JP2000216439A - チップ型発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程数の削減により低コスト化が可能であ
り、かつ高輝度化および小型化が可能なチップ型発光素
子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 アルミナ基板１０は第１層アルミナシー
ト１１および第２層アルミナシート１２の２層構造を有
する。第２層アルミナシート１２の上面に一対の電極パ
ッド１３が形成され、第１層アルミナシート１１の裏面
に一対の裏面引出し電極１４が形成される。電極パッド
１３と裏面引出し電極１４との間に相当する第１層アル
ミナシート１１および第２層アルミナシート１２の位置
に複数のスルーホール１５が設けられ、スルーホール１
５内にＡｇが埋め込まれる。ＬＥＤチップ２０のｐ電極
２５およびｎ電極２６が積層型アルミナ基板１０の一対
の電極パッド１３にＡｕバンプ３０および銀ペースト３
１を介してそれぞれ接合され、積層型アルミナ基板１０
上にＬＥＤチップ２０が貼り合わされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、面実装用のチップ
型発光素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の携帯電話機器に代表される情報化
社会において、電子機器には小型化、薄型化および軽量
化が要求されている。この要求に応じて、これらの電子
機器に搭載されるＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとし
てチップコンデンサに至るまでの電子部品において軽量
化およびコンパクト化が進められ、実装密度の向上が図
られている。

【０００３】ＬＥＤ（発光ダイオード）は、その低消費
電力および高寿命といった素子の特徴から、多くの電子
機器や各種制御機器に搭載され、昨今はフルカラー可能
な表示機器にも実用化が進められている。

【０００４】図１４は従来の面実装用のチップ型発光素
子の一例を示す斜視図である。図１４のチップ型発光素
子２００においては、ＬＥＤ作製のためのプロセス終了
後のウエハから素子単位でＬＥＤチップ２１０が分離さ
れ、そのＬＥＤチップ２１０がセラミックパッケージ２
２０の凹部内に配置される。ＬＥＤチップ２１０の一対
の電極は、ボンディングワイヤ２３０により引出し電極
２４０に接続されている。セラミックパッケージ２２０
の凹部内のＬＥＤチップ２１０は、透光性樹脂２４０で
モールドされている。このチップ型発光素子２００は、
例えば特開平１０−１５１７９４号公報に開示されてい
る。

【０００５】図１５は従来の面実装用のチップ型発光素
子の他の例を示す斜視図である。図１５のチップ型発光
素子３００においては、ＬＥＤチップ３１０が平坦なセ
ラミック基板３２０上に配置され、ＬＥＤチップ３１０
の一対の電極がボンディングワイヤ（図示せず）により
引出し電極３３０に接続されている。セラミック基板３
２０上のＬＥＤチップ３１０は透光性樹脂３４０でモー
ルドされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の面実装用のチッ
プ型発光素子２００，３００の製造の際には、ウエハか
ら素子単位で個々のＬＥＤチップ２１０，３１０を分離
した後、個々のＬＥＤチップ２１０，３１０をセラミッ
クパッケージ２２０または平坦なセラミック基板３２０
に組み込む工程が必要となる。そのため、工程数が多く
なり、製造時間が長くなる。また、チップボンダ、ワイ
ヤボンダ等の高価な組み立て設備が必要となる。

【０００７】また、従来のチップ型発光素子２００，３
００を製造するためには、少なくともＬＥＤチップ２１
０，３１０のサイズよりも大きなサイズのセラミックパ
ッケージ２２０またはセラミック基板３２０が必要とな
る、そのため、完成したチップ型発光素子２００，３０
０のサイズが大きくなり、小さなスペースに高密度に実
装することが困難になる。

【０００８】さらに、従来のチップ型発光素子２００，
３００においては、ＬＥＤチップ２１０，３１０の光の
出射方向に電極が配置されているため、ＬＥＤチップ２
１０，３１０の発光層から出射された光がボンディング
パッドおよびボンディングワイヤにより遮断されるとと
もに、発光層の全面を覆う透明電極により減衰される。
それにより、高効率の光の出射が妨げられ、高輝度化が
困難となる。

【０００９】本発明の目的は、工程数の削減により低コ
スト化が可能であり、かつ高輝度化および小型化が可能
なチップ型発光素子およびその製造方法を提供すること
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係るチップ型発光素子は、支持部材と、支持部材上に
配置された発光素子チップとを備え、支持部材は、絶縁
基板と、絶縁基板の上面に形成された一対の第１の導電
膜と、絶縁基板の裏面に形成された一対の第２の導電膜
と、一対の第１の導電膜と一対の第２の導電膜とをそれ
ぞれ電気的に接続する少なくとも一対の接続部とを有
し、発光素子チップは、透光性基板と、透光性基板上に
形成された半導体発光層と、半導体発光層上に形成され
た一対の電極とを有し、支持部材の一対の第１の導電膜
に発光素子チップの一対の電極が接合された状態で支持
部材上に発光素子チップが貼り合わされたものである。

【００１１】本発明に係るチップ型発光素子において
は、絶縁基板の上面の一対の第１の導電膜に発光素子チ
ップの一対の電極が接合された状態で支持部材上に発光
素子チップが貼り合わされ、かつ一対の第１の導電膜が
絶縁基板の裏面の一対の第２の導電膜に接続部で電気的
に接続されている。したがって、薄型化、小型化および
コンパクト化が可能となる。

【００１２】また、発光素子チップの半導体発光層から
発生した光は透光性基板を通して外部に出射される。こ
の場合、一対の電極は透光性基板と反対側の半導体発光
層上に形成されているので、光が一対の電極で遮断され
ない。したがって、高輝度化が可能となる。

【００１３】さらに、製造時には、ウエハ上に複数の発
光素子チップを形成するとともに、複数の発光素子チッ
プに対応する支持部材を形成し、支持部材上にウエハを
貼り合わせた後に、ウエハを複数の発光素子チップに分
離することができる。したがって、工程数および製造時
間が低減され、低コスト化が可能となる。

【００１４】一対の第１の導電膜と一対の第２の導電膜
との間に相当する絶縁基板の位置にそれぞれ貫通孔が形
成され、接続部は、貫通孔内に埋め込まれた導電性材料
であってもよい。

【００１５】この場合、絶縁基板の上面の一対の第１の
導電膜と裏面の一対の第２の導電膜とが貫通孔内の導電
性材料を介して電気的に接続される。それにより、支持
部材の小型化を妨げることなく、第１の導電膜と第２の
導電膜との電気的接続を確保することができる。また、
支持部材の熱伝導性および耐熱特性が良好となる。

【００１６】絶縁基板は、第１の絶縁シートと、第１の
絶縁シート上に積層された第２の絶縁シートとを含み、
第１の絶縁シートの両端部に切欠きが形成され、切欠き
の側面に導電膜が形成されてもよい。

【００１７】これにより、チップ型発光素子を面実装す
る際に半田が絶縁基板の裏面の一対の第２の導電膜から
切欠きの側面の導電膜に回り込むことができる。それに
より、面実装時の信頼性が向上する。

【００１８】支持部材と発光素子チップとの間隙に樹脂
が充填されてもよい。これにより、支持部材と発光素子
チップとの接合の機械的強度および耐環境特性が向上す
る。

【００１９】支持部材の一対の第１の導電膜と発光素子
チップの一対の電極とが導電性バンプを介して接合され
てもよい。この場合、フリップチップ方式により良好な
電気的接続および高い機械的強度が確保される。

【００２０】半導体発光層は、ホウ素、ガリウム、アル
ミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化
物系半導体からなり、透光性基板はサファイアからなっ
てもよい。この場合、高輝度の青色発光が可能なチップ
型発光素子が実現する。

【００２１】本発明に係るチップ型半導体素子の製造方
法は、透光性基板上に半導体発光層を形成するとともに
半導体発光層上に複数対の電極を形成することにより発
光素子ウエハを形成する工程と、絶縁基板の上面に複数
対の第１の導電膜を形成するとともに絶縁基板の裏面に
複数対の第２の導電膜を形成し、複数対の第１の導電膜
と複数対の第２の導電膜とをそれぞれ電気的に接続する
接続部を絶縁基板に形成することにより支持部材を形成
する工程と、発光素子ウエハの複数対の電極を支持部材
の複数対の第１の導電膜にそれぞれ接合した状態で支持
部材上に発光素子ウエハを貼り合わせる工程と、発光素
子ウエハを支持部材とともに複数の発光素子チップに分
割することにより複数のチップ型発光素子を形成する工
程とを備えたものである。

【００２２】本発明に係るチップ型発光素子の製造方法
においては、複数の発光素子チップを含む発光素子ウエ
ハを形成するとともに、複数の発光素子チップに対応す
る支持部材を形成し、支持部材上に発光素子ウエハを貼
り合わせた後に、発光素子ウエハを支持部材とともに複
数の発光素子チップに分割することにより複数のチップ
型発光素子を形成する。これにより、同時に複数のチッ
プ型発光素子を製造することが可能となる。したがっ
て、工程数および製造時間が低減され、低コスト化が図
られる。

【００２３】また、本実施例の製造方法により製造され
たチップ型発光素子においては、半導体発光層上の一対
の電極が絶縁基板の上面の一対の第１の導電膜に接合さ
れた状態で支持部材上に発光素子チップが貼り合わさ
れ、一対の第１の導電膜が絶縁基板の裏面の一対の第２
の導電膜に接続部で電気的に接続されている。したがっ
て、薄型化、小型化およびコンパクト化が可能となる。

【００２４】また、発光素子チップの半導体発光層から
発生した光は透光性基板を通して外部に出射される。こ
の場合、一対の電極は透光性基板と反対側の半導体発光
層上に形成されているので、光が一対の電極で遮断され
ない。したがって、高輝度化が可能となる。

【００２５】支持部材を形成する工程は、複数対の第１
の導電膜と複数対の第２の導電膜との間に相当する絶縁
基板の位置にそれぞれ貫通孔を形成する工程と、貫通孔
内に導電性材料を埋め込むことにより接続部を形成する
工程とを含んでもよい。

【００２６】この場合、絶縁基板の上面の一対の第１の
導電膜と裏面の一対の第２の導電膜とが貫通孔内の導電
性材料を介して電気的に接続される。それにより、支持
部材の小型化を妨げることなく、第１の導電膜と第２の
導電膜との電気的接続を確保することができる。また、
支持部材の熱伝導性および耐熱特性が良好となる。

【００２７】また、チップ型発光素子の製造方法が、支
持部材と発光素子ウエハとの間隙に樹脂を注入する工程
をさらに備えてもよい。これにより、支持部材と発光素
子ウエハとの接合の機械的強度および耐環境特性が向上
する。

【００２８】また、チップ型発光素子の製造方法が、支
持基板上に発光素子ウエハを貼り合わせる前に、発光素
子ウエハの半導体発光層上に異方性導電フィルムを貼着
する工程をさらに備えてもよい。これにより、支持部材
と発光素子チップとの接合の機械的強度および耐環境特
性が向上する。また、製造方法の簡略化を図ることがで
きる。

【００２９】さらに、チップ型発光素子の製造方法が、
支持部材上に発光素子ウエハを貼り合わせた後に、発光
素子ウエハの透光性基板を薄層化する工程をさらに備え
てもよい。

【００３０】これにより、発光素子ウエハを支持部材と
ともに複数の発光素子チップに容易に分割することがで
きる。この場合、支持部材上に発光素子ウエハを貼り合
わせた後に発光素子ウエハの透光性基板を薄層化するの
で、透光性基板の割れまたは反りの問題が生じない。

【００３１】支持部材上に発光素子ウエハを貼り合わせ
る工程は、発光素子ウエハの複数対の電極上にそれぞれ
導電性バンプを形成する工程と、複数対の電極上に形成
された導電性バンプを支持部材の複数対の第１の導電膜
にそれぞれ接合する工程とを含んでもよい。この場合、
フリップチップ方式により良好な電気的接続および高い
機械的強度が確保される。

【００３２】支持部材上に発光素子ウエハを貼り合わせ
る工程は、複数対の電極上に形成された導電性バンプの
高さを均一化する工程をさらに含んでもよい。これによ
り、半導体発光層上の複数対の電極に段差がある場合で
も、電極の段差が導電性バンプで吸収される。

【００３３】支持部材を形成する工程は、第１の絶縁シ
ート上に第２の絶縁シートを積層することにより絶縁基
板を形成する工程を含んでもよい。これにより積層型絶
縁基板が得られる。

【００３４】絶縁基板を形成する工程は、第１の絶縁シ
ートに所定間隔で複数の孔部を形成する工程と、複数の
孔部の側面に導電膜を形成する工程とをさらに含み、複
数のチップ型発光素子を形成する工程は、絶縁基板を複
数の孔部の箇所で分割する工程を含んでもよい。

【００３５】これにより、発光素子ウエハを支持部材と
ともに複数の発光素子チップに分割することにより複数
のチップ型発光素子を形成した後に、各チップ型発光素
子の絶縁基板を構成する第１の絶縁シートの両端部に切
欠きが形成され、切欠きの側面に導電膜が残る。その結
果、チップ型発光素子を面実装する際に半田が絶縁基板
の裏面の一対の第２導電膜から切欠きの側面の導電膜に
回り込むことができる。したがって、面実装の信頼性が
向上する。

【００３６】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
ける面実装用のチップ型発光素子の模式的断面図であ
る。

【００３７】図１のチップ型発光素子１００は、積層型
アルミナ基板１０上に発光ダイオードチップ（以下、Ｌ
ＥＤチップと呼ぶ）２０が接合されてなる。

【００３８】積層型アルミナ基板１０は、第１層アルミ
ナシート１１および第２層アルミナシート１２の２層構
造を有する。後述するように、第２層アルミナシート１
２の上面には金属膜からなる一対の電極パッド１３が形
成され、第１層アルミナシート１１の裏面には金属膜か
らなる一対の裏面引出し電極１４が形成されている。第
１層アルミナシート１１および第２層アルミナシート１
２を貫通するように複数のスルーホール１５が設けら
れ、各スルーホール１５内にＡｇ（銀）が埋め込まれて
いる。また、第１層アルミナシート１１の一対の端面に
はそれぞれ金属膜１６がコーティングされている。

【００３９】一方、ＬＥＤチップ２０は、透光性のサフ
ァイア基板２１上にＬＥＤ発光層２８が形成されてな
る。ＬＥＤ発光層２８上にはｐ電極２５およびｎ電極２
６が形成されている。

【００４０】積層型アルミナ基板１０上にサファイア基
板２１を上に向けてＬＥＤチップ２０が貼り合わされ、
ＬＥＤチップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６が、Ａ
ｕ（金）バンプ３０および銀ペースト３１によりそれぞ
れ積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３に接合され
ている。積層型アルミナ基板１０とＬＥＤチップ２０と
の間にはアンダーフィル樹脂３２が充填されている。そ
れにより、積層型アルミナ基板１０上にＬＥＤチップ２
０が固定されている。

【００４１】チップ型発光素子１００のサイズは、例え
ば０．６ｍｍ×０．３ｍｍであるが、実装技術の進展に
追従してさらなる微小化も可能である。また、チップ型
発光素子１００の厚みは、０．３５ｍｍ程度である。

【００４２】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は図１のチッ
プ型発光素子１００に用いられる積層型アルミナ基板１
０のそれぞれ模式的平面図、模式的断面図および模式的
底面図である。

【００４３】図２に示すように、積層型アルミナ基板１
０の第２層アルミナシート１２の上面には、金属膜から
なる一対の矩形形状の電極パッド１３が形成されてい
る。電極パッド１３はＬＥＤチップ２０のｐ電極２５お
よびｎ電極２６との位置合わせの許容性を高めるために
広い面積に形成される。また、積層型アルミナ基板１０
の第１層アルミナシート１１の裏面には、電極パッド１
３に対応する位置に金属膜からなる一対の裏面引出し電
極１４が形成されている。

【００４４】一対の電極パッド１３と一対の裏面引出し
電極１４との間に相当する第１層アルミナシート１１お
よび第２層アルミナシート１２の位置に複数のスルーホ
ール１５が形成され、各スルーホール１５内にＡｇが埋
め込まれている。これにより、対向する電極パッド１３
と裏面引出し電極１４とが電気的に接続されるととも
に、Ａｇの良好な熱伝導性により放熱特性が高められて
いる。この結果、積層型アルミナ基板１０は良好な熱伝
導性および良好な耐熱特性を有する。

【００４５】第１層アルミナ基板１１の両端面にはほぼ
半円形の切欠き１６ａが形成されており、各切欠き１６
ａの側面に金属膜１６がコーティングされている。

【００４６】第２層アルミナシート１２の厚みは、製造
工程に耐え得る強度を保持し、かつ第１層アルミナシー
ト１１と張り合わせた状態で個々のチップに簡単に分割
可能となるように、本実施例では０．１５ｍｍに設定す
る。

【００４７】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は図１のチッ
プ型発光素子１００に用いられるＬＥＤチップ２０のそ
れぞれ模式的平面図および模式的断面図である。

【００４８】図３に示すように、透光性の単結晶のサフ
ァイア基板２１上に、ＧａＮ（窒化ガリウム）系化合物
半導体からなるバッファ層２２、ｎ型半導体層２３およ
びｐ型半導体層２４が順に形成されている。ｐ型半導体
層２４の一部領域が除去され、ｎ型半導体層２３が露出
している。バッファ層２２、ｎ型半導体層２３およびｐ
型半導体層２４がＬＥＤ発光層２８を構成する。このＬ
ＥＤ発光層２８は、Ｂ（ホウ素）、Ｇａ（ガリウム）、
Ａｌ（アルミニウム）およびＩｎ（インジウム）の少な
くとも１つを含む他の窒化物系半導体により形成しても
よい。

【００４９】ｐ型半導体層２４上にはｐ電極２５が形成
されている。ｐ電極２５の全面には、可視光に対して反
射率の高いＰｄ／Ａｌ等からなる反射膜（図示せず）が
蒸着法等により形成されている。それにより、ＬＥＤ発
光層２８から出射した光が反射膜でサファイア基板２１
の側に反射される。その反射膜上および露出したｎ型半
導体層２３上には、ｎ電極２６が露出するようにＳｉＯ
₂ 、ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７が形成されてい
る。

【００５０】ｐ型電極２５上の絶縁保護膜２７には、窓
２９が設けられ、ｐ電極２５の一部が窓２９内に露出し
ている。それにより、実質的にｐ電極２５とｎ電極２６
との間の距離が隔てられ、短絡等による不良が防止され
る。また、このＬＥＤチップ２０のｐ電極２５およびｎ
電極２６と積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３と
の接合に半田ボールを用いた際に、窓２９が半田留めと
して作用し、半田ボールの形状の維持および半田ボール
のセルフアライメントが可能となる。

【００５１】図３に示すように、ｐ電極２５とｎ電極２
６との間には数μｍ程度の段差が形成されている。この
段差は、後述する製造工程により吸収される。

【００５２】図４および図５は図１のチップ型発光素子
１００の製造方法を示す模式的工程断面図である。

【００５３】まず、図４（ａ）に示すように、ウエハ状
の透光性のサファイア基板２１上に、図３に示した構造
を有するＧａＮ系化合物半導体からなるＬＥＤ発光層２
８を形成し、電流供給のための電極形成プロセスにより
ｐ電極２５およびｎ電極２６を形成する。それにより、
ＬＥＤウエハ２０ａが形成される。

【００５４】次に、図４（ｂ）に示すように、ＬＥＤウ
エハ２０ａのｐ電極２５およびｎ電極２６上にそれぞれ
Ａｕバンプ３０を形成する。このＡｕバンプ３０は、例
えばワイヤボンダ装置を利用して形成し、ネック部３０
ａの長さのばらつきを低減するために、バンプ専用ワイ
ヤを用いる。このバンプ専用ワイヤは、ワイヤ先端への
アーク放電等による溶製化後にボール（球状部）直上の
再結晶脆弱部が短くなるように材料が設計されている。

【００５５】なお、Ａｕバンプ３０の他の形成方法とし
て、通常の金ワイヤを用い、セカンドボンドをボール肩
部に行うスタッドバンプボンディング法を用いてもよ
い。また、レジストによりパターニングを行い、電界メ
ッキ法または無電界メッキ法によりＡｕバンプ３０を形
成してもよい。

【００５６】次に、図４（ｃ）に示すように、Ａｕバン
プ３０の直上に一定厚さの銀ペースト３１を転写する。
これにより、ＬＥＤウエハ２０ａのｐ電極２５とｎ電極
２６との段差が吸収される。この銀ペースト３１は、熱
硬化性樹脂に銀粒子を混入させたものであり、硬化させ
ることにより粒子間の接合が行われ、導電性が得られ
る。この場合、予め平坦面に一定厚さで銀ペーストを塗
布し、塗布された銀ペースト上にＡｕバンプ３０が形成
されたＬＥＤウエハ２０ａを反転させて押しつけること
により、ＬＥＤウエハ２０ａの全域のＡｕバンプ３０上
に銀ペースト３１の均一な転写を行うことができる。

【００５７】このように、本実施例では、Ａｕバンプ３
０上に銀ペースト３１を転写する方法を用いているが、
積層型アルミナ基板１０においてＡｕバンプ３０に対向
する位置に選択的にスクリーン印刷法またはディスペン
サ等を用いて銀ペーストを塗布してもよい。

【００５８】次いで、図４（ｄ）に示すように、積層型
アルミナ基板１０上にＬＥＤウエハ２０ａをＡｕバンプ
３０を下にして張り合わせて固定する。この場合、Ａｕ
バンプ３０上の銀ペースト３１を積層型アルミナ基板１
０の電極パッド１３に位置合わせする。この場合、図２
に示した積層型アルミナ基板１０においては、電極パッ
ド１３の面積が広いため、位置合わせの許容性が高くな
っている。

【００５９】この位置合わせの際には、ＬＥＤウエハ２
０ａのｐ電極２５およびｎ電極２６を除いてサファイア
基板２１およびＬＥＤ発光層２８は透光性を有するの
で、積層型アルミナ基板１０上にＬＥＤウエハ２０ａを
張り合わせた後も、ＬＥＤウエハ２０ａ側から積層型ア
ルミナ基板１０の電極パッド１３を視認することができ
る。このため、両面アライナ等の複雑な装置を用いるこ
となく位置合わせを容易に行うことができる。

【００６０】その後、積層型アルミナ基板１０およびＬ
ＥＤウエハ２０ａに所定の温度を加え、銀ペースト３１
を硬化させる。

【００６１】次いで、図５（ｅ）に示すように、積層型
アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａとの接合の機械
的強度を高め、かつ熱応力、湿度等に対する耐環境特性
を高めるために、積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエ
ハ２０ａとの間にアンダーフィル樹脂３２を注入する。
アンダーフィル樹脂３２としては、絶縁性を有し、流動
性を保持し、かつアルミナおよびＧａＮ系化合物半導体
の線膨張係数を考慮したエポキシ樹脂等の材料を用い
る。

【００６２】次に、図５（ｆ）に示すように、チップ化
を容易にするために、サファイア基板２１を５０μｍ以
下の厚みに薄く研磨する。本実施例では、ＬＥＤチップ
２０ａの厚みを２０μｍにし、所望位置でのチップ化を
容易にしている。

【００６３】さらに、図５（ｇ）に示すように、スクラ
イバ装置を用いてサファイア基板２１の所望位置の切断
線に罫書き線を形成するか、またはダイシング装置を用
いてダイシング溝３３を形成する。作業性の点からは、
鋭利なダイアモンドポイントを切断線に押しつけて罫書
き線を形成するスクライバ装置を用いることが好まし
い。罫書き線またはダイシング溝３３を形成した後、切
断線を支点にしてブレーカ装置により加圧してＬＥＤウ
エハ２０ａを押し割り、図１に示した個々のチップ型発
光素子１００に順次分割する。

【００６４】積層型アルミナ基板１０には、第１層アル
ミナシート１１の長辺方向および短辺方向には、同基板
作成時にくさび切り込みが形成されており、それらのく
さび切り込みの位置で分割する。

【００６５】なお、チップ化前の積層型アルミナ基板１
０の状態では、第１層アルミナシート１１の切断線上に
ほぼ円形のスルーホール１６ｂが形成されており、この
スルーホール１６ｂの内面にも金属膜がコーティングさ
れている。そして、図５（ｇ）の工程で積層型アルミナ
基板１０を切断線で分割することにより、図２に示した
ように、第１層アルミナシート１１の両端面にほぼ半円
形の切欠き１６ａが形成され、切欠き１６ａの側面に金
属膜１６が残る。これにより、面実装時に、半田が金属
膜１６上にも流動し、半田接合の容易性および高信頼性
が得られる。

【００６６】第２層アルミナシート１２は、図５（ｅ）
の工程で積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａ
との間に注入されるアンダーフィル樹脂３２が第１層ア
ルミナシート１１のスルーホール１６ｂから漏れ出すこ
とを防止する。

【００６７】なお、サファイア基板２１およびＧａＮ系
化合物半導体からなるＬＥＤ発光層２８は、ともにモー
ス硬度９と非常に硬い。また、六方晶系結晶構造を有す
るＬＥＤウエハ２０ａは一方向にへき開性がないため、
ウエハからのチップ化が非常に困難となっている。この
ため、従来のプロセスでは、一般的に電極形成後にサフ
ァイア基板を厚み１００μｍ程度に薄く研磨した後に、
ダイシング装置、スクライバ装置等を用いてＬＥＤチッ
プに分離している。

【００６８】しかしながら、厚み１００μｍ程度のサフ
ァイア基板は所望する位置以外の位置で割れることが多
く、また分割後の形状が長方形とならずに歪んだ形状に
なることがある。これを改善するためにはさらに薄いサ
ファイア基板を用いることが必要であるが、研磨または
その後の取り扱い中における割れを回避するとともに、
サファイア基板と電極を含むＬＥＤ発光層との間の線膨
張係数の違いにより生じるサファイア基板の反りを許容
範囲内に維持するためには、サファイア基板の厚みは８
０μｍ程度が限界である。

【００６９】本実施例のチップ型発光素子１００の製造
方法においては、図４（ｄ）および図５（ｅ）の工程で
積層型アルミナ基板１０にＬＥＤウエハ２０を接合した
後に図５（ｆ）の工程でサファイア基板２１の研磨を行
い、図５（ｇ）の工程でチップ化を行っているので、Ｌ
ＥＤウエハ２０ａのサファイア基板２１における割れお
よび反りに対する耐性が高められている。したがって、
サファイア基板１およびＬＥＤ発光層２８を含むＬＥＤ
ウエハ２０ａを研磨して厚み５０μｍ以下に薄くして
も、サファイア基板１の割れおよび反りが生じない。

【００７０】本実施例のチップ型発光素子１００におい
ては、ＬＥＤチップ２０と同一サイズの積層型アルミナ
基板１０上にＬＥＤチップ２０が貼り合わされ、積層型
アルミナ基板１０の上面の一対の電極パッド１３にＬＥ
Ｄチップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６がフリップ
チップ方式により接合され、かつ一対の電極パッド１３
がスルーホール１５内に埋め込まれたＡｇを介して積層
型アルミナ基板１０の裏面の一対の裏面引出し電極１４
に電気的に接続されている。したがって、薄型化、小型
化およびコンパクト化が可能となる。

【００７１】また、ＬＥＤ発光層２８から発生した光は
透光性のサファイア基板２１を通して外部に出射され
る。この場合、ｐ電極２５およびｎ電極２６はサファイ
ア基板２１と反対側のＬＥＤ発光層２８上に形成されて
いるので、光がｐ電極２５およびｎ電極２６で遮断され
ない。したがって、高輝度化が可能となる。

【００７２】さらに、製造時には、ＬＥＤウエハ２０ａ
上にＬＥＤ発光層２８および複数のＬＥＤチップ２０に
対応する複数組のｐ電極２５およびｎ電極２６を形成す
るとともに、複数のＬＥＤチップ２０に対応する積層型
アルミナ基板１０を形成し、積層型アルミナ基板１０上
にＬＥＤウエハ２０ａを貼り合わせた後に、ＬＥＤウエ
ハ２０ａを積層型アルミナ基板１０とともに複数のＬＥ
Ｄチップ２０に分割することができる。それにより、工
程数および製造時間が低減され、低コスト化が可能とな
る。

【００７３】図６は本発明の第２の実施例における面実
装用のチップ型発光素子の模式的断面図である。

【００７４】図６のチップ型発光素子１００が図１のチ
ップ型発光素子１００と異なるのは次の点である。後述
するように、積層型アルミナ基板１０の構造が図１の積
層型アルミナ基板１０の構造と異なる。本実施例の積層
型アルミナ基板１０においては、ＬＥＤチップ２０のｐ
電極２５およびｎ電極２６に対向する第２層アルミナシ
ート１２の上面の位置に金属膜からなる一対の電極パッ
ド１３が形成されている。

【００７５】この積層型アルミナ基板１０上に図３に示
した構造を有するＬＥＤチップ２０が貼り合わされてい
る。ＬＥＤチップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６
は、共晶半田バンプにより形成される半田ボール４１を
介してそれぞれ積層型アルミナ基板１０の一対の電極パ
ッド１３に接合されている。積層型アルミナ基板１０と
ＬＥＤチップ２０との間にはアンダーフィル樹脂４２が
充填されている。それにより、積層型アルミナ基板１０
上にＬＥＤチップ２０が固定されている。

【００７６】図７（ａ），（ｂ），（ｃ）は図６のチッ
プ型発光素子１００に用いられる積層型アルミナ基板１
０のそれぞれ模式的平面図、模式的断面図および模式的
底面図である。

【００７７】図７に示すように、積層型アルミナ基板１
０の第２層アルミナシート１２の上面には、ＬＥＤチッ
プ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６に対応する位置に
金属膜からなる一対の円形の電極パッド１３が形成され
ている。この電極パッド１３のサイズは半田ボール４１
のサイズにほぼ等しく設定される。また、積層型アルミ
ナ基板１０の第１層アルミナシート１１の裏面には、図
２の積層型アルミナ基板１０と同様に、金属膜からなる
一対の裏面引出し電極１４が形成されている。

【００７８】一対の電極パッド１３と一対の裏面引出し
電極１４との間に相当する第１層アルミナシート１１お
よび第２層アルミナシート１２の位置にそれぞれスルー
ホール１５が形成され、各スルーホール１５内にＡｇが
埋め込まれている。これにより、対向する電極パッド１
３と裏面引出し電極１４とが電気的に接続されるととも
に、Ａｇの良好な熱伝導性により放熱性が高められてい
る。この結果、積層型アルミナ基板１０は良好な熱伝導
性および良好な耐熱特性を有する。

【００７９】図７の積層型アルミナ基板１０において
も、第１層アルミナシート１１の両端面にほぼ半円形の
切欠き１６ａが形成されており、各切欠き１６ａの側面
に金属膜１６がコーティングされている。

【００８０】上記のように、図７の積層型アルミナ基板
１０においては、ＬＥＤチップ２０に形成されたｐ電極
２５およびｎ電極２６に対向する位置に半田ボール４１
とほぼ同じサイズの電極パッド１３が形成されているの
で、積層型アルミナ基板１０上へのＬＥＤウエハ２０ａ
の接合後における半田ボール４１の溶解および再結晶時
に、半田ボール４１の高さを一定に保ちつつ半田ボール
４１のセルフアラインメント機能が働く。

【００８１】図８および図９は図６のチップ型発光素子
１００の製造方法を示す模式的工程断面図である。

【００８２】まず、図８（ａ）に示すように、図４
（ａ）の工程と同様に、透光性のサファイア基板２１上
に、ＬＥＤ発光層２８を形成し、ＬＥＤ発光層２８にｐ
電極２５およびｎ電極２６を形成する。それにより、Ｌ
ＥＤウエハ２０ａが形成される。

【００８３】次に、図８（ｂ）に示すように、ＬＥＤウ
エハ２０ａのｐ電極２５およびｎ電極２６上にそれぞれ
共晶半田バンプ４０を形成する。この共晶半田バンプ４
０は、第１の実施例と同様に、ワイヤボンダ装置を用い
て形成する。

【００８４】なお、他の形成方法として、レジストによ
りパターニングを行い、電界メッキ法または無電界メッ
キ法により半田共晶バンプ４０を形成してもよい。ま
た、半田合金の蒸着法、半田ペーストのスクリーン印刷
法等を用いてもよい。

【００８５】次に、図８（ｃ）に示すように、共晶半田
バンプ４０にロジン系非活性フラックスを加え、不活性
ガス雰囲気で加熱することにより半田ボール（球状バン
プ）４１を形成する。これにより、ＬＥＤウエハ２０ａ
のｐ電極２５とｎ電極２６との段差が吸収される。この
場合、図４（ｃ）の工程における銀ペーストの転写と同
様にして、フラックスを平坦面に塗布し、塗布されたフ
ラックス上に共晶半田バンプ４０が形成されたＬＥＤウ
エハ２０ａを反転させて押しつけることにより、ＬＥＤ
ウエハ２０ａの全域の共晶半田バンプ４０上にフラック
スの均一な転写を行うことができる。その後、ＬＥＤウ
エハ２０ａを所定の温度に設定されたリフロー炉に通す
ことにより、半田ボール４１が形成される。

【００８６】なお、ＬＥＤウエハ２０ａに形成されたｐ
電極２５およびｎ電極２６の最表層にはＡｕからなる酸
化防止層を用い、その酸化防止層の下地層にＮｉ（ニッ
ケル）またはＣｕ（銅）を用いることにより、共晶半田
バンプ４０との接合層を形成する。それにより、金属の
共晶半田バンプ４０内への合金取り込みによるＬＥＤ発
光層２８への影響を回避する。

【００８７】次に、図８（ｄ）に示すように、積層型ア
ルミナ基板１０に形成された半田ボール４１にＬＥＤウ
エハ２０ａのｐ電極２５およびｎ電極２６を位置合わせ
し、積層型アルミナ基板１０上にＬＥＤウエハ２０ａを
貼り合わせる。そして、Ｎ₂等の不活性ガス雰囲気中ま
たはＮ₂ ／Ｈ₂ 混合ガス等のフォーミングガス雰囲気中
で所定の温度で加熱して半田ボール４１を溶解させる。
それにより、積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３
とＬＥＤチップ２０ａのｐ電極２５およびｎ電極２６と
が合金化により接続される。

【００８８】この場合、ＬＥＤウエハ２０ａをフラック
スの粘着力で積層型アルミナ基板１０上に接着されてい
る状態にし、半田が溶解したときの粘性によるセルフア
ラインメント効果でＬＥＤウエハ２０ａに多少の位置ず
れがあってもその位置ずれが自動的に修正されるよう
に、ＬＥＤウエハ２０ａの自重以外の力を加えずに水平
に保持する。

【００８９】その後、図９（ｅ）に示すように、積層型
アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａとの間にアンダ
ーフィル樹脂４２を注入する。次に、図９（ｆ）に示す
ように、サファイア基板２１を研磨し、ＬＥＤウエハ２
０ａの厚みを２０μｍ程度に薄くする。さらに、図９
（ｇ）に示すように、スクライバ装置を用いて罫書き線
を形成するかまたはダイシング装置を用いてダイシング
溝４３を形成した後、ブレーカ装置により加圧してＬＥ
Ｄウエハ２０ａを押し割り、図６に示した個々のチップ
型発光素子１００に順次分割する。

【００９０】本実施例のチップ型発光素子１００におい
ても、第１の実施例のチップ型発光素子１００と同様
に、ＬＥＤチップ２０と同一サイズの積層型アルミナ基
板１０上にＬＥＤチップ２０が貼り合わされ、積層型ア
ルミナ基板１０の上面の一対の電極パッド１３にＬＥＤ
チップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６がフリップチ
ップ方式により接合され、かつ一対の電極パッド１３が
スルーホール１５内に埋め込まれたＡｇを介して積層型
アルミナ基板１０の裏面の一対の裏面引出し電極１４に
電気的に接続されている。したがって、薄型化、小型化
およびコンパクト化が可能となる。

【００９１】また、ＬＥＤ発光層２８から発生した光は
透光性のサファイア基板２１を通して外部に出射され
る。この場合、ｐ電極２５およびｎ電極２６はサファイ
ア基板２１と反対側のＬＥＤ発光層２８上に形成されて
いるので、光がｐ電極２５およびｎ電極２６で遮断され
ない。したがって、高輝度化が可能となる。

【００９２】さらに、製造時には、ＬＥＤウエハ２０ａ
上にＬＥＤ発光層２８および複数のＬＥＤチップ２０に
対応する複数組のｐ電極２５およびｎ電極２６を形成す
るとともに、複数のＬＥＤチップ２０に対応する積層型
アルミナ基板１０を形成し、積層型アルミナ基板１０上
にＬＥＤウエハ２０ａを貼り合わせた後に、ＬＥＤウエ
ハ２０ａを積層型アルミナ基板１０とともに複数のＬＥ
Ｄチップ２０に分割することができる。それにより、工
程数および製造時間が低減され、低コスト化が可能とな
る。

【００９３】図１０および図１１は本発明の第３の実施
例におけるチップ型発光素子１００の製造方法を示す模
式的工程断面図である。

【００９４】第３の実施例のチップ型発光素子１００の
製造方法は、以下の点を除いて第１の実施例のチップ型
発光素子１００の製造方法と同様である。図１０
（ａ），（ｂ）の工程は、図４（ａ），（ｂ）の工程と
同様である。

【００９５】図１０（ｂ）の工程でｐ電極２５およびｎ
電極２６上にＡｕバンプ３０を形成した後、図１０
（ｃ）に示すようにＬＥＤウエハ２０ａのＡｕバンプ３
０を下に向けてＬＥＤウエハ２０ａを平坦面に平行に対
向させ、所定の圧力で押しつける。これにより、Ａｕバ
ンプ３０の高さが容易に均一化される。これにより、Ｌ
ＥＤウエハ２０ａのｐ電極２５とｎ電極２６との段差が
吸収される。

【００９６】次に、図１０（ｄ）に示すように、ＬＥＤ
ウエハ２０ａのＡｕバンプ３０側の面に異方性導電フィ
ルム５０を仮圧着する。異方性導電フィルム５０として
は、接着剤としての熱硬化性樹脂中に硬質の金属粒子ま
たは金属薄層がメッキ形成されたプラスチック粒子を混
入させた異方性導電材を用いる。本実施例では、前者の
熱硬化性樹脂中に金属粒子を混入した異方性導電材を用
いる。

【００９７】この異方性導電フィルム５０は、セパレー
タと熱硬化性樹脂との２層構造を有する。平坦面上で異
方性導電フィルム５０上にＬＥＤウエハ２０ａを押し当
てて加熱圧着することによりＬＥＤウエハ２０ａの全面
に熱硬化性樹脂を転写させ、セパレータフィルムから熱
硬化性樹脂を遊離させる。

【００９８】次に、図１１（ｅ）に示すように、ＬＥＤ
ウエハ２０ａのＡｕバンプ３０を積層型アルミナ基板１
０の電極パッド１３に位置合わせし、積層型アルミナ基
板１０上にＬＥＤウエハ２０ａを貼り合わせて、所定の
加熱および加圧を行い、両者を電気的にかつ機械的に接
合する。

【００９９】この場合、異方性導電フィルム５０の熱硬
化性樹脂に混入された金属粒子が、ＬＥＤウエハ２０ａ
のｐ電極２５およびｎ電極２６と積層型アルミナ基板１
０の電極パッド１３との双方の表面酸化膜を突き破って
それぞれｐ電極２５およびｎ電極２６の金属および電極
パッド１３の金属中に食い込む。それにより、電気的に
安定した接続が行われる。同時に、一時的に低流動化し
た熱硬化性樹脂が積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエ
ハ２０ａとの間隙を埋めて両者を接着する。

【０１００】なお、積層型アルミナ基板１０の電極パッ
ド１３およびＬＥＤウエハ２０ａのｐ電極２５およびｎ
電極２６以外の領域には所定の圧力が加わらないため、
金属粒子は熱硬化性樹脂で覆われ、絶縁性が保たれてい
る。

【０１０１】なお、第３の実施例の製造方法を図６のチ
ップ型発光素子１００の製造に適用してもよい。

【０１０２】本実施例の製造方法においても、第１およ
び第２の実施例と同様に、薄型化、小型化、コンパクト
化、高輝度化および低コスト化が図られたチップ型発光
素子１００が得られる。

【０１０３】以上のように、上記実施例の製造方法によ
れば、サファイア基板２１上へのＬＥＤ発光層２８なら
びにｐ電極２５およびｎ電極２６のパターニングといっ
たウエハプロセスから半田材料を用いた面実装可能なチ
ップ型発光素子１００の形成までを一貫してウエハ状態
で行うことにより、同時に数千個のチップ型発光素子１
００を作製することが可能となる。

【０１０４】図１２（ａ），（ｂ）は図１または図６の
チップ型発光素子１００を用いたＬＥＤランプの一例を
示すそれぞれ模式的平面図および模式的断面図である。

【０１０５】図１２に示すように、チップ型発光素子１
００は透光性樹脂からなる透光性基板１１０内に透光性
樹脂接着剤で固定されている。透光性基板１１０上には
透光性樹脂からなるドーム型レンズ１２０が設けられて
いる。透光性基板１１０およびドーム型レンズ１２０は
透光性樹脂成形体により構成される。

【０１０６】図１３は図１または図６のチップ型発光素
子１１０を用いたＬＥＤランプの他の例を示す模式的斜
視図である。

【０１０７】図１３に示すように、駆動ドライバ内蔵の
ベース基板１３０上に複数のチップ型発光素子１００が
一列に配置され、複数のチップ型発光素子１００上に透
光性樹脂からなる半円柱状の集光レンズ１４０が設けら
れている。

【０１０８】このように、図１または図６のチップ型発
光素子１００は、サイズ０．６ｍｍ×０．３ｍｍおよび
厚み０．３５ｍｍと非常に小型であるため、大きな実装
面積を必要としない。したがって、図１３に示すように
コンパクトな棒状のＬＥＤランプが実現される。

【０１０９】なお、図１３の例では、集光レンズ１４０
が設けられているが、図１３のＬＥＤランプを広視野が
要求されるバックライト、表示装置等に用いる場合に
は、集光レンズ１４０を設けなくてよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるチップ型発光素
子の模式的断面図である。

【図２】図１のチップ型発光素子に用いられる積層型ア
ルミナ基板の模式的平面図、模式的断面図および模式的
底面図である。

【図３】図１のチップ型発光素子に用いられるＬＥＤチ
ップの模式的平面図および模式的断面図である。

【図４】図１のチップ型発光素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図５】図１のチップ型発光素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図６】本発明の第２の実施例におけるチップ型発光素
子の模式的断面図である。

【図７】図６のチップ型発光素子に用いられる積層型ア
ルミナ基板の模式的平面図、模式的断面図および模式的
底面図である。

【図８】図６のチップ型発光素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図９】図６のチップ型発光素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。

【図１０】本発明の第３の実施例におけるチップ型発光
素子の製造方法を示す模式的工程断面図である。

【図１１】本発明の第３の実施例におけるチップ型発光
素子の製造方法を示す模式的工程断面図である。

【図１２】図１または図６のチップ型発光素子を用いた
ＬＥＤランプの一例を示す模式的平面図および模式的断
面図である。

【図１３】図１または図６のチップ型発光素子を用いた
ＬＥＤランプの他の例を示す模式的斜視図である。

【図１４】従来のチップ型発光素子の一例を示す模式的
斜視図である。

【図１５】従来のチップ型発光素子の他の例を示す模式
的斜視図である。

【符号の説明】

１０ 積層型アルミナ基板 １１ 第１層アルミナシート １２ 第２層アルミナシート １３ 電極パッド １４ 裏面引出し電極 １５ スルーホール １６ 金属膜 １６ａ 切欠き １６ｂ スルーホール ２０ ＬＥＤチップ ２０ａ ＬＥＤウエハ ２１ サファイア基板 ２５ ｐ電極 ２６ ｎ電極 ２８ ＬＥＤ発光層 ３０ Ａｕバンプ ３１ 銀ペースト ３２，４２ アンダーフィル樹脂 ４０ 共晶半田バンプ ４１ 半田ボール ５０ 異方性導電フィルム １００ チップ型発光素子 １１０ 透光性基板 １２０ ドーム型レンズ １３０ ベース １４０ 集光レンズ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持部材と、前記支持部材上に配置され
   た発光素子チップとを備え、 前記支持部材は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形
   成された一対の第１の導電膜と、前記絶縁基板の裏面に
   形成された一対の第２の導電膜と、前記一対の第１の導
   電膜と前記一対の第２の導電膜とをそれぞれ電気的に接
   続する少なくとも一対の接続部とを有し、 前記発光素子チップは、透光性基板と、前記透光性基板
   上に形成された半導体発光層と、前記半導体発光層上に
   形成された一対の電極とを有し、 前記支持部材の前記一対の第１の導電膜に前記発光素子
   チップの前記一対の電極が接合された状態で前記支持部
   材上に前記発光素子チップが貼り合わされたことを特徴
   とするチップ型発光素子。
2. 【請求項２】 前記一対の第１の導電膜と前記一対の第
   ２の導電膜との間に相当する前記絶縁基板の位置にそれ
   ぞれ貫通孔が形成され、 前記接続部は、前記貫通孔内に埋め込まれた導電性材料
   であることを特徴とする請求項１記載のチップ型発光素
   子。
3. 【請求項３】 前記絶縁基板は、第１の絶縁シートと、
   前記第１の絶縁シート上に積層された第２の絶縁シート
   とを含み、 前記第１の絶縁シートの両端部に切欠きが形成され、前
   記切欠きの側面に導電膜が形成されたことを特徴とする
   請求項１または２記載のチップ型発光素子。
4. 【請求項４】 前記支持部材と前記発光素子チップとの
   間隙に樹脂が充填されたことを特徴とする請求項１〜３
   のいずれかに記載のチップ型発光素子。
5. 【請求項５】 前記支持部材の前記一対の第１の導電膜
   と前記発光素子チップの前記一対の電極とが導電性バン
   プを介して接合されたことを特徴とする請求項１〜４の
   いずれかに記載のチップ型発光素子。
6. 【請求項６】 前記半導体発光層は、ホウ素、ガリウ
   ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
   含む窒化物系半導体からなり、 前記透光性基板はサファイアからなることを特徴とする
   請求項１〜５のいずれかに記載のチップ型発光素子。
7. 【請求項７】 透光性基板上に半導体発光層を形成する
   とともに前記半導体発光層上に複数対の電極を形成する
   ことにより発光素子ウエハを形成する工程と、 絶縁基板の上面に複数対の第１の導電膜を形成するとと
   もに前記絶縁基板の裏面に複数対の第２の導電膜を形成
   し、前記複数対の第１の導電膜と前記複数対の第２の導
   電膜とをそれぞれ電気的に接続する複数の接続部を前記
   絶縁基板に形成することにより支持部材を形成する工程
   と、 前記発光素子ウエハの前記複数対の電極を前記支持部材
   の前記複数対の第１の導電膜にそれぞれ接合した状態で
   前記支持部材上に前記発光素子ウエハを貼り合わせる工
   程と、 前記発光素子ウエハを前記支持部材とともに複数の発光
   素子チップに分割することにより複数のチップ型発光素
   子を形成する工程とを備えたことを特徴とするチップ型
   発光素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記支持部材を形成する工程は、 前記複数対の第１の導電膜と前記複数対の第２の導電膜
   との間に相当する前記絶縁基板の位置にそれぞれ貫通孔
   を形成する工程と、 前記貫通孔内に導電性材料を埋め込むことにより前記接
   続部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７
   記載のチップ型発光素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記支持基板と前記発光素子ウエハとの
   間隙に樹脂を注入する工程をさらに備えたことを特徴と
   する請求項７または８記載のチップ型発光素子の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記支持部材上に前記発光素子ウエハ
    を貼り合わせる前に、前記発光素子ウエハの前記半導体
    発光層上に異方性導電フィルムを貼着する工程をさらに
    備えたことを特徴とする請求項７または８記載のチップ
    型発光素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記支持部材上に前記発光素子ウエハ
    を貼り合わせた後に、前記発光素子ウエハの前記透光性
    基板を薄層化する工程をさらに備えたことを特徴とする
    請求項７〜１０のいずれかに記載のチップ型発光素子の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記支持部材上に前記発光素子ウエハ
    を貼り合わせる工程は、 前記発光素子ウエハの前記複数対の電極上にそれぞれ導
    電性バンプを形成する工程と、 前記複数対の電極上に形成された前記導電性バンプを前
    記支持部材の前記複数対の第１の導電膜にそれぞれ接合
    する工程とを含むことを特徴とする請求項７〜１１のい
    ずれかに記載のチップ型発光素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記支持部材上に前記発光素子ウエハ
    を貼り合わせる工程は、前記複数の電極上に形成された
    前記導電性バンプの高さを均一化する工程をさらに含む
    ことを特徴とする請求項１２記載のチップ型発光素子の
    製造方法。
14. 【請求項１４】 前記支持部材を形成する工程は、 第１の絶縁シート上に第２の絶縁シートを積層すること
    により前記絶縁基板を形成する工程を含むことを特徴と
    する請求項７〜１３のいずれかに記載のチップ型発光素
    子の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記絶縁基板を形成する工程は、 前記第１の絶縁シートに所定間隔で複数の孔部を形成す
    る工程と、 前記複数の孔部の側面に導電膜を形成する工程とをさら
    に含み、 前記複数のチップ型発光素子を形成する工程は、前記絶
    縁基板を前記複数の孔部の箇所で分割する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１４記載のチップ型発光素子の製
    造方法。