JP2013168444A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光面において発光光量の均一化を図った半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 発光素子１００では、複数のｐドット電極ＰＤおよび複数のｎドット電極ＮＤが半導体層２０の発光面に対して離散して配置されている。ｐドット電極ＰＤが３列に、ｎドット電極ＮＤが２列に、それぞれ配置されている。ｐドット電極ＰＬ１２と、ｎドット電極ＮＬ１２との間のドット電極間距離をａ１とする。ｐドット電極ＰＣ１１と、ｎドット電極ＮＬ１２との間のドット電極間距離をｂ１とする。内側のドット電極間距離ｂ１は、外側のドット電極間距離ａ１より広い。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体発光素子に関する。さらに詳細には、発光光量の向上を図った半導体発光素子に関するものである。

半導体発光素子では、発光層の発光面の輝度分布が均一であることが好ましい。半導体層の発光面上における電流密度にむらが生じていると、大電流の流れる箇所で劣化が早く進むからである。また、発光面の電流密度が均一であるほど、その半導体発光素子から発光する光の明るさは明るい。

そのため、発光面の輝度の均一化を図った技術が開発されてきている。例えば、特許文献１には、チップ面に等間隔に配列した直線部を有する電極を有する半導体発光素子が開示されている（特許文献１の段落［００５０］および図２）。そして、電極がチップ面の全領域にわたって形成されている。そのため、平行に対向する直線状の電極間の領域で発光する発光部位が複数形成され、半導体発光素子の発光面を均一に発光させることができるとしている（特許文献１の段落［００５２］）。

また、これらの電極に給電する給電部が複数設けられている半導体発光素子も開示されている（特許文献１の図２３および図２４参照）。

特開２００２−３１９７０５号公報

しかし、このように電極や給電部を配置しても、やはり発光面の中央付近が最も明るいことに変わりない。電流が発光面の中央付近に集中しやすいからである。つまり、電流密度は発光面の中央付近で大きい。

本発明は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、発光面において発光光量の均一化を図った半導体発光素子を提供することである。

第１の態様に係る半導体発光素子は、第１導電型半導体層と、発光層と、第２導電型半導体層と、第１導電型半導体層と電気的に接続されている第１極性の導電部と、第２導電型半導体層と電気的に接続されている第２極性の導電部と、を有するものである。また、第１極性の導電部と第２極性の導電部との少なくとも一方は、発光面に対して離散して配置されている複数の離散電極部を有する。そして、離散電極部は、発光面の中心点に近い位置ほど疎であり、発光面の中心点から遠い位置ほど密である。

ここで、第１導電型半導体層とは、ｐ型半導体層またはｎ型半導体層である。第２導電型半導体層とは、ｐ型半導体層またはｎ型半導体層であって第１導電型半導体層とは異なる導電型の半導体層である。そして、第１極性とは、正極または負極である。第２極性とは、正極または負極であって第１極性とは異なる極性のことをいう。そして、導電部とは、ドット電極と、配線と、パッド電極とを含む。

かかる半導体発光素子では、発光面の中央部よりも周辺部で給電を担う離散電極部が多く配置されている。そのため、従来の半導体発光素子に比べて発光面内の周辺部で電流が流れやすい。したがって、この半導体発光素子の発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一である。

第２の態様に係る半導体発光素子は、第１の離散電極部と、第１の離散電極部より中心点から遠い位置に位置する第２の離散電極部とを有するものである。第２の離散電極部のうちには、第１の離散電極部の第１の最近接電極間距離よりも小さい第２の最近接電極間距離を有するものが存在する。そして、最近接電極間距離は、離散電極部と、その離散電極部から最も近い第１極性の導電部またはその離散電極部から最も近い第２極性の導電部との間の距離である。そのため、従来の半導体発光素子に比べて発光面内の周辺部で電流が流れやすいことに変わりない。したがって、この半導体発光素子の発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一である。

第３の態様に係る半導体発光素子では、最近接電極間距離は、第１極性の離散電極部と、第２極性の導電部との間の距離である。第１極性の離散電極部と、第２極性の導電部（離散電極部、配線、パッド電極等を含む）との間の距離が周辺部でより狭いため、発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一となるからである。

第４の態様に係る半導体発光素子では、第１極性の導電部および第２極性の導電部のいずれもが複数の離散電極部を有する。そして、最近接電極間距離は、第１極性の導電部の離散電極部と、第２極性の導電部の離散電極部との間の距離である。第１極性の離散電極部と第２極性の離散電極部との間の距離が周辺部でより狭いため、発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一となるからである。

第５の態様に係る半導体発光素子では、第１極性の導電部のみが複数の離散電極部を有する。そして、最近接電極間距離は、第１極性の導電部の離散電極部と、第２極性の導電部との間の距離である。この場合には、第２極性の導電部は、離散電極部を有しない。そのため、第１極性の離散電極部と、第２極性の導電部（配線、パッド電極等を含む）との間の距離が周辺部でより狭い。したがって、発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一となる。

第６の態様に係る半導体発光素子では、第１極性の導電部は、第１極性の離散電極部同士を電気的に接続する第１極性の串歯配線部を有する。また、第２極性の導電部は、第２極性の離散電極部同士を電気的に接続する第２極性の串歯配線部を有する。発光面の中心点から遠ざかるほど、第１極性の串歯配線部上の離散電極部と第２極性の串歯配線部上の離散電極部との間の距離を狭くすることにより、発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一となるからである。

第７の態様に係る半導体発光素子では、第１極性の導電部は、複数の離散電極部を電気的に接続する串歯状の第１極性の串歯配線部を有する。また、第２極性の導電部は、串歯状の第２極性の串歯電極部を有する。そして、最近接電極間距離は、第１極性の串歯配線部に接続されている第１極性の離散電極部と、第２極性の串歯電極部との間の距離である。発光面の中心点から遠ざかるほど、第１極性の串歯配線部の離散電極部と、第２極性の串歯電極部との間の距離を狭くすることにより、発光面内での発光強度分布は、従来の半導体発光素子の発光強度分布に比べて均一となるからである。

第８の態様に係る半導体発光素子では、発光面の中心点から最も遠い第１の列に位置している離散電極部と、発光面の中心点から第１の列の次に遠い第２の列に位置している離散電極部との間の最近接電極間距離ａに対する、発光面の中心点から最も近い第３の列に位置している離散電極部と、発光面の中心点から第３の列の次に近い第４の列に位置している離散電極部との間の最近接電極間距離ｂの比ｂ／ａが、１．０５以上１．４５以下の範囲内にある。発光面内での発光強度分布が、より均一になるからである。

第９の態様に係る半導体発光素子では、最近接電極間距離ａに対する最近接電極間距離ｂの比ｂ／ａが、１．１５以上１．３５以下の範囲内にある。発光面内での発光強度分布が、さらに均一になるからである。

第１０の態様に係る半導体発光素子では、第１極性の導電部は、第１極性の離散電極部を有する。そして、最近接電極間距離は、第１極性の離散電極部同士の間の距離である。平面形状の平面電極部を有するフリップチップであっても、同じ極性の離散電極部同士の間の距離を、周辺部ほど狭くすることにより、発光面内での発光強度分布が、さらに均一になるからである。

本発明によれば、発光面において発光光量の均一化を図った半導体発光素子が提供されている。

実施例１に係る発光素子を説明するための平面図である。 実施例１に係る発光素子の構造を説明するための概略構成図である。 実施例１に係る発光素子におけるドット電極の配置位置を説明するための図である。 実施例１に係る発光素子について行った実験方法を説明するための図である。 実施例１に係る発光素子について行った実験の結果を示すグラフである。 実施例２に係る発光素子におけるドット電極の配置位置を説明するための図である。 実施例２に係る発光素子の構造を説明するための概略構成図である。 実施例３に係る発光素子におけるドット電極の配置位置を説明するための図である。 実施例３に係る発光素子の構造を説明するための概略構成図である。 実施例４に係る発光素子の構造を説明するための透視図である。 実施例４に係る発光素子の構造を説明するための概略構成図である。 実施例４に係る発光素子におけるドット電極の配置位置を説明するための図である。 実施例５に係る発光素子におけるドット電極の配置位置を説明するための図である。

以下、本発明の具体的な実施例について、半導体発光素子を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。つまり、本発明は、一方の面に、ｐ補助電極とｎ補助電極との少なくとも一部が離散的に配置されている発光素子であれば適用できる。また、後述する発光素子の各層の積層構造および電極構造は、例示である。実施例とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の厚みは、概念的に示したものであり、実際の厚みを示しているわけではない。

１．半導体発光素子
本実施例に係る半導体発光素子について説明する。図１は、本実施例の発光素子１００を光取り出し面の側から見た平面図である。ただし、電極構造の理解のため、各電極および配線が見えるように描いてある。発光素子１００は、フェイスアップ型の発光素子である。そして、ｐ型層側にある光取り出し面の側にｐパッド電極ＰＸおよびｎパッド電極ＮＸが設けられている。つまり、ｐパッド電極ＰＸおよびｎパッド電極ＮＸは、ｐ型層の側の表面に露出するように配置されている。

図１に示すように、本実施例の発光素子１００では、その一方の面側に複数のｐドット電極（ＰＣ１１等）と複数のｎドット電極（ＮＬ１１等）とが離散的に配置されている。また、ｐドット電極（ＰＣ１１等）およびｎドット電極（ＮＬ１１等）における光取り出し面に平行な断面での断面形状は、例えば、円形である。ただし、多角形であってもよい。もちろん、それ以外の形状であってもよい。

ｐドット電極（ＰＣ１１等）は、ｐ配線（ＰＫ１等）を介してｐパッド電極ＰＸに電気的に接続されている。ｐドット電極（ＰＣ１１等）と、ｐ配線（ＰＫ１等）は、ｐ型層と、ｐパッド電極ＰＸとを電気的に接続するためのｐ補助電極である。ｐドット電極は、発光面に対して離散的に配置されている正極の離散電極部である。すなわち、ｐ補助電極は、離散電極部（ｐドット電極）および配線（ｐ配線）を有している。つまり、ｐ補助電極の少なくとも一部は、離散電極部を有している。

ｎドット電極（ＮＬ１１等）は、ｎ配線（ＮＫ１等）を介してｎパッド電極ＮＸに電気的に接続されている。ｎドット電極（ＮＬ１１等）と、ｎ配線（ＮＫ１等）は、ｎ型層と、ｎパッド電極ＮＸとを電気的に接続するためのｎ補助電極である。ｎドット電極は、発光面に対して離散的に配置されている負極の離散電極部である。すなわち、ｎ補助電極は、離散電極部（ｎドット電極）および配線（ｎ配線）を有している。つまり、ｎ補助電極の少なくとも一部は、離散電極部を有している。

図１に示すように、ｐ配線ＰＫ１、ＰＫ２、ＰＫ３は、串歯状の串歯ｐ配線部である。そして、ｎ配線ＮＫ１、ＮＫ２も、串歯状の串歯ｎ配線部である。ｐ配線ＰＫ１、ＰＫ２、ＰＫ３からなる３列の串歯ｐ配線部と、ｎ配線ＮＫ１、ＮＫ２からなる２列の串歯ｎ配線部とは、それぞれの列が互いにかみ合うように配置されている。そして、ｐドット電極（ＰＬ１１等）は、ｐ配線の串歯ｐ配線部の列に沿って列状に配置されている。ｎドット電極（ＮＬ１１等）は、ｎ配線の串歯ｎ配線部の列に沿って列状に配置されている。

ｐ配線ＰＫ１は、ｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２をそれぞれ電気的に接続するとともに、これらのｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２とｐパッド電極ＰＸとを電気的に接続している。その他のｐ配線ＰＫ２、ＰＫ３についても、同様に、ｐドット電極同士を接続するとともに、これらとｐパッド電極ＰＸとを接続している。ｎ配線ＮＫ１は、ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３をそれぞれ電気的に接続するとともに、これらのｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３とｎパッド電極ＮＸとを電気的に接続している。ｎ配線ＮＫ２についても、同様に、ｎドット電極同士を接続するとともに、これらとｎパッド電極ＮＸとを接続している。

ｐドット電極は、中央部の第１ｐ領域と、その両側の第２ｐ領域および第３ｐ領域に配置されている。第１ｐ領域には、ｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２が列状に配置されている。第２ｐ領域には、ｐドット電極ＰＬ１１、ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＬ１４が列状に配置されている。第３ｐ領域には、ｐドット電極ＰＲ１１、ＰＲ１２、ＰＲ１３、ＰＲ１４が列状に配置されている。これらのｐドット電極をまとめて、ＰＤということとする。

ｎドット電極は、第１ｎ領域および第２ｎ領域に配置されている。第１ｎ領域には、ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３が列状に配置されている。第２ｎ領域には、ｎドット電極ＮＲ１１、ＮＲ１２、ＮＲ１３が列状に配置されている。これらのｎドット電極をまとめて、ＮＤということとする。

なお、図１に示すように、第１ｎ領域は、第１ｐ領域と第２ｐ領域との間に配置されている。また、第２ｎ領域は、第１ｐ領域と第３ｐ領域との間に配置されている。

図２は、図１の発光素子１００におけるＪ１−Ｊ１断面の断面構造を模式的に示した図である。図２では、図１に示したｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２、ＰＬ１１、ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＬ１４、ＰＲ１１、ＰＲ１２、ＰＲ１３、ＰＲ１４を、まとめてｐドット電極ＰＤとしている。同様に、図１に示したｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３、ＮＲ１１、ＮＲ１２、ＮＲ１３を、まとめてｎドット電極ＮＤとしている。

発光素子１００は、サファイア基板１０と、半導体層２０と、導電性透明膜４０と、絶縁層５０、６０と、ｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸと、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸと、を有している。

半導体層２０は、ＧａＮ系の半導体から成る層を積層したものである。半導体層２０は、ｎ型層と、発光層と、ｐ型層とを有している。ｎ型層は、ｎ型コンタクト層と、静電耐圧層と、ｎ型クラッド層とを有している。発光層は、ｐ型層とｎ型層との間の位置に位置している。発光層は、例えば、ＩｎＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを繰り返したＭＱＷ層である。また、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とを繰り返したものであってもよい。もちろん、これ以外のＭＱＷ層であってもよい。さらには、ＳＱＷ層であってもよい。ｐ型層は、ｐ型クラッド層と、ｐ型コンタクト層とを有している。半導体層２０として、ＧａＮ系の半導体を例に挙げたが、もちろん、これに限らない。つまり、ＧａＮ系以外のIII 族窒化物半導体であってもよい。また、それ以外の半導体であってもよい。

導電性透明膜４０は、半導体層２０のｐ型コンタクト層と接触している導電層である。導電性透明膜４０の材質は、ＩＴＯである。また、これ以外の材質として、ＩＣＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 、ＮｂＴｉＯ₂ 、ＴａＴｉＯ₂ 等の材質を用いてもよい。絶縁層５０、６０は、絶縁性の材料から成る透明膜である。その材質として、例えば、ＳｉＯ₂ が挙げられる。その他に、絶縁性であって透明な材質のものを採用してもよい。

ここで、ｐドット電極ＰＤは、導電性透明膜４０に直接接触して形成されている。ｐドット電極ＰＤは、ｐ配線ＰＫに電気的に接続されている。このように、半導体層２０のｐ型コンタクト層は、導電性透明膜４０と、ｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫとを介して、ｐパッド電極ＰＸと電気的に接続されている。ｎドット電極ＮＤは、半導体層２０のｎ型コンタクト層に直接形成されている。そのために、ｎ型コンタクト層の一部を露出させ、その露出した箇所にｎドット電極ＮＤを形成している。ｎドット電極ＮＤは、ｎ配線ＮＫに電気的に接続されている。このように、半導体層２０のｎ型コンタクト層は、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫとを介して、ｎパッド電極ＮＸと電気的に接続されている。

なお、ｐドット電極ＰＤおよびｎドット電極ＮＤの材質は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ／Ａｌである。また、ｐ配線ＰＫおよびｎ配線ＮＫも、同じ材質を用いてよい。そして、ｐパッド電極ＰＸおよびｎパッド電極ＮＤについても、同じ材質のものを用いることができる。

図１および図２に示すように、ｐパッド電極ＰＸおよびｎパッド電極ＮＸは、保護膜から露出している箇所である。そのため、ｐパッド電極ＰＸは、ｐ配線と一体であってもよい。ｎパッド電極ＮＸは、ｎ配線と一体であってもよい。実際に、図１および図２では、これらは一体のものとして描かれている。

以上説明したように、ｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸとは、互いに電気的に接続されている。そして、これらは、導電性透明膜４０を介してｐ型コンタクト層に電気的に接続されている。したがって、これらのｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸとは、第１極性の導電部である。

一方、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸとは、互いに電気的に接続されている。そして、これらは、ｎ型コンタクト層に電気的に接続されている。したがって、これらのｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸとは、第２極性の導電部である。

ただし、第１極性および第２極性のいずれであるかについては、便宜上定義しているにすぎないため、これらの極性を入れ換えても同じである。つまり、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸとを、第１極性の導電部と定義した場合には、ｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸとが、第２極性の導電部である。

２．ドット電極
２−１．ドット電極の配置位置
図３は、ｐドット電極ＰＤおよびｎドット電極ＮＤの平面的な配置を示す図である。図３に示すように、列Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５は互いに平行である。列Ｌ３は、発光素子１００を２等分する位置に配置されている。図３には、発光素子１００の発光面における中央には、点Ｏが描かれている。これは、仮想的に描いたものであり、発光素子１００に点Ｏが設けられているわけではない。

列Ｌ１上には、ｐドット電極ＰＬ１１、ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＬ１４が等間隔Ｄ１で列状に配置されている。列Ｌ２上には、ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３が等間隔Ｄ２で列状に配置されている。列Ｌ３上には、ｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２が間隔Ｄ１で列状に配置されている。ここで、間隔Ｄ１と間隔Ｄ２とは等しい。

点Ｏは、ｐドット電極ＰＣ１１とｐドット電極ＰＣ１２との中間地点に位置している。ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２の列方向の位置は、点Ｏの列方向の位置と同じである。つまり、等間隔Ｄ１で列状に配置されているｐドット電極間の中間地点の列方向の位置は、等間隔Ｄ２で列状に配置されているｎドット電極の列方向の位置と同じである。列Ｌ４は、列Ｌ３を対称軸として、列Ｌ２に対称である。列Ｌ５は、列Ｌ３を対称軸として、列Ｌ１に対称である。

２−２．ドット電極間距離
ここで、ドット電極間距離について説明する。本実施例でドット電極間距離とは、異なる極性のドット電極同士の間の距離、すなわち、最近接電極間距離である。つまり、ｐ補助電極の離散電極部（各ｐドット電極ＰＤ）と、その離散電極部に最近接したｎ補助電極の離散電極部（各ｎドット電極ＮＤ）との間の距離である。

ｐドット電極ＰＬ１１と、ｐドット電極ＰＬ１１に最近接したｎドット電極ＮＬ１１との間のドット電極間距離は、ａ１である。同様に、列Ｌ１上に配置されているｐドット電極ＰＬ１１、ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＬ１４と、それらの各ｐドット電極に最近接した列Ｌ２上に配置されているｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３との間のドット電極間距離は、ａ１である。

ｐドット電極ＰＣ１１と、ｐドット電極ＰＣ１１に最近接したｎドット電極ＮＬ１１との間のドット電極間距離は、ｂ１である。同様に、列Ｌ３上に配置されているｐドット電極ＰＣ１１、ＰＣ１２と、それらの各ドット電極に最近接した列Ｌ２上に配置されているｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３との間のドット電極間距離は、ｂ１である。

２−３．列間距離
ここで、列間距離について説明する。列Ｌ１は、点Ｏから最も離れた第１の列である。列Ｌ２は、点Ｏから列Ｌ２の次に離れた第２の列である。列Ｌ３は、点Ｏから最も近い第３の列である。列Ｌ２は、点Ｏから列Ｌ３の次に近い第４の列でもある。つまり、列Ｌ２は、第２の列と、第４の列とを兼ねている。

本実施例では、列Ｌ１と列Ｌ２との間の距離Ａは、列Ｌ２と列Ｌ３との間の距離Ｂよりも小さい。したがって、ドット電極間距離ａ１は、ドット電極間距離ｂ１よりも小さい。つまり、発光素子１００の中央の点Ｏから遠い位置にある列と、その列に最近接した列との間の距離は小さい。

そして、発光素子１００の中央の点Ｏから遠い位置の列にあるドット電極ほど、ドット電極間距離は小さい。逆に、点Ｏから近い位置の列にあるドット電極ほど、ドット電極間距離は大きい。つまり、発光素子１００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、電極は密集している。したがって、発光素子１００の中央の点Ｏから遠い位置ほどドット電極密度は高い。一方、発光素子１００の中央の点Ｏから近い位置ほどドット電極密度は低い。

したがって、例えば、ｐドット電極ＰＣ１１と、ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２とは、二等辺三角形を形成する。その底辺の長さはＤ２であり、その高さは距離Ｂである。一方、ｎドット電極ＮＬ１１と、ｐドット電極ＰＬ１１、ＰＬ１２とは、二等辺三角形を形成する。その底辺の長さはＤ１であり、その高さは距離Ａである。これらの二等辺三角形の底辺は、Ｄ１（＝Ｄ２）で同じである。そして、これらの二等辺三角形の高さは、異なっている。

以上、説明したように、発光素子１００では、発光面の中心点Ｏに近い位置ほどドット電極は疎であり、発光面の中心点Ｏから遠い位置ほどドット電極は密である。

３．ドット電極間距離と発光傾向
３−１．電流密度
発光素子１００の発光傾向は、発光面における電流の密度の分布に依存する。そこでまず、電流密度について説明する。ここで、ｎドット電極ＮＬ１１とｐドット電極ＰＣ１１との間の電流路を例に挙げて説明する。電子は、ｎドット電極ＮＬ１１からｎ型コンタクト層に注入されて、ｎ型コンタクト層で横方向（発光面方向）に拡散しつつ、その一部が、縦方向（発光面に垂直な方向）に流れる。つまり、縦方向に流れる電子は、発光層と、ｐ型コンタクト層と、導電性透明膜４０とを経由してｐドット電極ＰＣ１１に至る。

そのため、電流密度は、電子の横方向の抵抗、すなわち、ｎ型コンタクト層および導電性透明膜４０の電気抵抗に依存する。そのため、ｎドット電極（ＮＬ１１等）とｐドット電極と（ＰＬ１１等）との間の距離が近いほど、電流はより流れやすい。

３−２．従来の発光素子における発光傾向
一方、従来の半導体発光素子では、発光素子の中央部が明るく、中央部に比べて周辺部が暗い。それは、発光素子に流れる電流が中央部に集中して、周辺部には流れにくい傾向があるからである。この傾向は、発光層の発光面内に電流が十分に拡散することが困難であるために生じる。そのため、ドット電極により周辺部にも電流を流れるような技術が開発されてきている。しかし、全体として、中央付近に電流が集中しやすい傾向は依然としてある。

３−３．本実施例の発光素子における発光傾向
したがって、周辺部で電流を流れやすくすることで、発光面内でほぼ均一の発光傾向を実現させることができる。つまり、本実施例の発光素子１００では、周辺部で電流を流れやすくすることにより、発光面内の中央部での発光出力を周辺部での発光出力と同程度とするのである。

３−４．発光傾向の制御
発光素子１００の発光傾向の制御については、各ドット電極を配置する位置を設定することにより、行うことができる。そして、そのドット電極間距離を調整することにより、電気抵抗を調整することができるからである。電極間距離を適当に選ぶことで、発光層での面内電流密度の均一化を図ることができるのである。

４．実験
４−１．実験方法
続いて、本実施例の発光素子１００について行った実験について説明する。この実験では、図３のドット電極間距離ａ１、ｂ１を変えて、発光素子１００の明るさ等を測定した。

具体的には、図４に示すように、列Ｌ１と列Ｌ２との間の距離Ａと、列Ｌ２と列Ｌ３との間の距離Ｂとの比を変えることにより、ドット電極間距離を調整することとした。ここで、間隔ＡおよびＢはそれぞれ、ａ１およびｂ１を用いて表すことができる。つまり、次式が成り立つ。
Ａ ＝ ａ１×ｃｏｓ（θ１）
Ｂ ＝ ｂ１×ｃｏｓ（θ２）
ここで、角度θ１は、ｎドット電極ＮＬ１２およびｐドット電極ＰＬ１２を結ぶ線と、線Ｌ６とのなす角の角度である。角度θ２は、ｎドット電極ＮＬ１２およびｐドット電極ＰＣ１１を結ぶ線と、線Ｌ６とのなす角の角度である。線Ｌ６は、ｐドット電極ＰＣ１１と、ｐドット電極ＰＬ１２とを通る線である。

本実験では、Ｂ／Ａを次の３とおりとして、明るさ等を測定した。そして、そのときのＢ／Ａと、ｂ１／ａ１との対応関係は、次のとおりであった。
列間距離の比 ドット電極間距離の比
Ｂ／Ａ ｂ１／ａ１
１ １．００
１．４ １．２７
２ １．６１

そして、図４中の箇所Ｘおよび箇所Ｙで、発光強度を測定した。箇所Ｘは、列Ｌ１および列Ｌ２の中間地点であって、列Ｌ７上の点である。箇所Ｙは、列Ｌ２および列Ｌ３の中間地点であって、列Ｌ７上の点である。なお、列Ｌ７は、点Ｏおよびｎドット電極ＮＬ１２を結ぶ線である。このように、箇所Ｘは、箇所Ｙより発光面の外側の位置に位置している。

そのため、Ｂ／Ａを変化させた場合には、箇所Ｘおよび箇所Ｙは、理論上では異なる位置を表している。例えば、Ｂ／Ａ＝１の場合と、Ｂ／Ａ＝２の場合とで、箇所Ｘおよび箇所Ｙの位置は、異なった位置を示している。このように、測定箇所にずれ（図４中の横方向）が生じている。しかし、これは説明上、箇所Ｘおよび箇所Ｙを点で示しているからにすぎない。次に示す実験値は、実際には、箇所Ｘおよび箇所Ｙの周辺領域の平均値である。そのため、このずれによる問題は生じない。

ここで、発光強度の強度比（Ｙ／Ｘ）は、箇所Ｘにおける発光強度を基準とした箇所Ｙにおける発光強度である。

４−２．実験結果１
表１は、電極間距離の比ｂ１／ａ１を変えた場合における発光強度の比を示すものである。表１に示すように、Ｂ／Ａを１．４としたときには、強度比（Ｙ／Ｘ）は１に近い。すなわち、箇所Ｘでの発光強度と箇所Ｙでの発光強度とがほぼ等しい。

［表１］
Ｂ／Ａ ｂ１／ａ１ 強度比（Ｙ／Ｘ）
１ １．００ １．１４
１．４ １．２７ ０．９７
２ １．６１ ０．８１

ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１を１とした場合、発光強度比は、１．１４であった。つまり、発光面内の中央部の発光強度が、周辺部の発光強度に比べて強い。

ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１を１．２７とした場合、発光強度比は、０．９７であった。つまり、箇所Ｘにおける発光強度と箇所Ｙにおける発光強度とが、ほぼ等しい。すなわち、発光強度が発光面内でほぼ均一である。

ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１を１．６１とした場合、発光強度比は、０．８１であった。つまり、発光面内の中央部の発光強度が、周辺部の発光強度に比べて弱い。

図５は、ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１と、箇所Ｘと箇所Ｙとでの発光強度の強度比とを示すグラフである。図５の横軸は、ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１である。図５の縦軸は、発光強度の強度比（Ｙ／Ｘ）である。線Ｌは、測定値を補間する線である。

図５に示すように、ドット電極間距離の比ｂ１／ａ１を大きくするほど、発光強度の強度比（Ｙ／Ｘ）は小さくなる。つまり、ドット電極間距離を、外側で小さい値とするほど、外周部での発光強度が大きくなる傾向がある。

そして、図５の線Ｌで示すように、ドット電極間距離の比と、発光強度の強度比とは、１次の関係がほぼ成り立っている。もちろん、点Ｏから遠い位置となるほどドット電極間距離を小さくすると、周辺部の発光強度が中央部の発光強度よりも強くなる傾向に変わりない。

ここで、発光強度比が１．０の±１０％の範囲内となるのは、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．０５以上１．４５以下の範囲内にあるときである。すなわち、次式の範囲内である。
１．０５ ≦ ｂ１／ａ１ ≦ １．４５
これは、図５で図Ｚ１で示す範囲である。このとき、発光面内でやや均一に発光している。

そして、発光強度比が１．０の±５％の範囲内となるのは、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．１５以上１．３５以下の範囲内にあるときである。すなわち、次式の範囲内である。
１．１５ ≦ ｂ１／ａ１ ≦ １．３５
これは、図５で図Ｚ２で示す範囲である。このとき、発光面内でかなり均一に発光している。

そして、図５から、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．２５の場合に、最も均一な発光状態が実現していると考えられる。

４−３．実験結果２
表２は、電極間距離の比ｂ１／ａ１を変えた場合における全放射束Ｐｏを示すものである。表２に示すように、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．００のときには、全放射束Ｐｏは１４４．９ｍＷであった。ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．２７のときには、全放射束Ｐｏは１４６．７ｍＷであった。ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．６１のときには、全放射束Ｐｏは１４６．２ｍＷであった。

［表２］
Ｂ／Ａ ｂ１／ａ１ 全放射束Ｐｏ（ｍＷ）
１ １．００ １４４．９
１．４ １．２７ １４６．７
２ １．６１ １４６．２

このように、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．０５以上１．７０以下の場合には、発光素子１００の発光による明るさは明るい。特に、ドット電極間距離の比（ｂ１／ａ１）が１．２５以上１．６５以下であると、より好ましい。

５．まとめ
以上詳細に説明したように、本形態の発光素子１００では、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、ドット電極間距離が狭い。つまり、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、電極密度は高い。逆に、発光面の中央の点Ｏに近いほど、ドット電極間距離は広い。つまり、発光面の中央の点Ｏに近いほど、電極密度は低い。そのため、発光面の周辺部での電極間の電気抵抗が中央部での電極間の電気抵抗より小さい。これにより、発光面内で輝度の均一化を図った発光素子１００が実現されている。

発光面内でほぼ均一な発光が実現しているため、発光素子１００の発光出力は高い。そして、発光素子１００の中央Ｏ付近が早く劣化することを防止することができる。

なお、本実施例は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。本実施例では、ｐドット電極を３列、ｎドット電極を２列配置することとした。しかし、これらの数に限定されるものではない。また、これらの列は、必ずしも直線的に配置されていなくともよい。

実施例２について説明する。本実施例の発光素子２００を図６に示す。発光素子２００は、実施例１の発光素子１００と、電極のみ異なっている。発光素子２００のその他の構成は、実施例１の発光素子１００と同様である。発光素子２００では、ｐドット電極が設けられていない。ｐ側コンタクト層４０にｐ補助電極が直接設けられている。その代わりに発光素子２００には、図６に示すように、ｐ配線ＰＫ２１、ＰＫ２２、ＰＫ２３が設けられている。そのため、実施例１と共通する点については、記載を省略する。

１．半導体発光素子
図７は、図６に示した発光素子２００のＪ２−Ｊ２断面での断面構造を模式的に示した図である。発光素子２００は、サファイア基板１０と、半導体層２０と、導電性透明膜４０と、絶縁層５０、６０と、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸと、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸと、を有している。

ｐ配線ＰＫは、図６のｐ配線ＰＫ２１、ＰＫ２２、ＰＫ２３を有する串歯ｐ電極部である。そして、導電性透明膜４０に接触するように設けられている。つまり、ｐ配線ＰＫ２１、ＰＫ２２、ＰＫ２３は、導電性透明膜４０に直接接触している。ｎ配線ＮＫ１、ＮＫ２は、串歯状の串歯ｎ配線部である。

２．ドット電極の配置
続いて、ドット電極の配置されている位置について説明する。ｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３は、ｐ配線ＰＫ２１よりもｐ配線ＰＫ２２に近い位置に配置されている。ｎドット電極ＮＲ１１、ＮＲ１２、ＮＲ１３についても、同様に、ｐ配線ＰＫ２１よりもｐ配線ＰＫ２３に近い位置に配置されている。

ｎドット電極ＮＬ１２と、ｐ配線ＰＫ２２との間の距離は、図６に示すように、ａ２である。また、ｎドット電極ＮＬ１１もしくはＮＬ１３と、ｐ配線ＰＫ２２との間の距離も、同様に、ａ２である。

ｎドット電極ＮＬ１２と、ｐ配線ＰＫ２１との間の距離は、図６に示すように、ｂ２である。また、ｎドット電極ＮＬ１１もしくはＮＬ１３と、ｐ配線ＰＫ２１との間の距離も、同様に、ｂ２である。

そして、これらの最近接電極間距離ａ２、ｂ２には、次のような関係が成り立つ。
ａ２ ＜ ｂ２ ………（１）
本実施例における最近接電極間距離とは、ｎドット電極とｐ配線との間の距離である。式（１）に示すように、発光素子２００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、最近接電極間距離は小さい。つまり、発光素子２００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、電極密度は大きい。一方、発光素子２００の中央の点Ｏから近い位置ほど、最近接電極間距離は大きい。つまり、発光素子２００の中央の点Ｏから近い位置ほど、電極密度は小さい。

以上、説明したように、発光素子２００では、発光面の中心点Ｏに近い位置ほどドット電極は疎であり、発光面の中心点Ｏから遠い位置ほどドット電極は密である。

したがって、実施例１の発光素子１００と同様に、本実施例の発光素子２００では、周辺部に電流が流れやすい。つまり、発光素子２００は、発光面内にほぼ均一に発光する。

３．まとめ
以上詳細に説明したように、本形態の発光素子２００では、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、ドット電極間距離が狭い。つまり、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、電極密度は高い。逆に、発光面の中央の点Ｏに近いほど、ドット電極間距離は広い。つまり、発光面の中央の点Ｏに近いほど、電極密度は低い。そのため、発光面の周辺部での電極間の電気抵抗が中央部での電極間の電気抵抗より小さい。これにより、発光面内で輝度の均一化を図った発光素子２００が実現されている。

発光面内でほぼ均一な発光が実現しているため、発光素子２００の発光出力は高い。そして、発光素子２００の中央Ｏ付近が早く劣化することを防止することができる。

なお、本実施例は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。本実施例では、ｎドット電極を２列配置することとした。しかし、これらの数に限定されるものではない。また、これらの列は、必ずしも直線的に配置されていなくともよい。

実施例３について説明する。本実施例の発光素子３００を図８に示す。発光素子３００は、実施例１の発光素子１００と、電極のみ異なっている。発光素子３００のその他の構成は、実施例１の発光素子１００と同様である。発光素子３００では、ｎドット電極が設けられていない。このように実施例１と共通点が多いため、実施例１と共通する点については、記載を省略する。

１．半導体発光素子
図９は、図８に示した発光素子３００のＪ３−Ｊ３断面での断面構造を模式的に示した図である。発光素子３００の具体的な断面を示したものではなく、あくまで概念的なものである。発光素子３００は、サファイア基板１０と、半導体層２０と、導電性透明膜４０と、絶縁層５０、６０と、ｐドット電極ＰＤと、ｐ配線ＰＫと、ｐパッド電極ＰＸと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸと、を有している。

ｎ配線ＮＫは、図８のｎ配線ＮＫ３１、ＮＫ３２を有する串歯ｎ電極部である。ｎ配線ＮＫ３１、３２は、半導体層２０のｎ型コンタクト層に接触するように設けられている。ｐ配線ＰＫ１、ＰＫ２、ＰＫ３は、串歯状の串歯ｐ配線部である。

２．ドット電極の配置
続いて、ドット電極の配置されている位置について説明する。ｐドット電極ＰＬ１２と、ｎ配線ＮＫ３１との間の距離は、ａ３である。ｐドット電極ＰＬ１３と、ｎ配線ＮＫ３１との間の距離は、ａ３である。

ｐドット電極ＰＣ１１と、ｎ配線ＮＫ３１との間の距離は、ｂ３である。ｐドット電極ＰＣ１２と、ｎ配線ＮＫ３１との間の距離も、ｂ３である。

そして、これらの最近接電極間距離ａ３、ｂ３には、次のような関係が成り立つ。
ａ３ ＜ ｂ３ ………（２）
本実施例における最近接電極間距離とは、ｐドット電極とｎ配線との間の距離である。式（２）に示すように、発光素子３００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、最近接電極間距離は小さい。つまり、発光素子３００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、電極密度は大きい。一方、発光素子３００の中央の点Ｏから近い位置ほど、最近接電極間距離は大きい。つまり、発光素子３００の中央の点Ｏから近い位置ほど、電極密度は小さい。

以上、説明したように、発光素子３００では、発光面の中心点Ｏに近い位置ほどドット電極は疎であり、発光面の中心点Ｏから遠い位置ほどドット電極は密である。

したがって、実施例１の発光素子１００と同様に、本実施例の発光素子３００では、周辺部に電流が流れやすい。つまり、発光素子３００は、発光面内にほぼ均一に発光する。なお、ｐドット電極ＰＬ１１とｎ配線ＮＫ３１との間の距離と、ｐドット電極ＰＬ１４とｎ配線ＮＫ３１との間の距離とは、ａ３よりやや大きい。しかし、電極間距離の比ｂ３／ａ３を適当にとれば、ほぼ均一に発光をさせることは可能である。

３．まとめ
以上詳細に説明したように、本形態の発光素子３００では、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、ドット電極間距離が狭い。つまり、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、電極密度は高い。逆に、発光面の中央の点Ｏに近いほど、ドット電極間距離は広い。つまり、発光面の中央の点Ｏに近いほど、電極密度は低い。そのため、発光面の周辺部での電極間の電気抵抗が中央部での電極間の電気抵抗より小さい。これにより、発光面内で輝度の均一化を図った発光素子３００が実現されている。

発光面内でほぼ均一な発光が実現しているため、発光素子３００の発光出力は高い。そして、発光素子３００の中央Ｏ付近が早く劣化することを防止することができる。

なお、本実施例は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。本実施例では、ｐドット電極を３列配置することとした。しかし、これらの数に限定されるものではない。また、これらの列は、必ずしも直線的に配置されていなくともよい。

実施例４について説明する。本実施例の発光素子４００を図１０に示す。発光素子４００は、光取り出し面の反対側にｐパッド電極ＰＸおよびｎパッド電極ＮＸが設けられているフリップチップ型の発光素子である。発光素子４００では、ｐドット電極を有さない。本実施例では、実施例１と異なる点を中心に、説明する。

１．半導体発光素子
図１１は、本実施例の発光素子４００のＪ４−Ｊ４断面での断面構造を模式的に示した図である。発光素子４００は、サファイア基板１０と、半導体層２０と、反射膜４４０と、絶縁層５０、６０と、ｐパッド電極ＰＸと、ｎドット電極ＮＤと、ｎ配線ＮＫと、ｎパッド電極ＮＸと、を有している。

反射膜４４０は、光を反射するとともに導電性の材質からなる膜である。その材質として、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金等が挙げられる。そして、反射膜４４０は、半導体層２０のｐ型コンタクト層に直接接触している。これにより、ｐパッド電極ＰＸと反射膜４４０とを電気的に接続している。ｎドット電極ＮＤは、半導体層２０のｎ型コンタクト層に直接接触している。ｎ配線ＮＫは、ｎドット電極ＮＤとｎパッド電極ＮＸとを電気的に接続するためのものである。そして、ｎ配線ＮＫは、平面形状の平面電極部である。

２．ドット電極の配置
続いて、ドット電極の配置されている位置について説明する。発光素子４００では、複数のｎドット電極ＮＤが離散的に配置されている。図１２に示すように、線Ｌ４１上にｎドット電極ＮＤが４個配置されている。線Ｌ４２上には、ｎドット電極ＮＤが３個配置されている。線Ｌ４３上には、ｎドット電極ＮＤが４個配置されている。そして、線Ｌ４１と線Ｌ４２との間の間隔は、Ａ４である。線Ｌ４２と線Ｌ４３との間の間隔は、Ｂ４である。そして、外側の間隔Ａ４は、内側の間隔Ｂ４に比べて小さい。

図１２に示すように、発光面の中央の点Ｏから最も近いｎドット電極ＮＣ４１とｎドット電極ＮＣ４２との間の距離を、ｂ４とする。ここで、ｎドット電極ＮＣ４１、ＮＣ４２は、発光面の中央の点Ｏから最も近いｎドット電極である。ｎドット電極ＮＲ４１とｎドット電極ＮＲ４２との間の距離を、ａ４とする。ここで、ｎドット電極ＮＲ４１は、発光面の中央の点Ｏから最も遠いｎドット電極である。ｎドット電極ＮＲ４２は、ｎドット電極ＮＲ４１から最も近いｎドット電極である。

そして、これらの最近接電極間距離ａ４、ｂ４には、次のような関係が成り立つ。
ａ４ ＜ ｂ４ ………（３）
ただし、本実施例における最近接電極間距離とは、ｎドット電極同士、すなわち、極性の同じ電極間同士の間の距離である。式（３）に示すように、発光素子４００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、最近接電極間距離は小さい。つまり、発光素子４００の中央の点Ｏから遠い位置ほど、電極密度は大きい。一方、発光素子４００の中央の点Ｏから近い位置ほど、最近接電極間距離は大きい。つまり、発光素子４００の中央の点Ｏから近い位置ほど、電極密度は小さい。

以上、説明したように、発光素子４００では、発光面の中心点Ｏに近い位置ほどドット電極は疎であり、発光面の中心点Ｏから遠い位置ほどドット電極は密である。したがって、実施例１の発光素子１００と同様に、本実施例の発光素子４００では、周辺部に電流が流れやすい。つまり、発光素子４００は、発光面内にほぼ均一に発光する。

４．まとめ
以上詳細に説明したように、本形態の発光素子４００では、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、ドット電極間距離が狭い。つまり、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、電極密度は高い。逆に、発光面の中央の点Ｏに近いほど、ドット電極間距離は広い。つまり、発光面の中央の点Ｏに近いほど、電極密度は低い。これにより、発光面内で輝度の均一化を図った発光素子４００が実現されている。

発光面内でほぼ均一な発光が実現しているため、発光素子４００の発光出力は高い。そして、発光素子４００の中央Ｏ付近が早く劣化することを防止することができる。

なお、本実施例は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。本実施例では、ｎドット電極を５列配置することとした。しかし、これらの数に限定されるものではない。また、これらの列は、必ずしも直線的に配置されていなくともよい。

実施例５について説明する。実施例１から実施例４までは、列状に等間隔で配置されたドット電極の列の間隔を変えることとした。本実施例では、同じ列のうち、外側のドット電極をより外側に配置することに特徴がある。

本実施例の発光素子５００を図１３に示す。発光素子５００は、実施例１の発光素子１００（図１参照）と、ｎドット電極の配置のみが異なっている。したがって、その異なる点のみについて説明する。

１．ドット電極の配置
図１３に示すように、ｎドット電極ＮＬ５１、ＮＬ５３、ＮＲ５１、ＮＲ５３は、それぞれ、発光素子１００のｎドット電極ＮＬ１１、ＮＬ１３、ＮＲ１１、ＮＲ１３の配置位置と異なっている。ｎドット電極ＮＬ５１、ＮＬ５３、ＮＲ５１、ＮＲ５３はそれぞれ、外側、すなわち点Ｏから遠ざかる向きの列方向に移動している。

そのため、ｐドット電極ＰＬ１１と、ｎドット電極ＮＬ５１との間のドット電極間距離ａ５１は、ｐドット電極ＰＬ１２と、ｎドット電極ＮＬ１２との間のドット電極間距離ａ１よりも小さい。したがって、中央の点Ｏから遠い位置ほど、電極密度は高い。また、中央の点Ｏから近い位置ほど、電極密度は低い。そして、その傾向は、実施例１の発光素子１００よりも顕著である。

なお、ｐドット電極ＰＬ１２とｎドット電極ＮＬ５１との間のドット電極間距離ａ５２は、ｐドット電極ＰＬ１２と、ｎドット電極ＮＬ１２との間のドット電極間距離ａ１よりも大きい。しかし、ｐドット電極ＰＬ１２からみて最近接したｎドット電極は、ｎドット電極ＮＬ１２である。つまり、点Ｏから遠い位置にあるドット電極ほど、最近接電極間距離が小さいことに変わりない。

ｐドット電極ＰＣ１１から最も近いｎドット電極は、ｎドット電極ＮＬ１２である。その電極間距離はｂ１である。また、ｐドット電極ＰＬ１２から最も近いｎドット電極は、ｎドット電極ＮＬ１２である。その電極間距離はａ１である。そして、ｐドット電極ＰＬ１１から最も近いｎドット電極は、ｎドット電極ＮＬ５１である。その電極間距離はａ５１である。

このように、ある電極から最も近い２電極を電極対とみなすと、その電極対の距離は、中央の点Ｏから遠いほど小さい。そして、中央の点Ｏから近いほど、電極対の距離は大きい。電流は、もちろん、電気抵抗の小さい箇所に流れやすい。したがって、発光素子５００の周辺部に電流が流れやすく、中央部に電流が流れにくい傾向があることに変わりない。

以上、説明したように、発光素子５００では、発光面の中心点Ｏに近い位置ほどドット電極は疎であり、発光面の中心点Ｏから遠い位置ほどドット電極は密である。

２．変形例
発光素子５００のｐドット電極ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＲ１２、ＰＲ１３のそれぞれを、列方向に沿って外側にずらして配置することとしてもよい。その場合、中央の点Ｏから遠いほど電極密度が高い傾向が、より強いこととなる。

３．まとめ
以上詳細に説明したように、本形態の発光素子５００では、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、ドット電極間距離が狭い。つまり、発光面の中央の点Ｏから遠ざかるほど、電極密度は高い。逆に、発光面の中央の点Ｏに近いほど、ドット電極間距離は広い。つまり、発光面の中央の点Ｏに近いほど、電極密度は低い。そのため、発光面の周辺部での電極間の電気抵抗が中央部での電極間の電気抵抗より小さい。これにより、発光面内で輝度の均一化を図った発光素子５００が実現されている。

発光面内でほぼ均一な発光が実現しているため、発光素子５００の発光出力は高い。そして、発光素子５００の中央Ｏ付近が早く劣化することを防止することができる。

なお、本実施例は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。本実施例では、ｐドット電極を３列、ｎドット電極を２列配置することとした。しかし、これらの数に限定されるものではない。また、これらの列は、必ずしも直線的に配置されていなくともよい。

１０…サファイア基板
２０…半導体層
４０…導電性透明膜
５０、６０…絶縁層
１００、２００、３００、４００、５００…発光素子
ＰＬ１１、ＰＬ１２、ＰＬ１３、ＰＬ１４、ＰＲ１１、ＰＲ１２、ＰＲ１３、ＰＲ１４、ＰＣ１１、ＰＣ１２、ＰＬ２１、ＰＲ２１、ＰＣ２１、ＰＤ…ｐドット電極
ＰＫ、ＰＫ１、ＰＫ２、ＰＫ３…ｐ配線
ＰＸ…ｐパッド電極
ＮＬ１１、ＮＬ１２、ＮＬ１３、ＮＲ１１、ＮＲ１２、ＮＲ１３、ＮＬ３１、ＮＲ３１、ＮＣ４１、ＮＣ４２、ＮＲ４１、ＮＲ４２、ＮＬ５１、ＮＬ５２、ＮＲ５１、ＮＲ５２、ＮＤ…ｎドット電極
ＮＫ、ＮＫ１、ＮＫ２…ｎ配線
ＮＸ…ｎパッド電極

Claims (10)

1. 第１導電型半導体層と、発光層と、第２導電型半導体層と、
   前記第１導電型半導体層と電気的に接続されている第１極性の導電部と、
   前記第２導電型半導体層と電気的に接続されている第２極性の導電部と、
   を有する半導体発光素子において、
   前記第１極性の導電部と前記第２極性の導電部との少なくとも一方は、
   発光面に対して離散して配置されている複数の離散電極部を有し、
   前記離散電極部は、
   発光面の中心点に近い位置ほど疎であり、
   発光面の中心点から遠い位置ほど密であること
   を特徴とする半導体発光素子。
2. 請求項１に記載の半導体発光素子において、
   第１の離散電極部と、前記第１の離散電極部より中心点から遠い位置に位置する第２の離散電極部とを有し、
   第２の離散電極部のうちには、
   前記第１の離散電極部の第１の最近接電極間距離よりも小さい第２の最近接電極間距離を有するものが存在し、
   前記最近接電極間距離は、
   前記離散電極部と、その離散電極部から最も近い前記第１極性の導電部またはその離散電極部から最も近い前記第２極性の導電部との間の距離であること
   を特徴とする半導体発光素子。
3. 請求項２に記載の半導体発光素子において、
   前記最近接電極間距離は、
   第１極性の離散電極部と、前記第２極性の導電部との間の距離であること
   を特徴とする半導体発光素子。
4. 請求項３に記載の半導体発光素子において、
   前記第１極性の導電部および前記第２極性の導電部のいずれもが複数の前記離散電極部を有し、
   前記最近接電極間距離は、
   前記第１極性の導電部の離散電極部と、前記第２極性の導電部の離散電極部との間の距離であること
   を特徴とする半導体発光素子。
5. 請求項３に記載の半導体発光素子において、
   前記第１極性の導電部のみが複数の前記離散電極部を有し、
   前記最近接電極間距離は、
   前記第１極性の導電部の離散電極部と、前記第２極性の導電部との間の距離であること
   を特徴とする半導体発光素子。
6. 請求項４に記載の半導体発光素子において、
   前記第１極性の導電部は、
   前記第１極性の離散電極部同士を電気的に接続する第１極性の串歯配線部を有し、
   前記第２極性の導電部は、
   前記第２極性の離散電極部同士を電気的に接続する第２極性の串歯配線部を有すること
   を特徴とする半導体発光素子。
7. 請求項５に記載の半導体発光素子において、
   前記第１極性の導電部は、
   複数の前記離散電極部を電気的に接続する串歯状の第１極性の串歯配線部を有し、
   前記第２極性の導電部は、
   串歯状の第２極性の串歯電極部を有し、
   前記最近接電極間距離は、
   前記第１極性の串歯配線部に接続されている第１極性の離散電極部と、前記第２極性の串歯電極部との間の距離であること
   を特徴とする半導体発光素子。
8. 請求項６に記載の半導体発光素子において、
   発光面の中心点から最も遠い第１の列に位置している前記離散電極部と、発光面の中心点から前記第１の列の次に遠い第２の列に位置している前記離散電極部との間の前記最近接電極間距離ａに対する、
   発光面の中心点から最も近い第３の列に位置している前記離散電極部と、発光面の中心点から前記第３の列の次に近い第４の列に位置している前記離散電極部との間の前記最近接電極間距離ｂの比ｂ／ａが、
   １．０５以上１．４５以下の範囲内にあること、
   を特徴とする半導体発光素子。
9. 請求項８に記載の半導体発光素子において、
   前記最近接電極間距離ａに対する前記最近接電極間距離ｂの比ｂ／ａが、
   １．１５以上１．３５以下の範囲内にあること、
   を特徴とする半導体発光素子。
10. 請求項２に記載の半導体発光素子において、
    前記第１極性の導電部は、
    前記第１極性の前記離散電極部を有し、
    前記最近接電極間距離は、
    前記第１極性の前記離散電極部同士の間の距離であること
    を特徴とする半導体発光素子。

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