JP2005183757A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光体層から出射した光を有効に反射させることで、主光取り出し面から出射した光の輝度を向上させることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板２にｎ型半導体層３が積層され、ｎ型半導体層３にボンディング用のｎ側電極５と発光体層４とが積層され、発光体層４にｐ型半導体層６が積層され、ｐ型半導体層６に光反射性を有するｐ側光反射電極７が積層され、ｐ型半導体層６および発光体層４の周囲を覆うように光反射性を有する光反射層９が積層され、ｐ側光反射電極７にボンディング用のｐ側電極１０が積層されたことにより、発光体層４の側方から出射した光を光反射層９が反射して主光取り出し面から出射させることができるので、輝度の高い半導体発光素子とすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に半導体層および発光体層を積層したフリップチップ型の半導体発光素子およびその製造方法に関する。

従来の半導体発光素子は、例えば図９に示されるように、光透過性で絶縁性のサファイア等で形成された基板１００に、ｎ型半導体層１０１、発光体層１０２、ｐ型半導体層１０３を順に積層したものである。発光体層１０２およびｐ型半導体層１０３の一部はエッチングしてｎ型半導体層１０１を露出させ、露出させたｎ型半導体層１０１に、ボンディング用のｎ側電極１０４を形成する。そして、ｐ型半導体層１０３に、ｐ側光反射電極１０５を形成し、ｐ側光反射電極１０５にボンディング用のｐ側電極１０６が形成されている。

このように形成した従来の半導体発光素子は、ｐ側光反射電極１０５として、反射率の高いＡｇが用いられている。ｐ側光反射電極１０５は、発光体層１０２からの光を反射する役目をする。つまり、発光体層１０２からの光は、ｎ型半導体層１０１を透過し、基板１００を透過して出射した光と、ｐ側光反射電極１０５で反射して基板１００方向へ出射した光とが合わさって、主光取り出し面１０７から出射する。

このようにして、発光体層１０２から出射した光をｐ側光反射電極１０５で反射させることで、輝度の向上を図っている。

また、特許文献１に記載の半導体発光素子は、図１０に示すように、基板２１にｎ型半導体層２０を形成し、ｎ型半導体層２０とコンタクトを取るｎ側電極２２のために、ｎ型半導体層２０の露出部分を最小限確保し、ｐ側電極２３とｎ型半導体層２０のコンタクト面２４との間に、絶縁膜２５を成膜し、ｐ側電極２３の表面にかけて形成している。このように構成することで、ｎ側電極２２をｎ型半導体層２０のコンタクト面２４に対して適正な接合面を最小確保できるとともに、発光層を広く形成することができ、発光層の側方から出射した光をｎ側電極２２にて反射することができるので、輝度の向上が図れる。
特開２０００−１１４５９５号公報（段落番号００２５−００３３，図１）

従来の半導体発光素子は、発光体層１０２から出射した光を主光取り出し面１０７から出射させるために、ｐ側光反射電極１０５が形成されている。このｐ側光反射電極１０５を発光体層１０２に対しできるだけ広く形成することで、発光体層１０２から出射した光を効率よく反射させることができる。しかし、ｐ側光反射電極１０５を発光体層１０２より広く形成し過ぎると、ｎ側電極１０４と接触して点灯不良となって歩留まりが低下してしまう。

ｐ側光反射電極１０５にＡｇを使用した場合では、Ａｇのマイグレーションによりｎ側電極１０４と接触する可能性がある。そこで、従来、ｐ側光反射電極１０５をｐ型半導体層１０３より少し狭い領域となるように形成し、ｐ側電極１０６によりｐ側光反射電極１０５を覆うように形成することで、ｐ側光反射電極１０５とｎ側電極１０４との接触を防止している。

従って、ｐ側光反射電極１０５は、発光体層１０２より少し小さく形成する必要があるので、発光体層１０２から出射した光が、ｐ側光反射電極１０５の周囲から漏れ、輝度の向上を阻害する要因となっている。

特許文献１に記載の半導体発光素子は、発光層の側方から出射した光をｎ側電極２２にて反射させて、基板２１の主光取り出し面から出射させて、輝度の向上を図っているが、発光層の側方から出射した光を反射できるのは、ｎ側電極２２が形成されている部分のみなので、やはり光漏れが発生する。

従って、発光層から出射した光を有効に回収できているとはいえない。

そこで本発明は、発光体層から出射した光を有効に反射させることで、主光取り出し面から出射した光の輝度を向上させることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の半導体発光素子は、基板にｎ型半導体層が積層され、ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが積層され、発光体層にｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が積層された半導体発光素子において、ｐ型半導体層および発光体層の周囲を覆うように光反射性を有する光反射層が積層されたことを特徴とする。

本発明の半導体発光素子によれば、発光体層の側方から出射した光を光反射層が反射して、主光取り出し面から出射させることで、輝度の高い半導体発光素子とすることができる。

また、ｐ側電極およびｎ側電極の間と、光反射電極の前記発光体層側であってｐ型半導体層および発光体層を囲う周囲とに、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が形成されたことにより、ｐ側電極とｎ側電極を保護層で分離することができるので、製造時に短絡して点灯不良などの発生を抑止することができる。よって、歩留まりのよい半導体発光素子とすることができる。

また、光反射層は、ｐ側光反射電極と略等しい材質で形成することで、ｐ側光反射電極と光反射層を同じ工程で形成することができ、効率よく製造することが可能な半導体発光素子とすることができる。

また、基板にｎ型半導体層が形成され、ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが形成され、発光体層にｐ型半導体層が形成され、ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつｐ型半導体層を導通可能に露出させるように、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が積層され、ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が形成された半導体発光素子であって、ｐ側光反射電極は、発光体層より略等しいか、または広く形成されたことにより、発光体層の側方から出射した光をｐ型半導体層より略等しいか、または広く形成されたｐ側光反射電極が反射して、主光取り出し面から出射させることで、輝度の高い半導体発光素子とすることができる。

上記課題を解決するためになされた第１の発明は、基板にｎ型半導体層が積層され、前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが積層され、前記発光体層にｐ型半導体層が積層され、前記ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が積層された半導体発光素子において、前記ｐ型半導体層および発光体層の周囲を覆うように光反射性を有する光反射層が積層されたことを特徴としたものであり、ｐ型半導体層および発光体層の周囲を囲うように光反射性を有する光反射層が形成されたことにより、発光体層の側方から出射した光を光反射層が反射して、主光取り出し面から出射させることができる。

上記課題を解決するためになされた第２の発明は、前記ｐ側電極および前記ｎ側電極の間と、前記光反射電極の前記発光体層側であって前記ｐ型半導体層および前記発光体層を囲う周囲とに、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が形成されたことを特徴としたものであり、ｐ側電極とｎ側電極を保護層で分離することができ、ｐ側電極とｎ側電極の短絡が防止できる。

上記課題を解決するためになされた第３の発明は、前記光反射層は、前記ｐ側光反射電極と略等しい材質で形成されたことを特徴としたものであり、ｐ側光反射電極と光反射層を同じ工程で形成することができる。

上記課題を解決するためになされた第４の発明は、基板にｎ型半導体層が積層され、前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが積層され、前記発光体層に前記ｐ型半導体層が積層され、前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層を導通可能に露出させるように、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が積層され、前記ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が積層された半導体発光素子であって、前記ｐ側光反射電極は、前記発光体層より略等しいか、または広く形成されたことを特徴としたものであり、発光体層の側方から出射した光を、ｐ型半導体層より略等しいかまたは広く形成されたｐ側光反射電極が反射して、主光取り出し面から出射させることができる。

上記課題を解決するためになされた第５の発明は、基板にｎ型半導体層を積層し、前記ｎ型半導体層に発光体層を積層し、前記発光体層にｐ型半導体層を積層し、前記発光体層およびｐ型半導体層をエッチングによりｎ型半導体層を露出させ、前記露出した前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極を積層し、前記ｎ側電極と前記ｐ型半導体層とを覆うように絶縁性を有する保護層を積層し、前記保護層をエッチングにより前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層を接続可能に前記ｐ型半導体層の周囲を残して露出させ、前記保護層から露出した前記ｐ型半導体層の領域に光反射性を有するｐ側光反射電極を積層し、前記保護層に前記ｐ型半導体層および前記発光体層の周囲を囲うように光反射性を有する光反射層を積層し、前記ｐ側光反射電極および前記光反射層上にボンディング用のｐ側電極を積層することを特徴としたものであり、ｐ側光反射電極および発光体層の周囲を囲うように光反射性を有する光反射層が形成されたことにより、発光体層の側方から出射した光を光反射層が反射して、主光取り出し面から出射させることが可能な半導体発光素子を製造することができる。

上記課題を解決するためになされた第６の発明は、基板にｎ型半導体層を積層し、前記ｎ型半導体層に発光体層を積層し、前記発光体層にｐ型半導体層を積層し、前記発光体層およびｐ型半導体層をエッチングによりｎ型半導体層を露出させ、前記露出した前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極を積層し、前記ｎ側電極と前記ｐ型半導体層とを覆うように絶縁性を有する保護層を積層し、前記保護層をエッチングにより前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層の全体が露出するように露出させ、前記保護層から露出した前記ｐ型半導体層に前記発光体層を囲うように光反射性を有するｐ側光反射電極を積層し、前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極を積層することを特徴としたものであり、発光体層の側方から出射した光をｐ型半導体層より略等しいか、または広く形成されたｐ側光反射層が反射して、主光取り出し面から出射させることが可能な半導体発光素子を製造することができる。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子について図１から図６に基づいて説明する。図１は本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を説明する図である。図２から図６は、本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、図２から図６において（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図である。

図１に示すように、本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子１は、サファイアなどで形成される基板２にｎ型半導体層３が積層され、ｎ型半導体層３にｎ側電極５が積層されるとともに、発光体層４およびｐ型半導体層６が積層されている。

ｐ型半導体層６に光反射性を有するｐ側光反射電極７が積層され、ｐ側光反射電極７の周囲には、ｐ型半導体層６および発光体層４を囲うとともに、ｎ側電極５のｐ型半導体層６側に面した側面を覆うように保護層８が積層されている。

保護層８に積層され、発光体層４を囲うように、光反射性を有する光反射層９が積層されている。また、光反射層９およびｐ側光反射電極７を覆うように、ボンディング用のｐ側電極１０が形成されている。

基板２は、ＧａＮ，ＳｉＣ，サファイアなどで形成されている。基板２としては、ＧａＡｓやＧａＰなども使用できる。

ｎ型半導体層３は、基板２にＧａＮ，ＡｌＧａＮを積層させて形成する。ｎ型半導体層３と基板２の間にＧａＮやＩｎＧａＮで形成したバッファ層を設けることも可能である。

発光体層４とｐ型半導体層６は、ｎ型半導体層３の全面に、ＩｎＧａＮで積層した発光体層と、発光体層の全面にＧａＮを積層してｐ型半導体層を積層した後に、ドライエッチングによりｎ型半導体層３にｎ側電極５を形成する領域を露出させて、発光体層４とｐ型半導体層６を形成する。

ｎ側電極５は、ｎ型半導体層３と接続するＴｉとボンディングするために好適なＡｕとから形成されている。

保護層８は、ｐ型半導体層６と、ｎ側電極５とを覆うように形成され、ウェットエッチングにより、ｐ側光反射電極７を接続可能にｐ型半導体層の周囲を残してｐ型半導体層６を露出させるとともに、ボンディング可能にｎ側電極５を露出させて形成される。保護層８は、ＳｉＯ₂で形成されているので、絶縁性と光透過性を有している。

保護層８は、ＳｉＯ₂で形成したＳｉＯ_xの他に、ＳｉＮ_xなどが使用できるが、絶縁性と光透過性を有していれば使用できる。

保護層８の膜厚は、ｎ型半導体層に発光体層およびｐ型半導体層を形成しエッチングによりｎ型半導体層を露出させてｎ側電極５用の領域を形成する際にできる発光体層４およびｐ型半導体層６の側面部分、およびｎ型半導体層３からｎ側電極５表面までの側面部分（段差部分）に、十分な保護層８が形成できる程度の厚みとするのが望ましい。

ｐ側光反射電極７は、ｐ型半導体層６とオーミックコンタクトを取るためのＰｔと、光反射率のよいＡｇと、ｐ側電極１０と接続するためのＰｔで形成された多層構造である。また、ｐ側光反射電極７は、Ａｇの代わりにＲｈやＡｌを使用することもできる。その場合には、Ａｇと異なりマイグレーションがないため、ｐ側電極１０を必要とせず保護層８をｐ型半導体層６の全体が露出するように形成し、ｐ側光反射電極７をｐ型半導体層６と同じ面積で形成することが可能である。この場合のｐ側光反射電極７の組み合わせとしては、Ｐｔ／Ｒｈ（Ａｌ）／Ｔｉ／Ａｕや、Ｒｈ（Ａｌ）／Ｔｉ／Ａｕや、Ｐｔ／Ｒｈ（Ａｌ）／Ｗ／Ｔｉ／Ａｕや、Ｒｈ（Ａｌ）／Ｗ／Ｔｉ／Ａｕや、Ｐｔ／Ａｇ／Ｗ／Ｔｉ／Ａｕなどが使用できる。

光反射層９は、ｐ側光反射電極７と同じ材質である多層構造で形成されている。同じ材質とすることで、保護層８を形成した後に、ｐ側光反射電極７と光反射層９を同じ工程で形成することができる。光反射層９が、光透過性を有する保護層８の上から発光体層４を囲うように形成されているので、ｐ側光反射電極７の周囲から漏れる光を光反射層９により反射させることができる。

ｐ側電極１０は、ｐ側光反射電極７と接続するＴｉとボンディングするために好適なＡｕとから形成されている。ｐ側電極１０は、絶縁性を有する保護層８によりｎ側電極５から分離することで、Ａｇのマイグレーションを防止でき、ｎ側電極５と短絡することはない。

このように構成される本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法について図２から図６に基づいて説明する。

図２に示すように、まず、サファイアの基板２に、ＭＯＣＶＤエピタキシャル成長によりＧａＮ，ＡｌＧａＮからなるｎ型半導体層３を積層し、ｎ型半導体層３に、ＩｎＧａＮをＭＯＣＶＤ法で積層した発光体層と、ＡｌＧａＮをＭＯＣＶＤ法で積層したｐ型半導体層とが形成され、ドライエッチングにて、ｎ側電極５を形成するための領域をｎ型半導体層３を露出させることで、発光体層４とｐ型半導体層６とを形成する。露出させたｎ型半導体層３の領域にｎ側電極５を形成する。

次に、図３に示すように、絶縁性を有し光透過性を有する、例えばＳｉＯ₂で形成された絶縁層１１を例えば熱ＣＶＤにより、ｐ型半導体層６およびｎ側電極５を覆うように形成する。形成する絶縁層１１の厚みは、発光体層４およびｐ型半導体層６の側面部分（段差部分）およびｎ型半導体層３からｎ側電極５表面までの側面部分に、十分な保護層８が形成できる程度の厚みとする。このように絶縁層１１を形成することにより、ｐ側に形成される発光体層４およびｐ型半導体層６と、後に形成するｐ側電極１０、ｐ側光反射電極７および光反射層９の各層からｎ側電極５を電気的に分離することができ、光反射層９が発光体層４の側面に接触することを防ぐことができる。

そして、図４に示すように、ウェットエッチングにより絶縁層１１を、ｎ側電極５のボンディングする接続面を露出させるとともに、ｐ側光反射電極７（図１参照）が形成されるｐ型半導体層６の接続面を露出させて保護層８を形成する。

図５に示すように、保護層８に囲われたｐ型半導体層６が露出した面に、例えばＰｔ，ＡｇおよびＰｔの多層構造をしたｐ側光反射電極７を、例えばＥＢ蒸着法により形成するとともに、保護層８の上面であってｐ型半導体層６および発光体層４を囲うように、ｐ側光反射電極７と同じ材質である多層構造をした光反射層９を形成する。このように、光反射層９とｐ側光反射電極７を同じ材質で構成することにより、同じ工程で形成することが可能である。また、光反射層９は、ｐ側光反射電極７と異なる材質とすることも可能である。

最後に、図６に示すように、ｐ側電極１０を光反射層９およびｐ側光反射電極７を覆うように、例えば、ＴｉおよびＡｕで形成する。

このように、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子によれば、図１に示すように、発光体層４から出射した光は、ｎ型半導体層および基板２を透過して主光取り出し面から出射する光と、ｐ側光反射電極７に反射された主光取り出し面から出射する光だけでなく、従来の半導体発光素子では反射されることなく無駄となっていたｐ側光反射電極７の周囲の方向へ出射した光も、光反射層９を形成することで、発光体層４から出射した光を有効に反射させることができるので、輝度の向上を図ることができる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子について図７および図８に基づいて説明する。図７は本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子を説明する図である。図８は、本発明の他の実施の形態に係る半導体発光素子を説明する図である。

実施の形態２では、実施の形態１の保護層８をｐ型半導体層６の全体が露出するようにエッチングして、ｐ側光反射電極１６を発光体層４より広く形成することで、輝度の向上を図るものである。

なお、図７においては、図１で示される基板２，ｎ型半導体層３，発光体層４，ｎ側電極５，ｐ型半導体層６，ｐ側電極１０は同様のものであるため、同符号を付して説明を省略する。

図７（ａ）で示されるように、実施の形態１の図３を形成した後に、ウェットエッチングにより絶縁層を除去する際に、ｐ型半導体層６の全体が露出するように形成して保護層１５を形成する。

保護層１５は、実施の形態１の図３に示した状態からエッチングにより絶縁層を除去する領域を、ｐ型半導体層６の全体が露出するように広くするだけで、対応可能であるため容易に形成することができる。また、保護層１５の膜厚は、実施の形態１と同様に、発光体層４、ｐ側半導体層６の側面部分およびｎ型半導体層３とｎ側電極５表面の側面部分（段差部分）に、十分な保護層８が形成できる程度の厚みとするのが望ましい。発光体層４、ｐ側半導体層６の側面部分およびｎ型半導体層３とｎ側電極５表面の側面（段差部分）に、十分な保護層１５が形成できる膜厚とすることで、ｐ側に形成される発光体層４と、ｐ型半導体層６と、ｐ側電極１０と、ｐ側光反射電極１６との各層からｎ側電極５を電気的に分離することができ、ｐ側光反射電極１６が発光体層４の側面に接触することを防ぐことができる。

そして、図７（ｂ）で示されるように、ｐ側光反射電極１６を、ｐ型半導体層６の上面、および保護層１５の上面から発光体層４の周囲を囲うように形成する。ｐ側光反射電極１６は、実施の形態１と同様、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｔの多層構造の電極で形成すること可能である。また、ｐ側光反射電極１６は、実施の形態１のｐ側光反射電極７と同じ例えばＥＢ蒸着法により形成することができる。

このように、ｐ側光反射電極１６を、ｐ型半導体層６の上面および発光体層４の周囲を囲うように形成することで、発光体層４から主光取り出し面とは反対方向に出射された光を、全て主光取り出し面へ反射させることができるので、輝度の高い半導体発光素子とすることができる。

また、実施の形態１での光反射層が省略された構成であり、発光体層４から出射された光を絶縁層を介さずにｐ側光反射電極１６のみで反射させるため、反射された光にバラツキが少ない。

なお、図８に示すように、ｐ側光反射電極１７は、発光体層４と略等しい領域のみに形成することができる。この場合には、発光体層４の側方へ出射された光は反射させることはできないが、従来の半導体発光素子のように、ｐ側光反射電極にＡｇを使用したことによるマイグレーションによりｎ側電極５との短絡が発生する問題や、ｐ側光反射電極の製造時におけるｎ側電極５との短絡が発生する問題は、保護層１５によって防止することができる。従って、従来の半導体発光素子の図９に示されるｐ側光反射電極より本発明の半導体発光素子のｐ側光反射電極１７の方が、発光体層４から出射された光をより多く反射することができるので、輝度の向上を図ることができる。

本発明に係る半導体発光素子は、輝度の高いものとすることが必要な、基板に半導体層を積層したフリップチップ型の半導体発光素子として有用である。

本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を説明する図 本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図 本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図 本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図 本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図 本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は垂直断面図、（ｃ）は平面図 本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子を説明する図で、（ａ）および（ｂ）は垂直断面図 本発明のその他の実施の形態の半導体発光素子を説明する図 従来の半導体発光素子を説明する図 従来の他の半導体発光素子を説明する図

符号の説明

１ 半導体発光素子
２ 基板
３ ｎ型半導体層
４ 発光体層
５ ｎ側電極
６ ｐ型半導体層
７，１６，１７ ｐ側光反射電極
８，１５ 保護層
９ 光反射層
１０ ｐ側電極
１１ 絶縁層

Claims (6)

1. 基板にｎ型半導体層が積層され、前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが積層され、前記発光体層にｐ型半導体層が積層され、前記ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が積層された半導体発光素子において、
   前記ｐ型半導体層および発光体層の周囲を覆うように光反射性を有する光反射層が積層されたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記ｐ側電極および前記ｎ側電極の間と、前記光反射電極の前記発光体層側であって前記ｐ型半導体層および前記発光体層を囲う周囲とに、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記光反射層は、前記ｐ側光反射電極と略等しい材質で形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 基板にｎ型半導体層が積層され、前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極と発光体層とが積層され、前記発光体層に前記ｐ型半導体層が積層され、前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層を導通可能に露出させるように、絶縁性を有し光透過性を有する保護層が積層され、前記ｐ型半導体層に光反射性を有するｐ側光反射電極が積層され、前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極が積層された半導体発光素子であって、
   前記ｐ側光反射電極は、前記発光体層より略等しいか、または広く形成されたことを特徴とする半導体発光素子。
5. 基板にｎ型半導体層を積層し、
   前記ｎ型半導体層に発光体層を積層し、
   前記発光体層にｐ型半導体層を積層し、
   前記発光体層およびｐ型半導体層をエッチングによりｎ型半導体層を露出させ、
   前記露出した前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極を積層し、
   前記ｎ側電極と前記ｐ型半導体層とを覆うように絶縁性を有する保護層を積層し、
   前記保護層をエッチングにより前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層を接続可能に前記ｐ型半導体層の周囲を残して露出させ、
   前記保護層から露出した前記ｐ型半導体層の領域に光反射性を有するｐ側光反射電極を積層し、
   前記保護層に前記ｐ型半導体層および前記発光体層の周囲を囲うように光反射性を有する光反射層を積層し、
   前記ｐ側光反射電極および前記光反射層上にボンディング用のｐ側電極を積層することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
6. 基板にｎ型半導体層を積層し、
   前記ｎ型半導体層に発光体層を積層し、
   前記発光体層にｐ型半導体層を積層し、
   前記発光体層およびｐ型半導体層をエッチングによりｎ型半導体層を露出させ、
   前記露出した前記ｎ型半導体層にボンディング用のｎ側電極を積層し、
   前記ｎ側電極と前記ｐ型半導体層とを覆うように絶縁性を有する保護層を積層し、
   前記保護層をエッチングにより前記ｎ側電極をボンディング可能に露出させ、かつ前記ｐ型半導体層の全体が露出するように露出させ、
   前記保護層から露出した前記ｐ型半導体層に前記発光体層を囲うように光反射性を有するｐ側光反射電極を積層し、
   前記ｐ側光反射電極にボンディング用のｐ側電極を積層することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

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