RU169951U1 - Светодиодный чип - Google Patents
Светодиодный чип Download PDFInfo
- Publication number
- RU169951U1 RU169951U1 RU2016144446U RU2016144446U RU169951U1 RU 169951 U1 RU169951 U1 RU 169951U1 RU 2016144446 U RU2016144446 U RU 2016144446U RU 2016144446 U RU2016144446 U RU 2016144446U RU 169951 U1 RU169951 U1 RU 169951U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metallization
- emitting element
- plate
- light
- zones
- Prior art date
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах. Светодиодный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации. При этом основание выполнено в виде монопластины, изготовленной из диэлектрика, указанная пластина содержит сформированную в центральной части ее верхней поверхности третью зону металлизации, площадь которой превышает площадь нижней поверхности светоизлучающего элемента, а также содержит сформированные на ее нижней поверхности четвертую, пятую и шестую зоны металлизации, аналогичные по конфигурации и местоположению соответственно первой, второй и третьей зонам металлизации, светоизлучающий элемент расположен на поверхности третьей зоны металлизации, при этом в пластине из диэлектрика выполнены боковые металлизированные отверстия, посредством которых первая и четвертая зоны металлизации и вторая и пятая зоны металлизации сообщены друг с другом, а также центральные сквозные металлизированные отверстия, расположенные со стороны верхней поверхности указанной пластины на участках, не занятых светоизлучающим элементом, посредством которых третья и шестая зоны металлизации сообщены друг с другом. Технический результат, достигаемый при использовании полезной модели, заключается в упрощении конструкции и технологии изготовления светодиодного чипа при обеспечении высоких теплоотводящих свойств. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Полезная модель относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах.
Светодиодный чип представляет собой конструкцию, предназначенную для установки методами поверхностного монтажа при использовании в составе светодиодов, а также светодиодных линеек и матриц.
Светодиодный чип включает расположенный на пластинчатом основании (подкристальной плате, подложке) и снабженный электрическими выводами полупроводниковый светоизлучающий элемент, выполненный на основе полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры (полупроводникового кристалла). Чип также может иметь расположенное поверх кристалла полимерное покрытие.
На световые характеристики и долговечность чипа в значительной степени влияют степень и качество отвода тепла из активной области кристалла, выделяющегося в процессе его работы. В этой связи важным является, чтобы конструкция чипа обладала высокой теплопроводностью, что достигается конструктивными особенностями и выбором материала входящих в чип элементов. Это является особенно важным, поскольку чип в отличие от светодиода не содержит корпуса, обеспечивающего отвод тепла.
Известен светодиодный чип [JP 2000216439], который содержит в качестве основания подложку, включающую нижнюю пластину из алюминия и верхнюю пластину из алюминия, имеющие разные размеры. На верхней поверхности верхней пластины из алюминия сформирована пара верхних электрических выводов. С указанными выводами соединен светодиодный светоизлучающий элемент посредством электрических столбиковых выводов, выполненных из золота и серебряной пасты. На нижней поверхности нижней пластины из алюминия сформированы нижние электрические выводы, соединенные с верхними выводами через сквозные металлизированные отверстия, выполненные в обеих пластинах из алюминия.
Рассматриваемый чип за счет использования в качестве основания двух пластин из алюминия обладает относительно высокой теплопроводностью.
Однако выполнение основания в виде двухслойной подложки, содержащей пластины разного размера, усложняет конструкцию и технологию изготовления чипа.
Известен светодиодный чип [JP2009182072], содержащий в качестве основания, по меньшей мере, две керамические пластины. Светоизлучающий элемент установлен в центральной зоне верхней керамической пластины. По обе стороны относительно светоизлучающего элемента в обеих керамических пластинах выполнены соосные сквозные отверстия, имеющие разный диаметр. Сверху светоизлучающий элемент залит полимерным компаундом, который при заливке проникает в указанные сквозные отверстия, чем достигается прочность его соединения с основанием.
Рассматриваемый чип за счет наличия составной подложки, изготовленной из керамики, обладающей хорошей теплопроводностью, обеспечивает достаточно хороший отвод тепла.
Однако выполнение основания в виде, по меньшей мере, двух слоев, а также необходимость выполнения в слоях, изготовленных из керамики, соосных отверстий разного диаметра приводит к усложнению конструкции и технологии изготовления чипа.
Известен светодиодный чип [JP 2012079778], который выбран в качестве ближайшего аналога.
Данный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем верхнюю пластину, изготовленную из диэлектрика, в частности из текстолита, и нижнюю пластину, изготовленную из металла. При этом в центральной области верхней пластины их текстолита выполнено сквозное отверстие, образующее посадочное отверстие для светоизлучающего элемента. Поверх светоизлучающего элемента и пластины из текстолита нанесено покрытие из полимерного компаунда. На краевых участках верхней поверхности пластины из текстолита вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, образующие р- и n-контактные площадки, а светоизлучающий элемент имеет р- и n-металлические выводы, соединенные соответственно с р- и n-контактными площадками.
Наличие в основании рассматриваемого чипа нижней металлической пластины, обладающей высокой теплопроводностью, обеспечивает отвод выделяющегося при работе светоизлучающего элемента тепла. При этом использование в качестве материала верхней пластины текстолита, который хорошо подвергается механической обработке, обеспечивает простоту формирования посадочного отверстия для светоизлучающего элемента.
Однако выполнение основания в виде двух разнородных по материалу пластин приводит к усложнению конструкции и технологии изготовления рассматриваемого чипа.
Проблемой, решение которой достигается при осуществлении полезной модели, является упрощение конструкции и технологии изготовления светодиодного чипа при обеспечении высоких теплоотводящих свойств.
Сущность полезной модели заключается в том, что в светодиодном чипе, включающем полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации, согласно полезной модели основание выполнено в виде монопластины, изготовленной из диэлектрика, указанная пластина содержит сформированную в центральной части ее верхней поверхности третью зону металлизации, площадь которой превышает площадь нижней поверхности светоизлучающего элемента, а также содержит сформированные на ее нижней поверхности четвертую, пятую и шестую зоны металлизации, аналогичные по конфигурации и местоположению соответственно первой, второй и третьей зонам металлизации, светоизлучающий элемент расположен на поверхности третьей зоны металлизации, при этом в пластине из диэлектрика выполнены боковые металлизированные отверстия, посредством которых первая и четвертая зоны металлизации и вторая и пятая зоны металлизации сообщены друг с другом, а также центральные сквозные металлизированные отверстия, расположенные со стороны верхней поверхности указанной пластины на участках, не занятых светоизлучающим элементом, посредством которых третья и шестая зоны металлизации сообщены друг с другом.
В частном случае полезной модели отношение площади третьей зоны металлизации к суммарной площади поперечного сечения металлизированной части центральных сквозных отверстий составляет величину не более 33.
В частном случае полезной модели пластина изготовлена из текстолита.
Наличие в заявляемом устройстве установленного на основании полупроводникового светоизлучающего элемента, снабженного электрическими выводами, соединенными со сформированными на верхней поверхности основания боковыми металлическими зонами (контактными площадками), обеспечивает возможность устройства излучать свет и использовать его в составе светодиода или светодиодной системы (сборки).
Полупроводниковый светоизлучающий элемент заявляемого устройства выполнен на основе полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры (полупроводникового кристалла).
Используемое в чипе покрытие из полимерного компаунда выполняет защитную функцию, а также может обеспечивать достижение требуемых световых и цветовых характеристик. В частности, в качестве указанного покрытия используют смесь силикона с люминофором.
Принципиально важным в заявляемой конструкции является выполнение основания в виде всего одной пластины (монопластины), изготовленной из диэлектрика, с нанесенными на нее описанными выше верхними и нижними зонами металлизации, связанными друг с другом посредством металлизированных сквозных отверстий, а также выбор в качестве посадочного места для светоизлучающего элемента верхней центральной зоны металлизации пластины.
Благодаря указанным конструктивным особенностям данная пластина служит в качестве основания светоизлучающего элемента, обеспечивает возможность его электрической связи с внешней электрической цепью и обладает высокой теплоотводящей способностью.
За счет наличия на пластине верхних боковых первой и второй и нижних боковых третьей и четвертой зон металлизации, выполняющих роль соответственно верхних и нижних положительных и отрицательных контактных площадок, которые электрически соединены посредством боковых сквозных металлизированных отверстий, обеспечивается возможность электрической связи светоизлучающего элемента с внешней электрической цепью. При этом нижние положительная и отрицательная контактные площадки предназначены для подключения чипа к электрическим контактам внешней электрической цепи, в частности внешней цепи, сформированной на печатной монтажной плате, на которой располагается чип, входящий в состав светодиода или электронного осветительного устройства.
Для обеспечения указанной электрической связи достаточным является наличие одного бокового сквозного отверстия, соединяющего верхнюю и нижнюю положительные площадки, и одного бокового сквозного отверстия, соединяющего верхнюю и нижнюю отрицательные контактные площадки. Однако указанных отверстий может быть два и более, при этом дополнительные отверстия могут служить в качестве резервных для повышения надежности работы чипа, и их наличие способствует лучшему отводу тепла от пластины.
За счет наличия на пластине обладающих высокой теплопроводностью центральных верхней и нижней (третьей и шестой) зон металлизации, которые сообщаются посредством центральных сквозных металлизированных отверстий, достигается высокая теплоотводящая способность пластины. Указанные металлизированные конструктивные элементы обладают высокой теплопроводностью, образуют единую тепловую цепь и являются эффективным теплоотводом, обеспечивающим рассеяние выделяющегося при работе светоизлучающего элемента тепла с металлизированных поверхностей во внешнюю среду.
При этом многофункциональное основание чипа представляет собой простую по конструкции и технологии изготовления монопластину из диэлектрика, чем достигается простота конструкции и технологии изготовления чипа.
В качестве диэлектрического материала для изготовления монопластины могут быть использованы, в частности, керамика, полиамид, текстолит (стеклотекстолит).
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемой полезной модели, является упрощение конструкции и технологии изготовления светодиодного чипа при обеспечении высоких теплоотводящих свойств.
Для улучшения отвода тепла целесообразным является, чтобы отношение площади третьей зоны металлизации к суммарной площади поперечного сечения металлизированной части центральных сквозных металлизированных отверстий составляло величину не более 33. Как показали исследования авторов, при указанном соотношении площадей создаются условия, при которых температура р-n-перехода светоизлучающего элемента в рабочем режиме не превышает 115°С, что свидетельствует об очень эффективном отводе тепла.
Целесообразным является выполнение основания из текстолита, который является материалом, хорошо поддающимся механической обработке и пригодным для нанесения металлического покрытия, что обеспечивает простоту выполнения технологических операций формирования в пластине сквозных отверстий и металлизированных зон.
На фиг. 1 представлен общий вид заявляемого устройства (вид спереди); на фиг. 2 - то же (вид сверху).
Устройство содержит основание 1, выполненное в виде тонкой монопластины, изготовленной, в частности, из текстолита. Толщина пластины, в частности, выбрана из диапазона 110-130 мкм.
На краевых участках верхней поверхности пластины 1 вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны 2 и 3 металлизации. В центральной части верхней поверхности пластины 1 сформирована третья зона 4 металлизации, в центре которой установлен, в частности приклеен с помощью теплопроводного клея, полупроводниковый светоизлучающий элемент (полупроводниковый кристалл) 5. Площадь зоны 4 превышает площадь поперечного сечения кристалла 5.
На нижней поверхности пластины 1 сформированы четвертая зона 6, пятая зона 7 и шестая зона 8 металлизации, аналогичные по конфигурации и местоположению (по дизайну) соответственно первой зоне 2, второй зоне 3 и третьей зоне 4 металлизации.
В пластине 1 выполнены боковые металлизированные отверстия 9, посредством которых первая зона 2 и четвертая зона 6 металлизации и вторая зона 3 и пятая зона 7 металлизации сообщены друг с другом, а также центральные сквозные металлизированные отверстия 10, расположенные со стороны верхней поверхности пластины 1 на участках, не занятых кристаллом 5, посредством которых третья зона 5 и шестая зона 8 металлизации сообщены друг с другом.
Кристалл имеет металлические электрические положительный и отрицательный выводы 11, один из которых соединен с первой зоной 2 металлизации, а другой соединен со второй зоной 3 металлизации.
Сверху пластина 1 и кристалл 5 залиты светопрозрачным компаундом 12, в частности силиконом с распределенными в нем частицами люминофора.
Устройство работает следующим образом.
Чип устанавливают в корпус светодиода или на монтажную печатную плату. Обеспечивают подачу тока в кристалл 5 от внешней электрической цепи (на чертеже не показана) через зоны 6 и 7 металлизации, образующие нижние положительную и отрицательную контактные площадки, отверстия 9 и зоны 2 и 3 металлизации, образующие верхнюю положительную и отрицательную контактные площадки, и выводы 11 кристалла. Кристалл 5 излучает свет. При работе кристалла 5 выделяется тепло, которое рассеивается во внешнюю среду с поверхности верхней центральной зоны 5 металлизации, отводится через металлизированные сквозные отверстия 10 и рассеивается с поверхности нижней центральной зоны 8 металлизации.
Claims (3)
1. Светодиодный чип, включающий полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации, отличающийся тем, что основание выполнено в виде монопластины, изготовленной из диэлектрика, указанная пластина содержит сформированную в центральной части ее верхней поверхности третью зону металлизации, площадь которой превышает площадь нижней поверхности светоизлучающего элемента, а также содержит сформированные на ее нижней поверхности четвертую, пятую и шестую зоны металлизации, аналогичные по конфигурации и местоположению соответственно первой, второй и третьей зонам металлизации, светоизлучающий элемент расположен на поверхности третьей зоны металлизации, при этом в пластине из диэлектрика выполнены боковые металлизированные отверстия, посредством которых первая и четвертая зоны металлизации и вторая и пятая зоны металлизации сообщены друг с другом, а также центральные сквозные металлизированные отверстия, расположенные со стороны верхней поверхности указанной пластины на участках, не занятых светоизлучающим элементом, посредством которых третья и шестая зоны металлизации сообщены друг с другом.
2. Светодиодный чип по п. 1, отличающийся тем, что отношение площади третьей зоны металлизации к суммарной площади поперечного сечения металлизированной части центральных сквозных отверстий составляет величину не более 33.
3. Светодиодный чип по п. 1 или 2, отличающийся тем, что пластина изготовлена из текстолита.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016144446U RU169951U1 (ru) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | Светодиодный чип |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016144446U RU169951U1 (ru) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | Светодиодный чип |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU169951U1 true RU169951U1 (ru) | 2017-04-07 |
Family
ID=58505383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016144446U RU169951U1 (ru) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | Светодиодный чип |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU169951U1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000216439A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | チップ型発光素子およびその製造方法 |
RU2200358C1 (ru) * | 2001-06-05 | 2003-03-10 | Хан Владимир Александрович | Полупроводниковый излучающий диод |
US6964877B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-11-15 | Gelcore, Llc | LED power package |
US7329905B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-12 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
US20100159621A1 (en) * | 2005-04-01 | 2010-06-24 | Panasonic Corporation | Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012079778A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 発光素子搭載用基板及び発光素子パッケージ |
-
2016
- 2016-11-11 RU RU2016144446U patent/RU169951U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000216439A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | チップ型発光素子およびその製造方法 |
RU2200358C1 (ru) * | 2001-06-05 | 2003-03-10 | Хан Владимир Александрович | Полупроводниковый излучающий диод |
US6964877B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-11-15 | Gelcore, Llc | LED power package |
US7329905B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-12 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
US20100159621A1 (en) * | 2005-04-01 | 2010-06-24 | Panasonic Corporation | Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012079778A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 発光素子搭載用基板及び発光素子パッケージ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100958024B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
KR101049698B1 (ko) | Led 어레이 모듈 및 이의 제조방법 | |
US8324653B1 (en) | Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate | |
KR20100047324A (ko) | 발광 다이오드 어레이 | |
KR101134671B1 (ko) | Led 램프 모듈의 방열구조체 | |
US10236429B2 (en) | Mounting assembly and lighting device | |
TWM498387U (zh) | 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組 | |
KR20140018771A (ko) | 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스 | |
JP2018139317A (ja) | コンポーネントキャリア及びコンポーネントキャリアアセンブリ | |
JP2018117149A (ja) | 表面実装可能な半導体デバイス | |
KR20100089115A (ko) | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 | |
KR101719692B1 (ko) | 인쇄 회로 기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 led 모듈과 led 램프 | |
TW201436299A (zh) | 發光體之封裝與方法 | |
RU169951U1 (ru) | Светодиодный чип | |
RU2641545C1 (ru) | Светодиодный чип | |
US20140197434A1 (en) | Light emitting diode device and method for manufacturing heat dissipation substrate | |
KR101004929B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 및 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈 | |
KR20150012951A (ko) | 조명 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치 | |
TW200818557A (en) | Optoelectronic component | |
KR101064013B1 (ko) | 발광모듈 | |
JP2018530161A (ja) | 発光素子、発光素子の製造方法及び発光モジュール | |
RU2638027C1 (ru) | Светоизлучающий модуль | |
CN105914283A (zh) | 散热基板、功率模块及制备散热基板的方法 | |
RU172194U1 (ru) | Светоизлучающий модуль | |
CN103956426B (zh) | 半导体发光芯片及发光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MG9K | Termination of a utility model due to grant of a patent for identical subject |
Ref document number: 2641545 Country of ref document: RU Effective date: 20180118 |