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Description
このシフトレジスト回路として、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路で構成されるCMOSシフトレジスタ(下記、特許文献1、特許文献2参照)、あるいは、nMOS単チャネルトランジスタで構成されるnMOS単チャネルシフトレジスタ(下記、特許文献3参照)が知られている。
図14は、従来のCMOSシフトレジスタの単位回路を示す回路図であり、前述の特許文献1、特許文献2に記載されている回路構成である。
この図14に示す単位回路は、入力信号(IN)を反転するクロックドインバータ(INV1)と、入力信号(IN)の反転信号を再反転するインバータ(INV2)と、入力信号(IN)の再反転信号をインバータ(INV2)の入力に帰還するクロックドインバータ(INV3)とを有する。
そして、インバータ(INV2)の出力が、転送出力(TRN)となる。また、入力信号(IN)と、転送出力(TRN)とは、ナンド回路(NAND)に入力される。ナンド回路(NAND)の出力信号は、インバータ(INV4)で反転されて走査回路出力(OT)となる。
ここで、奇数段目の単位回路におけるクロックドインバータ(INV1)は、クロック(CLK)がHighレベル(反転クロック(CLKB)がLowレベル)であるときに、入力信号を反転し、同段の単位回路におけるクロックドインバータ(INV3)は、クロック(CLK)がLowレベル(反転クロック(CLKB)がHighレベル)であるときに、入力信号を反転するものである。
一方、偶数段目の単位回路のクロックドインバータ(INV1,INV3)において、入力信号を反転するクロック信号の関係は、奇数段目のものと入れ替わった関係にある。
この高精細化に伴い、CMOSシフトレジスタでは、図15に示すように、トランジスタ素子数が多く対応が難しいという問題点があった。なお、図15は、図14に示す単位回路の実際の回路構成を示す回路図である。
また、図15のp型MOSトランジスタ(PM1,PM2)、およびn型MOSトランジスタ(NM1,NM2)は、クロック(CLK)および反転クロック(CLKB)が伝送されるクロックバスに、ゲートが直接接続される構成であるため、クロックバスの負荷が増大し、消費電力が増大するという問題点もあった。
また、図15のp型MOSトランジスタ(PM1,PM2)、およびn型MOSトランジスタ(NM1,NM2)は、クロック信号毎に動作するので、トランジスタの劣化が著しく、高速動作時の信頼性に問題点があった。
また、例えば、前述の特許文献3に記載されているnMOS単チャネルシフトレジスタでは、低入力容量、高信頼性を実現しているが、低電圧化、高速駆動が難しいという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、簡単なCMOS回路で構成されるCMOSシフトレジスタを有する駆動回路を備えた表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
(1)複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、多段に縦接接続されるn(n≧2)個の基本回路を有し、
前記基本回路は、第1電極にクロックが印加される第1導電型の第1のトランジスタと、
第2電極が前記第1のトランジスタの第2電極に接続され、第1電極に第2の電源電圧が印加される前記第1導電型とは導電型が異なる第2導電型の第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタの制御電極、および前記第2のトランジスタの制御電極に入力信号が印加され、
前記第1のトランジスタの前記第2電極が走査回路出力端子に接続されることを特徴とする表示装置。
(2)(1)において、前記基本回路は、第1電極に前記第2の電源電圧とは異なる第1の電源電圧が印加される前記第1導電型の第3のトランジスタと、
第2電極が前記第3のトランジスタの第2電極に接続されるとともに制御電極が前記第1のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第4のトランジスタと、
第1電極に前記第1の電源電圧が印加され、第2電極が前記第3のトランジスタの制御電極に接続される前記第1導電型の第5のトランジスタと、
第2電極が前記第5のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第6のトランジスタとを有し、
前記第5のトランジスタの制御電極に前記入力信号が印加され、
前記第6のトランジスタの制御電極にリセット信号が印加され、
前記第3のトランジスタの第2電極が転送出力端子に接続される。
(3)(2)において、前記基本回路は、一端が前記第5のトランジスタの前記第2の電極に接続され、他端に所定の電圧が印加される容量素子を有する。
(4)(3)において、前記所定の電圧は、前記第1の電源電圧、あるいは、前記第2の電源電圧である。
(5)(1)から(4)の何れかにおいて、前記基本回路は、第2の電極が前記第2のトランジスタの前記制御電極に接続されるとともに制御電極が前記第1のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1の電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第7のトランジスタを有する。
(6)(1)から(5)の何れかにおいて、前記基本回路は、前記第1のトランジスタの前記第2電極と前記走査回路出力端子との間に設けられるバッファ回路を有する。
(7)(6)において、前記バッファ回路は、偶数段縦接接続されるインバータである。
(8)(2)から(4)の何れかにおいて、前記基本回路は、前記第6のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第8のトランジスタを有し、
前記第8のトランジスタの制御電極に、スタート信号の反転信号が印加される。
(9)(1)から(8)の何れかにおいて、前記基本回路は、前記第1のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第9のトランジスタを有し、
前記第9のトランジスタの制御電極に、入力信号の反転信号が印加される。
(10)(6)または(7)において、前記基本回路は、前記第1のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第10のトランジスタを有し、
前記第10のトランジスタの制御電極は、前記バッファ回路の出力端子に接続される。
(11)(1)から(10)の何れかにおいて、前記n個の基本回路のうち奇数段目の基本回路の前記第1のトランジスタの前記第1の電極に第1のクロックが供給され、
前記n個の基本回路のうち偶数段目の基本回路の前記第1のトランジスタの前記第1の電極に第2のクロックが供給され、
前記第1のクロックと前記第2のクロックとは、同一周期で、位相が異なっている。
(12)(11)において、前記第1のクロックと前記第2のクロックとは、同じ電圧レベルとなる期間を有する。
(13)(11)または(12)において、前記n個の基本回路のうちm(2≦m≦n)段目の基本回路の前記入力信号として、(m−1)段目の基本回路の転送出力が入力され、
前記m段目の基本回路のリセット信号として、(m+2)段目の基本回路の前記走査回路出力が入力される。
(14)(13)において、前記n個の基本回路のうち1段目の基本回路の前記入力信号として、スタート信号が入力される。
(15)(11)から(14)の何れかにおいて、前記n個の基本回路のうち(n−1)段目、およびn段目の基本回路のリセット信号として、スタート信号の反転信号が入力される。
(16)(11)から(15)の何れかにおいて、前記n個の基本回路のうちn段目の基本回路は、ダミー段として使用され、シフト動作に寄与しない。
本発明によれば、簡単なCMOS回路で構成されるCMOSシフトレジスタを有する駆動回路を備えた表示装置を提供することが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1は、本発明の実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回路を示す回路図である。
図1に示すように、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される一対の基板の一方の基板の液晶面に、x方向に延びるn本の走査線(X1,X2,...,Xn)と、y方向に延びるm本の映像線(Y1,Y2,...,Ym)とを有する。
走査線(ゲート線ともいう)と映像線(ドレイン線ともいう)とで囲まれた領域が画素領域であり、1つの画素領域には、ゲートが走査線に、ドレイン(または、ソース)が映像線に、およびソース(または、ドレイン)が画素電極に接続される薄膜トランジスタ(Tnm)が設けられる。さらに、画素電極と共通電極(COM)との間には保持容量(Cnm)が設けられる。
各走査線(X1,X2,...,Xn)は、垂直駆動回路(XDV)に接続され、垂直駆動回路(XDV)により、ゲート信号を、X1からXnの走査線に向かって順次供給する(順方向走査とする)か、あるいは、XnからX1の走査線に向かって順次供給する(逆方向走査とする)。
各映像線(Y1,Y2,...,Ym)は、スイッチ素子(S1,S2,...,Sm)のドレイン(または、ソース)に接続される。
スイッチ素子(S1,S2,...,Sm)のソース(または、ドレイン)は、映像信号線(DATA)に、ゲートは水平駆動回路(YDV)に接続される。
水平駆動回路(YDV)により、S1からSmのスイッチ素子に向かって順次走査(順方向走査とする)するか、あるいは、SmからS1のスイッチ素子に向かって順次走査(逆方向走査とする)する。
本実施例のCMOSシフトレジスタは、図2に示すp型MOSトランジスタ(Tr1,Tr4,Tr5)と、n型MOSトランジスタ(Tr2,Tr3,Tr5)との6つのトランジスタからなる回路を基本回路とする。
これら6つのトランジスタ(Tr1〜Tr6)は、半導体層としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタで構成される。
また、図1中の垂直駆動回路(XDV)、水平駆動回路(YDV)は、液晶表示パネル内の回路であり、これらの回路は、6つのトランジスタ(Tr1〜Tr6)と同様、半導体層としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタで構成され、これらの薄膜トランジスタは、画素の薄膜トランジスタ(Tnm)等と同時に形成される。
図2において、第1の電源電圧(VDD)がHighレベル(以下、Hレベルという)、第2の電源電圧(VSS)がLowレベル(以下、Lレベルという)とされる。
p型MOSトランジスタ(Tr4)のドレインと、n型MOSトランジスタ(Tr3)のドレインとが接続され、p型MOSトランジスタ(Tr4)のソースは第1の電源電圧(VDD)に、n型MOSトランジスタ(Tr3)のソースは第2の電源電圧(VSS)に接続される。
同様に、p型MOSトランジスタ(Tr5)のドレインと、n型MOSトランジスタ(Tr6)のドレインとが接続され、p型MOSトランジスタ(Tr5)のソースは第1の電源電圧(VDD)に、n型MOSトランジスタ(Tr6)のソースは第2の電源電圧(VSS)に接続される。
また、p型MOSトランジスタ(Tr1)のドレインと、n型MOSトランジスタ(Tr2)のドレインとが接続され、n型MOSトランジスタ(Tr2)のソースは第2の電源電圧(VSS)に接続される。
p型MOSトランジスタ(Tr5)のドレインは、p型MOSトランジスタ(Tr4)のゲートに接続され、p型MOSトランジスタ(Tr4)のドレインは、転送出力端子に接続され、この転送出力端子から転送出力(TRN)が出力される。
n型MOSトランジスタ(Tr3)のゲートは、p型MOSトランジスタ(Tr1)のドレインに接続され、p型MOSトランジスタ(Tr1)のドレインは、走査回路出力端子に接続され、この走査回路出力端子から走査回路出力(OT)が出力される。
n型MOSトランジスタ(Tr6)のゲートには、リセット信号(RST)が印加される。
定常状態において、入力信号(IN)はHレベル、ノード(RS)、およびリセット信号(RST)はLレベルである。このとき、走査回路出力(OT)はLレベル、転送出力(TRN)はHレベルとなる。
入力信号(IN)がHレベルからLレベルとなることで、トランジスタ(Tr1)及びトランジスタ(Tr5)がオンとなり、トランジスタ(Tr2)がオフとなる。
このタイミングでは、クロック(CLK)はLレベルであるので、走査回路出力(OT)の電位はLレベルのまま変化しない。また、トランジスタ(Tr5)がオンとなるので、ノード(RS)はHレベルとなり、トランジスタ(Tr4)がオフとなる。
トランジスタ(Tr3)はオフであるので、転送出力(TRN)はフローティングとなり、Hレベルを保持する。
クロック(CLK)がHレベルとなると、トランジスタ(Tr1)がオンしているので、走査回路出力(OT)がHレベルになり、トランジスタ(Tr3)がオンして転送出力(TRN)がLレベルとなる。
クロック(CLK)がLレベルに切り替わると同時に、入力信号(IN)がHレベルとなるとトランジスタ(Tr1)がオフし、トランジスタ(Tr2)がオンとなる。
これにより走査回路出力(OT)がLレベルとなり、トランジスタ(Tr3)がオフし、転送出力(TRN)はLレベルを保持する。
リセット信号(RST)がLレベルからHレベルとなると、トランジスタ(Tr6)がオンとなり、ノード(RS)はLレベルとなる。これにより、転送出力(TRN)がHレベルとなり、定常状態となる。
以上により、転送出力(TRN)として、入力信号(IN)を1クロック分シフトさせて転送すると共に、入力信号(IN)のタイミングでクロック(CLK)をラッチして出力することができる。
図4に示すように、前述した基本回路(S/R)をn個多段に接続し、奇数番目の基本回路(S/R)のCLK端子と、偶数番目の基本回路(S/R)のCLK端子に、互いに逆相のクロックを入力することで、クロックを順次転送し、シフトレジスタとしての機能を得ることができる。図4に示すCMOSシフトレジスタのタイムチャートの一例を図5に示す。
つまり、図15に示す回路構成の場合、図2に示すトランジスタ(Tr1)のように、ドレイン(または、ソース)が、クロック(CLK)が伝送されるクロックバスに接続される場合に比べ、ゲート容量分クロックバスの負荷が大きくなる。
一般的に、より高負荷の配線を安定駆動するには、定常電流を増やす必要があるため消費電力が増えるが、本実施例の基本回路構成とすることで、クロックバス負荷を低減することができ、クロックバスの充放電による消費電力の低減、およびクロックバスを駆動する回路の負荷を低減することによる消費電力の低減が可能となる。
また、図15に示す回路構成の場合、p型MOSトランジスタ(PM1,PM2)、およびn型MOSトランジスタ(NM1,NM2)は、クロック(CLK)の周期でスイッチング動作する。
クロック(CLK)の周期は、CMOSシフトレジスタの動作周期に比べ数倍早いため、その他のトランジスタが1回動作する間に数倍動作することになる。
本実施例の基本回路は、全てのトランジスタが、CMOSシフトレジスタの動作周期で動作するため、図15に示す回路構成に比して、信頼性を向上させることが可能となる。
図15に示す回路構成では、転送部およびナンド回路(NAND)等でシリーズ接続のトランジスタが存在する。通常、トランジスタをシリーズ接続すると、シングルトランジスタに比べオン抵抗が上昇し、駆動能力が低減する。
本実施例の基本回路では、NAND回路を必要とせず、シリーズ接続されるトランジスタが存在しないため、高速動作(しいては低電圧化)が可能である。
本実施例の基本回路において、入力信号(IN)の電圧が切り替わる遷移状態において、クロック(CLK)がHレベルの場合、トランジスタ(Tr1)とトランジスタ(Tr2)を介して、クロック(CLK)が伝送されるクロックバスから第2の電源電圧(VSS)に向かって貫通電流が流れることが想定されるが、以下の理由で、貫通電流はほとんど流れない。
図4に示すように、IN端子は、前段のTRN端子に接続され、RST端子は、次々段のOT端子に接続される。即ち、入力信号(IN)は、前段の転送出力(TRN)であり、リセット信号(RST)は、次々段の走査回路出力(OT)である。
一般的に、トランジスタは動作遅延が発生するため、入力信号(IN)が切り替わるタイミングは、クロック(CLK)に対して遅延することになる。
したがって、入力信号(IN)がHレベルからLレベルとなるのは、クロック(CLK)がHレベルからLレベルに切り替わった後であり、入力信号(IN)がLレベルからHレベルとなるのは、クロック(CLK)がHレベルからLレベルに切り替わった後である。
このように、本実施例の基本回路は、一種のダイナミック回路であり、貫通電流はほとんど流れないため、消費電力低減に効果がある。
通常、ゲート信号は2ライン同時にオンとならないように、切り替わりのタイミングにおいてLレベルの期間を設けている。
図15に示す回路構成の場合、ナンド回路(NAND)を3入力として、Lレベルの期間を作る信号を入力する等の手段を用いるが、本実施例では、図6に示すように、クロック(CLK1)とクロック(CLK2)において、共にLレベルの期間を設けることで、出力切り替わりタイミングにLレベルの期間を設けることができる。もちろん、ナンド回路(NAND)等を用いる手段も可能である。
最終段の基本回路については、TRN端子に接続される回路が存在しないので問題はないが、最終段より1段前の基本回路のTRN端子から出力される転送出力(TRN)、つまり、最終段の入力信号(IN)は、Lレベルのままで、クロック(CLK)が取り込みつづけられる。したがって、最終段の基本回路は、ダミー段として利用する必要がある。
最後の2段の基本回路のRST端子には、スタート信号(FLM)の反転信号(FLMB)を入力することで、入力時にノード(RS)をLレベルとし、定常状態とすることができる。
また、最終段の基本回路のOT端子からは、クロック(CLK)の波形が出力されつづけるため、最終段より2段前の基本回路のRST端子に、HレベルとLレベルの信号が入力されつづける。しかし、ノード(RS)は定常状態でLレベルであるので、問題はない。
ノード(RS)の主なリークパスとして、トランジスタ(Tr5)を介した第1の電源電圧(VDD)へのパスが考えられ、ノード(RS)の電位がLレベルより上昇した場合、誤動作する可能性がある。
そこで、例えば、図7に示すように、ノード(RS)と第1の電源電圧(VDD)との間に、保持容量(Cs)を追加することで、安定化することができる。
もちろん、保持容量(Cs)の接続先は、第2の電源電圧(VSS)や、その他安定電位でも問題ない。
また、主なリークパスであるトランジスタ(Tr5)のリークを減らすため、トランジスタ(Tr5)のチャネル長を長くする、チャネル幅を短くする等ももちろん有効である。
したがって、クロック(CLK)が、LレベルからHレベルになるとき、トランジスタ(Tr1)のゲート容量を介した容量カップリングにより、IN端子の電位がLレベルより上昇することが想定される。
この場合、トランジスタ(Tr1)のオン抵抗が上昇し、走査回路出力(OT)への出力遅延が増大する。さらに、上昇した電位がトランジスタ(Tr2)のしきい値を超えた場合、トランジスタ(Tr2)がオンとなり、走査回路出力(OT)を出力している期間、トランジスタ(Tr2)、トランジスタ(Tr1)を介して、クロック(CLK)が伝送されるクロックバスから第2の電源電圧(VSS)に向かって貫通電流が流れてしまう。
そこで、図8に示すように、トランジスタ(Tr2)のゲートと、第2の電源電圧(VSS)との間にn型MOSトランジスタ(Tr7)を接続し、このトランジスタ(Tr7)のゲートに走査回路出力(OT)を印加する。
これにより、走査回路出力(OT)がHレベルの期間は、IN端子をLレベルとすることができる。
トランジスタ(Tr7)を追加した場合、入力信号(IN)がLレベルからHレベルに、走査回路出力(OT)がHレベルからLレベルに切り替わる瞬間に、トランジスタ(Tr7)に貫通電流が流れることが想定される。
しかし、走査回路出力(OT)の切り替わりタイミングに対して、入力信号(IN)の切り替わりタイミングは遅れるため、ほとんど貫通電流は流れないと想定される。
当然、トランジスタ(Tr3)のゲート電位の立ち上がり、立ち下がり遅延も大きくなり、転送の遅延が増大する。したがって、回路の動作周波数が低減すると想定される。
これを防止するために、トランジスタ(Tr1)のチャネル幅を大きくすることは、容量カップリングの影響も大きくなるため、好ましくない。
一般的な対策として、図9に示すように、p型MOSトランジスタ(Tr9)およびn型MOSトランジスタ(Tr8)、並びに、p型MOSトランジスタ(TrB)およびn型MOSトランジスタ(TrA)で構成されるインバータを用いたバッファ回路を設け、走査回路出力(OT)の負荷を低減する方法が望ましい。
ノード(RS)はフローティングノードであり、定常状態でLレベルであるが、初期状態(電源投入時)においては不定である。
そこで、図10に示すように、トランジスタ(Tr6)と並列に、n型MOSトランジスタ(TrC)を設け、このトランジスタ(TrC)のゲートに、スタート信号(FLM)の反転信号(FLMB)を印加することで、スタート信号(FLM)が入力された時に、ノード(RS)を定常状態にリセットすることができる。
したがって、走査回路出力(OT)に、トランジスタ(Tr2)を介してLレベルを書き込むタイミングが遅延し、切り替わり始めでは、トランジスタ(Tr1)を介してLレベルを書き込むこととなる。つまり、トランジスタ(Tr1)のゲートがLレベル、ドレイン(又はソース)がLレベルにおいて、ソース(又はドレイン)にLレベルを書き込むことなる。
この場合、高いゲートソース(又はドレイン)電圧を得ることができず、走査回路出力(OT)への書き込み遅延は大きくなると想定される。
一般的に、Lレベルを書き込むのは、nチャネルトランジスタの方がpチャネルトランジスタより好ましい。
そこで、図11に示すように、トランジスタ(Tr1)と並列に、n型MOSトランジスタ(TrD)を接続し、このトランジスタ(TrD)のゲートに、p型MOSトランジスタ(TrE)およびn型MOSトランジスタ(TrF)からなるインバータで反転された入力信号を印加し、CMOSスイッチ化することで、遅延を低減することができる。
なお、図12に示すように、図11のトランジスタ(TrD)と、図9に示すp型MOSトランジスタ(Tr9)およびn型MOSトランジスタ(Tr8)、並びに、p型MOSトランジスタ(TrB)およびn型MOSトランジスタ(TrA)で構成されるインバータとを組み合わせることで、図11中のp型MOSトランジスタ(TrE)およびn型MOSトランジスタ(TrF)からなるインバータを削減することができる。
この場合、走査回路出力(OT)がLレベルとなった後も、2段のインバータで遅延した期間、トランジスタ(TrD)をオンすることができる。1クロック遅延しない限り動作として問題ないため、負荷が大きく遅延の大きい出力に接続しても問題ない。
図13に、前述した機能を全て備えた場合の回路を示す。
また、前述の説明では、トランジスタとして、MOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTを使用した場合について説明したが、MIS(Metal Insulator Semiconductor)FET等も使用可能である。
また、前述の説明では、垂直駆動回路(XDV)、および水平駆動回路(YDV)を、表示パネルに内蔵(表示パネルの基板上に一体に形成)した場合について説明しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、垂直駆動回路(XDV)、および水平駆動回路(YDV)自体、あるいは一部の機能を半導体チップを用いて構成しても良い。
さらに、前述の説明では、本発明を液晶表示装置に適用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、有機EL素子などを使用するEL表示装置にも適用可能であることはいうまでもない
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
Y1,Y2,...,Ym ドレイン線
S1,S2,...,Sm スイッチ素子
XDV 垂直駆動回路
YDV 水平駆動回路
DATA 映像信号線
COM 共通電極
PM,NM,Tnm、TrN,TrA〜TrF トランジスタ
RS ノード
Cnm,Cs 容量素子
INV1,INV3 クロックドインバータ
INV2,INV4 インバータ
NAND ナンド回路
S/R 基本回路
Claims (13)
- 複数の画素と、
前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、多段に縦接接続されるn(n≧2)個の基本回路を有し、
前記基本回路は、第1電極にクロックが印加される第1導電型の第1のトランジスタと、
第2電極が前記第1のトランジスタの第2電極に接続され、第1電極に第2の電源電圧が印加される前記第1導電型とは導電型が異なる第2導電型の第2のトランジスタと、
第1電極に前記第2の電源電圧とは異なる第1の電源電圧が印加される前記第1導電型の第3のトランジスタと、
第2電極が前記第3のトランジスタの第2電極に接続されるとともに制御電極が前記第1のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第4のトランジスタと、
第1電極に前記第1の電源電圧が印加され、第2電極が前記第3のトランジスタの制御電極に接続される前記第1導電型の第5のトランジスタと、
第2電極が前記第5のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第6のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタの制御電極、前記第2のトランジスタの制御電極、および、前記第5のトランジスタの制御電極に入力信号が印加され、
前記第1のトランジスタの前記第2電極が走査回路出力端子に接続され、
前記第6のトランジスタの制御電極にリセット信号が印加され、
前記第3のトランジスタの第2電極が転送出力端子に接続され、
前記n個の基本回路のうち1段目の基本回路の前記入力信号として、スタート信号が入力され、m(2≦m≦n)段目の基本回路の前記入力信号として、(m−1)段目の基本回路の転送出力が入力され、
前記m段目の基本回路のリセット信号として、(m+2)段目の基本回路の前記走査回路出力が入力されることを特徴とする表示装置。 - 前記n個の基本回路のうち(n−1)段目、およびn段目の基本回路のリセット信号として、スタート信号の反転信号が入力されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記n個の基本回路のうちn段目の基本回路は、ダミー段として使用され、シフト動作に寄与しないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。
- 前記基本回路は、一端が前記第5のトランジスタの前記第2の電極に接続され、他端に所定の電圧が印加される容量素子を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記所定の電圧は、前記第1の電源電圧、あるいは、前記第2の電源電圧であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記基本回路は、第2の電極が前記第2のトランジスタの前記制御電極に接続されるとともに制御電極が前記第1のトランジスタの前記第2電極に接続され、第1の電極に前記第2の電源電圧が印加される前記第2導電型の第7のトランジスタを有することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記基本回路は、前記第1のトランジスタの前記第2電極と前記走査回路出力端子との間に設けられるバッファ回路を有することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記バッファ回路は、偶数段縦接接続されるインバータであることを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
- 前記基本回路は、前記第6のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第8のトランジスタを有し、
前記第8のトランジスタの制御電極に、スタート信号の反転信号が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記基本回路は、前記第1のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第9のトランジスタを有し、
前記第9のトランジスタの制御電極に、入力信号の反転信号が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記基本回路は、前記第1のトランジスタと並列に接続される前記第2導電型の第10のトランジスタを有し、
前記第10のトランジスタの制御電極は、前記バッファ回路の出力端子に接続されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の表示装置。 - 前記n個の基本回路のうち奇数段目の基本回路の前記第1のトランジスタの前記第1の電極に第1のクロックが供給され、
前記n個の基本回路のうち偶数段目の基本回路の前記第1のトランジスタの前記第1の電極に第2のクロックが供給され、
前記第1のクロックと前記第2のクロックとは、同一周期で、位相が異なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1のクロックと前記第2のクロックとは、同じ電圧レベルとなる期間を有することを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
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