TW201804452A - 像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置 - Google Patents

像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201804452A
TW201804452A TW106122129A TW106122129A TW201804452A TW 201804452 A TW201804452 A TW 201804452A TW 106122129 A TW106122129 A TW 106122129A TW 106122129 A TW106122129 A TW 106122129A TW 201804452 A TW201804452 A TW 201804452A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
thin film
coupled
power supply
node
Prior art date
Application number
TW106122129A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI740972B (zh
Inventor
賈智鉉
裵漢成
郭源奎
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201804452A publication Critical patent/TW201804452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI740972B publication Critical patent/TWI740972B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels

Abstract

本發明揭示一種像素，其包含像素電路與有機發光二極體。像素具有第一、第二、第三和第四電晶體。第一電晶體控制從與第一節點耦接的第一驅動電源供應通過有機發光二極體流至第二驅動電源供應之電流量。當提供第一掃描訊號給第一掃描線時，第二電晶體導通。當提供第二掃描訊號給第二掃描線時，第三電晶體導通。當提供第三掃描訊號給第三掃描線時，第四電晶體導通。第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且第三與第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。

Description

像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
2016年7月1日提交之韓國專利申請案No. 10-2016-0083492，且名為：「像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置 (Pixel, Stage Circuit and Organic Light Emitting Display Device Having the Pixel and the Stage Circuit)」揭露之全部內容藉由參照而併入本文中。
本文描述之一種或多種實施例涉及像素、級電路及包含像素與級電路之有機發光顯示裝置。
已經發展出多種顯示器。例如包含液晶顯示器和有機發光顯示器。有機發光顯示器基於從包含有機發光二極體之像素發出之光線產生圖像。有機發光顯示器具有高響應速度與低耗能之優點。
有機發光顯示器包含連結數據線與掃描線之像素。每個像素使用驅動電晶體基於數據訊號控制從第一驅動電源供應通過有機發光二極體通到第二驅動電源供應之電流量。有機發光二極體基於驅動電晶體的電流量發出具有預定亮度的光。
試圖改進有機發光顯示器之性能。一種方法涉及將第二驅動電源供應設置為低電壓以試圖提高亮度。其他方法涉及用低頻率驅動顯示器以試圖降低功率消耗。然而，兩個方法可能使自驅動電晶體之閘極電極發生預定的電流洩漏。結果，可能無法維持在一個幀週期期間每個像素的數據訊號電壓。因此，無法顯示具有期望亮度的圖像。
根據一種或多種實施例，像素包含有機發光二極體；具有耦接到第一節點之第一電極與耦接到有機發光二極體的陽極電極之第二電極的第一電晶體，第一電晶體用以控制從耦接到第一節點之第一驅動電源供應通過有機發光二極體流到第二驅動電源供應之電流量；耦接在數據線和第一節點之間第之二電晶體，當提供第一掃描訊號給第i條第一掃描線時，第二電晶體被導通，其中i為自然數；耦接在第一電晶體之閘極電極與第二電極之間之第三電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第三電晶體被導通；耦接在第一電晶體的閘極電極與初始化電源供應之間之第四電晶體，當提供第三掃描訊號給第i條第三掃描線時，第四電晶體被導通，其中第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，而第三電晶體和第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
第二電晶體可以係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。第二電晶體可以係n型氧化物半導體薄膜電晶體。像素可包含耦接在初始化電源供應與有機發光二極體其陽極電極之間之第五電晶體，當提供第一掃描訊號給第i條第一掃描線時，第五電晶體被導通，第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
像素可包含耦接在初始化電源供應與有機發光二極體之陽極電極之間之第五電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第五電晶體被導通，其中第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
像素可包含耦接在第一電晶體的第二電極與有機發光二極體的陽極電極之間之第六電晶體，當提供發光控制訊號給發光控制線，第六電晶體被截止；以及耦接在第一節點與第一驅動電源供應之間之第七電晶體，當提供發光控制訊號時，第七電晶體被截止，其中第六電晶體和第七電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
像素包含有機發光二極體；具有耦接在第一節點的第一電極與耦接在有機發光二極體之陽極電極的第二電極之第一電晶體，第一電晶體控制從耦接在第一節點的第一驅動電源供應通過有機發光二極體流到第二驅動電源供應之電流量；耦接在數據線和第一節點之間之第二電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第二電晶體被導通，其中i為自然數；耦接在第一電晶體之閘極電極與第二電極之間之第三電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第三電晶體被導通；耦接在第一電晶體之閘極電極與初始化電源供應之間之第四電晶體，當提供第三掃描訊號給第i條第三掃描線時，第四電晶體被導通，其中第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體而第二電晶體到第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
根據一種或多種實施例，像素包含有機發光二極體；基於第一節點的電壓控制從耦接在第一電晶體之第一電極的第一驅動電源供應通過有機發光二極體通流到第二驅動電源供應之電流量之第一電晶體；耦接在第一節點與第一電晶體之第二電極之間之第二電晶體，當提供第一掃描訊號給第i條第一掃描線時，第二電晶體被導通；耦接在第一節點與第二節點之間之儲存電容；耦接在數據線與第二節點之間之第三電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第三電晶體被導通；以及耦接在第二節點和初始化電源供應之間之第四電晶體，當提供反相發光控制訊號給反相發光控制線，第四電晶體被截止，其中第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體而第三電晶體和第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
第二電晶體可以係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。第二電晶體可以係n型氧化物半導體薄膜電晶體。像素可包含耦接在初始化電源供應與有機發光二極體的陽極電極之間之第五電晶體，當提供第一掃描訊號給第i條第一掃描線時，第五電晶體被導通，第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
像素可包含耦接在初始化電源供應與有機發光二極體之陽極電極之間之第五電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第五電晶體被導通，其中第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
像素可包含耦接在第一電晶體的第二電極與有機發光二極體的陽極電極之間之第六電晶體，當提供發光控制訊號給發光控制線時，第六電晶體被截止，其中第六電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，而發光控制訊號與反相發光控制訊號相對於彼此為反相的。
根據一種或多種實施例，像素包含有機發光二極體；基於第一節點的電壓，控制從耦接第一電晶體之第一電極之第一驅動電源供應通過有機發光二極體流到第二驅動電源供應之電流量之第一電晶體；耦接在第一節點與第一電晶體之第二電極之間之第二電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第二電晶體被導通；耦接在第一節點和第二節點之間之儲存電容；耦接在數據線和第二節點之間之第三電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第三電晶體被導通；以及耦接在第二節點和初始化電源供應之間之第四電晶體，當提供反相發光控制訊號給反相發光控制線時，第四電晶體被截止，其中第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，而第二電晶體到第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
根據一種或多種實施例，級電路包含在第一電源供應與電壓設置成低於第一電源供應之第二電源供應之間串聯耦接之第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體和第四電晶體；在第一電源供應與第二電源供應之間串聯耦接之第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體和第八電晶體；以及在第一電源供應與第二電源供應之間串聯耦接之第九電晶體和第十電晶體，其中：第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收來自前一級的輸出訊號或起始脈波，第二電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第一時序訊號，第三電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收具有與第一時序訊號相同週期及一反相脈波之第二時序訊號，第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收來自前一級的輸出訊號及起始脈波，第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有耦接輸出端子之閘極電極，第六電晶體p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第二時序訊號，第七電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第一時序訊號，第八電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有耦接輸出端子之閘極電極，第九電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有耦接第一節點之閘極電極，第十電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有耦接第一節點之閘極電極，以極與第一節點電連接之在第二電晶體與第三電晶體之間之第一共節點及在第六電晶體到第七電晶體之間之第二共節點。
根據一種或多種實施例，有機發光顯示裝置包含連接掃描線、發光控制線與數據線之像素；驅動掃描線與發光控制線之掃描驅動器；以及驅動數據線之數據驅動器，其中在像素中之至少一像素在第i條水平線中，其包含：有機發光二極體；具有耦接第一節點之第一電極與耦接有機發光二極體之陽極電極之第二電極之第一電晶體，其中第一電晶體控制從耦接在第一節點之第一驅動電源供應通過有機發光二極體流到第二驅動電源供應之電流量；耦接在數據線和第一節點之間之第二電晶體，當提供第一掃描訊號給第i條第一掃描線時，第二電晶體被導通；耦接在第一電晶體之閘極電極與第二電極之間之第三電晶體，當提供第二掃描訊號給第i條第二掃描線時，第三電晶體被導通；以及耦接在第一電晶體的閘極電極與初始化電源供應之間之第四電晶體，當第三掃描訊號提供給第i條第三掃描線時，第四電晶體被導通，其中第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，而第三電晶體和第四電晶體為n型氧化物半導體薄膜電晶體。
像素可包含耦接在初始化電源供應與有機發光二極體之陽極電極之間之第五電晶體，當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線時，第五電晶體被導通，其中第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。像素可包含耦接在第一電晶體的第二電極與有機發光二極體的陽極電極之間之第六電晶體，當提供發光控制訊號給發光控制線時，第六電晶體被截止；以及耦接在第一節點與第一驅動電源供應之間之第七電晶體，當提供發光控制訊號時，第七電晶體被截止，其中第六電晶體和第七電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
掃描驅動器可包含複數個級電路以驅動掃描線和發光控制線，且至少一級電路可包含在第一電源供應與電壓設置成低於第一電源供應之第二電源供應之間串聯耦接之第十一電晶體、第十二電晶體、第十三電晶體和第十四電晶體；在第一電源供應和第二電源供應之間串聯耦接之第十五電晶體、第十六電晶體、第十七電晶體和第十八電晶體；以及在第一電源供應和第二電源供應之間串聯耦接之第十九電晶體和第二十電晶體，其中第十一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收來自前一級之輸出訊號或起始脈波，第十二電晶體係設置為p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第一時序訊號，第十三電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收具有與該第一時序訊號相同週期並為反相之第二時序訊號，第十四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收來自前一級之輸出訊號或起始脈波，第十五電晶體係設置為p型低溫多晶矽薄膜電晶體具有耦接輸出端子之閘極電極，第十六電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第二時序訊號，第十七電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有閘極電極以接收第一時序訊號，第十八電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有耦接輸出端子之閘極電極；第十九電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有耦接第一節點之閘極電極，第二十電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有耦接第一節點之閘極電極，以及與第一節點電連接之在第十二電晶體與第十三電晶體之間之第一共節點及在第十六電晶體與第十七電晶體之間之第二共節點。
根據一種或多種實施例，像素包含第一電晶體以控制給光發射器的電流；以及耦接光發射器、第一電晶體或電容中之至少其一之第二電晶體，其中第一電晶體為低溫多晶矽薄膜電晶體，而第二電晶體與低溫多晶矽薄膜電晶體不同，第一電晶體和第二電晶體具有不同的導電類型。第二電晶體可為氧化物半導體電晶體。第一電晶體可為p型電晶體而第二電晶體可為n型電晶體。第二電晶體可在導通時使第一電晶體處於二極體連接狀態。第二電晶體可連接數據線。
現將參照附圖描述例示性實施例；然而，其可以不同形式實施，而不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。相反的，提供這些例示性實施例使得本揭露徹底及完整，且將充分地傳達例示性實施方式予此技術領域中具有通常知識者。可將實施例(或其部分)結合成其他的實施例。
在附圖中，為了說明上的清楚可誇大層和區域的尺寸。應理解的係，當層或元件被指稱為在另一層或基板「上(on)」時，其可直接在另一層或基板上，或也可存在中間層。另外，應當了解的係，當層被指稱在另一層「下(under)」時，其可直接在另一層下，且也可存在一個或多個中間層。此外，應當了解的係，當層被稱為於其他兩層「之間(between)」時，其可為於其他兩層之間的唯一層或亦可存在一個或多個中間層。全文中相同參考符號代表相同元件
在附圖中，為了說明上的清楚可誇大層和區域的尺寸。應理解的係，當層或元件被指稱在另一層或基板「上(on)」時，其可直接在另一層或基板上，或也可存在中間層。另外，應當了解的係，當層被指稱在另一層「下(under)」時，其可直接在另一層下，且也可存在一個或多個中間層。此外，應當了解的係，當層被稱為於其他兩層「之間(between)」時，其係可為於其他兩層之間的唯一層或亦可存在一個或多個中間層。全文中相同參考符號代表相同元件
應當理了解的是，當元件被指稱為「連接至」另一元件時，其可直接連接至元件或可插入一個或多個中間元件地電耦接至元件。此外，在附圖中，為了闡明本發明，省略了與本發明無關的部分。全文中相同參考符號代表相同元件。
第1圖繪示有機發光顯示裝置的實施例，其包含連結到掃描線S11到S1n、S21到S2n及S31到S3n、有機發光控制線E1到En、以及數據線D1到Dm之像素140；驅動掃描線S11到S1n、S21到S2n及S31到S3n與發光控制線E1到En之掃描驅動器110；驅動數據線D1到Dm之數據驅動器120；以及控制掃描驅動器110與數據驅動器120之時序控制器150。
時序控制器150可基於外部供應的同步訊號產生數據驅動控制訊號DCS與掃描驅動控制訊號SCS。透過時序控制器150產生的數據驅動控制訊號DCS與掃描驅動控制訊號SCS可分別提供給數據驅動器120與掃描驅動器110。另外，時序控制器150可重新調整並提供外部提供的數據Data給數據驅動器120。
掃描驅動控制訊號SCS可包含起始脈波與時序訊號。起始脈波可應用在控制掃描訊號與發光控制訊號之第一時序。時序訊號可被應用在位移時序脈波。
數據驅動控制訊號DCS可包含源起始脈波(source start pulse)與時序訊號。源起始脈波可應用在控制數據的採樣起始點且時序訊號可應用在控制採樣操作。
掃描驅動器110可接收來自時序控制器150之掃描驅動控制訊號SCS。接收掃描驅動控制訊號SCS的掃描驅動器110可提供掃描訊號到第一掃描線S11到S1n、第二掃描線S21到S2n、與第三掃描線S31到S3n。例如：掃描驅動器110可依序提供第一掃描訊號到第一掃描線S11到S1n、依序提供第二掃描訊號到第二掃描線S21到S2n、並依序提供第三掃描訊號到第三掃描線S31到S3n。當第一、第二和第三掃描訊號依序提供時，像素140可以水平線為單位來選擇。
掃描驅動器110可提供第二掃描訊號到第i條第二掃描線S2i以與提供給第i條第一掃描線S1i之第一掃描訊號重疊，其中i為自然數。第一掃描訊號和第二掃描訊號可設置為具有相反極性的訊號。例如：第一掃描訊號可設置為低電壓且第二掃描訊號可設置為高電壓。此外，掃描驅動器110可在提供第二掃描訊號到第i條第二掃描線S2i以前提供第三掃描訊號到第i條第三掃描線S3i。第三掃描訊號可設置為高電壓。此外，第i條第三掃描線S3i可由第(i-1)條第二掃描線S2i-1代替。
另外，每個第一、第二和第三掃描訊號可設置為閘極導通電壓。基於第一掃描訊號，像素140中之電晶體可設置為導通狀態。基於第二掃描訊號，像素140中之另一個電晶體可設置為導通狀態。基於第三掃描訊號，像素140中之另一個電晶體可設置為導通狀態。
接收掃描驅動控制訊號SCS的掃描驅動器110可提供發光控制訊號給發光控制線E1到En。例如：掃描驅動器110可依序提供發光控制訊號到發光控制線E1到En。每個發光控制訊號可應用以控制每個像素140的發光時間。因此，在一種實施例中，發光控制訊號可設置以具有比掃描訊號大的寬度。例如：掃描驅動器110可提供掃描訊號到第(i-1)條第一掃描線S1i-1及第i條第一掃描線S1i以與提供給第i條發光控制線Ei之發光控制訊號重疊。
掃描驅動器110可安裝在基板上，例如：透過薄膜製程。在一種實施例中，掃描驅動器110可位於像素單元130的不同側。此外，掃描驅動器110被繪示為提供掃描訊號和發光控制訊號。在另一種實施例中，不同的驅動器可提供掃描訊號和發光控制訊號。
發光控制訊號可設置為閘極截止電壓(例如：高電壓)去截止像素140裡的電晶體。像素140裡的電晶體可基於發光控制訊號被截止並在其他週期或剩餘週期內被開啟。
數據驅動器120可基於數據驅動控制訊號DCS，提供數據訊號給數據線D1到Dm。提供給數據線D1到Dm的數據訊號可提供給第一掃描訊號(或第二掃描訊號)選擇的像素140。數據驅動器120可與第一掃描訊號(或第二掃描訊號)同步提供數據訊號給數據線D1到Ｄm。數據驅動器120可與第一掃描訊號(或第二掃描訊號)同步提供數據訊號給數據線D1到Dm。
像素單元130可包含耦接到掃描線S11到S1n、S21到S2n與S31到S3n、發光控制線E1到En、以及數據線D1到Dm的像素140。像素140可接收第一驅動電源供應ELVDD、第二驅動電源供應ELVSS、以及來自外部裝置的初始化電源供應Vint。
每個像素140可包含驅動電晶體和有機發光二極體。驅動電晶體可基於數據訊號控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體與到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。在數據訊號被提供前驅動電晶體之閘極電極可基於初始化電源供應Vint之電壓而被初始化。
第1圖裡繪示了n條掃描線S11到S1n、n條掃描線S21到S2n、n條掃描線S31到S3n與n條發光控制線E1到En。在另一個實施例中，基於像素140的像素140的電路配置，在當前水平線上的像素可另外連結到前一水平線上之掃描線。在此像素140的電路配置中，可另外形成虛擬的掃描線和/或虛擬發光控制線。
第1圖裡繪示了第一掃描線S11到S1n、第二掃描線S21到S2、與第三掃描線S31到S3n。在另一個實施例中，基於像素140的電路配置可僅包含第一掃描線S11到S1n、第二掃描線S21到S2n與第三掃描線S31到S3n中的一條。
第1圖裡繪示了發光控制線E1到En。在另一個實施例中，基於像素140的電路配置可更進一步包含反相發光控制線。反相發光控制線可接收發光控制訊號之反相發光控制訊號。
第2圖繪示像素之實施例，舉例而言，其可為像素140的代表。為了方便解釋，像素被繪示為位於第i條水平線並連結到第m條數據線Dm。
參照第2圖，像素140可包含氧化物半導體薄膜電晶體與低溫多晶矽(LTPS)薄膜電晶體。氧化物半導體薄膜電晶體可包含閘極電極、源極電極與汲極電極。氧化物半導體薄膜電晶體可包含含有氧化物半導體材料之主動層。例如：氧化物半導體材料可以係非晶態或晶態的氧化物半導體材料。例如：氧化物半導體薄膜電晶體可以係n型電晶體。
低溫多晶矽薄膜電晶體可包含閘極電極、源極電極與汲極電極。低溫多晶矽薄膜電晶體可包含含有多晶矽的主動層。例如：低溫多晶矽薄膜電晶體可以係p型薄膜電晶體或n型薄膜電晶體。低溫多晶矽薄膜電晶體具有高電子遷移率和高驅動特性。
氧化物半導體薄膜電晶體可允許低溫製程且具有比低溫多晶矽薄膜電晶體較低的電子遷移率。氧化物半導體薄膜電晶體可具有良好的截止電流特性。
像素140可包含像素電路142和有機發光二極體OLED。有機發光二極體OLED可具有耦接到像素電路142之陽極電極以及耦接到第二驅動電源供應ELVSS之陰極電極。有機發光二極體OLED可基於來自像素電路142之電流量以預定的亮度發光。
像素電路142可基於數據訊號控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED且流到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。像素電路142可包含第一電晶體M1(L)(驅動電晶體)、第二電晶體M2(L)、第三電晶體M3(O)、第四電晶體M4(O)、第五電晶體M5(L)、第六電晶體M6(L)、第七電晶體M7(L)與儲存電容Cst。
第一電晶體M1(L)可具有耦接至第一節點N1之第一電極、耦接至第六電晶體M6(L)的第一電極之第二電極、以及耦接至第二節點N2之閘極電極。第一電晶體M1(L)可基於儲存電容Cst裡的儲存電壓，控制從第一驅動電源供應ELVDD通到有機發光二極體OLED且流到第二驅動電源供應ELVSS的電流量。為確保高驅動速度，第一電晶體M1(L)可包含低溫多晶矽薄膜電晶體且例如，可為p型電晶體。
第二電晶體M2(L)可耦接於數據線Dm與第一節點N1之間。第二電晶體M2(L)之閘極電極可耦接至第i條第一掃描線S1i。當第一掃描訊號提供給第i條第一掃描線S1i時，第二電晶體M2(L)可導通，以電連結數據線Dm到第一節點N1。第二電晶體M2(L)可包含低溫多晶矽薄膜電晶體且例如，可為p型電晶體。
第三電晶體M3(O)可耦接於第一電晶體M1(L)之第二電極與第二節點N2之間。第三電晶體M3(O)之閘極電極可耦接至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第三電晶體M3(O)可導通，以使第一電晶體M1(L)處於二極體連結狀態。
當第三電晶體M3(O)包含氧化物半導體薄膜電晶體時，第三電晶體M3(O)可為，例如n型電晶體。當第三電晶體M3(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少從第二節點N2流到第一電晶體M1(L)之第二電極的漏電流，因此可顯示具期望亮度的圖像。
第四電晶體M4(O)可連結於第二節點N2與初始化電源供應Vint之間。第四電晶體M4(O)之閘極電極可耦接至第i條第三掃描線S3i。當第三掃描訊號提供給第i條第三掃描線S3i時，第四電晶體M4(O)可被導通，以提供初始化電源供應Vint的電壓給第二節點N2。
第四電晶體M4(O)可以係氧化物半導體薄膜電晶體且例如，可為n型電晶體。當第四電晶體M4(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少從第二節點N2流到初始化電源供應Vint之漏電流，以顯示具有預期亮度的圖像。
第五電晶體M5(L)可連結於有機發光二極體OLED之陽極電極與初始化電源供應Vint之間。第五電晶體M5(L)之閘極電極可耦接至第i條第一掃描線S1i。當第一掃描訊號提供給第i條第一掃描線S1時，第五電晶體M5(L)可導通，以提供初始化電源供應Vint的電壓給有機發光二極體OLED之陽極電極。第五電晶體M5(L)可以係低溫多晶矽薄膜電晶體且例如，可為p型電晶體。
初始化電源供應Vint之電壓可低於數據訊號之數據電壓的範圍。當初始化電源供應Vint之電壓提供給有機發光二極體OLED之陽極電極時，可使有機發光二極體OLED(例如：有機電容Coled)之寄生電容放電。當使有機電容Coled放電時，可提升像素140之黑色表現能力。
在一種實施例中，有機電容Coled可基於前一幀期間來自像素電路142之電流儲存預定電壓。當預定電壓儲存在有機電容Coled時，有機發光二極體OLED可輕易地以低電流發光。
可在當前幀週期期間將黑色數據訊號提供給像素電路142。當提供黑色數據訊號時，理想地像素電路142可不提供電流給有機發光二極體OLED。然而，即使提供了黑色數據訊號，預定的漏電流可從第一電晶體M1(L)提供給有機發光二極體OLED。當有機電容Coled儲存預定電壓時，有機發光二極體OLED可精細地發光，因此，黑色表達能力可能會退化。
根據一種實施例，當有機電容Coled透過初始化電源供應Vint放電時，即使當從第一電晶體M1(L)提供漏電流時，有機發光二極體OLED可被設置成非發光狀態。因此，來自第一電晶體M1(L)之漏電流可提前對有機電容Coled充電，使得有機電容Coled可保持非發光狀態。
第六電晶體M6(L)可耦接在第一電晶體M1(L)之第二電極與有機發光二極體OLED之陽極電極之間。此外，第六電晶體M6(L)之閘極電極可耦接至發光控制線Ei。當發光控制訊號被提供給發光控制線Ei時，第六電晶體M6(L)可被截止，且當不提供發光控制訊號時，第六電晶體M6(L)可被導通。第六電晶體M6(L)可以係低溫多晶矽薄膜電晶體且例如，可為p型電晶體。
第七電晶體M7(L)可耦接於第一驅動電源供應ELVDD與第一節點N1之間。第七電晶體M7(L)之閘極電極可連結到發光控制線Ei。當發光控制訊號提供給發光控制線Ei時，第七電晶體M7(L)可被截止，且當不提供發光控制訊號時，第七電晶體M7(L)可被導通。例如：第七電晶體M7(L)可以係低溫多晶矽薄膜電晶體且例如，可為p型電晶體。
儲存電容Cst可耦接於第一驅動電源供應ELVDD與第二節點N2之間。儲存電容Cst可儲存對應於數據訊號與第一電晶體M1(L)之臨界電壓之電壓。
在本實施例中，耦接至第二節點N2的第三電晶體M3(O)與第四電晶體M4(O)可為氧化物半導體薄膜電晶體。當第三電晶體M3(O)與第四電晶體M4(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少從第二節點N2之漏電流。結果，可顯示具預定亮度之圖像。
在本實施例中，在提供電流給有機發光二極體OLED之電流供應路徑中之電晶體M7(L)、M1(L)與M6(L)可以係低溫多晶矽薄膜電晶體。當電流供應路徑中之電晶體M7(L)、M1(L)與M6(L)係低溫多晶矽薄膜電晶體時，電流可透過高驅動特性穩定地提供給有機發光二極體OLED。
第3A圖繪示對應於例如如第2圖所示之驅動像素的方法的實施例之波型。參考第3A圖，可將發光控制訊號(高電壓)提供給發光控制線Ei以截止為p型電晶體之第六電晶體M6(L)與第七電晶體M7(L)。當第六電晶體M6(L)被截止時，第一電晶體M1(L)與有機發光二極體OLED之間的電連結將會受阻。當第七電晶體M7(L)被截止時，第一驅動電源供應ELVDD與第一節點N1之間的電連結將會受阻。因此，在發光控制訊號提供給發光控制線Ei的週期期間，像素140可設置為非發光狀態。
接著，可將第三掃描訊號(高電壓)提供給第i條第三掃描線S3i。當第三掃描訊號提供給第i條第三掃描線S3i時，為n型電晶體之第四電晶體M4(O)可被導通。當第四電晶體M4(O)被導通時，可將初始化電源供應Vint之電壓提供給第二節點N2。
在初始化電源供應Vint之電壓提供給第二節點N2後，第一掃描訊號(低電壓)可被提供給第i條第一掃描線S1i且第二掃描訊號(高電壓)可被提供給第i條第二掃描線S2i。
當第一掃描訊號提供給第i條第一掃描線S1i時，可導通為p型電晶體之第二電晶體M2(L)與第五電晶體M5(L)。當第五電晶體M5(L)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可被提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。當初始化電源供應Vint之電壓被提供給有機發光二極體OLED之陽極電極時，有機電容Coled可被放電。當第二電晶體M2(L)被導通時，數據線Dm與第一節點N1可彼此電連結以從數據線Dm提供數據訊號到第一節點N1。
當第二掃描訊號被提供給第i條第二掃描線S2i時，為n型電晶體之第三電晶體M3(O)可被導通。當第三電晶體M3(O)被導通時，可使第一電晶體M1(L)處於二極體連結狀態。由於第二節點N2被初始化為低於數據訊號的初始化電源供應Vint之電壓，所以第一電晶體M1(L)可被導通。
當第一電晶體M1(L)被導通時，提供給第一節點N1的數據訊號可透過二極體連結狀態之第一電晶體M1(L)傳遞給第二節點N2。第二節點N2可被設置為對應數據訊號與第一電晶體M1(L)之臨界電壓之電壓。儲存電容Cst可儲存施加在第二節點N2之電壓。
在第二節點N2電壓儲存在儲存電容Cst後，可停止將發光控制訊號提供給發光控制線Ei。當停止提供發光控制訊號給發光控制線Ei時，第六電晶體M6(L)和第七電晶體M7(L)可被導通。
當第六電晶體M6(L)被導通時，第一電晶體M1(L)可電連結至有機發光二極體OLED。當第七電晶體M7(L)被導通時，第一驅動電源供應ELVDD可電連結至第一節點N1。第一電晶體M1(L)可基於第二節點N2之電壓控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。
第二節點N2可連結至為氧化物半導體薄膜電晶體之第三電晶體M3(O)與第四電晶體M4(O)以減少漏電流。因此，在一個幀週期期間第二節點N2可維持所需電壓，且在一個幀週期期間像素140可基於數據訊號產生具有所需亮度的光。
根據實施例，第i條第三掃描線S3i可被第(i-1)條第二掃描線S2i-1取代。如第3B圖所繪示，在此實施例中，提供給第(i-1)條第二掃描線S2i-1之第二掃描訊號可被提供給第四電晶體M4(O)。除此之外，可以執行上述相同的操作。
第4圖繪示出像素140a之另一個實施例，舉例而言，其可為第1圖的顯示裝置中之像素代表。參考第4圖，像素140a可包含像素電路142’與有機發光二極體OLED。
有機發光二極體OLED具有耦接至像素電路142’之陽極電極以及耦接至第二驅動電源供應ELVSS之陰極電極。有機發光二極體OLED可基於從像素電路142’提供的電流量產生具有預定亮度的光。
像素電路142’可包含第一電晶體M1(L)、第二電晶體M2(L)、第三電晶體M3(O)、第四電晶體M4(O)、第五電晶體M5(O)、第六電晶體M6(L)、第七電晶體M7(L)與儲存電容Cst。除了第五電晶體M5(O)係氧化物半導體薄膜電晶體以外，第4圖中的像素電路142’可具有與第2圖中之像素電路142實質上相同的配置。
第五電晶體M5(O)可耦接於有機發光二極體OLED之陽極電極與初始化電源供應Vint之間。第五電晶體M5(O)之閘極電極可耦接至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i，第五電晶體M5(O)可被導通以提供初始化電源供應Vint之電壓到有機發光二極體OLED之陽極電極。薄膜電晶體M5(O)可以係n型電晶體。
當第五電晶體M5(O)係氧化物薄膜電晶體時，可被減少在發光期間從有機發光二極體OLED之陽極電極提供到初始化電源供應Vint之漏電流。當從有機發光二極體OLED之陽極電極提供到初始化電源供應Vint之漏電流減少時，有機發光二極體OLED可產生具有預定亮度的光。
另外，當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第五電晶體M5(O)可被導通。在一種實施例中，第五電晶體M5(O)可執行如第2圖所描述的實質上相同的操作。
第5圖繪示了像素140b的另一個實施例，其包含像素電路142”與有機發光二極體OLED。參考第5圖，像素140b可包含像素電路142”與有機發光二極體OLED。
有機發光二極體OLED具有可耦接至像素電路142”的陽極電極且耦接至第二驅動電源供應ELVSS的陰極電極。有機發光二極體OLED可基於從像素電路142”提供的產生電流量產生具有所需亮度的光。
像素電路142”可包含第一電晶體M1(L)、第二電晶體M2(O)、第三電晶體M3(O)、第四電晶體M4(O)、第五電晶體M5(O)、第六電晶體M6(L)、第七電晶體M7(L)與儲存電容Cst。除了第二電晶體M2(O)係氧化物半導體薄膜電晶體以外，像素電路142”可具有與第4圖中之像素電路142’實質上相同的配置。
第二電晶體M2(O)可耦接於數據線Dm與第一節點N1之間。第二電晶體M2(O)之閘極電極可耦接至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第二電晶體M2(O)可被導通，以將數據線Dm電連結至第一節點N1。第二電晶體M2(O)可為n型電晶體。
當第二電晶體M2(O)係氧化物薄膜電晶體，可減少在第一節點N1與第一數據線Dm之間不想要的電流且有機發光二極體OLED可產生具有所需亮度的光。此外，當第二電晶體M2(O)係n型電晶體時，可移除第i條第一掃描線S1i。
第6圖繪示驅動第5圖中像素140b的方法的實施例之波型。參考第6圖，發光控制訊號可提供給發光控制線Ei以截止第六電晶體M6(L)與第七電晶體M7(L)。當第六電晶體M6(L)與第七電晶體M7(L)被截止時，像素140b可被設置為非發光狀態。
實質上，第三掃描訊號可提供給第i條第三掃描線S3i。當第三掃描訊號提供給第i條第三掃描線S3i時，第四電晶體M4(O)可被導通。當第四電晶體M4(O)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給第二節點N2。
初始化電源供應Vint之電壓提供給第二節點N2之後，第二掃描訊號可被提供給第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第二電晶體M2(O)、第三電晶體M3(O)與第五電晶體M5(O)被導通。當第五電晶體M5(O)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。
當第二電晶體M2(O)被導通時，數據線Dm可電連結至第一節點N1以從數據線Dm提供數據訊號給第一節點N1。
當第三電晶體M3(O)被導通時，第一電晶體M1(L)可處於二極體連結狀態。由於第二節點N2被始化為低於數據訊號的初始化電源供應Vint之電壓，第一電晶體M1(L)可被導通。當第一電晶體M1(L)被導通時，提供給第一節點N1的數據訊號可透過二極體連結狀態之第一電晶體M1(L)通到第二節點N2。第二節點N2可被設置為對應數據訊號與第一電晶體M1(L)之臨界電壓之電壓。儲存電容Cst可儲存施加在第二節點N2之電壓。
在第二節點N2的電壓儲存於儲存電容Cst之後，可停止提供發光控制訊號給發光控制線Ei。當停止提供發光控制訊號給發光控制線Ei時，第六電晶體M6(L)與第七電晶體M7(L)可被導通。
當第六電晶體M6(L)與第七電晶體M7(L)被導通時，可形成從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED，接著到第二驅動電源供應ELVSS之電流供應路徑。第一電晶體M1(L)可基於第二節點N2之電壓控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。
根據本實施例，在提供電流給有機發光二極體OLED之電流供應路徑裡的電晶體M7(L)、M1(L)、和M6(L)可以係低溫多晶矽薄膜電晶體。當在電流供應路徑裡的電晶體M7(L)、M1(L)、和M6(L)係低溫多晶矽薄膜電晶體時，電流可透過高驅動特性穩定地提供給有機發光二極體OLED。
此外，根據本發明實施例，不在電流供應路徑裡的電晶體M2(O)、M3(O)、M4(O)與M5(O)可為氧化物半導體薄膜電晶體。當不在電流供應路徑的電晶體M2(O)、M3(O)、M4(O)與M5(O)為氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少漏電流且可顯示具有所需亮度的圖像。
第7圖繪示像素140c的另一個實施例，舉例而言，其可為第1圖之顯示裝置中的像素代表。為了方便解釋，在第7圖裡，將像素140c繪示位於第i條水平線和第m條數據線Dm裡。
參考第7圖，像素140c可包含像素電路144與有機發光二極體OLED。有機發光二極體OLED具有耦接至像素電路144之陽極電極以及耦接至第二驅動電源供應ELVSS之陰極電極。有機發光二極體OLED可基於來自像素電路144之電流量發出具有預定亮度的光。
像素電路144可基於數據訊號控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED並到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。像素電路144可包含第一電晶體M11(L)、第二電晶體M12(L)、第三電晶體M13(O)、第四電晶體M14(O)、第五電晶體M15(L)、第六電晶體M16(L)與儲存電容Cst。
第一電晶體M11(L)具有耦接至第一驅動電源供應ELVDD的第一電極、耦接至第六電晶體M16(L)之第一電極的第二電極、以及耦接至第一節點N1的閘極電極。第一電晶體M11(L)可基於第一節點N1之電壓控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體OLED，且到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。為確保高驅動速度，第一電晶體M11(L)可為，例如p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
第二電晶體M12(L)可耦接於第一節點N1與第一電晶體M11(L)的第二電極之間。第二電晶體M12(L)之閘極電極可耦接至第i條第一掃描線S1i。當第一掃描訊號提供給第i條第一掃描線S1i時，第二電晶體M12(L)可被導通。當第二電晶體M12(L)被導通時，第一電晶體M11(L)可處於二極體連結狀態。第二電晶體M12(L)可為，例如p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
第三電晶體M13(O)可耦接於數據線Dm與第二節點N2之間。第三電晶體M13(O)之閘極電極可耦接至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描線提供給第i條第二掃描線S2i時，第三電晶體M13(O)可被導通。當第三電晶體M13(O)被導通時，數據線Dm可電連結至第二節點N2。
當第三電晶體M13(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，第三電晶體M13(O)可為，例如n型電晶體。當第三電晶體M13(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少在第二節點N2與數據線Dm之間的漏電流且可顯示具有所需亮度之圖像。
當第四電晶體M14(O)可耦接於第二節點N2與初始化電源供應Vint之間。第四電晶體M14(O)之閘極電極可耦接至反相發光控制線/Ei。當反相發光控制訊號提供給反相發光控制線/Ei時，第四電晶體M14(O)可被截止，且當反相發光控制訊號不提供時，第四電晶體M14(O)可被導通。當第四電晶體M14(O)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可被提供給第二節點N2。
當第四電晶體M14(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，第四電晶體M14(O)可為，例如n型電晶體。當第四電晶體M14(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少在第二節點N2與初始化電源供應Vint之間的漏電流且可顯示具有所需亮度之圖像。
在一種實施例中，提供給反相發光控制線/Ei之反相發光控制訊號可被設置為提供給反相發光控制線/Ei之發光控制訊號之反相訊號。例如：當發光控制訊號被設置為預定的高電壓時，反相發光控制訊號可被設置成預定的低電壓。
第五電晶體M15(L)可耦接於有機發光二極體OLED之陽極電極與初始化電源供應Vint之間。第五電晶體M15(L)之閘極電極可耦接至第i條第一掃描線S1i。當第一掃描訊號提供給第i條第一掃描線S1i時，第五電晶體M15(L)可被導通。當第五電晶體M15(L)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。第五電晶體M15(L)可為，例如p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
第六電晶體M16(L)可耦接於第一電晶體M11(L)的第二電極與有機發光二極體OLED的陽極電極之間。第六電晶體M16(L)之閘極電極可耦接至發光控制線Ei。當發光控制訊號提供給發光控制線Ei時，第六電晶體M16(L)可被截止，而當發光控制訊號停止提供時，第六電晶體M16(L)可被導通。第六電晶體M16(L)可為，例如p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
儲存電容Cst可耦接於第一節點N1與第二節點N2之間。儲存電容Cst可儲存對應於數據訊號與第一電晶體M11(L)的臨界電壓之電壓。
根據本實施例，耦接至第二節點N2的第三電晶體M13(O)與第四電晶體M14(O)可為氧化物半導體薄膜電晶體。當第三電晶體M13(O)與第四電晶體M14(O)係氧化物半導體薄膜電晶體時，可減少漏電流所致之第二節點N2的電壓變化，且可顯示具有所需亮度之圖像。
根據本實施例，在提供電流給有機發光二極體OLED之電流供應路徑中之電晶體M11(L)與M16(L)可為低溫多晶矽薄膜電晶體。當電流供應路徑中之電晶體M11(L)與M16(L)為低溫多晶矽薄膜電晶體時，電流可透過高驅動特性穩定地提供給有機發光二極體OLED。
第8圖繪示驅動在第7圖的像素之方法的實施例之波型。在第8圖中，第一掃描訊號可被提供給第一掃描線S1i而第二掃描訊號可被提供給第二掃描線S2i。
當第一掃描訊號提供給第一掃描線S1i時，第二電晶體M12(L)與第五電晶體M15(L)可被導通。當第五電晶體M15(L)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可被提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。當初始化電源供應Vint之電壓被提供給有機發光二極體OLED之陽極電極時，可使有機電容Coled放電。
當第二電晶體M12(L)被導通時，第一電晶體M11(L)可處於二極體連結狀態。第一節點N1可通過第六電晶體M16(L)與第五電晶體M15(L)電連結至初始化電源供應Vint。此外，第一節點N1可初始化為初始化電源供應Vint之電壓。
當第二掃描訊號提供給第二掃描線S2i，第三電晶體M13(O)可被導通。當第三電晶體M13(O)被導通時，數據線Dm可電連結至第二節點N2。
實質上，發光控制訊號可提供給發光控制線Ei以至少部分地與第一掃描訊號和第二掃描訊號重疊，且反相發光控制訊號可提供給反相發光控制線/Ei。
當發光控制訊號提供給發光控制線Ei時，第六電晶體M16(L)可被截止。當第六電晶體M16(L)被截止時，透過從第一驅動電源供應ELVDD減去第一電晶體M11(L)之臨界電壓絕對值獲得之電壓，可透過處於二極體連結狀態之第一電晶體M11(L)施加在第一節點N1。
當反相發光控制訊號提供給反相發光控制線/Ei時，第四電晶體M14(O)可被截止且第二節點N2與初始化電源供應Vint之間的電連結可受阻。由於第三電晶體M13(O)保持導通狀態，數據訊號之電壓可被施加在第二節點N2。
儲存電容Cst可以對應於第二節點N2與第一節點N1之間的電壓差進行充電。因此，儲存電容Cst可儲存對應於數據訊號與第一電晶體M11(L)的臨界電壓之電壓。
儲存電容Cst以預定電壓充電後，可停止提供第一掃描訊號給第一掃描線S1i且停止提供第二掃描訊號給第二掃描線S2i。當第一掃描訊號的提供停止時，第二電晶體M12(L)與第五電晶體M15(L)可被截止。當第二掃描訊號的提供停止時，第三電晶體M13(O)可被截止。
接著，可停止提供發光控制訊號給發光控制線Ei，且可停止提供反相發光控制訊號給反相發光控制線/Ei。當停止提供發光控制訊號給發光控制線Ei時，第六電晶體M16(L)可被導通。當第六電晶體M16(L)被導通時，第一電晶體M11(L)可電連結至有機發光二極體OLED。
當停止提供反相發光控制訊號給反相發光控制線/Ei時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給第二節點N2。初始化電源供應Vint之電壓可設置成在數據訊號之電壓範圍裡的預定電壓。
例如，初始化電源供應Vint可設置為高於或等於黑色數據訊號的電壓或設置為低於具有另一個灰階值(grayscale level)之數據訊號之電壓。
當黑色數據訊號被施加在第二節點N2時，第二節點N2之電壓可保持相同或增加提供初始化電源供應Vint之電壓時的預定電壓。基於第二節點N2之電壓變化，第一節點N1之電壓可增加預定電壓，或可保持與前一週期相同。例如：第一節點N1可基於第一電晶體M11(L)的臨界電壓絕對值與第一驅動電源供應ELVDD之間的差值保持一電壓。第一電晶體M11(L)可保持截止狀態。
當對應除了黑色之外的另一個灰階值的準數據訊號施加在第二節點N2時，如果提供初始化電源供應Vint之電壓，第二節點N2之電壓可減少預定電壓。基於第二節點N2電壓的變化，第一節點N1之電壓可減少預定電壓。當第一節點N1之電壓減少時，第一電晶體M11(L)可被導通。第一電晶體M11(L)可提供對應於第一節點N1之電流到有機發光二極體OLED。
基於數據訊號可判定第二節點N2的電壓之下降幅度(falling width)。例如：可透過數據訊號判定第一節點N1的電壓之下降幅度，使得第一電晶體M11(L)可基於數據訊號控制電流量。
第9圖繪示出像素140d之另一個實施例，其包含像素電路144’與有機發光二極體OLED。有機發光二極體OLED具有耦接至像素電路144’的陽極電極以及耦接至第二驅動電源供應ELVSS的陰極電極。有機發光二極體OLED可基於自像素電路144’提供之電流量發出具有預定亮度的光。
像素電路144’可包含第一電晶體M11(L)、第二電晶體M12(O)、第三電晶體M13(O)、第四電晶體M14(O)、第五電晶體M15(O)、第六電晶體M16(L)與儲存電容Cst。除了第二電晶體M12(O)與第五電晶體M15(O)係氧化物薄膜電晶體以外，像素電路144’可實質上具有與第7圖之像素電路144相同的配置。
第二電晶體M12(O)可耦接於第一節點N1與第一電晶體M11(L)的第二電極之間。第二電晶體M12(O)之閘極電極可連結至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第二電晶體M12(O)可被導通。當第二電晶體M12(O)被導通時，第一電晶體M11(L)可處於二極體連結狀態。第二電晶體M12(O)可為，例如n型氧化物薄膜電晶體。
當第二電晶體M12(O)為氧化物薄膜電晶體，可減少從第一節點N1流到第一電晶體M11(L)之第二電極之漏電流，而有機發光二極體OLED可以預定亮度發光。
第五電晶體M15(O)可連結至於有機發光二極體OLED之陽極電極與初始化電源供應Vint之間。第五電晶體M15(O)之閘極電極可耦接至第i條第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第i條第二掃描線S2i時，第五電晶體M15(O)可被導通。當第五電晶體M15(O)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。第五電晶體M15(O)可為，例如n型氧化物薄膜電晶體。
當第五電晶體M15(O)為氧化物薄膜電晶體時，可減少從有機發光二極體OLED之陽極電極流到初始化電源供應Vint之漏電流，且有機發光二極體OLED可以預定亮度發光。此外，當第二電晶體M12(O)與第五電晶體M15(O)係n型電晶體時，可移除第i條第一掃描線S1i。像素140d可透過第i條第二掃描線S2i驅動。
第10圖繪示驅動第9圖中的像素的方法的實施例之波型。首先，方法包含提供第二掃描訊號給第二掃描線S2i。當第二掃描訊號提供給第二掃描線S2i時，第二電晶體M12(O)、第三電晶體M13(O)與第五電晶體M15(O)可被導通。
當第五電晶體M15(O)被導通時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給有機發光二極體OLED之陽極電極。當初始化電源供應Vint之電壓提供給有機發光二極體OLED之陽極電極時，可使有機電容Coled放電。
當第二電晶體M12(O)被導通時，第一電晶體M11(L)可處於二極體連結狀態。第一節點N1可通過第六電晶體M16(L)與第五電晶體M15(O)電連結至初始化電源供應Vint。因此，第一節點N1可被初始化為初始化電源供應Vint之電壓。
當第三電晶體M13(O)被導通時．數據線Dm可電連結至第二節點N2。
隨後，為了部分重疊第二掃描訊號之週期，發光控制訊號可提供給發光控制線Ei，且反相發光控制訊號可提供給反相發光控制線/Ei。當發光控制訊號提供給發光控制線Ei時，第六電晶體M16(L)可被截止。當第六電晶體M16(L)被截止時，基於第一電晶體M11(L)之臨界電壓絕對值與第一驅動電源供應ELVDD之間的差值，電壓可透過二極體連結狀態之第一電晶體M11(L)施加給第一節點N1。
當反相發光控制訊號提供給反相發光控制線/Ei時，第四電晶體M14(O)可被截止。當第四電晶體M14(O)被截止時，第二節點N2與初始化電源供應Vint之間的電連結可受阻。由於第三電晶體M13(O)保持在導通狀態，數據訊號之電壓可施加到第二節點N2。
儲存電容Cst可基於第二節點N2與第一節點N1之間的差值來儲存電壓。例如，對應於數據訊號與第一電晶體M11(L)之臨界電壓之電壓可被儲存在儲存電容Cst。
預定電壓被儲存在儲存電容Cst之後，可停止第二掃描訊號對第二掃描線S2i的供應。當第二掃描訊號對第二掃描線S2i的供應停止時，第二電晶體M12(O)、第三電晶體M13(O)與第五電晶體M15(O)可被截止。
隨後，可停止發光控制訊號對發光控制線Ei的供應且停止反相發光控制訊號對反相發光控制線/Ei的供應。當發光控制訊號對發光控制線Ei的供應停止時，第六電晶體M16(L)可被導通。當第六電晶體M16(L)被導通時，第一電晶體M11(L)可電連結至有機發光二極體OLED。當反相發光控制訊號對反相發光控制線/Ei的供應停止時，初始化電源供應Vint之電壓可提供給第二節點N2。
第一節點N1的電壓可基於第二節點N2的電壓變化而改變。第一電晶體M11(L)可基於第一節點N1之電壓控制從第一驅動電源供應ELVDD通過有機發光二極體，且到第二驅動電源供應ELVSS之電流量。在一種實施例裡，掃描驅動器110可包含用以產生第一掃描訊號、第二掃描訊號或發光控制訊號中之至少其一之複數個級電路。
第11圖繪示包含氧化物半導體薄膜電晶體與低溫多晶矽薄膜電晶體之級電路之實施例。級電路可包含由低溫多晶矽薄膜電晶體組成之第一電晶體T1(L)、第二電晶體T2(L)、第五電晶體T5(L)、第六電晶體T6(L)與第九電晶體T9(L)。此外，級電路可包含由氧化物半導體薄膜電晶體組成之第三電晶體T3(O)、第四電晶體T4(O)、第七電晶體T7(O)、第八電晶體T8(O)與第十電晶體T10(O)。
第一電晶體T1(L)、第二電晶體T2(L)、第三電晶體T3(O)與第四電晶體T4(O)可在第一電源供應VDD與第二電源供應VSS之間串聯耦接。第一電源供應VDD可被設置成高電壓而第二電源供應VSS可被設置成低電壓。
第一電晶體T1(L)之閘極電極可接收起始脈波FLM或來自前一級的輸出訊號。第一電晶體T1(L)可為，例如，p型電晶體，其在未提供起始脈波FLM或來自前一級的輸出訊號(高電壓)時可被導通。
第二電晶體T2(L)之閘極電極可接收第一時序訊號CLK1。第二電晶體T2(L)可為，例如，p型電晶體，其在第一時序訊號CLK1被設置為低電壓時可被導通。
第三電晶體T3(O)之閘極電極可接收第二時序訊號CLK2。第三電晶體T3(O)可為，例如，n型電晶體，且其在第二時序訊號CLK2被設置為高電壓時導通。第一時序訊號CLK1與第二時序訊號CLK2可具有相同週期並設置為反相訊號。
第四電晶體T4(O)之閘極電極可接收起始脈波FLM或來自前一級的輸出訊號。第四電晶體T4(O)可為，例如，n型電晶體，且其在提供起始脈波FLM或來自前一級的輸出訊號時導通。此外，在第二電晶體T2(L)與第三電晶體T3(O)之間的第一共節點可電連結到第一節點N1。
第五電晶體T5(L)、第六電晶體T6(L)、第七電晶體T7(O)與第八電晶體T8(O)可在第一電源供應VDD與第二電源供應VSS之間串聯耦接。
第五電晶體T5(L)之閘極電極可電連結至輸出端子Out。第五電晶體T5(L)可為，例如，p型電晶體，且其基於來自輸出端子Out之電壓導通或截止。
第六電晶體T6(L)之閘極電極可接收第二時序訊號CLK2。第六電晶體T6(L)可為，例如，p型電晶體，且其在第二時序訊號CLK2被設置為低電壓時導通。
第七電晶體T7(O)之閘極電極可接收第一時序訊號CLK1。第七電晶體T7(O)可為，例如，n型電晶體，且其在第一時序訊號CLK1被設置為高電壓時導通。
第八電晶體T8(O)之閘極電極可電連結至輸出端子Out。第八電晶體T8(O)可為，例如，n型電晶體，且其基於輸出端子Out的電壓導通或截止。此外，在第六電晶體T6(L)與第七電晶體T7(O)之間的第二共節點可電連結至第一節點N1。
第九電晶體T9(L)與第十電晶體T10(O)可在第一電源供應VDD與第二電源供應VSS之間串聯耦接。
第九電晶體T9(L)之閘極電極可耦接至第一節點N1。第九電晶體T9(L)可為，例如，p型電晶體，且其基於第一節點N1之電壓導通或截止。
第十電晶體T10(O)之閘極電極可連結至第一節點N1。第十電晶體T10(O)可為，例如，n型電晶體，且其基於第一節點N1電壓導通或截止。此外，在第九電晶體T9(L)與第十電晶體T10(O)之間的第三共節點可電連結至輸出端子Out。
因此，在一種實施例裡，級電路包含一或多個p型電晶體與一或多個n型電晶體。在一種實施例裡，級電路可包含一或多個低溫多晶矽薄膜電晶體作為p型電晶體與一或多個氧化物半導體薄膜電晶體作為n型電晶體。當級電路使用低溫多晶矽薄膜電晶體及氧化物半導體薄膜電晶體形成時，可減少漏電流且可確保高驅動速度。
本文中所描述的方法、過程和／或操作可透過代碼或指令來運行，以透過電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置執行。電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置可以係本文描述的那些，亦可以係本文所描述的之外的元件。因為已詳述形成方法(或電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置之操作)基礎的演算法，用來執行實施例之方法的操作之代碼或指令可將電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置轉換成執行本文所述之方法之專用處理器。
本文所描述之驅動器、控制器與其他處理元件，可以例如，可包含硬體、軟體或兩者的邏輯來執行。當至少部分於硬體中執行時，驅動器、控制器與其他處理元件，可以係例如，各種積體電路中的任一種，其包含但不限於專門的積體電路、現場可程式閘陣列(field-programmable gate array)、邏輯閘的組合(a combination of logic gates)、晶片系統(system-on-chip)、微處理器或其他類型的處理或控制電路。
當至少部分於軟體中執行時，驅動器、控制器與其他處理元件可包含例如，記憶體或其他儲存裝置，其用以儲存待透過電腦、處理器、微處理器、控制器或其他訊號處理裝置執行之代碼或指令。電腦、處理器、微處理器、控制器或其他訊號處理裝置可以係本文所描述的那些，亦可以係本文所描述的之外的元件。因為已詳述形成方法(或電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置之操作)基礎的演算法，用來執行實施例之方法的操作之代碼或指令可將電腦、處理器、控制器或其他訊號處理裝置轉換成執行本文所述之方法之專用處理器。
根據上述一種或多種實施例，像素可包含至少一個氧化物半導體薄膜電晶體與至少一個低溫多晶矽薄膜電晶體。具有優異的截止特性之氧化物半導體薄膜電晶體可位在電流洩漏的路徑中，以減少漏電流並顯示具有所需亮度的圖像。
另外，具有優異的驅動特性的低溫多晶矽薄膜電晶體可位於提供電流給有機發光二極體OLED之電流供應路徑裡，因此電流可透過低溫多晶矽薄膜電晶體的高驅動特性穩定地提供電流給有機發光二極體。此外，級電路可包含氧化物半導體薄膜電晶體與低溫多晶矽薄膜電晶體，因此級電路可減少電流洩漏並具有高驅動速度。
文中已經揭露例示性實施例，且儘管使用特定的用語，然而用語只用於一般性及描述性的解釋及理解，而不意圖為限制。可將實施例(或其部分)組合成其他實施例。在某些情況下，除非另有明確的表示，否則對於提出之本申請案所屬技術領域具有通常知識者而言為顯而易見的是，結合特定實施例所述之元件、特徵及/或構件可被單獨使用，或與結合其他實施例所述的元件、特徵及/或構件結合使用。此外，領域內具通常知識者將理解的是，在未脫離如下申請專利範圍所述之本發明之精神與範疇下，可進行細節與形式上之各種變更。
150‧‧‧時序控制器
110‧‧‧掃描驅動器
SCS‧‧‧掃描驅動控制訊號
DCS‧‧‧數據驅動控制訊號
120‧‧‧數據驅動器
130‧‧‧像素單元
D1~Dm‧‧‧數據線
E1~En‧‧‧發光控制線
S11~S1n‧‧‧第一掃描線
S21~S2n‧‧‧第二掃描線
S31~S3n‧‧‧第三掃描線
ELVDD‧‧‧第一驅動電源供應
ELVSS‧‧‧第二驅動電源供應
Vint‧‧‧初始化電源供應
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
Cst‧‧‧儲存電容
OLED‧‧‧有機發光二極體
Coled‧‧‧有機電容
/Ei‧‧‧反相發光控制線
142、142’、142”、144、144’‧‧‧像素電路
140、140a~140d‧‧‧像素
CLK1‧‧‧第一時序訊號
CLK2‧‧‧第二時序訊號
VDD‧‧‧第一電源供應
VSS‧‧‧第二電源供應
Data‧‧‧數據
FLM‧‧‧起始脈波
Out‧‧‧輸出端子
M1(L)、M11(L)、T1(L)‧‧‧第一電晶體
M2(L)、M2(O)、M12(L)、M12(O)、T2(L)‧‧‧第二電晶體
M3(O)、M13(O)、T3(O)‧‧‧第三電晶體
M4(O)、M14(O)、T4(O)‧‧‧第四電晶體
M5(L)、M5(O)、M15(L)、M15(O)、T5(L)‧‧‧第五電晶體
M6(L)、M16(L)、T6(L)‧‧‧第六電晶體
M7(L)、T7(O)‧‧‧第七電晶體
T8(O)‧‧‧第八電晶體
T9(L)‧‧‧第九電晶體
T10(O)‧‧‧第十電晶體
對於所屬領域具有通常知識者而言，藉由參照附圖詳細描述例示性實施例將使特點變得顯而易見，其中：
第1圖繪示有機發光顯示裝置之實施例；
第2圖繪示像素之實施例；
第3A圖至第3B圖繪示驅動像素的方法其實施例之波型；
第4圖繪示像素的另一個實施例；
第5圖繪示像素的另一個實施例；
第6圖繪示驅動第5圖的像素的方法之實施例；
第7圖繪示像素的另一個實施例；
第8圖繪示驅動像素的方法的實施例之波型；
第9圖繪示像素的另一個實施例；
第10圖繪示驅動像素的方法的實施例之波型；以及
第11圖繪示級電路之實施例。
140‧‧‧像素
142‧‧‧像素電路
Dm‧‧‧數據線
S1i‧‧‧第一掃描線
S2i‧‧‧第二掃描縣
S3i‧‧‧第三掃描線
Ei‧‧‧發光控制線
ELVDD‧‧‧第一驅動電源供應
ELVSS‧‧‧第二驅動電源供應
Cst‧‧‧儲存電容
Coled‧‧‧有機電容
Vint‧‧‧初始化電源供應
OLED‧‧‧有機發光二極體
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
M1(L)‧‧‧第一電晶體
M2(L)‧‧‧第二電晶體
M3(O)‧‧‧第三電晶體
M4(O)‧‧‧第四電晶體
M5(L)‧‧‧第五電晶體
M6(L)‧‧‧第六電晶體
M7(L)‧‧‧第七電晶體

Claims (19)

  1. 一種像素，其包含： 一有機發光二極體； 一第一電晶體，具有耦接一第一節點之一第一電極以及耦接該有機發光二極體之一陽極電極之一第二電極，該第一電晶體用以控制從耦接該第一節點之一第一驅動電源供應通過該有機發光二極體流到一第二驅動電源供應之電流量； 一第二電晶體，耦接於一數據線和該第一節點之間，當提供一第一掃描訊號給一第i條第一掃描線時，該第二電晶體被導通，其中i係自然數； 一第三電晶體，耦接在該第一電晶體之一閘極電極和該第二電極之間，當提供一第二掃描訊號給一第i條第二掃描線時，該第三電晶體被導通；以及 一第四電晶體，耦接在該第一電晶體之該閘極電極和一初始化電源供應之間，當提供一第三掃描訊號給一第i條第三掃描線時，該第四電晶體被導通， 其中該第一電晶體係p型低溫多晶矽(LTPS)薄膜電晶體，且該第三電晶體與該第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之像素，其中該第二電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之像素，其中該第二電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之像素，其中該第i條第一掃描線與該第i條第二掃描線係相同的掃描線。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之像素，其進一步包含： 一第五電晶體，耦接在該初始化電源供應和該有機發光二極體之該陽極電極之間，當提供該第一掃描訊號給該第i條第一掃描線時，該第五電晶體被導通，其中該第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之像素，其進一步包含： 一第五電晶體，耦接在該初始化電源供應和該有機發光二極體之該陽極電極之間，當提供該第二掃描訊號給該第i條第二掃描線時，該第五電晶體被導通，其中該第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之像素，其進一步包含： 一第六電晶體，耦接在該第一電晶體的該第二電極和該有機發光二極體的該陽極電極之間，當提供一發光控制訊號給一發光控制線時，該第六電晶體被截止；以及 一第七電晶體，耦接在該第一節點和該第一驅動電源供應之間，當提供該發光控制訊號時，該第七電晶體被截止，其中該第六電晶體與該第七電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  8. 一種像素，其包含： 一有機發光二極體； 一第一電晶體，用以基於一第一節點的電壓控制從耦接至該第一電晶體之一第一電極之一第一驅動電源供應通過該有機發光二極體且流到一第二驅動電源供應之電流量； 一第二電晶體，耦接在該第一節點和該第一電晶體之一第二電極之間，當提供一第一掃描訊號給一第i條第一掃描訊號時，該第二電晶體被導通； 一儲存電容，耦接在該第一節點和一第二節點之間； 一第三電晶體，耦接在一數據線和該第二節點之間，當提供一第二掃描訊號給一第i條第二掃描線時，該第三電晶體被導通；以及 一第四電晶體，耦接在該第二節點和一初始化電源供應之間，當提供一反相發光控制訊號給一反相發光控制線時，該第四電晶體被截止，其中該第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且該第三電晶體與該第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之像素，其中該第二電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之像素，其中該第二電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之像素，其中該第i條第一掃描線與該第i條第二掃描線係相同的掃描線。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之像素，其進一步包含： 一第五電晶體，耦接在該初始化電源供應和該有機發光二極體之一陽極電極之間，當提供該第一掃描訊號給該第i條第一掃描線時，該第五電晶體被導通，其中該第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之像素，其進一步包含： 一第五電晶體，耦接在該初始化電源供應和該有機發光二極體之一陽極電極之間，當提供該第二掃描訊號給該第i條第二掃描線時，該第五電晶體被導通，其中該第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之像素，其進一步包含： 一第六電晶體，耦接在該第一電晶體之該第二電極和該有機發光二極體之一陽極電極之間，當提供一發光控制訊號給一發光控制線時，該第六電晶體被截止，其中該第六電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且該發光控制訊號與該反相發光控制訊號係相對於彼此反相的。
  15. 一種級電路，其包含： 在一第一電源供應與電壓設置成低於該第一電源供應之一第二電源供應之間串聯耦接之一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體與一第四電晶體； 在該第一電源供應與該第二電源供應之間串聯耦接之一第五電晶體、一第六電晶體、一第七電晶體與一第八電晶體；以及 在該第一電源供應與該第二電源供應之間串聯耦接之一第九電晶體和一第十電晶體，其中： 該第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收來自一前一級之輸出訊號或一起始脈波， 該第二電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收一第一時序訊號， 該第三電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收具有與該第一時序訊號相同週期且反相之一第二時序訊號， 該第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收來自該前一級之輸出訊號及該起始脈波， 該第五電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有與一輸出端子連接之一閘極電極， 該第六電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收該第二時序訊號， 該第七電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收該第一時序訊號， 該第八電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體，且具有與該輸出端子連接之一閘極電極， 該第九電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有與一第一節點耦接之一閘極電極， 該第十電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體，且具有與該第一節點耦接之一閘極電極，以及 與該第一節點電連接之在該第二電晶體與該第三電晶體之間的一第一共節點及在該第六電晶體與該第七電晶體之間的一第二共節點。
  16. 一種有機發光顯示裝置，其包含： 複數個像素，連接到複數個掃描線、複數個發光控制線和複數個數據線； 一掃描驅動器，用來驅動該複數個掃描線與該複數個發光控制線；以及 一數據驅動器，用來驅動該複數個數據線，其中該複數個像素中之至少一像素在一第i條水平線裡，其包含： 一有機發光二極體； 一第一電晶體，具有耦接一第一節點之一第一電極和耦接該有機發光二極體之一陽極電極之一第二電極，其中該第一電晶體控制從耦接該第一節點之一第一驅動電源供應通過該有機發光二極體且流到一第二驅動電源供應之電流量； 一第二電晶體，耦接在一數據線和該第一節點之間，當提供一第一掃描訊號給一第i條第一掃描線時，該第二電晶體被導通； 一第三電晶體，耦接在該第一電晶體之一閘極電極和該第二電極之間，當提供一第二掃描訊號給一第i條第二掃描線時，該第三電晶體被導通；以及 一第四電晶體，耦接在該第一電晶體之該閘極電極和一初始化電源供應之間，當提供一第三掃描訊號給一第i條第三掃描線時，該第四電晶體被導通，其中該第一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，而該第三電晶體與該第四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素包含耦接在該初始化電源供應和該有機發光二極體的該陽極電極之間之一第五電晶體，當提供該第二掃描訊號給該第i條第二掃描線時，該第五電晶體被導通，其中該第五電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素包含： 一第六電晶體，耦接在該第一電晶體的該第二電極和該有機發光二極體的該陽極電極之間，當提供一發光控制訊號給一第i條發光控制線時，該第六電晶體被截止；以及 一第七電晶體，耦接在該第一節點和該第一驅動電源供應之間，當提供該發光控制訊號時，該第七電晶體被截止，其中該第六電晶體和該第七電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中： 該掃描驅動器包含複數個級電路以驅動該複數個掃描線和該複數個發光控制線，且 該複數個級電路中之至少一級電路包含： 在一第一電源供應與電壓設置成低於該第一電源供應之一第二電源供應之間串聯耦接之一第十一電晶體、一第十二電晶體、一第十三電晶體、和一第十四電晶體； 在該第一電源供應和該第二電源供應之間串聯耦接之一第十五電晶體、一第十六電晶體、一第十七電晶體、和一第十八電晶體；以及 在該第一電源供應和該第二電源供應之間串聯耦接之一第十九電晶體和一第二十電晶體，其中 該第十一電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有一閘極電極以接收來自一前一級之輸出訊號或一起始脈波， 該第十二電晶體係設置為p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有一閘極電極以接收一第一時序訊號， 該第十三電晶體係 n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有一閘極電極以接收具有與該第一時序訊號相同週期並為反相之一第二時序訊號， 該第十四電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有一閘極電極以接收來自該前一級之輸出訊號或該起始脈波， 該第十五電晶體係設置為p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有與一輸出端子連接之一閘極電極， 該第十六電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體，且具有一閘極電極以接收該第二時序訊號， 該第十七電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有一閘極電極以接收該第一時序訊號， 該第十八電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有與該輸出端子連接之一閘極電極； 該第十九電晶體係p型低溫多晶矽薄膜電晶體且具有與該第一節點連接之一閘極電極， 該第二十電晶體係n型氧化物半導體薄膜電晶體且具有與該第一節點連接之一閘極電極，以及 與該第一節點電耦接之在該第十二電晶體與該第十三電晶體之間的一第一共節點及在該第十六電晶體與該第十七電晶體之間的一第二共節點。
TW106122129A 2016-07-01 2017-06-30 像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置 TWI740972B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083492A KR102561294B1 (ko) 2016-07-01 2016-07-01 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
??10-2016-0083492 2016-07-01
KR10-2016-0083492 2016-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201804452A true TW201804452A (zh) 2018-02-01
TWI740972B TWI740972B (zh) 2021-10-01

Family

ID=59269861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106122129A TWI740972B (zh) 2016-07-01 2017-06-30 像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10381426B2 (zh)
EP (3) EP4339931A2 (zh)
JP (3) JP6993125B2 (zh)
KR (2) KR102561294B1 (zh)
CN (1) CN107564468A (zh)
TW (1) TWI740972B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI713011B (zh) * 2019-08-27 2020-12-11 友達光電股份有限公司 畫素電路

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561294B1 (ko) * 2016-07-01 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
KR20180081196A (ko) 2017-01-05 2018-07-16 삼성디스플레이 주식회사 주사 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180098442A (ko) 2017-02-24 2018-09-04 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
CN109427310B (zh) * 2017-08-31 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、驱动装置、显示装置以及驱动方法
KR102480481B1 (ko) 2017-09-22 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102482575B1 (ko) * 2017-10-31 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108206008B (zh) * 2018-01-11 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法、电致发光显示面板及显示装置
KR102637791B1 (ko) * 2018-02-13 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102575554B1 (ko) 2018-04-10 2023-09-08 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함한 표시 장치
CN108564920B (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路及显示装置
CN110176213B (zh) 2018-06-08 2023-09-26 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
KR102527847B1 (ko) * 2018-06-18 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190143549A (ko) * 2018-06-19 2019-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20190143309A (ko) 2018-06-20 2019-12-30 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치
KR102514242B1 (ko) 2018-06-20 2023-03-28 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치
KR102641997B1 (ko) * 2018-07-09 2024-02-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR102654591B1 (ko) 2018-08-03 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 클럭 및 전압 발생 회로 및 그것을 포함하는 표시 장치
JP7389039B2 (ja) * 2018-08-20 2023-11-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電気光学装置、電子機器及び駆動方法
KR102426708B1 (ko) * 2018-09-07 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102482335B1 (ko) 2018-10-04 2022-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
KR20200040052A (ko) * 2018-10-08 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200040344A (ko) 2018-10-08 2020-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102583819B1 (ko) * 2018-12-18 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
US10916198B2 (en) 2019-01-11 2021-02-09 Apple Inc. Electronic display with hybrid in-pixel and external compensation
CN114822377A (zh) * 2019-02-23 2022-07-29 华为技术有限公司 显示驱动电路、显示模组、显示屏的驱动方法及电子设备
CN111613181B (zh) * 2019-02-23 2022-03-29 华为技术有限公司 显示驱动电路、显示模组、显示屏的驱动方法及电子设备
CN109686314B (zh) * 2019-03-01 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示基板和显示装置
KR20200128289A (ko) * 2019-05-02 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20200129242A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200130546A (ko) * 2019-05-08 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 화소, 화소를 포함하는 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR20200133118A (ko) * 2019-05-17 2020-11-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110277060B (zh) * 2019-05-21 2021-11-16 合肥维信诺科技有限公司 一种像素电路和显示装置
CN110264946A (zh) * 2019-05-21 2019-09-20 合肥维信诺科技有限公司 一种像素电路和显示装置
WO2020243883A1 (zh) * 2019-06-03 2020-12-10 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路的驱动方法、显示装置及其驱动方法
CN110223636B (zh) 2019-06-17 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
KR20210057277A (ko) * 2019-11-11 2021-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치
KR102632710B1 (ko) * 2019-12-10 2024-02-02 엘지디스플레이 주식회사 화소 구동 회로를 포함한 전계발광 표시장치
CN113096602A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 深圳市柔宇科技股份有限公司 像素单元、显示面板与电子装置
KR20210081505A (ko) 2019-12-23 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR20210099706A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 표시장치
CN111179841B (zh) 2020-02-28 2021-05-11 京东方科技集团股份有限公司 像素补偿电路及其驱动方法、显示装置
KR20210149976A (ko) * 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111724745B (zh) * 2020-07-15 2023-11-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN112365844A (zh) * 2020-12-09 2021-02-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板
CN112489599B (zh) * 2020-12-23 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled像素驱动电路、驱动方法及显示面板
CN112562588A (zh) * 2020-12-24 2021-03-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板
CN112599097A (zh) * 2021-01-06 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板
KR20220130303A (ko) 2021-03-17 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113140179B (zh) * 2021-04-12 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
WO2022222055A1 (zh) * 2021-04-21 2022-10-27 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板及其驱动方法
US20230028312A1 (en) * 2021-04-26 2023-01-26 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel circuit, pixel driving method and display device
CN113436579B (zh) * 2021-05-13 2023-09-22 北京大学深圳研究生院 一种三维集成电路及其制造方法
CN113362769A (zh) * 2021-06-25 2021-09-07 合肥维信诺科技有限公司 像素电路、栅极驱动电路和显示面板
KR20230007609A (ko) 2021-07-05 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114222615B (zh) * 2021-07-30 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
CN113690259A (zh) * 2021-09-14 2021-11-23 厦门天马显示科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113781961B (zh) * 2021-10-27 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、显示面板及驱动方法
CN114141200B (zh) * 2021-12-03 2023-03-10 武汉天马微电子有限公司 显示模组及漏电流检测方法
KR20230129108A (ko) 2022-02-28 2023-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230143650A (ko) * 2022-04-05 2023-10-13 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 회로 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4232193B2 (ja) * 2003-05-26 2009-03-04 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及び電流生成供給回路を備えた表示装置
KR101152119B1 (ko) * 2005-02-07 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100635500B1 (ko) * 2005-05-24 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 유기 전계발광 표시장치
JP4762655B2 (ja) 2005-09-28 2011-08-31 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
KR100732828B1 (ko) * 2005-11-09 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR100822205B1 (ko) 2006-10-16 2008-04-17 삼성에스디아이 주식회사 화소 회로 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR100833754B1 (ko) * 2007-01-15 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 구동회로
JP5235516B2 (ja) 2008-06-13 2013-07-10 富士フイルム株式会社 表示装置及び駆動方法
WO2010029795A1 (ja) 2008-09-10 2010-03-18 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR101048965B1 (ko) 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR101101070B1 (ko) 2009-10-12 2011-12-30 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101056297B1 (ko) * 2009-11-03 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR101127582B1 (ko) * 2010-01-04 2012-03-27 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로, 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
TWI436335B (zh) * 2011-03-17 2014-05-01 Au Optronics Corp 具臨界電壓補償機制之有機發光顯示裝置及其驅動方法
KR101870925B1 (ko) * 2011-06-30 2018-06-26 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101907959B1 (ko) * 2011-11-23 2018-12-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치
TWI441138B (zh) * 2011-12-30 2014-06-11 Au Optronics Corp 發光二極體電路，驅動發光二極體電路之方法及發光二極體顯示器
KR101869056B1 (ko) 2012-02-07 2018-06-20 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR101911489B1 (ko) * 2012-05-29 2018-10-26 삼성디스플레이 주식회사 화소를 갖는 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
KR20130141153A (ko) 2012-06-15 2013-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101918270B1 (ko) * 2012-06-28 2019-01-30 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 유기 발광 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법
KR101486038B1 (ko) * 2012-08-02 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140024155A (ko) 2012-08-20 2014-02-28 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20140028921A (ko) * 2012-08-31 2014-03-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101965724B1 (ko) * 2012-10-18 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치를 위한 발광 구동 장치, 표시장치 및 그 구동 방법
KR102023598B1 (ko) * 2012-11-20 2019-09-23 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 포함하는 표시장치 및 그 구동 방법
KR101992405B1 (ko) * 2012-12-13 2019-06-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US9501976B2 (en) 2012-12-26 2016-11-22 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Pixel circuit for organic light emitting display and driving method thereof, organic light emitting display
KR101408809B1 (ko) * 2013-04-30 2014-07-02 금오공과대학교 산학협력단 유기발광다이오드 표시장치의 문턱전압 보상 화소회로
KR102046442B1 (ko) * 2013-05-09 2019-11-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102048562B1 (ko) * 2013-05-13 2019-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102043980B1 (ko) * 2013-05-13 2019-11-14 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR102141238B1 (ko) * 2013-05-22 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20140140271A (ko) * 2013-05-29 2014-12-09 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US9378844B2 (en) * 2013-07-31 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor whose gate is electrically connected to capacitor
KR20150019592A (ko) 2013-08-14 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 화소, 화소 구동 방법 및 이를 이용한 표시장치
KR20150040447A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR102090189B1 (ko) * 2013-11-04 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그 구동방법
KR102081993B1 (ko) * 2013-11-06 2020-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그 구동방법
CN104715714B (zh) * 2013-12-17 2017-08-04 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置
KR102113650B1 (ko) * 2013-12-27 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US9406705B2 (en) * 2014-02-25 2016-08-02 Lg Display Co., Ltd. Display backplane having multiple types of thin-film-transistors
KR102111747B1 (ko) * 2014-02-25 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US9276050B2 (en) 2014-02-25 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9490276B2 (en) * 2014-02-25 2016-11-08 Lg Display Co., Ltd. Display backplane and method of fabricating the same
KR101672091B1 (ko) 2014-02-25 2016-11-02 엘지디스플레이 주식회사 복합형 박막 트랜지스터를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치
JP2015225104A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102298336B1 (ko) * 2014-06-20 2021-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN104064149B (zh) * 2014-07-07 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 像素电路、具备该像素电路的显示面板和显示器
CN204029330U (zh) * 2014-07-22 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、阵列基板及显示装置
KR20160024274A (ko) * 2014-08-25 2016-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102253445B1 (ko) * 2014-08-28 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시장치
CN104575387B (zh) * 2015-01-26 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104575386B (zh) * 2015-01-26 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104575394B (zh) * 2015-02-03 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104575395B (zh) * 2015-02-03 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路
CN104637445B (zh) * 2015-02-03 2017-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104575393B (zh) * 2015-02-03 2017-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104658483B (zh) * 2015-03-16 2017-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104658482B (zh) * 2015-03-16 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104680982B (zh) * 2015-03-27 2017-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN104700778B (zh) * 2015-03-27 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
KR102303216B1 (ko) * 2015-06-16 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR102524459B1 (ko) * 2015-08-27 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 그의 구동방법
CN105427807A (zh) 2016-01-04 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示器
CN105427805B (zh) * 2016-01-04 2018-09-14 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置
CN105679243B (zh) * 2016-03-17 2019-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN105679244B (zh) * 2016-03-17 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN105679250B (zh) * 2016-04-06 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN105741781B (zh) * 2016-04-12 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN105702214B (zh) * 2016-04-12 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
KR20180004370A (ko) * 2016-07-01 2018-01-11 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
KR102561294B1 (ko) * 2016-07-01 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI713011B (zh) * 2019-08-27 2020-12-11 友達光電股份有限公司 畫素電路

Also Published As

Publication number Publication date
JP6993125B2 (ja) 2022-01-13
EP3264408A3 (en) 2018-02-28
US20180006099A1 (en) 2018-01-04
KR102561294B1 (ko) 2023-08-01
US10930724B2 (en) 2021-02-23
JP2022043138A (ja) 2022-03-15
JP2018005237A (ja) 2018-01-11
EP4339931A2 (en) 2024-03-20
US10381426B2 (en) 2019-08-13
US20190363148A1 (en) 2019-11-28
KR20230117308A (ko) 2023-08-08
EP3985655A1 (en) 2022-04-20
EP3264408A2 (en) 2018-01-03
CN107564468A (zh) 2018-01-09
US11476315B2 (en) 2022-10-18
TWI740972B (zh) 2021-10-01
US20230029637A1 (en) 2023-02-02
US20210175310A1 (en) 2021-06-10
JP2023103232A (ja) 2023-07-26
KR20180004369A (ko) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI740972B (zh) 像素、級電路及包含像素及級電路之有機發光顯示裝置
TWI752048B (zh) 像素、級電路以及具有像素和級電路之有機發光顯示裝置
US10700146B2 (en) Pixel and organic light-emitting display device having the same
US11640788B2 (en) Stage and organic light emitting display device using the same
US20240013722A1 (en) Pixel and organic light emitting display device having the pixel
US20230017548A1 (en) Stage and scan driver including the same
CN107093405B (zh) Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
US20230326413A1 (en) Scan driver and driving method thereof