KR20100047324A - 발광 다이오드 어레이 - Google Patents

Abstract

발광 다이오드들(LED들)(102)의 1차원 어레이(100)는 상기 LED들을 서로에 근접하여, 예를 들면, 150㎛ 이하로 배치하고 상기 LED들의 적어도 하나의 측면을 상기 기판(107)의 에지에 근접하여, 예를 들면, 150㎛ 이하로 배치하도록 구성된다. 상기 LED들을 상기 기판의 에지에 근접하게 하는 것에 의해, 다수의 1차원 어레이들이 나란히 함께 접합되어, 서로 근접하여 배치된 인접한 1차원 어레이들로부터의 상기 LED들을 갖는 2차원 어레이(160)를 형성할 수 있다. 동일한 1차원 어레이들 및 인접한 1차원 어레이들 상의 LED들 사이의 간격들을 최소화함으로써, 디바이스의 휘도가 개선되어 디바이스를 고휘도 응용에 적합하게 한다. 또한, 다수의 1차원 어레이들을 이용하여 보다 큰 2차원 어레이를 형성하는 것은 종래의 모놀리식 2차원 어레이들에 비하여 수율을 증가시킨다.

Description

발광 다이오드 어레이{LIGHT EMITTING DIODE ARRAY}

본 발명은 발광 디바이스들의 어레이에 관한 것으로, 특히 상이한 사이즈의 2차원 어레이들을 형성하도록 조합될 수 있는 발광 다이오드들의 1차원 어레이들에 관한 것이다.

발광 다이오드(LED)와 같은 반도체 발광 디바이스는 효율적인 광원이다. 많은 응용들, 특히 3mm²sr보다 큰 에텐듀(etendue)를 갖는 고휘도 응용들의 경우, 종종 다수의 LED들을 어레이로 배치하는 것이 바람직하다. 휘도는 LED들의 서로에 대한 근접의 함수이므로, 그러한 어레이들에서 LED들을 서로 근접하여 배치하는 것이 바람직하다. 종래 방식으로 어레이들을 형성하기 위해, LED들은 직접 또는 개재하는 서브마운트를 이용하여 모놀리식 기판(monolithic substrate) 위에 개별적으로 마운팅된다. 그러나, 단일 기판에 많은 수의 LED들을 정확히 접착시키는 것은 어렵고 비교적 낮은 수율을 갖는다. 예를 들면, LED당 10% 실패율로, 15개 LED들을 3x5 2차원 어레이로 마운팅하는 것은 대략 21%(90%^15)의 수율을 생성한다.

따라서, LED들이 각각에 근접하여 배치되고 전체 수율을 증가시킬 수 있도록 LED들의 개선된 어레이를 생성하는 것이 바람직하다.

하나의 실시예에 따르면, 발광 다이오드들(LED들)의 1차원 어레이는 상기 LED들을 서로에 근접하여, 예를 들면, 150㎛ 이하로 배치하고 상기 LED들의 적어도 하나의 측면을 상기 어레이의 기판의 에지에 근접하여, 예를 들면, 150㎛ 이하로 배치하도록 구성된다. 상기 LED들을 상기 기판의 에지들에 근접하게 하는 것에 의해, 다수의 1차원 어레이들이 나란히 함께 접합되어 서로 근접하여 배치된 인접한 1차원 어레이들로부터의 상기 LED들을 갖는 2차원 어레이를 형성할 수 있다. 동일한 1차원 어레이들 및 인접한 1차원 어레이들 상의 LED들 사이의 간격들을 최소화함으로써, 디바이스의 휘도가 개선되어 디바이스를 고휘도 응용에 적합하게 한다. 또한, 다수의 1차원 어레이들을 이용하여 보다 큰 2차원 어레이를 형성하는 것은 종래의 모놀리식 2차원 어레이들에 비하여 수율을 증가시킨다.

도 1은 1차원 발광 다이오드(LED) 어레이의 상면도를 나타낸다.
도 2는 2차원 어레이를 형성하도록 나란히 조합된 복수의 1차원 어레이들을 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 2차원 어레이가 마운팅될 수 있는 히트 싱크(heat sink)의 상면도를 나타낸다.
도 4는 위에 있는 LED들에 연결된 냉각 인터페이스를 갖는 기판 위에 마운팅된 2차원 어레이의 측면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 2차원 어레이의 상면도이다.
도 6은 도 1의 1차원 어레이에 이용되는 기판의 상면도를 나타낸다.
도 7은 도 1 및 6의 1차원 어레이의 일부분의 근접도를 나타낸다.
도 8은 LED들을 마운팅하고 개별 1차원 어레이들로 다이싱하기 전에 단일 타일 위에 생성되어 있는 복수의 기판들의 상면도를 나타낸다.
도 9는 콘택트 리드들(contact leads)이 기판의 상면의 동일한 측면에 배치되어 있는 1차원 어레이의 다른 실시예의 상면도를 나타낸다.
도 10은 도 9의 라인 A-A를 따라 취한 1차원 어레이의 단면도이다.
도 11은 다수의 1차원 어레이들을 이용하여 생성된 2차원 어레이의 단면도를 나타낸다.
도 12는 직렬로 연결된 2개의 1x3 1차원 어레이들로부터 형성된 2x3 2차원 어레이를 나타낸다.
도 13은 LED들이 병렬로 함께 연결되어 있는 1차원 어레이의 다른 실시예를 나타낸다.

도 1은 복수의 발광 다이오드들(LED들)(102)로 채워진(populated) 기판(104)을 포함하는 1차원 발광 다이오드(LED) 어레이(100)의 상면도를 나타낸다. 기판(104)은, 도 1의 LED들(102)에 의한 도로부터 감추어져 있으나 도 6에는 도시되어 있는, N 콘택트들(108) 및 P 콘택트들(110)뿐만 아니라, LED들(102)에 대한 N 콘택트 리드(108_lead) 및 P 콘택트 리드(110_lead)를 형성하도록 패터닝된 도전층으로 덮인 상부 표면을 갖는 절연 베이스(106)를 포함한다. LED들(102)은 기판(104)의 정반대 측면들 상의 N 콘택트 리드(108_lead) 및 P 콘택트 리드(110_lead)와 직렬로 함께 연결된다.

1차원 어레이(100)는 도 1에서 7개까지의 LED들(102)을 유지할 수 있는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 원한다면 어레이(100)는 더 많은 또는 더 적은 수의 LED들(102)을 유지하도록 구성될 수 있다. 1차원 어레이(100)는 일반적으로 1xN 어레이로 칭해질 수 있고, 여기서 N≥2이다. 도 1에 도시된 어레이(100)와 유사하지만 상이한 수 N의 LED들을 갖는 어레이들이 본 명세에 비추어 생성될 수 있다. 또한, 원한다면, 1차원 어레이(100) 상의 LED 마운팅 위치들 중 하나 이상은 채워지지 않고 단락(short-circuit)될 수 있고, 이것은 도 1에서 LED(102a)의 크로스해칭(cross-hatching)에 의해 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 1차원 1xN 어레이들(100)은 조합되어, 즉, 서로 인접하여 마운팅되어, 2차원 MxN 어레이(200)를 형성할 수 있고, 여기서 M≥2이다. 2차원 어레이(200)를 생성하기 위해 이용되는 1차원 어레이들(100)은 동일한 수의 LED들(102)로 채워질 수 있고, 또는 다르게는, 1차원 어레이들(100) 중 하나 이상은 소망의 어레이 구성을 생성하기 위해 상이한 수의 LED들(102)을 가질 수 있다.

다수의 개별 1차원 어레이들(100)을 이용하여 2차원 어레이를 형성하는 것의 이점은 전체 수율이 개선된다는 것이다. 예를 들면, 15개의 LED들의 종래의 모놀리식 2차원 어레이, 예를 들면, 3x5 어레이는 21%(90%^15)의 수율을 가질 수 있는 반면, 5개의 1차원 1x3 어레이들은, 5개의 스트립들을 마운팅하고 서로 근접하여 전기적으로 접속하는 것의 수율이 99%라고 가정할 때, 69%(90%^3*99%^5)의 수율을 생성할 수 있다.

도 3은 MxN 어레이(200)가 마운팅될 수 있는 히트 싱크(210)의 상면도를 나타낸다. 히트 싱크(210)는 알루미늄 또는 구리 또는 그의 합금들과 같은 열전도 재료로 형성될 수 있다. 히트 싱크(210)는, 예를 들면, 와이어 본딩에 의해 또는 하부 표면 기판(104)(여기서 기판(104) 내의 스루-비아들(through-vias)(도시 생략)은 상부 표면 상의 N 및 P 콘택트들(108, 110)로의 전기 접촉을 제공함) 상의 솔더-리플로우(solder-reflow)에 의해, 개별 1xN 어레이들(100)의 N 및 P 콘택트 리드들(108, 110)에 전기적으로 연결되는, 전기적으로 절연된 리드들(212)을 포함한다. 1차원 어레이들(100)의 기판들(104)은 히트 싱크(210)에 솔더링되어 LED들(102)로부터 1차원 어레이들(100)의 기판을 통해 히트 싱크(210)로 양호한 열 접촉 및 낮은 열 저항을 제공할 수 있다.

도 4는 도 2에 도시된 어레이(200)와 유사하고, DBC(direct bond copper) 기판(120)에 연결되는 어레이(200')의 측면도이고, DBC 기판(120)은 히트 파이프(122) 또는 다른 적절한 냉각 인터페이스와의 열 접촉을 제공하기 위해 LED들의 위치 아래에 구멍을 갖는다. 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 와이어 본드들(124)은 DBC 기판(120)과 N 및 P 콘택트 리드들(108 및 110) 사이의 전기 접촉을 제공한다. 다르게는, DBC 기판(120)과 N 및 P 콘택트 리드들(108 및 110) 사이의 전기 접촉은 파선들로 나타내어진 기판(104) 내의 스루-비아들(126)에 의해 달성된다.

도 5는 도 4에 도시된 어레이(200')의 상면도이고, 원(circle)은 히트 파이프(122)의 위치를 나타낸다. 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 어레이(200')는, 열 인터페이스를 최적화하기 위해 또는 단순히 소망의 어레이 영역을 생성하기 위해 유리할 수 있는, 변화하는 수의 LED들(102)을 갖는 하나 이상의 1차원 어레이(100)를 포함할 수 있다. 원은 다르게는 라운드 스폿-램프(round spot-lamp)과 같은 광학 시스템의 형상을 나타내고, 여기서 스트립마다 변화하는 수의 LED들은 광학 시스템의 이상적인 형상을 달성하는 데 도움이 된다.

도 6은 1차원 어레이(100)의 기판(104)의 상면도를 나타낸다. 기판(104)은, 예를 들면, 세라믹, Al₂O₃, AlN, 알루미나, 또는 실리콘 질화물일 수 있는 베이스(106)를 포함한다. 베이스(106)는 LED들에 대한 전기적으로 절연된 N-콘택트들(108) 및 P-콘택트들(110)을 형성하도록 패터닝된 도체 영역들(109)로 덮이고, N-콘택트들(108) 및 P-콘택트들(110)은 그들 사이에 도전성 브리지(conductive bridge)(111)와 직렬 배열된다. 도체 영역들(109)은, 예를 들면, Au 또는 Cu 또는 적합한 금속 또는 금속 합금으로부터, 종래 방식으로 증착되고 리소그래피 방식으로 패터닝될 수 있고, 예를 들면, 2㎛의 두께를 가질 수 있다. LED 위치들에서의 N 및 P 콘택트들(108 및 110) 위에는 도금된 범프들(112)이 있고, 그것들은 기판(104)에 마운팅될 때 LED들(102)과의 전기 접촉을 제공한다. 도금된 범프들(112)은, 예를 들면, 50%의 면적 피복율(area coverage)을 갖는 두께가 15-30㎛인, 예를 들면, Au 도금일 수 있다.

도 7은 LED(102)의 부분들이 베어내진, 어레이(100)의 일부분의 근접도를 나타낸다. 어레이(100)는, 디바이스의 휘도를 개선하기 위해 LED들(102)이 서로 근접하여 마운팅될 수 있도록 구성되어, 어레이(100)를 리어 프로젝션(rear projection) 시스템과 같은 고휘도 디바이스, 및 포켓 프로젝터와 같은 높은 루멘/와트 시스템에 적합하게 한다. 일반적으로 휘도(luminance) L = Flux/(Area*pi)이고 MxN 어레이에 대한 면적(Area)은 Area = (M*Width_of_LED+(M-1)*Gap_Width)*(N*Length_of_LED+(N-1)*Gap_Length)이다. 따라서, LED들로부터의 동일한 전체 플럭스(total flux)를 가정할 때, 간격_길이(Gap_Length) 또는 간격_폭(Gap_Width)이 클수록, 면적은 더 크고 휘도 L은 더 낮다.

N-콘택트(108) 및 P-콘택트(110)는, 기판(104)에 마운팅될 때, LED들(102) 사이의 간격인, 거리 D_gap이 150㎛ 이하가 되고, 바람직하게는, 75㎛ 또는 50㎛와 같이, 100㎛ 이하가 되도록 형성된다. 거리 D_gap을 최소화하기 위해, 2개의 인접한 LED 위치들에 대한 N 콘택트들(110)은 서로 근접하도록, 예를 들면, 거리 D_contacts가 되도록 구성된다. 최소 거리 D_contacts 및, 따라서, 거리 D_gap을 결정하는 데 있어서, 예를 들면, ±15㎛의 허용 오차를 가질 수 있는, LED 다이 배치가 설명되어야 한다. 만약 거리 D_contacts가 너무 작다면, LED 다이들은 LED 다이 배치 중에 서로 단락(short out)하거나 접촉할 수 있다. 도금된 범프들(112)의 배치의 제조 허용 오차들도 허용 오차, 예를 들면, ±15㎛에 추가된다. 기판(104) 상의 LED들(102) 사이의 간격을 최소화함으로써, 어레이(100)의 휘도는 증가된다.

또한, 기판(104)은 LED들(102)의 에지와 베이스(106)의 적어도 하나의 에지(107) 사이의 거리 D_edge가 최소화되도록, 예를 들면, 150㎛ 이하가 되고, 바람직하게는, 75㎛ 또는 50㎛와 같이, 100㎛ 이하가 되도록 구성된다. 거리 D_edge를 최소화함으로써, 2개의 인접한 1차원 어레이들(100)로부터의 LED들(102) 사이의 거리는 300㎛ 이하일 것이다. 거리 D_edge를 최소화하기 위해, N 콘택트들(108)은, 인접한 LED 위치 아래의 P 콘택트(110)에 또는 N 콘택트 리드(108_lead)에 전기 접촉을 이루는 브리지(111)를 제외하면, 그것들이 최소로 연장하거나 LED들(102)의 에지들을 전혀 넘지 않도록, 즉, 거리 D₁₀₂가 50㎛ 미만이 되고, 바람직하게는, 0.0㎛와 같이, 25㎛ 이하가 되도록 구성된다. 금속 N 콘택트들(108)을 그것들이 완전히 LED들(102) 아래에 있도록 구성함으로써, 기판(104)의 베이스(106)는 금속 콘택트 재료에 접촉함이 없이 LED들(102)의 에지에 매우 근접하여 소잉(saw)될 수 있는데, 금속 콘택트 재료에 접촉하는 경우에는 서로 근접하여 배치될 때 인접한 어레이들과의 단락 위험뿐만 아니라, 베이스(106)의 소잉을 방해하게 될 것이다. 본 실시예는 LED 다이의 파라미터 상의 N 콘택트들을 갖는 LED 플립칩 구성에 기초한다는 것을 이해해야 한다. LED 다이의 파라미터 상의 P 콘택트들, 또는 LED 다이의 정반대 측면들 상의 N 콘택트 및 P 콘택트들과 같은 다른 구성들에서는, N 콘택트들(108) 및 P 콘택트들(110)의 구성은 본 명세에 비추어 적절히 변경될 수 있다.

제조시에, 복수의 기판들(104)이 단 하나의 큰 타일로부터 동시에 생성될 수 있다. 예로서, 도 8은 LED들(102)을 마운팅하고 개별 어레이들(100)로 다이싱하기 전에 단일 타일(160) 위에 생성되어 있는 복수의 기판들(104)의 상면도를 나타낸다. 기판들(104)이 형성되고, 콘택트 영역들(109) 및 도금된 범프들(112)(도 6)이 형성된 후에, 타일(160) 위에 LED들(102)이 채워진다. LED들(102)은 임의의 소망의 플립-플롭 설계일 수 있고, 바람직하게는, 종래의 방식으로 사파이어, 실리콘 탄화물, 또는 Ⅲ-질화물 기판들 상에 에피택셜 성장되는, Ⅲ-질화물 디바이스이다. 일단 LED들(102)이 마운팅되면, 종래의 에폭시 언더필 프로세스가 수행될 수 있고 그런 다음, 예를 들면, 레이저 리프트 오프(laser lift off) 또는 다른 적절한 프로세스를 이용하여, 성장 기판을 제거한다. LED들(102)의 남아 있는 상부 표면은 그 후 광 추출을 개선하기 위해, 예를 들면, PEC(photoelectrochemical) 또는 다른 적절한 프로세스를 이용하여 러프닝(roughen)된다. 그 후, 예를 들면, 소잉 프로세스를 이용하여, 개별 1차원 어레이들(100)이 다이싱되고, 테스트되고, 히트 싱크 상에 마운팅되고 다수의 1xN 단위로 전기적으로 접속될 수 있다.

또한, 기판(104)의 설계들은 와이어 본드에 대한 필요를 제거하고 LED들(102)의 어레이로부터 근접한 파라미터 내에 TVS(transient voltage suppressor)와 같은, LED들보다 더 높은 컴포넌트들을 배치하는 것을 피한다. 따라서, 렌즈들과 같은 광학 컴포넌트들은 LED들의 상부 표면에 근접하여, 예를 들면, 100㎛ 이하로 배치될 수 있다.

도 9는 N 콘택트 리드(302_lead) 및 P 콘택트 리드(304_lead)가 기판(306)의 동일한 측면 상에 배치되어 있는 1차원(1x3) 어레이(300)의 상면도를 나타낸다. 도 10은 도 9의 라인 A-A를 따라 취한 1차원 어레이(300)의 단면도이다. 어레이(300)의 사이즈는 도시된 것으로부터 변할 수 있다는 것을, 예를 들면, 어레이는 1x2, 1x4 또는 더 클 수 있다는 것을 이해해야 한다. 도 11은 4개의 1차원 1x3 어레이들(300) 및 4개의 1차원 1x2 어레이들(301)을 이용하여 생성된 2차원 4x5 어레이(350)의 예를 나타낸다. 물론, 보다 적은 또는 추가적인 1차원 어레이들을 이용해서뿐만 아니라 보다 큰 또는 보다 작은 1차원 어레이들을 이용하여 상이한 사이즈의 2차원 어레이들이 생성될 수 있다.

도 10에 도시된 바와 같이, 기판(306)은, 예를 들면, 두께가 2㎛인, Au 또는 Cu의 도전성 하부층(312)을 갖는, 예를 들면, 실리콘의 베이스(310)로부터 형성된다. 절연층(314)이 하부층(312)의 위에 있다. 절연층(314)은, 예를 들면, 실리콘 산화물 또는 다른 적절한 재료의 1.5㎛ 두께의 층일 수 있다. 도 10에서 볼 수 있는 바와 같이, Au 또는 다른 적절한 재료의 2개의 스루 비아들(316a, 316b)이 절연층(314) 내에 존재한다. 스루 비아(316a)는 P 콘택트 리드(304) 아래에 위치하는 반면, 스루 비어(316b)는 어레이 내의 가장 먼 LED에 대한 P 콘택트 영역 아래에 위치한다. 절연층(314) 위에는, LED들에 대한 콘택트 리드들(302_lead 및 304_lead) 및 N-콘택트들(302) 및 P-콘택트들(304)을 형성하는, 패터닝된 도체 영역들(318)이 있다. 도체 영역들(318) 위에는, LED들과의 전기 접촉을 제공하는, 도금된 범프들(320)이 있다.

도 12는 2x3 2차원 어레이(400)를 형성하도록 함께 마운팅된 LED들(403)의 2개의 1x3 1차원 어레이들(402)의 상면도를 나타낸다. 1차원 어레이들(402)은, 예를 들면, 절연 베이스 위에 있는 패터닝된 금속 콘택트들을 갖는, 도 1에서 설명된 어레이(100)와 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 2개의 1차원 어레이들(402)은, 하나의 어레이의 N 콘택트(410)를 다른 어레이의 플러스 콘택트(412)에 연결하는 점퍼(408)와 함께, 도전성 리본들(405 및 407)을 통해, 플러스 리드(404)와 마이너스 리드(406) 사이에 직렬로 연결된다. 어레이들(402)은 히트 싱킹(heat sinking)을 위한 슬러그(414) 상에 마운팅되고 플라스틱 또는 다른 적절한 재료의 몰딩된 바디(416)에 의해 둘러싸인다. 1차원 어레이들(402)은 또한 TVS 다이오드들(418)을 포함한다. 도 12에서 볼 수 있는 바와 같이, 어레이들(402)은 LED들(403)의 하나의 측면만이 기판의 에지에 근접하도록 구성된다. 또한, 점퍼(408), 리본들(405 및 407), 및 TVS 다이오드들(418)과 같은, LED들(403)보다 높은 컴포넌트들은 LED들에 근접한 파라미터의 외부에, 예를 들면, 0.5mm보다 더 멀리, 더 구체적으로는 1mm 또는 2mm보다 더 멀리 배치된다. 따라서, 렌즈들과 같은 광학 컴포넌트들은 점퍼(408), 리본들(405 및 407), 및 TVS 다이오드들(418)로부터의 방해 없이 LED들의 어레이에 근접하여, 예를 들면, 100㎛ 미만으로 배치될 수 있다.

도 13은 LED들(501)(LED들의 일부분만이 도시되어 있음)이 N 콘택트들(502) 및 P 콘택트들(504)을 통해 병렬로 N 콘택트 리드(502_lead) 및 P 콘택트 리드(504_lead)에 연결되어 있는 1차원 어레이(500)의 다른 실시예를 나타낸다. 따라서, N 콘택트들(502)은 함께 연결되고 P 콘택트들(504)은 함께 연결된다.

본 발명은 교육 목적으로 특정한 실시예들과 관련하여 설명되지만, 본 발명은 그것에 제한되지 않는다. 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 다양한 개조들 및 수정들이 이루어질 수 있다. 그러므로, 첨부된 청구항들의 정신 및 범위는 전술한 설명에 제한되지 않아야 한다.

Claims (14)

1. 발광 다이오드들의 1차원 어레이를 포함하는 장치로서,
   상기 1차원 어레이는,
   베이스 및 상기 베이스 상에 배치된 복수의 전기 도전성 콘택트 영역들을 갖는 기판; 및
   복수의 발광 다이오드들을 포함하고,
   각 발광 다이오드는 플립칩 구성을 갖고 상기 복수의 도전성 콘택트 영역들 중 하나의 도전성 콘택트 영역 상에 마운팅되고, 각 발광 다이오드는 다른 발광 다이오드로부터 150㎛ 이하만큼 분리되고 각 발광 다이오드는 상기 베이스의 측면으로부터 150㎛ 이하만큼 분리되어 있는 에지를 갖는 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 베이스의 상부 표면의 정반대 측면들 상의 플러스 콘택트 리드(positive contact lead) 및 마이너스 콘택트 리드(negative contact lead)를 더 포함하는 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 베이스의 상부 표면의 동일한 측면들 상의 플러스 콘택트 리드 및 마이너스 콘택트 리드를 더 포함하는 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 콘택트 영역들은 하나의 발광 다이오드 아래의 플러스 콘택트 영역이 인접한 발광 다이오드 아래의 마이너스 콘택트 영역에 전기적으로 연결되도록 구성되는 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드들은 하나의 발광 다이오드 아래의 플러스 콘택트 영역이 인접한 발광 다이오드 아래의 플러스 콘택트 영역에 전기적으로 연결되도록 상기 콘택트 영역들을 통해 병렬로 함께 전기적으로 연결되는 장치.
6. 제1항에 있어서, 각 콘택트 영역은 위에 있는 발광 다이오드의 에지로부터 50㎛를 넘어 연장하지 않는 측면을 갖는 장치.
7. 제1항에 있어서, 각 발광 다이오드는 다른 발광 다이오드로부터 100㎛ 이하만큼 분리되고 각 발광 다이오드는 상기 베이스의 측면으로부터 100㎛ 이하만큼 분리되어 있는 에지를 갖는 장치.
8. 제1항에 있어서, 발광 다이오드들의 2차원 어레이를 형성하도록 구성된 발광 다이오드들의 복수의 1차원 어레이들을 더 포함하고, 각 1차원 어레이 상의 상기 발광 다이오드들은 인접한 1차원 어레이 상의 발광 다이오드로부터 300㎛ 미만에 있는 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 1차원 어레이들 중 적어도 하나의 1차원 어레이는 나머지 1차원 어레이들과는 상이한 수의 발광 다이오드들을 갖는 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드들은 높이를 갖고 상기 발광 다이오드들 중 하나의 발광 다이오드로부터 2mm보다 더 근접해 있는 상기 발광 다이오드보다 더 큰 높이를 갖는 컴포넌트는 없는 장치.
11. 발광 다이오드들의 2차원 어레이로서,
    발광 다이오드들의 복수의 1차원 어레이들을 포함하고, 발광 다이오드들의 각 1차원 어레이는 기판 상에 마운팅된 복수의 플립칩 발광 다이오드들을 포함하고, 기판 상의 각 발광 다이오드는 동일한 기판 상의 다른 발광 다이오드로부터 150㎛ 이하만큼 분리되고 각 발광 다이오드는 인접한 1차원 어레이 상의 발광 다이오드로부터 300㎛ 이하만큼 분리되는 발광 다이오드들의 2차원 어레이.
12. 제11항에 있어서, 상기 2차원 어레이는 MxN 어레이이고, M≥2 및 N≥2이고, M개의 1차원 어레이들이 있고 상기 M개의 1차원 어레이들 각각은 1xN 어레이인 발광 다이오드들의 2차원 어레이.
13. 제11항에 있어서, 각 1차원 어레이는 상기 발광 다이오드들 아래에 있는 상기 기판 상의 도전성 콘택트 영역들을 더 포함하고, 각 콘택트 영역은 위에 있는 발광 다이오드의 에지로부터 50㎛를 넘어 연장하지 않는 측면을 갖는 발광 다이오드들의 2차원 어레이.
14. 제11항에 있어서, 상기 발광 다이오드들은 높이를 갖고 상기 발광 다이오드들 중 하나의 발광 다이오드로부터 2mm보다 더 근접해 있는 상기 발광 다이오드보다 더 큰 높이를 갖는 컴포넌트는 없는 발광 다이오드들의 2차원 어레이.

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