터(M3(O)) 내지 제7 트랜지스터(M7(O))가 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성되면 누설전류에 의한 전압 변동을 최소화하여 저 주사율로 구동이 가능해진다.
한편, 상술한 제2 트랜지스터(M2)는 P타입 또는 N타입 LTPS 박막 트랜지스터로 형성할 수 있다.
도 2에 도시된 실시예에 따르면, 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 LTPS 박막 트랜지스터를 각각 구동하기 위한 구동부를 별도로 구비할 필요가 없고, 이에 따라 구동부를 구현하기 위한 쉬프트 레지스터(shift register)의 구조를 간소화할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀의 구동방법 실시예를 나타내는 파형도이다.
도 3을 참조하면, 우선 발광 제어 라인으로 발광 제어신호(EM(n), 로우전압)가 공급되면 제1 트랜지스터(M1(O)) 및 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-오프된다. 제1 트랜지스터(M1(O))가 턴-오프되면 제1 구동전원(ELVDD)과 제1 노드(N1)의 전기적 접속이 차단되고, 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-오프되면 N2 노드(N2)와 유기발광 다이오드(OLED)의 전기적 접속이 차단된다.
이후, 제2 스캔 라인으로 제2 스캔 신호(Oxide(n-1), 하이전압)가 공급되면 제7 트랜지스터(M7(O))가 턴-온되고, 이에 따라 초기화 전원(Vint)이 제3 노드(N3)로 공급된다.
이후, 제1 스캔 라인으로 제1 스캔 신호(Oxide(n), 하이전압)가 공급되면 제4 트랜지스터(M4(O)), 제5 트랜지스터(M5(O)) 및 공급되면 제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온된다.
제4 트랜지스터(M4(O))가 턴-온되면 데이터 라인과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속되고, 이에 따라 데이터 신호(Data)가 제1 노드(N1)로 공급된다.
제5 트랜지스터(M5(O))가 턴-온되면 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 접속되어 제2 트랜지스터(M2)가 다이오드 형태로 접속된다. 이 때, 제3 노드(N3)가 데이터 신호(Data)보다 낮은 초기화 전원(Vint)으로 초기화되었기 때문에 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되고, 이에 따라 제1 노드(N1)로 공급된 데이터 신호(Data)가 제2 트랜지스터(M2)를 경유하여 제3 노드(N3)로 공급된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제3 노드(N3)에 인가된 전압을 저장한다.
제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온되면 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 초기화 전원(Vint)이 공급된다.
이후, 발광 제어신호(EM(n))의 공급이 중단되면 제1 트랜지스터(M1(O)) 및 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(M1(O))가 턴-온되면 제1 구동전원(ELVDD)과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속되고, 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-온되면 제2 트랜지스터(M2)와 유기발광 다이오드(OLED)가 전기적으로 접속된다. 이 때, 제2 트랜지스터(M2)는 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 구동전원(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 구동전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀은 유기발광 다이오드(OLED) 및 픽셀 회로(40)를 포함한다.
유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 픽셀 회로(40)에 접속되며, 픽셀 회로(40)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
픽셀 회로(40)는 데이터 신호(Data)에 대응하여 제1 구동전원(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 구동전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 여기서, 픽셀 회로(40)는 제1 트랜지스터 내지 제7 트랜지스터(M1(O) 내지 M7(O)) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(M1(O))의 제1 전극은 제1 구동전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 또한, 제1 트랜지스터(M1(O))의 게이트 전극은 발광 제어 라인에 접속되어, 발광 제어신호(EM(n))가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어신호(EM(n))가 공급되지 않을 때 턴-온된다.
제2 트랜지스터(M2(O))는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 또한, 제2 트랜지스터(M2(O))의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다.
제3 트랜지스터(M3(O))는 제2 노드(N2)와 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 또한, 제3 트랜지스터(M3(O))의 게이트 전극은 발광 제어 라인에 접속되어, 발광 제어신호(EM(n))가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어신호(EM(n))가 공급되지 않을 때 턴-온된다.
제4 트랜지스터(M4(O))는 제1 노드(N1)와 데이터 라인 사이에 접속된다. 또한, 제4 트랜지스터(M4(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제4 트랜지스터(M4(O))가 턴-온되면 데이터 라인과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속된다.
제5 트랜지스터(M5(O))는 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 접속된다. 또한, 제5 트랜지스터(M5(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제5 트랜지스터(M5(O))가 턴-온되면 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 접속된다.
제6 트랜지스터(M6(O))는 초기화 전원(Vint)과 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 또한, 제6 트랜지스터(M6(O))의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되어, 제1 스캔 신호(Oxide(n))가 공급될 때 턴-온된다. 제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)이 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급된다.
제7 트랜지스터(M7(O))의 제1 전극은 초기화 전원(Vint)에 접속되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 제7 트랜지스터(M7(O))의 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되어, 제2 스캔 신호(Oxide(n-1))가 공급될 때 턴-온된다. 제7 트랜지스터(M7(O))가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)이 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극으로 공급된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 구동전원(ELVDD)과 제3 노드(N3) 사이에 접속된다.
상술한 제1 트랜지스터(M1(O)) 내지 제7 트랜지스터(M7(O))는 P타입 또는 N타입 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성할 수 있다.
이와 같이, 제1 트랜지스터(M1(O)) 내지 제7 트랜지스터(M7(O))가 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성되면 누설전류에 의한 전압 변동을 최소화하여 저 주사율로 구동이 가능해진다.
도 4에 도시된 실시예에 따르면, 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 LTPS 박막 트랜지스터를 각각 구동하기 위한 구동부를 별도로 구비할 필요가 없고, 이에 따라 구동부를 구현하기 위한 쉬프트 레지스터(shift register)의 구조를 간소화할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 픽셀의 구동방법 실시예를 나타내는 파형도이다.
도 5를 참조하면, 우선 발광 제어 라인으로 발광 제어신호(EM(n), 로우전압)가 공급되면 제1 트랜지스터(M1(O)) 및 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-오프된다. 제1 트랜지스터(M1(O))가 턴-오프되면 제1 구동전원(ELVDD)과 제1 노드(N1)의 전기적 접속이 차단되고, 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-오프되면 N2 노드(N2)와 유기발광 다이오드(OLED)의 전기적 접속이 차단된다.
이후, 제2 스캔 라인으로 제2 스캔 신호(Oxide(n-1), 하이전압)가 공급되면 제7 트랜지스터(M7(O))가 턴-온되고, 이에 따라 초기화 전원(Vint)이 제3 노드(N3)로 공급된다.
이후, 제1 스캔 라인으로 제1 스캔 신호(Oxide(n), 하이전압)가 공급되면제4 트랜지스터(M4(O)), 제5 트랜지스터(M5(O)) 및 공급되면 제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온된다.
제4 트랜지스터(M4(O))가 턴-온되면 데이터 라인과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속되고, 이에 따라 데이터 신호(Data)가 제1 노드(N1)로 공급된다.
제5 트랜지스터(M5(O))가 턴-온되면 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 접속되어 제2 트랜지스터(M2(O))가 다이오드 형태로 접속된다. 이 때, 제3 노드(N3)가 데이터 신호(Data)보다 낮은 초기화 전원(Vint)으로 초기화되었기 때문에 제2 트랜지스터(M2(O))가 턴-온되고, 이에 따라 제1 노드(N1)로 공급된 데이터 신호(Data)가 제2 트랜지스터(M2(O))를 경유하여 제3 노드(N3)로 공급된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제3 노드(N3)에 인가된 전압을 저장한다.
제6 트랜지스터(M6(O))가 턴-온되면 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 초기화 전원(Vint)이 공급된다.
이후, 발광 제어신호(EM(n))의 공급이 중단되면 제1 트랜지스터(M1(O)) 및 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(M1(O))가 턴-온되면 제1 구동전원(ELVDD)과 제1 노드(N1)가 전기적으로 접속되고, 제3 트랜지스터(M3(O))가 턴-온되면 제2 트랜지스터(M2(O))와 유기발광 다이오드(OLED)가 전기적으로 접속된다. 이 때, 제2 트랜지스터(M2(O))는 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 구동전원(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 구동전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 유기전계발광 표시장치
110: 유기전계발광 표시패널
120: 데이터 구동부
130: 스캔 구동부
140: 제어부

Claims (10)

  1. 유기발광 다이오드;
    제1 전극은 제1 구동전원에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드에 접속되며, 게이트 전극은 발광 제어라인에 접속되는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제3 노드에 접속되는 제2 트랜지스터;
    상기 제2 노드와 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 발광 제어라인에 접속되는 제3 트랜지스터;
    상기 제1 노드와 데이터 라인 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되는 제4 트랜지스터;
    상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제5 트랜지스터;
    초기화 전원과 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제6 트랜지스터;
    제1 전극은 상기 초기화 전원에 접속되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 접속되며, 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되는 제7 트랜지스터; 및
    상기 제1 구동전원 및 상기 제3 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 제2 트랜지스터는 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 구현되고,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 구현되는 픽셀.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제4 트랜지스터 내지 상기 제7 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성되는 픽셀.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 P타입 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 형성되는 픽셀.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 N타입 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 형성되는 픽셀.
  5. 삭제
  6. 복수의 데이터 라인 및 복수의 스캔 라인과 복수의 픽셀이 배치되어 구성되는 유기전계발광 표시패널;
    상기 복수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급하여 상기 복수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동부;
    상기 복수의 스캔 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급하여 상기 복수의 스캔 라인을 순차적으로 구동하는 스캔 구동부; 및
    상기 데이터 구동부 및 상기 스캔 구동부로 제어신호를 공급하여 상기 데이터 구동부 및 상기 스캔 구동부를 제어하는 제어부를 포함하며,
    상기 복수의 픽셀의 각각은,
    유기발광 다이오드;
    제1 전극은 제1 구동전원에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드에 접속되며, 게이트 전극은 발광 제어라인에 접속되는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제3 노드에 접속되는 제2 트랜지스터;
    상기 제2 노드와 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 발광 제어라인에 접속되는 제3 트랜지스터;
    상기 제1 노드와 데이터 라인 사이에 접속되고, 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되는 제4 트랜지스터;
    상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제5 트랜지스터;
    초기화 전원과 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되고, 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되는 제6 트랜지스터;
    제1 전극은 상기 초기화 전원에 접속되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 접속되며, 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되는 제7 트랜지스터; 및
    상기 제1 구동전원 및 상기 제3 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 제2 트랜지스터는 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 구현되고,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 구현되는 유기전계발광 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제4 트랜지스터 내지 상기 제7 트랜지스터는 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 P타입 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 N타입 저온폴리실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터로 형성되는 유기전계발광 표시장치.
  10. 삭제
KR1020180071086A 2018-06-20 2018-06-20 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치 KR102514242B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180071086A KR102514242B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치
US16/251,781 US10692440B2 (en) 2018-06-20 2019-01-18 Pixel and organic light emitting display device including the same
CN201910513118.7A CN110634446B (zh) 2018-06-20 2019-06-11 像素和包括像素的有机发光显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180071086A KR102514242B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190143308A KR20190143308A (ko) 2019-12-30
KR102514242B1 true KR102514242B1 (ko) 2023-03-28

Family

ID=68968398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180071086A KR102514242B1 (ko) 2018-06-20 2018-06-20 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10692440B2 (ko)
KR (1) KR102514242B1 (ko)
CN (1) CN110634446B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11341878B2 (en) * 2019-03-21 2022-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of testing display panel
WO2021196020A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法以及显示面板
CN111968577B (zh) * 2020-08-27 2022-01-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板和显示装置
CN114333667B (zh) * 2020-09-30 2024-01-23 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动电路及其驱动方法和显示面板
CN112233616A (zh) * 2020-10-12 2021-01-15 Oppo广东移动通信有限公司 像素驱动电路及显示设备、驱动方法
CN112669776B (zh) * 2021-01-22 2023-02-03 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN113112964B (zh) * 2021-04-14 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素驱动方法和显示装置
KR102641231B1 (ko) * 2021-10-06 2024-02-29 호서대학교 산학협력단 스캔 구동 회로
WO2023115457A1 (zh) * 2021-12-23 2023-06-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法、显示装置
CN115662356A (zh) * 2022-11-14 2023-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207425322U (zh) 2017-08-30 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示基板及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008151963A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
KR101152466B1 (ko) * 2010-06-30 2012-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101797161B1 (ko) 2010-12-23 2017-11-14 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
TWI426496B (zh) 2011-03-17 2014-02-11 Au Optronics Corp 無上板電極之液晶顯示裝置
KR101875123B1 (ko) * 2012-02-28 2018-07-09 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP5939135B2 (ja) * 2012-07-31 2016-06-22 ソニー株式会社 表示装置、駆動回路、駆動方法、および電子機器
KR102061108B1 (ko) * 2013-01-16 2020-01-02 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 유기전계 발광 표시장치
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9564478B2 (en) 2013-08-26 2017-02-07 Apple Inc. Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors
JP6142178B2 (ja) 2013-09-04 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および駆動方法
CN104715714B (zh) * 2013-12-17 2017-08-04 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置
US9276050B2 (en) 2014-02-25 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9449994B2 (en) 2014-02-25 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Display backplane having multiple types of thin-film-transistors
US9490276B2 (en) 2014-02-25 2016-11-08 Lg Display Co., Ltd. Display backplane and method of fabricating the same
KR102245437B1 (ko) 2014-06-11 2021-04-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 초기화 전압 설정 방법
US9450038B2 (en) 2014-07-31 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
US20160063921A1 (en) 2014-08-26 2016-03-03 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Display With Reduced Capacitive Sensitivity
KR102470504B1 (ko) * 2015-08-12 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US20170186782A1 (en) 2015-12-24 2017-06-29 Innolux Corporation Pixel circuit of active-matrix light-emitting diode and display panel having the same
KR102615740B1 (ko) * 2016-06-08 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102561294B1 (ko) 2016-07-01 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
KR102607897B1 (ko) * 2016-11-18 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106531076B (zh) * 2017-01-12 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、显示面板及其驱动方法
CN106710522A (zh) * 2017-02-24 2017-05-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素驱动电路及像素驱动方法
CN107657921B (zh) * 2017-11-17 2019-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled像素驱动电路及其驱动方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207425322U (zh) 2017-08-30 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10692440B2 (en) 2020-06-23
CN110634446B (zh) 2023-02-17
US20190392765A1 (en) 2019-12-26
KR20190143308A (ko) 2019-12-30
CN110634446A (zh) 2019-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102514242B1 (ko) 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치
US10700146B2 (en) Pixel and organic light-emitting display device having the same
US11869412B2 (en) Display device
KR102309599B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
US11688342B2 (en) Pixel and organic light emitting display device having the pixel
JP7187138B2 (ja) 画素及び有機電界発光表示装置
KR102561294B1 (ko) 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
US10366651B2 (en) Organic light-emitting display device and driving method thereof
CN109872692B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN107346654B (zh) 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
EP3349205B1 (en) Pixel and organic light emitting display device using the same
US10529289B2 (en) Electroluminescent display
KR20180057073A (ko) 표시 장치
JP2021536026A (ja) 画素回路およびその駆動方法、表示装置
KR20200142645A (ko) 표시 장치
US9269296B2 (en) Pixel and organic light emitting display device using the same
KR20180060436A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR20230099171A (ko) 화소 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210040727A (ko) 표시장치와 그 구동 방법
KR20190010059A (ko) 유기발광 표시장치
WO2020093633A1 (en) Pixel-driving circuit and driving method, a display panel and apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant